JP2006261161A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板11上にシリコン酸化膜13とシリコン窒化膜15とを順次形成し、第1素子形成領域上のシリコン酸化膜11およびシリコン窒化膜15を除去し、露出された第1素子形成領域上にシリコン酸化膜13よりも厚いシリコン酸化膜17Aとポリシリコン膜19Aとを順次形成し、ポリシリコン膜19Aおよびシリコン酸化膜17Aを加工することで第1素子形成領域上にゲート電極19aおよびゲート絶縁膜17aを形成し、第2素子形成領域上のシリコン酸化膜13aおよびシリコン窒化膜15aを除去し、露出された第2素子形成領域表面にシリコン酸化膜17Bとポリシリコン膜19Bとを順次形成し、ポリシリコン膜19Bおよびシリコン酸化膜17Bを加工することで第2素子形成領域上にゲート電極19bおよびゲート絶縁膜17bを形成する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本実施例による半導体装置1の構成を示す図である。なお、以下では、低耐圧MOSトランジスタと高耐圧MOSトランジスタとを結ぶ直線を含み且つ半導体基板11と平行な断面構造に基づいて、半導体装置1の構造および製造方法における各プロセスを説明する。
次に、本発明による半導体装置1の製造方法について図面と共に説明する。図2から図6は本実施例による半導体装置1の製造方法を示すプロセス図である。
以上のように、本実施例は、第1素子形成領域(例えば高耐圧MOSトランジスタ領域1Aにおけるアクティブ領域AR)と第2素子形成領域(例えば低耐圧MOSトランジスタ領域1Bにおけるアクティブ領域AR)とが素子分離絶縁膜(12)により区切られた構造を有する半導体基板(11)を準備し、半導体基板(11)上に第1絶縁膜(13)を形成し、第1絶縁膜(13)上に第1膜(15)を形成し、第1素子形成領域上の第1絶縁膜(11)および第1膜(15)を除去することで第1素子形成領域を露出させ、露出された第1素子形成領域上に第1絶縁膜(13)よりも厚い第2絶縁膜(17A)を形成し、第2絶縁膜(17A)上に第1導体膜(19A)を形成し、第1導体膜(19A)および第2絶縁膜(17A)を加工することで第1素子形成領域上に第1ゲート電極(19a)および第1ゲート絶縁膜(17a)を形成し、第2素子形成領域上の第1絶縁膜(13a)および第1膜(15a)を除去することで第2素子形成領域を露出させ、露出された第2素子形成領域表面に第2絶縁膜(17A)よりも薄い第3絶縁膜(17B)を形成し、第3絶縁膜(17B)上に第2導体膜(19B)を形成し、第2導体膜(19B)および第3絶縁膜(17B)を加工することで第2素子形成領域上に第2ゲート電極(19b)および第2ゲート絶縁膜(17b)を形成する。
1A 高耐圧MOSトランジスタ
1B 低耐圧MOSトランジスタ
11 半導体基板
12 素子分離絶縁膜
13、13a、16、16a、17A、17B、18 シリコン酸化膜
14a、14b ソース・ドレイン領域
15、15a、20 シリコン窒化膜
17a、17b ゲート絶縁膜
18a 保護膜
19A、19B ポリシリコン膜
19a、19b ゲート電極
20a、20b サイドウォール
27 層間絶縁膜
28 コンタクト内配線
29 メタル配線
AR アクティブ領域
FR フィールド領域
R1、R2、R3、R4 レジスト
Claims (14)
- 第1素子形成領域と第2素子形成領域とが素子分離絶縁膜により区切られた構造を有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上に第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜上に第1膜を形成する工程と、
前記第1素子形成領域上の前記第1絶縁膜および前記第1膜を除去することで前記第1素子形成領域を露出させる工程と、
露出された前記第1素子形成領域上に前記第1絶縁膜よりも厚い第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜上に第1導体膜を形成する工程と、
前記第1導体膜および前記第2絶縁膜を加工することで前記第1素子形成領域上に第1ゲート電極および第1ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第2素子形成領域上の前記第1絶縁膜および前記第1膜を除去することで前記第2素子形成領域を露出させる工程と、
露出された前記第2素子形成領域表面に前記第2絶縁膜よりも薄い第3絶縁膜を形成する工程と、
前記第3絶縁膜上に第2導体膜を形成する工程と、
前記第2導体膜および前記第3絶縁膜を加工することで前記第2素子形成領域上に第2ゲート電極および第2ゲート絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1および第2ゲート電極の側壁にサイドウォールを形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2および第3絶縁膜は熱酸化により形成された酸化膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1膜は所定条件下におけるエッチングレートが前記第1絶縁膜と異なる膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1絶縁膜は酸化膜であり、
前記第1膜は窒化膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1膜上に第2膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2膜は所定条件下におけるエッチングレートが前記第1膜と異なる膜であることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1膜は窒化膜であり、
前記第2膜は酸化膜であることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1素子形成領域上に形成された前記第1ゲート電極および前記第1ゲート絶縁膜を覆う第4絶縁膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項1または6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第4絶縁膜は所定条件下におけるエッチングレートが前記第1膜と異なる膜であることを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1膜は窒化膜であり、
前記第4絶縁膜は酸化膜であることを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1絶縁膜はフッ酸を用いて除去され、
前記第1膜は熱リン酸を用いて除去されることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造法方法。 - 前記第1膜は熱リン酸を用いて除去され、
前記第2膜はフッ酸を用いて除去されることを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1膜は熱リン酸を用いて除去されることを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
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