JP3955123B2 - Mosトランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、MOSトランジスタの製造方法に関し、特にLSIの高速化に適用して有効な技術である。
【0002】
【従来の技術】
従来技術として、図4にMOSトランジスタの製造方法について示す。なお、本例におけるMOSトランジスタはN型MOSトランジスタとし、素子分離としてフィールドシールド素子分離法を用いている。
【0003】
P型シリコン基板200上に、フィールドシールドゲート酸化膜201、フィールドシールドゲート電極202、キャップ酸化膜203を形成し、パターニングした後、これらの側壁を覆うサイドウォールスペーサ酸化膜204を形成し、フィールドシールド素子分離構造を形成する(a図)。
【0004】
次に、活性領域内にゲート酸化膜205、ゲート電極206、キャップ酸化膜207を形成し、パターニングした後、これらの側壁を覆うサイドウォールスペーサ酸化膜208を形成する(b図)。
【0005】
次に、ヒ素をドープした多結晶シリコン膜を全面に形成した後、パターニングすることによって、MOSトランジスタのソース/ドレイン電極209を形成する(c図)。
【0006】
次に、層間絶縁膜210を形成する。この際の熱処理によって、ソース/ドレイン電極209からP型シリコン基板200にヒ素が熱拡散し、ソース/ドレイン拡散層212が形成される。続いて、コンタクト孔211を開口する(d図)。
【0007】
最後に、金属配線213を形成して、フィールドシールド素子分離構造を有するMOSトランジスタが完成する(e図)。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記構造のMOSトランジスタでは、ゲート電極の側壁に酸化膜から成るサイドウォールスペーサが存在しているため、ゲート電極とドレイン電極の間に寄生容量が形成されている。この寄生容量による遅延のため、回路動作が遅くなってしまうという問題がある。
【0009】
そこで、本発明はこの寄生容量を削減して、駆動能力を向上させたMOSトランジスタの製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために、ゲート電極のキャップ絶縁膜として、シリコン酸化膜(下層)とシリコン窒化膜(上層)の二層膜を形成し、ゲート電極をパターニングした後、これら(つまり、前記ゲート電極、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜)の側壁にシリコン窒化膜から成るサイドウォールスペーサを形成する手段を設けたものである。
【0011】
さらに、多結晶シリコン膜から成るソース/ドレイン電極をパターニングした後、シリコン窒化膜から成るキャップ絶縁膜およびシリコン窒化膜から成るサイドウォールスペーサをシリコン酸化膜等に対して選択的に除去する手段を設けたものである。
【0012】
【作用】
上記手段によれば、ゲート電極とソース/ドレイン電極の間に間隙が形成されるため、電極間の寄生容量が削減される。その結果、MOSトランジスタの駆動能力が向上し、回路動作の高速化が達成できる。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態として、MOSトランジスタの平面図を図1に示す。また、図1におけるA−A′面での製造工程縦断面図を図2に、B−B′面での製造工程縦断面図を図3に示す。
【0014】
P型シリコン基板100上に熱酸化法によって50〜100nmのシリコン酸化膜から成るフィールドシールドゲート酸化膜101を形成した後、CVD法によって150〜200nmのリンをドープした多結晶シリコン膜から成るフィールドシールドゲート電極102、200〜250nmのシリコン酸化膜から成るキャップ酸化膜103を順次形成し、所定の形状にパターニングした後、これらの側壁を覆うようにシリコン酸化膜から成るサイドウォールスペーサ酸化膜104を形成する。以上の工程を経て、フィールドシールド素子分離構造が形成される(a図)。
【0015】
次に、活性領域内のシリコン基板100上に熱酸化法によって、10〜20nmのシリコン酸化膜から成るゲート酸化膜105を形成した後、CVD法によって150〜200nmのリンをドープした多結晶シリコン膜から成るゲート電極106、150〜200nmのシリコン酸化膜から成るキャップ酸化膜107、150〜200nmのシリコン窒化膜から成るキャップ窒化膜108を順次形成し、所定の形状にパターニングした後、これらの側壁を覆うようにシリコン窒化膜からなるサイドウォールスペーサ窒化膜109を形成する(b図)。
【0016】
次に、CVD法によって全面に150〜200nmの多結晶シリコン膜110を形成し、イオン注入法によってヒ素(加速エネルギー:50〜90keV,ドーズ量:5〜10E15cm−2)を導入し、所定の形状にパターニングすることによって、ソース/ドレイン電極110を形成する(c図)。
