JP2001044159A - スピン処理装置 - Google Patents
スピン処理装置Info
- Publication number
- JP2001044159A JP2001044159A JP11212157A JP21215799A JP2001044159A JP 2001044159 A JP2001044159 A JP 2001044159A JP 11212157 A JP11212157 A JP 11212157A JP 21215799 A JP21215799 A JP 21215799A JP 2001044159 A JP2001044159 A JP 2001044159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing liquid
- nozzle
- nozzle head
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は半導体ウエハの下面を良好に処理
できるようにしたスピン処理装置を提供することを目的
とする。 【解決手段】 半導体ウエハを回転させるとともに、こ
の半導体ウエハの下面に処理液を噴射して処理するスピ
ン処理装置において、カップ体１と、このカップ体内に
配設された回転駆動される回転体１２と、この回転体に
設けられ上記基板を着脱可能に保持する保持部材２２
と、この保持部材によって保持される上記半導体ウエハ
の下面に対向する位置に配置されこの半導体ウエハの下
面に向けて処理液を噴射する下部処理液用ノズル５５が
設けられたノズルヘッド４６と、このノズルヘッドの上
面に開放して形成された凹部５１と、この凹部の内底部
に連通して設けられ凹部内に滴下する処理液を排出する
排液孔５３とを具備したことを特徴とする。
できるようにしたスピン処理装置を提供することを目的
とする。 【解決手段】 半導体ウエハを回転させるとともに、こ
の半導体ウエハの下面に処理液を噴射して処理するスピ
ン処理装置において、カップ体１と、このカップ体内に
配設された回転駆動される回転体１２と、この回転体に
設けられ上記基板を着脱可能に保持する保持部材２２
と、この保持部材によって保持される上記半導体ウエハ
の下面に対向する位置に配置されこの半導体ウエハの下
面に向けて処理液を噴射する下部処理液用ノズル５５が
設けられたノズルヘッド４６と、このノズルヘッドの上
面に開放して形成された凹部５１と、この凹部の内底部
に連通して設けられ凹部内に滴下する処理液を排出する
排液孔５３とを具備したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は基板を回転させて
処理液を噴射することで洗浄などの処理をするスピン処
理装置に関する。
処理液を噴射することで洗浄などの処理をするスピン処
理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、半導体装置や液晶表示装置の
製造過程においては、基板としての半導体ウエハや液晶
用ガラス基板に回路パタ−ンを形成するための成膜プロ
セスやフォトプロセスがある。これらのプロセスでは、
上記基板に対して成膜処理と洗浄処理とが繰り返し行わ
れる。
製造過程においては、基板としての半導体ウエハや液晶
用ガラス基板に回路パタ−ンを形成するための成膜プロ
セスやフォトプロセスがある。これらのプロセスでは、
上記基板に対して成膜処理と洗浄処理とが繰り返し行わ
れる。
【０００３】上記基板の洗浄処理及び洗浄後の乾燥処理
を行うためにはスピン処理装置が用いられる。このスピ
ン処理装置はカップ体を有し、このカップ体内には回転
駆動される回転体が設けられている。この回転体には保
持機構が設けられ、この保持機構には基板が着脱可能に
保持される。
を行うためにはスピン処理装置が用いられる。このスピ
ン処理装置はカップ体を有し、このカップ体内には回転
駆動される回転体が設けられている。この回転体には保
持機構が設けられ、この保持機構には基板が着脱可能に
保持される。
【０００４】上記保持機構に保持された基板には、回路
パターンが形成される上面に向けて上部処理液用ノズル
から処理液が噴射される。また、基板は上面だけでな
く、下面の清浄度が要求されることもあるので、そのよ
うな場合には基板の下面に向けて処理液を噴射する下部
処理液用ノズルが配置される。
パターンが形成される上面に向けて上部処理液用ノズル
から処理液が噴射される。また、基板は上面だけでな
く、下面の清浄度が要求されることもあるので、そのよ
うな場合には基板の下面に向けて処理液を噴射する下部
処理液用ノズルが配置される。
【０００５】上記基板の下面側に下部処理液用ノズルを
配置する場合、上記カップ体内にノズルヘッドを設け、
このノズルヘッドに下部処理液用ノズルや基板の下面を
処理した後に乾燥するために気体を噴射する気体用ノズ
ル等を設けるようにしている。
配置する場合、上記カップ体内にノズルヘッドを設け、
このノズルヘッドに下部処理液用ノズルや基板の下面を
処理した後に乾燥するために気体を噴射する気体用ノズ
ル等を設けるようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような構成による
と、基板の下面を処理するために下部処理液用ノズルか
ら噴射された処理液の一部は、基板の裏面で反射して上
記ノズルヘッドの上面に滴下する。ノズルヘッドの上面
に滴下した処理液は基板の乾燥処理時などに、基板の回
転によってこの基板の下面側に生じる乱気流で飛散し、
洗浄された基板の裏面に付着して汚染の原因になるとい
うことがある。
と、基板の下面を処理するために下部処理液用ノズルか
ら噴射された処理液の一部は、基板の裏面で反射して上
記ノズルヘッドの上面に滴下する。ノズルヘッドの上面
に滴下した処理液は基板の乾燥処理時などに、基板の回
転によってこの基板の下面側に生じる乱気流で飛散し、
洗浄された基板の裏面に付着して汚染の原因になるとい
うことがある。
【０００７】この発明は、基板の下面側に向けて噴射さ
れた処理液が、基板の下面で反射して滴下しても、ノズ
ルヘッドの上面に付着残留することのないようにしたス
ピン処理装置を提供することにある。
れた処理液が、基板の下面で反射して滴下しても、ノズ
ルヘッドの上面に付着残留することのないようにしたス
ピン処理装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
を回転させるとともに、この基板の下面に処理液を噴射
して処理するスピン処理装置において、カップ体と、こ
のカップ体内に配設された回転駆動される回転体と、こ
の回転体に設けられ上記基板を着脱可能に保持する保持
機構と、この保持機構によって保持される上記基板の下
面に対向する位置に配置されこの基板の下面に向けて処
理液を噴射する下部処理液用ノズルが設けられたノズル
ヘッドと、このノズルヘッドの上面に開放して形成され
た凹部と、この凹部の内底部に連通して設けられ凹部内
に滴下する処理液を排出する排液部とを具備したことを
特徴とするスピン処理装置にある。
を回転させるとともに、この基板の下面に処理液を噴射
して処理するスピン処理装置において、カップ体と、こ
のカップ体内に配設された回転駆動される回転体と、こ
の回転体に設けられ上記基板を着脱可能に保持する保持
機構と、この保持機構によって保持される上記基板の下
面に対向する位置に配置されこの基板の下面に向けて処
理液を噴射する下部処理液用ノズルが設けられたノズル
ヘッドと、このノズルヘッドの上面に開放して形成され
た凹部と、この凹部の内底部に連通して設けられ凹部内
に滴下する処理液を排出する排液部とを具備したことを
特徴とするスピン処理装置にある。
【０００９】請求項２の発明は、上記凹部は、ノズルヘ
ッドの上面に開放した上部から下部に向かって小径とな
る円錐形状に形成されていることを特徴とする請求項１
記載のスピン処理装置にある。
ッドの上面に開放した上部から下部に向かって小径とな
る円錐形状に形成されていることを特徴とする請求項１
記載のスピン処理装置にある。
【００１０】請求項３の発明は、上記凹部の内面には上
下方向に沿う案内溝が形成されていることを特徴とする
請求項１記載のスピン処理装置にある。
下方向に沿う案内溝が形成されていることを特徴とする
請求項１記載のスピン処理装置にある。
【００１１】請求項４の発明は、上記下部処理用ノズル
は、上記ノズルヘッドの凹部の内面に開口形成されてい
ることを特徴とする特徴とする請求項１記載のスピン処
理装置にある。
は、上記ノズルヘッドの凹部の内面に開口形成されてい
ることを特徴とする特徴とする請求項１記載のスピン処
理装置にある。
【００１２】請求項５の発明は、上記下部処理液用ノズ
ルは、上記基板の回転中心に向けて処理液を噴射する角
度で上記凹部の内面に開口形成されていることを特徴と
する請求項１記載のスピン処理装置にある。
ルは、上記基板の回転中心に向けて処理液を噴射する角
度で上記凹部の内面に開口形成されていることを特徴と
する請求項１記載のスピン処理装置にある。
【００１３】請求項６の発明は、上記下部処理液用ノズ
ルの処理液を噴射する角度は、基板の下面で反射した処
理液が上記凹部内に滴下する範囲であることを特徴とす
る請求項５記載のスピン処理装置にある。
ルの処理液を噴射する角度は、基板の下面で反射した処
理液が上記凹部内に滴下する範囲であることを特徴とす
る請求項５記載のスピン処理装置にある。
【００１４】請求項７の発明は、上記ノズルヘッドの上
部には、上記基板の回転によって生じるこの基板の下面
側の気流を上記凹部内へ導入する羽根が設けられている
ことを特徴とする請求項１記載のスピン処理装置にあ
る。
部には、上記基板の回転によって生じるこの基板の下面
側の気流を上記凹部内へ導入する羽根が設けられている
ことを特徴とする請求項１記載のスピン処理装置にあ
る。
【００１５】請求項８の発明は、上記ノズルヘッドに
は、気体を上記基板の下面の回転中心に向けて噴射する
気体用ノズルが上記凹部の内面に開口形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載のスピン処理装置にある。
は、気体を上記基板の下面の回転中心に向けて噴射する
気体用ノズルが上記凹部の内面に開口形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載のスピン処理装置にある。
