JP2002076149A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6770933B2 (en) * 2002-12-11 2004-08-03 Texas Instruments Incorporated Single poly eeprom with improved coupling ratio
JP4541220B2 (ja) * 2005-04-13 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
JP5086626B2 (ja) * 2006-12-15 2012-11-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US8320191B2 (en) 2007-08-30 2012-11-27 Infineon Technologies Ag Memory cell arrangement, method for controlling a memory cell, memory array and electronic device
KR20100076227A (ko) * 2008-12-26 2010-07-06 주식회사 동부하이텍 반도체 소자 및 그 제조 방법
RU2641916C2 (ru) 2012-10-02 2018-01-23 Байер Кропсайенс Аг Гетероциклические соединения в качестве пестицидов
US11101277B2 (en) * 2019-03-20 2021-08-24 Greenliant Ip, Llc. Process for manufacturing NOR memory cell with vertical floating gate
KR20250102644A (ko) 2023-12-28 2025-07-07 엘티메탈 주식회사 다층구조 애노드 다공막 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 애노드 다공막

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3059442B2 (ja) * 1988-11-09 2000-07-04 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
JP2664685B2 (ja) * 1987-07-31 1997-10-15 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5587332A (en) * 1992-09-01 1996-12-24 Vlsi Technology, Inc. Method of making flash memory cell
JPH06151780A (ja) * 1992-11-12 1994-05-31 Nippon Precision Circuits Kk 半導体装置
SE515560C2 (sv) * 1995-04-03 2001-08-27 Ericsson Telefon Ab L M Optiskt nät samt anordning och förfarande i detta
JP3149937B2 (ja) * 1997-12-08 2001-03-26 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6051860A (en) * 1998-01-16 2000-04-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same and semiconductor integrated circuit
JP3161408B2 (ja) 1998-03-03 2001-04-25 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3175705B2 (ja) * 1998-09-18 2001-06-11 日本電気株式会社 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
JP4212178B2 (ja) * 1999-03-12 2009-01-21 株式会社東芝 半導体集積回路の製造方法

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