【0017】
次に、熱リン酸を用いたウェットエッチングによって、キャップ窒化膜108およびサイドウォールスペーサ窒化膜109を選択的に除去する。この結果、ゲート電極106とソース/ドレイン電極110の間に間隙111が形成される(d図)。
【0018】
次に、層間絶縁膜としてCVD法によって全面に500〜800nmのBPSG膜112を形成し、平坦化のため熱処理を施す。この熱処理によって、ソース/ドレイン電極110からシリコン基板100にヒ素が拡散して、ソース/ドレイン拡散層113が形成される(d図)。
【0019】
最後に、コンタクト孔114を開口し、金属配線115を形成する。
【0020】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、ゲート電極とドレイン電極の間に誘電率の小さい(酸化膜の比誘電率3.9に対して、1.0と約1/4)間隙が形成されるため、電極間の寄生容量が削減される。その結果、MOSトランジスタの駆動能力が向上し、回路動作の高速化が比較的簡便な製造方法にて達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態を示すMOSトランジスタの平面図である。
【図2】図1におけるA−A′面での製造工程縦断面図である。
【図3】図1におけるB−B′面での製造工程縦断面図である。
【図4】従来技術例を示す図である。
【符号の説明】
100 P型シリコン基板
101 フィールドシールド酸化膜
102 フィールドシールド電極
103 キャップ酸化膜
104 サイドウォールスペーサ酸化膜
105 ゲート酸化膜
106 ゲート電極
107 キャップ酸化膜
108 キャップ窒化膜
109 サイドウォールスペーサ窒化膜
110 ソース/ドレイン電極
111 間隙(空洞)
112 BPSG膜
113 ソース/ドレイン拡散層
114 コンタクト孔
115 金属配線
200 P型シリコン基板
201 フィールドシールド酸化膜
202 フィールドシールド電極
203 キャップ酸化膜
204 サイドウォールスペーサ酸化膜
205 ゲート酸化膜
206 ゲート電極
207 キャップ酸化膜
208 サイドウォールスペーサ酸化膜
209 ソース/ドレイン電極
210 BPSG膜
211 ソース/ドレイン拡散層
212 コンタクト孔
213 金属配線
Claims (4)
- 第1導電型の半導体基板上に第1の絶縁膜、第1の導電膜および第2の絶縁膜を順次形成し、パターニングすることによって所定の形状に加工する工程と、第3の絶縁膜を形成し、パターニングされた前記第1の絶縁膜、前記第1の導電膜および前記第2の絶縁膜の側面を覆うサイドウォールスペーサとする工程を経て、フィールドシールド素子分離構造を形成する工程と、前記フィールドシールド素子分離構造によって素子分離されている活性領域に、第4の絶縁膜、第2の導電膜、第5の絶縁膜および第6の絶縁膜を順次形成し、パターニングすることによって所定の形状に加工する工程と、第7の絶縁膜を形成しパターニングされた前記第4の絶縁膜、前記第2の導電膜、前記第5の絶縁膜および前記第6の絶縁膜の側面を覆うサイドウォールスペーサとする工程を経て、MOS型トランジスタのゲート構造を形成する工程と、第3の導電膜を形成し、パターニングすることによって所定の形状に加工し、ソース/ドレイン電極を形成する工程と、前記第2の絶縁膜、前記第3の絶縁膜および前記第5の絶縁膜に対して、前記第6の絶縁膜および前記第7の絶縁膜から成るサイドウォールスペーサを選択的に除去し、ゲート電極と前記ソース/ドレイン電極との間に間隙を形成する工程を特徴とするフィールドシールド素子分離構造を有するMOSトランジスタの製造方法。
- 第2の絶縁膜、第3の絶縁膜および第5の絶縁膜はシリコン酸化膜であり、第6の絶縁膜および第7の絶縁膜はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項1記載のMOSトランジスタの製造方法。
- 第1の導電膜および第2の導電膜はN型不純物としてリンをドープした多結晶シリコン膜であることを特徴とする請求項1記載のMOSトランジスタの製造方法。
- N型MOSトランジスタの場合、第3の導電膜はN型不純物としてヒ素をドープした多結晶シリコン膜であることを特徴とする請求項1記載のMOSトランジスタの製造方法。
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JPH10270692A JPH10270692A (ja) | 1998-10-09 |
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1997
- 1997-03-27 JP JP09135097A patent/JP3955123B2/ja not_active Expired - Fee Related
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