【００１６】請求項９の発明は、上記回転体の上面側で
あって、上記保持機構に保持される基板の下面側には、
上記回転体の上面側のほぼ全体を覆うとともに、上記ノ
ズルヘッドの凹部に対向する部分に開口部が形成された
乱流防止カバ−が設けられていて、この乱流防止カバー
の上記開口部を形成した部分の周辺部には上記凹部内に
入り込む遮蔽部が設けられていることを特徴とする請求
項１記載のスピン処理装置にある。
あって、上記保持機構に保持される基板の下面側には、
上記回転体の上面側のほぼ全体を覆うとともに、上記ノ
ズルヘッドの凹部に対向する部分に開口部が形成された
乱流防止カバ−が設けられていて、この乱流防止カバー
の上記開口部を形成した部分の周辺部には上記凹部内に
入り込む遮蔽部が設けられていることを特徴とする請求
項１記載のスピン処理装置にある。
【００１７】請求項１の発明によれば、基板の下面に処
理液を噴射する下部処理液用ノズルが設けられたノズル
ヘッドには、その上面に開放した凹部を形成し、この凹
部内に滴下する処理液を排出するようにしたから、基板
を処理液で処理した後に、乾燥処理する際、ノズルヘッ
ドに滴下した処理液が飛散するのを防止できる。
理液を噴射する下部処理液用ノズルが設けられたノズル
ヘッドには、その上面に開放した凹部を形成し、この凹
部内に滴下する処理液を排出するようにしたから、基板
を処理液で処理した後に、乾燥処理する際、ノズルヘッ
ドに滴下した処理液が飛散するのを防止できる。
【００１８】請求項２の発明によれば、凹部を円錐形状
に形成したので、凹部内に滴下した処理液を効率よく確
実に排出することが可能となる。
に形成したので、凹部内に滴下した処理液を効率よく確
実に排出することが可能となる。
【００１９】請求項３の発明によれば、凹部の内面に上
下方向に沿う案内溝を形成したことで、凹部内に滴下し
た処理液を上記案内溝に沿って効率よく確実に排出する
ことが可能となる。
下方向に沿う案内溝を形成したことで、凹部内に滴下し
た処理液を上記案内溝に沿って効率よく確実に排出する
ことが可能となる。
【００２０】請求項４の発明によれば、下部処理液用ノ
ズルをノズルヘッドの凹部の内面に開口形成したから、
下部処理液用ノズルを別部品を用いることなくノズルヘ
ッドと一体形成することができる。
ズルをノズルヘッドの凹部の内面に開口形成したから、
下部処理液用ノズルを別部品を用いることなくノズルヘ
ッドと一体形成することができる。
【００２１】請求項５の発明によれば、下部処理液用ノ
ズルからの処理液を基板の回転中心に向けて噴射するた
め、基板の回転によって生じる遠心力で基板の下面に噴
射された処理液を全面にわたって分散させることができ
る。
ズルからの処理液を基板の回転中心に向けて噴射するた
め、基板の回転によって生じる遠心力で基板の下面に噴
射された処理液を全面にわたって分散させることができ
る。
【００２２】請求項６の発明によれば、下部処理液用ノ
ズルから噴射されて基板の下面で反射した処理液がノズ
ルヘッドの凹部内に滴下するため、基板の下面で反射す
る処理液のほとんどを凹部を通じて確実に排液すること
ができる。
ズルから噴射されて基板の下面で反射した処理液がノズ
ルヘッドの凹部内に滴下するため、基板の下面で反射す
る処理液のほとんどを凹部を通じて確実に排液すること
ができる。
【００２３】請求項７の発明によれば、ノズルヘッド
に、基板の回転によってノズルヘッドの上方に生じる気
流を凹部内に導入する羽根を設けたことで、ノズルヘッ
ドの上方に浮遊するミスト状の処理液などを効率よく確
実に凹部内に流入させて排出することができる。
に、基板の回転によってノズルヘッドの上方に生じる気
流を凹部内に導入する羽根を設けたことで、ノズルヘッ
ドの上方に浮遊するミスト状の処理液などを効率よく確
実に凹部内に流入させて排出することができる。
【００２４】請求項８の発明によれば、ノズルヘッドの
凹部の内面に基板の回転中心に向けて気体を噴射する気
体用ノズルを設けたことで、基板の下面を処理液による
処理後に確実に乾燥処理することができる。
凹部の内面に基板の回転中心に向けて気体を噴射する気
体用ノズルを設けたことで、基板の下面を処理液による
処理後に確実に乾燥処理することができる。
【００２５】請求項９の発明によれば、回転体の上面側
と基板の下面側との間に、乱流の発生を抑制する乱流防
止カバーを設け、この乱流防止カバーにはノズルヘッド
の凹部に対向する開口部を形成するとともに、上記凹部
内に入り込む遮蔽部を設けたから、基板の下面に気流の
乱れによりミストが付着するのを防止でき、しかも上記
遮蔽部によってノズルヘッドの上面から乱流防止カバー
の内面側へ処理液やミストなどが入り込むのを防止でき
る。
と基板の下面側との間に、乱流の発生を抑制する乱流防
止カバーを設け、この乱流防止カバーにはノズルヘッド
の凹部に対向する開口部を形成するとともに、上記凹部
内に入り込む遮蔽部を設けたから、基板の下面に気流の
乱れによりミストが付着するのを防止でき、しかも上記
遮蔽部によってノズルヘッドの上面から乱流防止カバー
の内面側へ処理液やミストなどが入り込むのを防止でき
る。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００２７】図２に示すこの発明のスピン処理装置はカ
ップ体１を有する。このカップ体１は載置板２上に設け
られた下カップ３と、この下カップ３の上側に図示しな
い上下駆動機構によって上下駆動自在に設けられた上カ
ップ４とからなる。
ップ体１を有する。このカップ体１は載置板２上に設け
られた下カップ３と、この下カップ３の上側に図示しな
い上下駆動機構によって上下駆動自在に設けられた上カ
ップ４とからなる。
【００２８】上記下カップ３の底壁の中心部と載置板２
とにはこれらを貫通する通孔５が形成されており、また
上記下カップ３の周壁３ａは上記上カップ４の二重構造
の周壁４ａにスライド自在に嵌挿し、これら周壁によっ
てラビリンス構造をなしている。
とにはこれらを貫通する通孔５が形成されており、また
上記下カップ３の周壁３ａは上記上カップ４の二重構造
の周壁４ａにスライド自在に嵌挿し、これら周壁によっ
てラビリンス構造をなしている。
【００２９】上記上カップ４の上面は開口していて、こ
の上カップ４が下降方向に駆動されることで、後述する
ようにカップ体１内で処理された基板としてのたとえば
半導体ウエハＵを取り出したり、未処理の半導体ウエハ
Ｕを供給できるようになっている。さらに、上記下カッ
プ３の底壁には周方向に所定間隔で複数の排出管６の一
端が接続され、他端は図示しない吸引ポンプに連通して
いる。それによって、上記半導体ウエハＵを洗浄処理し
たり、乾燥処理することで上記カップ体１内で飛散する
処理液が排出されるようになっている。
の上カップ４が下降方向に駆動されることで、後述する
ようにカップ体１内で処理された基板としてのたとえば
半導体ウエハＵを取り出したり、未処理の半導体ウエハ
Ｕを供給できるようになっている。さらに、上記下カッ
プ３の底壁には周方向に所定間隔で複数の排出管６の一
端が接続され、他端は図示しない吸引ポンプに連通して
いる。それによって、上記半導体ウエハＵを洗浄処理し
たり、乾燥処理することで上記カップ体１内で飛散する
処理液が排出されるようになっている。
【００３０】上記カップ体１の下面側には板状のベ−ス
７が配置されている。このベ−ス７には上記カップ体１
の通孔５と対応する位置に取付孔８が形成されていて、
この取付孔８には駆動手段を構成するパルス制御モ−タ
９の固定子９ａの上端部が嵌入固定されている。
７が配置されている。このベ−ス７には上記カップ体１
の通孔５と対応する位置に取付孔８が形成されていて、
この取付孔８には駆動手段を構成するパルス制御モ−タ
９の固定子９ａの上端部が嵌入固定されている。
【００３１】上記固定子９ａは筒状をなしていて、その
内部には同じく筒状の回転子９ｂが回転自在に嵌挿され
ている。この回転子９ｂの上端面には筒状の連結体１１
が下端面を接合させて一体的に固定されている。この連
結体１１の下端面には上記固定子９ａの内径寸法よりも
大径な鍔部１１ａが形成されている。この鍔部１１ａは
上記固定子９ａの上端面に摺動自在に接合しており、そ
れによって回転子９ｂの回転を阻止することなくこの回
転子９ａが固定子９ｂから抜け落ちるのを規制してい
る。
内部には同じく筒状の回転子９ｂが回転自在に嵌挿され
ている。この回転子９ｂの上端面には筒状の連結体１１
が下端面を接合させて一体的に固定されている。この連
結体１１の下端面には上記固定子９ａの内径寸法よりも
大径な鍔部１１ａが形成されている。この鍔部１１ａは
上記固定子９ａの上端面に摺動自在に接合しており、そ
れによって回転子９ｂの回転を阻止することなくこの回
転子９ａが固定子９ｂから抜け落ちるのを規制してい
る。
【００３２】上記連結体１１は上記カップ体１の通孔５
からその内部に突出し、上端面には円板状の回転体１２
が取付け固定されている。この回転体１２は図１に示す
ように下板１３ａと上板１３ｂとを接合させた二重板構
造をなしていて、その中心部には通孔１４が形成されて
いる。
からその内部に突出し、上端面には円板状の回転体１２
が取付け固定されている。この回転体１２は図１に示す
ように下板１３ａと上板１３ｂとを接合させた二重板構
造をなしていて、その中心部には通孔１４が形成されて
いる。
【００３３】図２に示すように、上記下カップ３の通孔
５の周辺部には環状壁３ｂが突設され、上記回転体１２
の外周面には上記環状壁３ｂの外周面に内周面を対向さ
せた環状壁１２ｂが垂設され、これら環状壁３ｂ、１２
ｂによって処理液が回転体１２の下面側に回り込むのを
防止するラビリンス構造をなしている。
５の周辺部には環状壁３ｂが突設され、上記回転体１２
の外周面には上記環状壁３ｂの外周面に内周面を対向さ
せた環状壁１２ｂが垂設され、これら環状壁３ｂ、１２
ｂによって処理液が回転体１２の下面側に回り込むのを
防止するラビリンス構造をなしている。
【００３４】上記回転体１２の上面には周方向に所定間
隔、この実施の形態では６０度間隔で６つのボス部１５
（図１に２つだけ示す）が突設されている。このボス部
１５には滑り軸受１６が外嵌されていて、この滑り軸受
１６には保持部材１７が回転自在に挿入支持されてい
る。
隔、この実施の形態では６０度間隔で６つのボス部１５
（図１に２つだけ示す）が突設されている。このボス部
１５には滑り軸受１６が外嵌されていて、この滑り軸受
１６には保持部材１７が回転自在に挿入支持されてい
る。
【００３５】上記保持部材１７は、図１に示すように上
部が上記ボス部１５の外径寸法とほぼ同径の大径部１８
に形成され、この大径部１８の下面に上記滑り軸受１６
に支持される軸部１９が一体形成されてなる。上記大径
部１８の上面には中心部に円錐状の支持ピン２１が突設
され、径方向周辺部である偏心位置には逆テ−パ状のロ
ックピン２２が突設されている。
部が上記ボス部１５の外径寸法とほぼ同径の大径部１８
に形成され、この大径部１８の下面に上記滑り軸受１６
に支持される軸部１９が一体形成されてなる。上記大径
部１８の上面には中心部に円錐状の支持ピン２１が突設
され、径方向周辺部である偏心位置には逆テ−パ状のロ
ックピン２２が突設されている。
【００３６】上記６本の保持部材１７の支持ピン２１上
には上記半導体ウエハＵが下面を支持されて載置され
る。その状態で図３に示すように上記ロックピン２２が
半導体ウエハＵの外周面に当接することで、その半導体
ウエハＵは回転体１２と一体的に保持されるようになっ
ている。
には上記半導体ウエハＵが下面を支持されて載置され
る。その状態で図３に示すように上記ロックピン２２が
半導体ウエハＵの外周面に当接することで、その半導体
ウエハＵは回転体１２と一体的に保持されるようになっ
ている。
【００３７】後述するように、回転体１２が回転（公
転）することで、上記保持部材１７が図３にＸで示す状
態から鎖線で示すＹの状態へ回転（自転）すると、上記
ロックピン２２が保持部材１７の回転中心に対して偏心
回転するから、上記ロックピン２２による上記半導体ウ
エハＵの保持状態が解除されるようになっている。
転）することで、上記保持部材１７が図３にＸで示す状
態から鎖線で示すＹの状態へ回転（自転）すると、上記
ロックピン２２が保持部材１７の回転中心に対して偏心
回転するから、上記ロックピン２２による上記半導体ウ
エハＵの保持状態が解除されるようになっている。
【００３８】図１に示すように、上記保持部材１７の各
軸部１９の下端部は回転体１２の下面から突出し、その
下端部にはセクタギヤからなる子歯車２３が嵌合固定さ
れている。各子歯車２３は上記連結体１１の外周面に軸
受２４によって回転自在に設けられた平歯車からなる親
歯車２５に噛合している。この親歯車２５は図３に示す
ように、６つの子歯車２３と対応する間隔で６つの凸部
２５ａが周方向に所定間隔で形成されてなり、各凸部２
５ａの先端外周面には上記子歯車２３に噛合する歯が形
成されている。
軸部１９の下端部は回転体１２の下面から突出し、その
下端部にはセクタギヤからなる子歯車２３が嵌合固定さ
れている。各子歯車２３は上記連結体１１の外周面に軸
受２４によって回転自在に設けられた平歯車からなる親
歯車２５に噛合している。この親歯車２５は図３に示す
ように、６つの子歯車２３と対応する間隔で６つの凸部
２５ａが周方向に所定間隔で形成されてなり、各凸部２
５ａの先端外周面には上記子歯車２３に噛合する歯が形
成されている。
【００３９】図１に示す上記連結体１１の外周面には付
勢手段としての捩じりコイルばね２６が装着されてい
る。この捩じりコイルばね２６は一端を上記連結体１１
に係合させ、他端を上記親歯車２５に係合させること
で、上記親歯車２５を図３に矢印Ａで示す回転方向（反
時計方向）に付勢している。それによって、上記子歯車
２３は同図に矢印Ｂで示す時計方向に付勢されるから、
この子歯車２３の回転に保持部材１７が連動し、上記ロ
ックピン２２が回転体１２の中心方向へ偏心回転して半
導体ウエハＵの外周面に当接するようになっている。
勢手段としての捩じりコイルばね２６が装着されてい
る。この捩じりコイルばね２６は一端を上記連結体１１
に係合させ、他端を上記親歯車２５に係合させること
で、上記親歯車２５を図３に矢印Ａで示す回転方向（反
時計方向）に付勢している。それによって、上記子歯車
２３は同図に矢印Ｂで示す時計方向に付勢されるから、
この子歯車２３の回転に保持部材１７が連動し、上記ロ
ックピン２２が回転体１２の中心方向へ偏心回転して半
導体ウエハＵの外周面に当接するようになっている。
【００４０】上記ロックピン２２による半導体ウエハＵ
のロック状態の解除は、図２に示す解除機構３１によっ
て行えるようになっている。この解除機構３１はガイド
付きの解除シリンダ３２を有する。この解除シリンダ３
２は上記固定子９ａの下端面に一端を固定したほぼＬ字
状のブラケット３３の他端に軸線を垂直にして取付けら
れている。
のロック状態の解除は、図２に示す解除機構３１によっ
て行えるようになっている。この解除機構３１はガイド
付きの解除シリンダ３２を有する。この解除シリンダ３
２は上記固定子９ａの下端面に一端を固定したほぼＬ字
状のブラケット３３の他端に軸線を垂直にして取付けら
れている。
【００４１】上記解除シリンダ３２の駆動軸３４にはク
ランク状に折曲されたア−ム３５の下端が連結されてい
る。このア−ム３５の上端部は上記ベ−ス７に形成され
た挿通孔７ａを通されて上記親歯車２５の下面近傍まで
延出され、その上端には解除ピン３６が垂直に立設され
ている。
ランク状に折曲されたア−ム３５の下端が連結されてい
る。このア−ム３５の上端部は上記ベ−ス７に形成され
た挿通孔７ａを通されて上記親歯車２５の下面近傍まで
延出され、その上端には解除ピン３６が垂直に立設され
ている。
【００４２】図３に示すように上記保持部材１７のロッ
クピン２２が半導体ウエハＵの外周面に当接してこの半
導体ウエハＵが保持された状態において、上記解除シリ
ンダ３２が作動してその駆動軸３４が突出方向に駆動さ
れ、その動きにア−ム３５が連動すると、このア−ム３
５の上端に設けられた解除ピン３６は上記親歯車２５の
１つの凸部２５ａの側面に係合し、上記親歯車２５が矢
印Ａ方向に回転するのを阻止するようになっている。
クピン２２が半導体ウエハＵの外周面に当接してこの半
導体ウエハＵが保持された状態において、上記解除シリ
ンダ３２が作動してその駆動軸３４が突出方向に駆動さ
れ、その動きにア−ム３５が連動すると、このア−ム３
５の上端に設けられた解除ピン３６は上記親歯車２５の
１つの凸部２５ａの側面に係合し、上記親歯車２５が矢
印Ａ方向に回転するのを阻止するようになっている。
【００４３】上記解除ピン３６によって親歯車２５の矢
印Ａ方向の回転が阻止された状態で、パルス制御モ−タ
９を駆動してその回転子９ｂを図３に示す矢印Ｃ方向へ
回転させると、上記回転体１２が捩じりコイルばね２６
の付勢力に抗して連結体１１とともに回転する。
印Ａ方向の回転が阻止された状態で、パルス制御モ−タ
９を駆動してその回転子９ｂを図３に示す矢印Ｃ方向へ
回転させると、上記回転体１２が捩じりコイルばね２６
の付勢力に抗して連結体１１とともに回転する。
【００４４】上記回転体１２を矢印Ｃ方向へ角度θ回転
させると、親歯車２５は回転体１２と一体的に回転せ
ず、回転体１２だけが回転子９ｂとともに角度θ回転す
る。
させると、親歯車２５は回転体１２と一体的に回転せ
ず、回転体１２だけが回転子９ｂとともに角度θ回転す
る。
【００４５】それによって、上記親歯車２５に噛合した
上記子歯車２３は回転体１２とともに公転しながら自転
するから、この子歯車２３と一体的に設けられた保持部
材１７は矢印Ｂ方向と逆方向である反時計方向に回転す
る。その結果、保持部材１７は図３にＸで示す状態から
Ｙで示す状態になり、ロックピン２２は半導体ウエハＵ
の外周面から離れる方向へ偏心回転するから、このロッ
クピン２２による半導体ウエハＵの保持状態が解除され
ることになる。
上記子歯車２３は回転体１２とともに公転しながら自転
するから、この子歯車２３と一体的に設けられた保持部
材１７は矢印Ｂ方向と逆方向である反時計方向に回転す
る。その結果、保持部材１７は図３にＸで示す状態から
Ｙで示す状態になり、ロックピン２２は半導体ウエハＵ
の外周面から離れる方向へ偏心回転するから、このロッ
クピン２２による半導体ウエハＵの保持状態が解除され
ることになる。
【００４６】なお、上記回転子９ｂの下端面には図２に
示すようにゲ−ジ３７が設けられ、このゲ−ジ３７は上
記固定子９ａの下端面に設けられたセンサ３８によって
検出される。センサ３８がゲ−ジ３７を検出した位置が
上記回転子９ｂの回転角度の原点として認識され、その
認識に基づいて上記回転子９ｂの回転角度が制御される
ようになっている。
示すようにゲ−ジ３７が設けられ、このゲ−ジ３７は上
記固定子９ａの下端面に設けられたセンサ３８によって
検出される。センサ３８がゲ−ジ３７を検出した位置が
上記回転子９ｂの回転角度の原点として認識され、その
認識に基づいて上記回転子９ｂの回転角度が制御される
ようになっている。
【００４７】上記回転子９ｂの内部には中空状の固定軸
４１が挿通されている。この固定軸４１の下端部は上記
パルス制御モ−タ９の下方に配置された支持部材４２の
取付孔４２ａに嵌入固定されている。上記支持部材４２
にはブレ−キシリンダ４３が軸線を垂直にして取付けら
れている。このブレ−キシリンダ４３の駆動軸４４には
ブレ−キシュ−４５ａが取付けられている。
４１が挿通されている。この固定軸４１の下端部は上記
パルス制御モ−タ９の下方に配置された支持部材４２の
取付孔４２ａに嵌入固定されている。上記支持部材４２
にはブレ−キシリンダ４３が軸線を垂直にして取付けら
れている。このブレ−キシリンダ４３の駆動軸４４には
ブレ−キシュ−４５ａが取付けられている。
【００４８】上記ブレ−キシリンダ４３が作動してその
駆動軸４４が上昇方向に駆動されると、ブレ−キシュ−
４５ａは上記回転子９ｂの下端面に設けられたブレ−キ
ディスク４５ｂに圧接してこの回転子９ｂの回転を阻止
するようになっている。
駆動軸４４が上昇方向に駆動されると、ブレ−キシュ−
４５ａは上記回転子９ｂの下端面に設けられたブレ−キ
ディスク４５ｂに圧接してこの回転子９ｂの回転を阻止
するようになっている。
【００４９】すなわち、回転子９ｂに上記捩じりコイル
ばね２６の復元力が加わっているとき、つまり回転体１
２を捩じりコイルばね２６の付勢力に抗してパルス制御
モ−タ９により矢印Ｃ方向に角度θだけ回転させ、ロッ
クピン２２による半導体ウエハＵのロック状態を解除し
ているときに、たとえば停電などでパルス制御モ−タ９
の駆動力が消失しても、上記回転体１２が捩じりコイル
ばね２６の復元力によって矢印Ｃ方向と逆方向へ戻るの
を阻止している。
ばね２６の復元力が加わっているとき、つまり回転体１
２を捩じりコイルばね２６の付勢力に抗してパルス制御
モ−タ９により矢印Ｃ方向に角度θだけ回転させ、ロッ
クピン２２による半導体ウエハＵのロック状態を解除し
ているときに、たとえば停電などでパルス制御モ−タ９
の駆動力が消失しても、上記回転体１２が捩じりコイル
ばね２６の復元力によって矢印Ｃ方向と逆方向へ戻るの
を阻止している。
【００５０】上記ロックピン２２による半導体ウエハＵ
のロック状態を解除した状態において、図示しないロボ
ットにより、上記回転体１２から処理された半導体ウエ
ハＵが搬出されたり、未処理の半導体ウエハＵが供給さ
れる。
のロック状態を解除した状態において、図示しないロボ
ットにより、上記回転体１２から処理された半導体ウエ
ハＵが搬出されたり、未処理の半導体ウエハＵが供給さ
れる。
【００５１】そのため、ロボットによる半導体ウエハＵ
の搬出、供給時に停電などが生じても、回転体１２が捩
じりコイルばね２６の復元力によって矢印Ｃ方向と逆方
向へ回転して戻ることがないから、回転体１２に立設さ
れた保持部材１７の位置が変化することもない。
の搬出、供給時に停電などが生じても、回転体１２が捩
じりコイルばね２６の復元力によって矢印Ｃ方向と逆方
向へ回転して戻ることがないから、回転体１２に立設さ
れた保持部材１７の位置が変化することもない。
【００５２】したがって、上記ブレ−キシリンダ４３に
より、停電時などに、保持部材１７の間を通して半導体
ウエハＵの下面側に導入されるロボットのア−ムが保持
部材１７にぶつかり、半導体ウエハＵの搬出、供給作業
が不能になるのを防止できるようになっている。
より、停電時などに、保持部材１７の間を通して半導体
ウエハＵの下面側に導入されるロボットのア−ムが保持
部材１７にぶつかり、半導体ウエハＵの搬出、供給作業
が不能になるのを防止できるようになっている。
【００５３】上記固定軸４１の上端部は上記回転体１２
の通孔１４に対向位置する。この固定軸４１の上端には
ノズルヘッド４６が嵌入固定されている。このノズルヘ
ッド４６は回転体１２の上面側に突出していて、その外
周部には上記通孔１４の周辺部に突設された環状壁４７
を内部に収容する環状溝４８が下面に開放して形成され
ている。つまり、環状壁４７と環状溝４８とでラビリン
ス構造を形成しており、回転体１２の上面側で飛散する
処理液が通孔１４を通り、固定軸４１に沿ってカップ体
１の外部へ流出するのを阻止している。
の通孔１４に対向位置する。この固定軸４１の上端には
ノズルヘッド４６が嵌入固定されている。このノズルヘ
ッド４６は回転体１２の上面側に突出していて、その外
周部には上記通孔１４の周辺部に突設された環状壁４７
を内部に収容する環状溝４８が下面に開放して形成され
ている。つまり、環状壁４７と環状溝４８とでラビリン
ス構造を形成しており、回転体１２の上面側で飛散する
処理液が通孔１４を通り、固定軸４１に沿ってカップ体
１の外部へ流出するのを阻止している。
【００５４】上記ノズルヘッド４６には図４と図５に示
すように、その上面に開放した凹部５１が形成されてい
る。この凹部５１は上部から下部にゆくにつれて小径と
なる円錐形状に形成されている。ノズルヘッド４６の上
面の上記凹部５１の周辺部は径方向外方に向かって低く
傾斜した傾斜面５２に形成されている。
すように、その上面に開放した凹部５１が形成されてい
る。この凹部５１は上部から下部にゆくにつれて小径と
なる円錐形状に形成されている。ノズルヘッド４６の上
面の上記凹部５１の周辺部は径方向外方に向かって低く
傾斜した傾斜面５２に形成されている。
【００５５】上記凹部５１の底部には排液部を形成する
排液孔５３の一端が開口している。この排液孔５３の他
端には排液管５４（図１に示す）の一端が接続されてい
る。この排液管５４の他端は上記排出管６と同様、図示
しない吸引ポンプに接続されている。
排液孔５３の一端が開口している。この排液孔５３の他
端には排液管５４（図１に示す）の一端が接続されてい
る。この排液管５４の他端は上記排出管６と同様、図示
しない吸引ポンプに接続されている。
【００５６】図４に示すように、上記ノズルヘッド４６
には、先端を上記凹部５１の内面に開口させた３つの下
部処理液用ノズル５５と、１つの下部気体用ノズル５６
とが周方向にほぼ９０度間隔で形成されている。つま
り、各ノズル５５，５６は上記ノズルヘッド４６に穿設
された管路からなり、先端が凹部５１の内面に開口させ
たノズル孔５５ａ，５６ａとなっている。
には、先端を上記凹部５１の内面に開口させた３つの下
部処理液用ノズル５５と、１つの下部気体用ノズル５６
とが周方向にほぼ９０度間隔で形成されている。つま
り、各ノズル５５，５６は上記ノズルヘッド４６に穿設
された管路からなり、先端が凹部５１の内面に開口させ
たノズル孔５５ａ，５６ａとなっている。
【００５７】各ノズル５５，５６の基端は上記ノズルヘ
ッド４６の下面に開口して設けられた第１、第２の接続
孔５７，５８にそれぞれ連通している。第１の接続孔５
７には図１に示すように処理液供給管５９が接続され、
第２の接続孔５８には気体供給管６１が接続されてい
る。
ッド４６の下面に開口して設けられた第１、第２の接続
孔５７，５８にそれぞれ連通している。第１の接続孔５
７には図１に示すように処理液供給管５９が接続され、
第２の接続孔５８には気体供給管６１が接続されてい
る。
【００５８】下部処理液用ノズル５５からは、処理液供
給管５９を通じて洗浄処理時に純水、過酸化水素水、フ
ッ酸などの処理液が保持部材１７に保持された半導体ウ
エハＵの下面に向けて噴射され、下部気体用ノズル５６
からは気体供給管６１を通じて乾燥処理時に窒素などの
気体が噴射されるようになっている。
給管５９を通じて洗浄処理時に純水、過酸化水素水、フ
ッ酸などの処理液が保持部材１７に保持された半導体ウ
エハＵの下面に向けて噴射され、下部気体用ノズル５６
からは気体供給管６１を通じて乾燥処理時に窒素などの
気体が噴射されるようになっている。
【００５９】各ノズル５５，５６の噴射方向はノズルヘ
ッド４６の軸線Ｏに対して所定角度傾斜している。すな
わち、下部処理液用ノズル５５は、保持部材１７に保持
された半導体ウエハＵの回転中心に向けて処理液を噴射
するようになっている。また、下部気体用ノズル５６か
らの気体も半導体ウエハＵの径方向中心部、つまり回転
中心に向けて噴射されるようになっている。
ッド４６の軸線Ｏに対して所定角度傾斜している。すな
わち、下部処理液用ノズル５５は、保持部材１７に保持
された半導体ウエハＵの回転中心に向けて処理液を噴射
するようになっている。また、下部気体用ノズル５６か
らの気体も半導体ウエハＵの径方向中心部、つまり回転
中心に向けて噴射されるようになっている。
【００６０】それによって、処理液は回転する半導体ウ
エハＵの遠心力によって裏面のほぼ全体に分散するとと
もに、半導体ウエハＵで反射した処理液のほとんどが凹
部５１内に滴下することになり、また気体も半導体ウエ
ハＵの裏面ほぼ全体に作用することになる。
エハＵの遠心力によって裏面のほぼ全体に分散するとと
もに、半導体ウエハＵで反射した処理液のほとんどが凹
部５１内に滴下することになり、また気体も半導体ウエ
ハＵの裏面ほぼ全体に作用することになる。
【００６１】なお、処理液は半導体ウエハＵの回転中心
からわずかにずれた位置に向けて噴射するようにしても
よく、その場合半導体ウエハＵの裏面で反射した処理液
が凹部５１内に滴下する角度で処理液を噴射することが
好ましい。同様に、気体も半導体ウエハＵの回転中心か
らわずかにずれた位置に向けて噴射するようにしてもよ
い。
からわずかにずれた位置に向けて噴射するようにしても
よく、その場合半導体ウエハＵの裏面で反射した処理液
が凹部５１内に滴下する角度で処理液を噴射することが
好ましい。同様に、気体も半導体ウエハＵの回転中心か
らわずかにずれた位置に向けて噴射するようにしてもよ
い。
【００６２】上記凹部５１の内面には上下方向に沿う複
数の案内溝６２が周方向に所定間隔で形成されている。
この案内溝６２は半導体ウエハＵで反射して凹部５１に
滴下した処理液を、凹部５１の内面に沿って排液孔５３
へ円滑に案内することになる。
数の案内溝６２が周方向に所定間隔で形成されている。
この案内溝６２は半導体ウエハＵで反射して凹部５１に
滴下した処理液を、凹部５１の内面に沿って排液孔５３
へ円滑に案内することになる。
【００６３】さらに、ノズルヘッド４６の上面には、図
４に示すように周方向に１８０度間隔で、一対の取付溝
６３が径方向に沿って形成されている。この取付溝６３
の先端は上記凹部５１の内面に連通している。この取付
溝６３にはそれぞれ羽根６４が先端部を上記凹部５１内
に突出させて設けられている。
４に示すように周方向に１８０度間隔で、一対の取付溝
６３が径方向に沿って形成されている。この取付溝６３
の先端は上記凹部５１の内面に連通している。この取付
溝６３にはそれぞれ羽根６４が先端部を上記凹部５１内
に突出させて設けられている。
【００６４】上記羽根６４は、上記半導体ウエハＵが回
転体１２とともに回転したときに、この半導体ウエハＵ
の下面に生じる気流を凹部５１内へ導入する形状になっ
ている。それによって、とくに乾燥処理時に半導体ウエ
ハＵの下面側に浮遊するミスト状の処理液を効率よく凹
部５１内へ導入して排出できるようになっている。
転体１２とともに回転したときに、この半導体ウエハＵ
の下面に生じる気流を凹部５１内へ導入する形状になっ
ている。それによって、とくに乾燥処理時に半導体ウエ
ハＵの下面側に浮遊するミスト状の処理液を効率よく凹
部５１内へ導入して排出できるようになっている。
【００６５】図１に示すように、上記回転体１２の上面
側には乱流防止カバ−６６が設けられている。この乱流
防止カバ−６６は上記保持部材１７に保持された半導体
ウエハＵの下面側に位置し、周辺部には上記保持部材１
７の上部を露出させる第１の開口部６７が形成され、中
心部には上記ノズルヘッド４６の凹部５１を開口させる
第２の開口部６８が形成されている。第２の開口部６８
の周辺部は凹部５１内に入り込むよう折り曲げられた遮
蔽部６９に形成されている。なお、遮蔽部６９はノズル
ヘッド４６凹部５１内面に対して非接触となっている。
側には乱流防止カバ−６６が設けられている。この乱流
防止カバ−６６は上記保持部材１７に保持された半導体
ウエハＵの下面側に位置し、周辺部には上記保持部材１
７の上部を露出させる第１の開口部６７が形成され、中
心部には上記ノズルヘッド４６の凹部５１を開口させる
第２の開口部６８が形成されている。第２の開口部６８
の周辺部は凹部５１内に入り込むよう折り曲げられた遮
蔽部６９に形成されている。なお、遮蔽部６９はノズル
ヘッド４６凹部５１内面に対して非接触となっている。
【００６６】上記乱流防止カバ−６６によって回転体１
２の凹凸状の上面が覆われている。それによって、回転
体１２の回転に伴う乱流の発生が抑制されるから、半導
体ウエハＵを洗浄した塵埃を含む処理液がカップ体１内
であらゆる方向に飛散し、たとえば半導体ウエハＵの下
面側に舞い込んで付着するのを防止できるようになって
いる。とくに、上記乱流防止カバ−６６の上面と半導体
ウエハＵの下面との間隔を所定の間隔に設定すると、乱
流の抑制効果が高くなる。
２の凹凸状の上面が覆われている。それによって、回転
体１２の回転に伴う乱流の発生が抑制されるから、半導
体ウエハＵを洗浄した塵埃を含む処理液がカップ体１内
であらゆる方向に飛散し、たとえば半導体ウエハＵの下
面側に舞い込んで付着するのを防止できるようになって
いる。とくに、上記乱流防止カバ−６６の上面と半導体
ウエハＵの下面との間隔を所定の間隔に設定すると、乱
流の抑制効果が高くなる。
【００６７】さらに、乱流防止カバー６６にノズルヘッ
ド４６の凹部５１内に入り込む遮蔽部６９を形成したこ
とで、第２の開口部６８によって生じるノズルヘッド４
６と乱流防止カバー６６との隙間を閉塞することができ
る。
ド４６の凹部５１内に入り込む遮蔽部６９を形成したこ
とで、第２の開口部６８によって生じるノズルヘッド４
６と乱流防止カバー６６との隙間を閉塞することができ
る。
【００６８】それによって、洗浄処理時にカップ体１内
に飛散する処理液が乱流防止カバー６６の内面側に入り
込んで付着し、その処理液が乾燥処理時に飛散して半導
体ウエハＵに付着するということを防止できる。
に飛散する処理液が乱流防止カバー６６の内面側に入り
込んで付着し、その処理液が乾燥処理時に飛散して半導
体ウエハＵに付着するということを防止できる。
【００６９】回転体１２の保持部材２２によって保持さ
れた半導体ウエハＵの上方には、上部処理液用ノズル７
１及び上部気体用ノズル７２が配置されている。上部処
理液用ノズル７１からは上記半導体ウエハＵの上面に向
けて処理液が噴射され、上部気体用ノズル７２からは窒
素などの乾燥用の気体が噴射されるようになっている。
れた半導体ウエハＵの上方には、上部処理液用ノズル７
１及び上部気体用ノズル７２が配置されている。上部処
理液用ノズル７１からは上記半導体ウエハＵの上面に向
けて処理液が噴射され、上部気体用ノズル７２からは窒
素などの乾燥用の気体が噴射されるようになっている。
【００７０】つぎに、上記構成のスピン処理装置によっ
て半導体ウエハＵを洗浄処理する場合について説明す
る。
て半導体ウエハＵを洗浄処理する場合について説明す
る。
【００７１】半導体ウエハＵを回転体１２に供給する前
には、保持部材１７のロックピン２２はアンロック状態
になっている。つまり、解除シリンダ３２が作動して解
除ピン３６が親歯車２５の凸部２５ａの側面に係合した
状態で回転体１２がパルス制御モ−タ９によって図３に
矢印Ｃで示す方向に捩じりコイルばね２６の付勢力に抗
して角度θ回転させられている。それによって、保持部
材１７が回転するから、ロックピン２２が偏心回転し、
このロックピン２２は支持ピン２１に支持される半導体
ウエハＵの外周面よりも所定寸法径方向外方の離れた位
置にある。
には、保持部材１７のロックピン２２はアンロック状態
になっている。つまり、解除シリンダ３２が作動して解
除ピン３６が親歯車２５の凸部２５ａの側面に係合した
状態で回転体１２がパルス制御モ−タ９によって図３に
矢印Ｃで示す方向に捩じりコイルばね２６の付勢力に抗
して角度θ回転させられている。それによって、保持部
材１７が回転するから、ロックピン２２が偏心回転し、
このロックピン２２は支持ピン２１に支持される半導体
ウエハＵの外周面よりも所定寸法径方向外方の離れた位
置にある。
【００７２】ロックピン２２がアンロック状態にあると
き、上記回転体１２上に未処理の半導体ウエハＵが図示
しないロボットによってそのア−ムを保持部材１７の間
を通して供給される。つまり、半導体ウエハＵを保持し
たア−ムは回転体１２の上面へ進入してから下降し、半
導体ウエハＵをア−ムから支持ピン２１に受け渡し、つ
いで後退することで上記半導体ウエハＵの供給が完了す
る。
き、上記回転体１２上に未処理の半導体ウエハＵが図示
しないロボットによってそのア−ムを保持部材１７の間
を通して供給される。つまり、半導体ウエハＵを保持し
たア−ムは回転体１２の上面へ進入してから下降し、半
導体ウエハＵをア−ムから支持ピン２１に受け渡し、つ
いで後退することで上記半導体ウエハＵの供給が完了す
る。
【００７３】半導体ウエハＵの供給時にはブレ−キシリ
ンダ４３が作動してブレ−キシュ−４５ａがブレ−キデ
ィスク４５ｂに圧接し、回転子９ｂの回転を阻止してい
る。そのため、半導体ウエハＵの供給時に停電などが生
じても、上記回転子９ｂが捩じりコイルばね２６の復元
力によって矢印Ｃ方向と逆方向に回転するのが防止され
る。
ンダ４３が作動してブレ−キシュ−４５ａがブレ−キデ
ィスク４５ｂに圧接し、回転子９ｂの回転を阻止してい
る。そのため、半導体ウエハＵの供給時に停電などが生
じても、上記回転子９ｂが捩じりコイルばね２６の復元
力によって矢印Ｃ方向と逆方向に回転するのが防止され
る。
【００７４】したがって、上記ブレ−キシリンダ４３に
よって回転体１２の回転角度が一定に維持されるから、
停電等が生じてパルス制御モ−タ９の駆動力が消失して
も、回転体１２が回転してロボットのア−ムが保持部材
１７にぶつかり、半導体ウエハＵの供給ができなくなる
ということがない。
よって回転体１２の回転角度が一定に維持されるから、
停電等が生じてパルス制御モ−タ９の駆動力が消失して
も、回転体１２が回転してロボットのア−ムが保持部材
１７にぶつかり、半導体ウエハＵの供給ができなくなる
ということがない。
【００７５】回転体１２に半導体ウエハＵが供給された
なら、解除シリンダ３２の駆動を解除し、解除ピン３６
を親歯車２５の凸部２５ａから外す。それによって、親
歯車２５は捩じりコイルばね２６の付勢力によって矢印
Ａ方向へ回転するから、この親歯車２５により子歯車２
３が保持部材１７とともに矢印Ｂ方向に回転させられ
る。
なら、解除シリンダ３２の駆動を解除し、解除ピン３６
を親歯車２５の凸部２５ａから外す。それによって、親
歯車２５は捩じりコイルばね２６の付勢力によって矢印
Ａ方向へ回転するから、この親歯車２５により子歯車２
３が保持部材１７とともに矢印Ｂ方向に回転させられ
る。
【００７６】保持部材１７が矢印Ｂ方向に回転すれば、
この保持部材１７に設けられたロックピン２２が半導体
ウエハＵの外周面に当接する方向へ偏心回転するから、
上記半導体ウエハＵがロックピン２２によって保持され
ることになる。
この保持部材１７に設けられたロックピン２２が半導体
ウエハＵの外周面に当接する方向へ偏心回転するから、
上記半導体ウエハＵがロックピン２２によって保持され
ることになる。
【００７７】半導体ウエハＵをロックピン２２によって
保持したならば、ブレ−キシリンダ４３の駆動を解除し
てブレ−キシュ−４５ａによる回転子９ｂの回転阻止状
態も解除する。ついで、パルス制御モ−タ９を作動させ
て回転体１２を回転させるとともに、半導体ウエハＵの
上面および下面に上部処理液用ノズル７１及び下部処理
液用ノズル５５から処理液を噴射することで、この半導
体ウエハＵの上下面を洗浄処理することができる。
保持したならば、ブレ−キシリンダ４３の駆動を解除し
てブレ−キシュ−４５ａによる回転子９ｂの回転阻止状
態も解除する。ついで、パルス制御モ−タ９を作動させ
て回転体１２を回転させるとともに、半導体ウエハＵの
上面および下面に上部処理液用ノズル７１及び下部処理
液用ノズル５５から処理液を噴射することで、この半導
体ウエハＵの上下面を洗浄処理することができる。
【００７８】下部処理液用ノズル５５から噴射される処
理液は半導体ウエハＵの回転中心に向けて噴射される。
そのため、処理液は、半導体ウエハＵの回転によって生
じる遠心力で径方向外方に向かって流れるから、半導体
ウエハＵの下面全体を処理液によって確実に処理するこ
とができる。
理液は半導体ウエハＵの回転中心に向けて噴射される。
そのため、処理液は、半導体ウエハＵの回転によって生
じる遠心力で径方向外方に向かって流れるから、半導体
ウエハＵの下面全体を処理液によって確実に処理するこ
とができる。
【００７９】しかも、第２の開口部６８の周辺部には凹
部５１内に入り込む遮蔽部６９を形成したから、処理液
が乱流防止カバー６６内に入り込んで付着し、乾燥処理
時に飛散して半導体ウエハＵに付着するということも防
止できる。
部５１内に入り込む遮蔽部６９を形成したから、処理液
が乱流防止カバー６６内に入り込んで付着し、乾燥処理
時に飛散して半導体ウエハＵに付着するということも防
止できる。
【００８０】下部処理液用ノズル５５から噴射された半
導体ウエハＵの下面で反射した処理液のほとんどはノズ
ルヘッド４６の凹部５１内に滴下する。この凹部５１の
形状は円錐状であり、しかも内面には上下方向に沿って
案内溝６２が形成されている。そのため、凹部５１に滴
下した処理液はその底部に形成された排液孔５３へ円滑
に導かれ、排液管５４から排出されることになる。
導体ウエハＵの下面で反射した処理液のほとんどはノズ
ルヘッド４６の凹部５１内に滴下する。この凹部５１の
形状は円錐状であり、しかも内面には上下方向に沿って
案内溝６２が形成されている。そのため、凹部５１に滴
下した処理液はその底部に形成された排液孔５３へ円滑
に導かれ、排液管５４から排出されることになる。
【００８１】半導体ウエハＵの洗浄が終了したならば、
その上下面に上部気体用ノズル７１と下部気体用ノズル
５６とから乾燥用の気体を噴射しながら回転体１２とと
もに半導体ウエハＵを高速回転させ、その上下面に付着
した処理液を除去乾燥させる。
その上下面に上部気体用ノズル７１と下部気体用ノズル
５６とから乾燥用の気体を噴射しながら回転体１２とと
もに半導体ウエハＵを高速回転させ、その上下面に付着
した処理液を除去乾燥させる。
【００８２】下部気体用ノズル５６は気体が半導体ウエ
ハＵの径方向外方に向かって噴射される。そのため、そ
の気体の流れによって半導体ウエハＵの下面を全体にわ
たって良好に乾燥処理することができる。
ハＵの径方向外方に向かって噴射される。そのため、そ
の気体の流れによって半導体ウエハＵの下面を全体にわ
たって良好に乾燥処理することができる。
【００８３】上記半導体ウエハＵの下面側には乱流防止
カバ−６６が設けられ、回転体１２が高速回転しても、
その上面の凹凸形状によって乱流が発生するのを防止す
る。そのため、半導体ウエハＵの下面側に浮遊するミス
ト状の処理液は、排出管６から円滑に排出されるから、
カップ体１内で舞い上がって半導体ウエハＵに再付着す
ることがほとんどない。
カバ−６６が設けられ、回転体１２が高速回転しても、
その上面の凹凸形状によって乱流が発生するのを防止す
る。そのため、半導体ウエハＵの下面側に浮遊するミス
ト状の処理液は、排出管６から円滑に排出されるから、
カップ体１内で舞い上がって半導体ウエハＵに再付着す
ることがほとんどない。
【００８４】また、半導体ウエハＵを高速回転させる
と、この半導体ウエハＵの下面側には気流が発生する。
この気流の一部はノズルヘッド４６に設けられた羽根６
４によって凹部５１内に向かう流れとなる。
と、この半導体ウエハＵの下面側には気流が発生する。
この気流の一部はノズルヘッド４６に設けられた羽根６
４によって凹部５１内に向かう流れとなる。
【００８５】そのため、半導体ウエハを高速回転させる
ことで、この下面側にミスト状の処理液が浮遊していて
も、その処理液は上記羽根６４によって生じる気流で凹
部５１内に導入されて排液管５４から排出されるため、
このことによっても半導体ウエハＵの下面の汚染を防止
することができる。
ことで、この下面側にミスト状の処理液が浮遊していて
も、その処理液は上記羽根６４によって生じる気流で凹
部５１内に導入されて排液管５４から排出されるため、
このことによっても半導体ウエハＵの下面の汚染を防止
することができる。
【００８６】乾燥処理が終了したならば、回転体１２の
回転を停止し、ついでセンサ３８がゲ−ジ３７を検出す
る原点位置まで上記回転体１２をパルス駆動する。回転
体１２を原点位置まで回転させたなら、解除シリンダ３
２を作動させて解除ピン３６を親歯車２５の凸部２５ａ
の側面に係合させる。
回転を停止し、ついでセンサ３８がゲ−ジ３７を検出す
る原点位置まで上記回転体１２をパルス駆動する。回転
体１２を原点位置まで回転させたなら、解除シリンダ３
２を作動させて解除ピン３６を親歯車２５の凸部２５ａ
の側面に係合させる。
【００８７】ついで、パルス制御モ−タ９の回転子９ｂ
を所定のパルス数だけ回転させ、回転体１２を捩じりコ
イルばね２６の付勢力に抗して矢印Ｃ方向へ角度θ回転
させる。つまり、親歯車２５の回転を解除ピン３６で阻
止して回転体１２だけを回転させることで、この回転体
１２を捩じりコイルばね２６の付勢力に抗して回転させ
ることができる。
を所定のパルス数だけ回転させ、回転体１２を捩じりコ
イルばね２６の付勢力に抗して矢印Ｃ方向へ角度θ回転
させる。つまり、親歯車２５の回転を解除ピン３６で阻
止して回転体１２だけを回転させることで、この回転体
１２を捩じりコイルばね２６の付勢力に抗して回転させ
ることができる。
【００８８】それによって、上記親歯車２５に噛合した
子歯車２３が回転体１２とともに公転しながら自転し、
その自転に保持部材１７が連動して矢印Ｂと逆方向に回
転するから、ロックピン２２による半導体ウエハＵのロ
ック状態が解除される。
子歯車２３が回転体１２とともに公転しながら自転し、
その自転に保持部材１７が連動して矢印Ｂと逆方向に回
転するから、ロックピン２２による半導体ウエハＵのロ
ック状態が解除される。
【００８９】半導体ウエハＵのロック状態が解除された
ならば、ブレ−キシリンダ４３を作動させて回転子９ｂ
を固定し、回転体１２が捩じりコイルばね２６の復元力
で矢印Ｃ方向と逆方向に回転するのを阻止したならば、
図示しないロボットによってカップ体１内の処理された
半導体ウエハＵを回転体１２から取り出す。
ならば、ブレ−キシリンダ４３を作動させて回転子９ｂ
を固定し、回転体１２が捩じりコイルばね２６の復元力
で矢印Ｃ方向と逆方向に回転するのを阻止したならば、
図示しないロボットによってカップ体１内の処理された
半導体ウエハＵを回転体１２から取り出す。
【００９０】処理された半導体ウエハＵを回転体１２か
ら取り出したならば、未処理の半導体ウエハＵを供給
し、上述した工程を繰り返すことで、その半導体ウエハ
Ｕの洗浄処理および乾燥処理を行うことができる。
ら取り出したならば、未処理の半導体ウエハＵを供給
し、上述した工程を繰り返すことで、その半導体ウエハ
Ｕの洗浄処理および乾燥処理を行うことができる。
【００９１】一方、下部処理液用ノズル５５と下部気体
用ノズル５６とは、ノズルヘッド４６に通路を穿設して
形成されている。そのため、上記各ノズル５５，５８を
形成するために別部品を用いる必要がないから、部品点
数を少なくし、構成の簡略化やコストの低減を図ること
ができる。
用ノズル５６とは、ノズルヘッド４６に通路を穿設して
形成されている。そのため、上記各ノズル５５，５８を
形成するために別部品を用いる必要がないから、部品点
数を少なくし、構成の簡略化やコストの低減を図ること
ができる。
【００９２】この発明は上記一実施の形態に限定され
ず、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形可能で
ある。たとえば、基板としては半導体ウエハに限られ
ず、液晶表示装置用のガラス基板であってもよく、要は
高精度に洗浄処理することが要求される基板であれば、
この発明を適用することができる。
ず、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形可能で
ある。たとえば、基板としては半導体ウエハに限られ
ず、液晶表示装置用のガラス基板であってもよく、要は
高精度に洗浄処理することが要求される基板であれば、
この発明を適用することができる。
【００９３】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、基板の下面に
処理液を噴射する下部処理液用ノズルが設けられたノズ
ルヘッドには、その上面に開放した凹部を形成し、この
凹部内に滴下する処理液を排出するようにした。
処理液を噴射する下部処理液用ノズルが設けられたノズ
ルヘッドには、その上面に開放した凹部を形成し、この
凹部内に滴下する処理液を排出するようにした。
【００９４】そのため、基板を処理液で処理した際に、
ノズルヘッドの上面に処理液が付着残留するのを防止で
きるから、洗浄処理後に乾燥処理する際、ノズルヘッド
から処理液が舞い上がって基板の裏面に付着するのを防
止できる。
ノズルヘッドの上面に処理液が付着残留するのを防止で
きるから、洗浄処理後に乾燥処理する際、ノズルヘッド
から処理液が舞い上がって基板の裏面に付着するのを防
止できる。
【００９５】請求項２の発明によれば、ノズルヘッドに
形成される凹部の形状を円錐形状にした。
形成される凹部の形状を円錐形状にした。
【００９６】そのため、凹部内に滴下した処理液はその
傾斜した内周面に沿って円滑に排出することが可能とな
るから、凹部の内面に付着残留して乾燥処理時に舞い上
がるのを防止できる。
傾斜した内周面に沿って円滑に排出することが可能とな
るから、凹部の内面に付着残留して乾燥処理時に舞い上
がるのを防止できる。
【００９７】請求項３の発明によれば、ノズルヘッドの
凹部の内面に上下方向に沿う案内溝を形成した。
凹部の内面に上下方向に沿う案内溝を形成した。
【００９８】そのため、凹部内に滴下した処理液を案内
溝に沿って円滑に排出することが可能となるから、凹部
の内面に付着残留して乾燥処理時に舞い上がるのを防止
できる。
溝に沿って円滑に排出することが可能となるから、凹部
の内面に付着残留して乾燥処理時に舞い上がるのを防止
できる。
【００９９】請求項４の発明によれば、下部処理液用ノ
ズルをノズルヘッドの凹部の内面に開口形成した。
ズルをノズルヘッドの凹部の内面に開口形成した。
【０１００】そのため、下部処理液用ノズルを別部品を
用いることなくノズルヘッドと一体形成することができ
るから、部品点数を少なくし、構成の簡略化やコストの
低減を図ることができる。
用いることなくノズルヘッドと一体形成することができ
るから、部品点数を少なくし、構成の簡略化やコストの
低減を図ることができる。
【０１０１】請求項５の発明によれば、下部処理液用ノ
ズルからの処理液を基板の回転中心に向けて噴射するよ
うにした。
ズルからの処理液を基板の回転中心に向けて噴射するよ
うにした。
【０１０２】そのため、処理液は、基板の回転によって
生じる遠心力で基板の下面全体にわたって分散させるこ
とができるから、処理液による処理効果を高めることが
できる。
生じる遠心力で基板の下面全体にわたって分散させるこ
とができるから、処理液による処理効果を高めることが
できる。
【０１０３】請求項６の発明によれば、下部処理液用ノ
ズルから噴射されて基板の下面で反射した処理液がノズ
ルヘッドの凹部内に滴下するようにした。
ズルから噴射されて基板の下面で反射した処理液がノズ
ルヘッドの凹部内に滴下するようにした。
【０１０４】そのため、基板の下面で反射する処理液の
ほとんどを凹部を通じて確実に排液することができるか
ら、基板で反射した処理液がカップ体内に飛散し、乾燥
処理時などに基板に付着するのを防止できる。
ほとんどを凹部を通じて確実に排液することができるか
ら、基板で反射した処理液がカップ体内に飛散し、乾燥
処理時などに基板に付着するのを防止できる。
【０１０５】請求項７の発明によれば、ノズルヘッド
に、基板の回転によってノズルヘッドの上方に生じる気
流を凹部内に導入する羽根を設けるようにした。
に、基板の回転によってノズルヘッドの上方に生じる気
流を凹部内に導入する羽根を設けるようにした。
【０１０６】そのため、乾燥処理にノズルヘッドの上方
に浮遊するミスト状の処理液などを効率よく確実に凹部
内に流入させて排出することができるから、基板への付
着による汚染を防止できる。
に浮遊するミスト状の処理液などを効率よく確実に凹部
内に流入させて排出することができるから、基板への付
着による汚染を防止できる。
【０１０７】請求項８の発明によれば、ノズルヘッドの
凹部の内面に基板の回転中心に向けて気体を噴射する気
体用ノズルを設けた。
凹部の内面に基板の回転中心に向けて気体を噴射する気
体用ノズルを設けた。
【０１０８】そのため、乾燥処理時に、基板の下面を全
体にわたって確実に乾燥処理することが可能となる。
体にわたって確実に乾燥処理することが可能となる。
【０１０９】請求項９の発明によれば、回転体の上面側
と基板の下面側との間に、乱流の発生を抑制する乱流防
止カバーを設け、この乱流防止カバーにはノズルヘッド
の凹部に対向する開口部を形成するとともに、上記凹部
内に入り込む遮蔽部を設けた。
と基板の下面側との間に、乱流の発生を抑制する乱流防
止カバーを設け、この乱流防止カバーにはノズルヘッド
の凹部に対向する開口部を形成するとともに、上記凹部
内に入り込む遮蔽部を設けた。
【０１１０】そのため、基板の下面側の気流が乱れるの
を防止できるから、基板の下面にミストが付着し難くな
り、しかも上記遮蔽部によってノズルヘッドの上面と乱
流防止カバーの間に隙間が生じる防げるから、処理液や
ミストなどが乱流防止カバー内に入り込み、乾燥処理時
などに流出して基板の下面に付着するのを防止できる。
を防止できるから、基板の下面にミストが付着し難くな
り、しかも上記遮蔽部によってノズルヘッドの上面と乱
流防止カバーの間に隙間が生じる防げるから、処理液や
ミストなどが乱流防止カバー内に入り込み、乾燥処理時
などに流出して基板の下面に付着するのを防止できる。
【図１】この発明の一実施の形態を示す回転体の部分の
拡大断面図。
拡大断面図。
【図２】同じく全体構成を示す縦断面図。
【図３】同じく乱流防止カバ−を除去した回転体の平面
図。
図。
【図４】同じくノズルヘッドの平面図。
【図５】同じく図４のＸ−Ｘ線に沿う断面図。
１…カップ体 １２…回転体 １７…保持部材（保持機構） ２１…支持ピン（保持機構） ２２…ロックピン（保持機構） ４６…ノズルヘッド ５１…凹部 ５３…排液孔（排液部） ５５…下部処理液用ノズル ５６…下部気体用ノズル ６２…案内溝 ６４…羽根 ６６…乱流防止カバ− ６８…第２の開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B116 AA03 AB34 AB42 BB24 BB62 CC03 CD24 CD33 CD41 3B201 AA03 AB34 AB42 BB24 BB32 BB62 BB95 BB98 CB12 CC13 CD24 CD31 CD42 CD43 3L113 AA03 AB08 AC28 AC45 AC46 AC48 AC49 AC54 AC57 AC63 AC66 AC72 AC73 AC76 AC77 AC90 BA34 DA06 DA13 DA19 DA24
Claims (9)
- 【請求項１】 基板を回転させるとともに、この基板の
下面に処理液を噴射して処理するスピン処理装置におい
て、 カップ体と、 このカップ体内に配設された回転駆動される回転体と、 この回転体に設けられ上記基板を着脱可能に保持する保
持機構と、 この保持機構によって保持される上記基板の下面に対向
する位置に配置されこの基板の下面に向けて処理液を噴
射する下部処理液用ノズルが設けられたノズルヘッド
と、 このノズルヘッドの上面に開放して形成された凹部と、 この凹部の内底部に連通して設けられ凹部内に滴下する
処理液を排出する排液部とを具備したことを特徴とする
スピン処理装置。 - 【請求項２】 上記凹部は、ノズルヘッドの上面に開放
した上部から下部に向かって小径となる円錐形状に形成
されていることを特徴とする請求項１記載のスピン処理
装置。 - 【請求項３】 上記凹部の内面には上下方向に沿う案内
溝が形成されていることを特徴とする請求項１記載のス
ピン処理装置。 - 【請求項４】 上記下部処理液用ノズルは、上記ノズル
ヘッドの凹部の内面に開口形成されていることを特徴と
する特徴とする請求項１記載のスピン処理装置。 - 【請求項５】 上記下部処理液用ノズルは、上記基板の
回転中心に向けて処理液を噴射する角度で上記凹部の内
面に開口形成されていることを特徴とする請求項１記載
のスピン処理装置。 - 【請求項６】 上記下部処理液用ノズルの処理液を噴射
する角度は、基板の下面で反射した処理液が上記凹部内
に滴下する範囲であることを特徴とする請求項５記載の
スピン処理装置。 - 【請求項７】 上記ノズルヘッドの上部には、上記基板
の回転によって生じるこの基板の下面側の気流を上記凹
部内へ導入する羽根が設けられていることを特徴とする
請求項１記載のスピン処理装置。 - 【請求項８】 上記ノズルヘッドには、気体を上記基板
の下面の回転中心に向けて噴射する気体用ノズルが上記
凹部の内面に開口形成されていることを特徴とする請求
項１記載のスピン処理装置。 - 【請求項９】 上記回転体の上面側であって、上記保持
機構に保持される基板の下面側には、上記回転体の上面
側のほぼ全体を覆うとともに、上記ノズルヘッドの凹部
に対向する部分に開口部が形成された乱流防止カバ−が
設けられていて、この乱流防止カバーの上記開口部を形
成した部分の周辺部には上記凹部内に入り込む遮蔽部が
設けられていることを特徴とする請求項１記載のスピン
処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21215799A JP4327304B2 (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | スピン処理装置 |
| KR1020000041399A KR100654697B1 (ko) | 1999-07-27 | 2000-07-19 | 스핀처리장치 |
| TW089114952A TW498396B (en) | 1999-07-27 | 2000-07-26 | Spin processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21215799A JP4327304B2 (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | スピン処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001044159A true JP2001044159A (ja) | 2001-02-16 |
| JP4327304B2 JP4327304B2 (ja) | 2009-09-09 |
Family
ID=16617851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21215799A Expired - Fee Related JP4327304B2 (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | スピン処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4327304B2 (ja) |
| KR (1) | KR100654697B1 (ja) |
| TW (1) | TW498396B (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045840A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置およびスピン処理方法 |
| JP2007115756A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置 |
| JP2009094514A (ja) * | 2007-10-08 | 2009-04-30 | Semes Co Ltd | スピンヘッド及びこれに使用されるチャックピン並びに基板処理方法 |
| US20090205155A1 (en) * | 2008-02-14 | 2009-08-20 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
| US8394234B2 (en) | 2008-11-26 | 2013-03-12 | Semes Co., Ltd. | Spin head and method of chucking substrate using the same |
| KR101423050B1 (ko) | 2008-06-23 | 2014-07-25 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 고정 장치 |
| KR20140102609A (ko) * | 2013-02-14 | 2014-08-22 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2014154858A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| CN111001608A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-04-14 | 缙云唐纳机械科技有限公司 | 一种汽轮机转子的清洗装置 |
| CN115410964A (zh) * | 2022-11-02 | 2022-11-29 | 华海清科股份有限公司 | 一种晶圆水平清洗装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI408013B (zh) * | 2010-09-24 | 2013-09-11 | Sparking Power Technology Co Ltd | 易於導流之元件清洗機 |
| US20140273498A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN106716605B (zh) * | 2014-09-30 | 2021-06-08 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置 |
| KR102194575B1 (ko) | 2018-03-30 | 2020-12-23 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 처리 장치 |
| JP7287271B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2023-06-06 | 株式会社Sumco | ワークの洗浄装置および洗浄方法 |
| JP2022143176A (ja) | 2021-03-17 | 2022-10-03 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 測定ツール、基板処理装置及び基板製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185029A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Hitachi Ltd | ウエハ処理装置 |
| JPH0697136A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Hitachi Ltd | 基板洗浄方法およびその装置 |
| US5927305A (en) * | 1996-02-20 | 1999-07-27 | Pre-Tech Co., Ltd. | Cleaning apparatus |
| DE69835988T2 (de) * | 1997-08-18 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd. | Doppelseitenreinigungsmaschine für ein Substrat |
-
1999
- 1999-07-27 JP JP21215799A patent/JP4327304B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-19 KR KR1020000041399A patent/KR100654697B1/ko active IP Right Grant
- 2000-07-26 TW TW089114952A patent/TW498396B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045840A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置およびスピン処理方法 |
| JP2007115756A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置 |
| US8257549B2 (en) | 2007-10-08 | 2012-09-04 | Semes Co., Ltd. | Spin head, chuck pin used in the spin head, and method for treating a substrate with the spin head |
| JP2009094514A (ja) * | 2007-10-08 | 2009-04-30 | Semes Co Ltd | スピンヘッド及びこれに使用されるチャックピン並びに基板処理方法 |
| US8444772B2 (en) | 2008-02-14 | 2013-05-21 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
| JP2009194167A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
| KR101215254B1 (ko) * | 2008-02-14 | 2012-12-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치 |
| US20090205155A1 (en) * | 2008-02-14 | 2009-08-20 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
| KR101423050B1 (ko) | 2008-06-23 | 2014-07-25 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 고정 장치 |
| US8394234B2 (en) | 2008-11-26 | 2013-03-12 | Semes Co., Ltd. | Spin head and method of chucking substrate using the same |
| KR20140102609A (ko) * | 2013-02-14 | 2014-08-22 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2014154858A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US9997382B2 (en) | 2013-02-14 | 2018-06-12 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR102091291B1 (ko) * | 2013-02-14 | 2020-03-19 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US10755951B2 (en) | 2013-02-14 | 2020-08-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN111001608A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-04-14 | 缙云唐纳机械科技有限公司 | 一种汽轮机转子的清洗装置 |
| CN115410964A (zh) * | 2022-11-02 | 2022-11-29 | 华海清科股份有限公司 | 一种晶圆水平清洗装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010049817A (ko) | 2001-06-15 |
| JP4327304B2 (ja) | 2009-09-09 |
| TW498396B (en) | 2002-08-11 |
| KR100654697B1 (ko) | 2006-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001044159A (ja) | スピン処理装置 | |
| TWI585842B (zh) | Substrate processing device | |
| JPS6140032A (ja) | Ｖｌｓｉ化学反応器 | |
| WO2019163651A1 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
| JP3909915B2 (ja) | スピン処理装置 | |
| JPH11297652A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2004119854A (ja) | スピン処理装置 | |
| JP4047635B2 (ja) | 基板の処理装置 | |
| JP2000070874A (ja) | スピン処理装置及びその方法 | |
| JP2000252252A (ja) | スピン処理用支持ピン及びスピン処理装置 | |
| JP4579354B2 (ja) | スピン処理装置 | |
| JP4364659B2 (ja) | スピン処理装置及びスピン処理方法 | |
| JP2016115858A (ja) | スピン処理装置 | |
| JP4347613B2 (ja) | ノズル装置及び基板の処理装置 | |
| JP4801853B2 (ja) | スピン処理装置およびスピン処理方法 | |
| JP2002252198A (ja) | スピン処理装置 | |
| JPH10163161A (ja) | スピン処理装置 | |
| JP4402226B2 (ja) | スピン処理装置 | |
| JP4727080B2 (ja) | スピン処理装置 | |
| TWI725003B (zh) | 基板洗淨裝置 | |
| JP4759395B2 (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
| JP2003022997A (ja) | スピン処理装置及び処理方法 | |
| JP2003126756A (ja) | スピン処理装置 | |
| TWI747062B (zh) | 處理杯單元及基板處理裝置 | |
| JP2007115756A (ja) | スピン処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060712 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081008 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081014 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090428 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090514 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090609 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090611 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4327304 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130619 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |