JP4347613B2

JP4347613B2 - ノズル装置及び基板の処理装置

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Publication number: JP4347613B2
Application number: JP2003163691A
Authority: JP
Inventors: 明典磯
Original assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Current assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Priority date: 2003-06-09
Filing date: 2003-06-09
Publication date: 2009-10-21
Anticipated expiration: 2023-06-09
Also published as: JP2005000722A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は処理液を基板に向けて噴射させるノズル装置及びそのノズル装置を用いて基板を処理する処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や液晶表示装置などを製造する場合、半導体ウエハやガラス基板などの基板に回路パタ−ンを形成するリソグラフィプロセスがある。このリソグラフィプロセスは、周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パタ−ンが形成されたマスクを介して光を照射する。ついで、レジストの光が照射されない部分あるいは光が照射された部分を除去し、除去された部分をエッチングするなどの一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パタ−ンを形成するものである。
【０００３】
上記一連の各工程において、上記基板が汚染されていると回路パタ−ンを精密に形成することができなくなり、不良品の発生原因となる。したがって、それぞれの工程で回路パタ−ンを形成する際には、レジストや塵埃などの微粒子が残留しない清浄な状態に上記基板を洗浄処理するということが行われている。
【０００４】
基板に洗浄或いは洗浄以外の処理をする場合、その処理目的に応じて異なる種類の処理液が用いられる。処理液としてはフッ酸を純水で希釈した処理液や、高濃度のアンモニアガスを純水に溶解して希釈した処理液などのように、添加流体を希釈流体で希釈した処理液が用いられている。
【０００５】
一方、基板を処理液で処理する場合、その処理液を窒素ガスなどの不活性ガスからなる加圧気体で加圧して噴射させるようにしている。それによって、基板の処理効果の向上を図ったり、処理液の使用量の減少を図るようにしている。
【０００６】
処理液を加圧気体で加圧して噴射する場合、ノズル装置が用いられている。このノズル装置は上記処理液と加圧気体とが供給される一対の供給部を有する。一方の供給部からは処理液が供給され、他方の供給部からは加圧気体が供給される。それによって、処理液は加圧気体で加圧され基板に向かって噴射される。
【０００７】
基板を処理液によって処理する処理装置としては、基板を回転させながら処理液を噴射するとともに、処理液による処理が終了したならば、基板を処理液による処理時よりも高速度で回転させて乾燥処理するスピン処理装置が用いられる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、加圧気体によって加圧された処理液をノズル装置から基板に向けて噴射すると、基板に勢いよく衝突した処理液の一部はミストとなって周囲に飛散し易くなる。そのため、ミスト状の処理液がスピン処理装置のカップ体の内周面に付着したり、カップ体内を浮遊することになる。
【０００９】
処理液によって処理された基板は高速回転させて乾燥処理される。基板を乾燥処理する際、カップ体内を浮遊するミストが基板に付着したり、カップ体の内周面に付着したミストが飛散して基板に付着することがあり、それらのことによって基板が汚染されるということがある。したがって、基板の処理時には、ノズル体か噴射される処理液によって発生するミストを周囲に拡散させないようにすることが望まれる。
【００１０】
この発明は、加圧気体によって加圧されて基板に噴射された処理液の一部がミストとなって飛散しても、そのミストが周囲に拡散するのを制限することで、基板が汚染されるのを防止できるようにしたノズル装置及び基板の処理装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明は、基板に向けて処理液を噴射するノズル装置において、
ノズル本体と、
このノズル本体に設けられた混合室と、
上記ノズル本体に設けられ上記混合室に連通した噴射部と、
上記ノズル本体に設けられ上記混合室に希釈用流体を供給するための第１の供給管と、
上記ノズル本体に設けられ上記希釈用流体によって希釈される添加流体を供給するための第２の供給管と、
上記ノズル本体に設けられ上記混合室で上記添加用流体を上記希釈用流体で希釈して作られた上記処理液を加圧して上記噴射部から噴射させる加圧気体を供給する気体供給部と、
上記気体供給部に上記混合室内に突出して設けられ外周面に上記第１の供給管からの希釈用流体と上記第２の供給管からの添加用流体を混合する周回溝が形成されこの周回溝で混合されて上記噴射部に流れる上記処理液に向かって上記加圧気体を噴射するノズル部を有する接続口体と、
上記ノズル本体に設けられ上記加圧気体に加圧されて上記噴射部から上記基板に向けて噴射された液体のうち、上記ノズル本体の周囲に飛散した液体を除去する飛散防止手段と、
を具備したことを特徴とするノズル装置にある。
【００１２】
上記飛散防止手段は、上記ノズル本体の外周を囲んで設けられたカバー体と、このカバー体に接続され上記ノズル本体の周囲に飛散した液体を上記カバー体を通じて吸引排出する排出管とから構成されていることが好ましい。
【００１３】
上記噴射部は、上記混合室に連通した一端から上記ノズル本体の先端面に開口した他端に向かって漸次拡径する円錐状に形成されていることが好ましい。
【００１４】
この発明によれば、加圧気体によって加圧されてノズル本体から噴射された液体の一部がミストとなって周囲に拡散しようとしても、そのミストは飛散防止手段によって除去されるため、基板に付着して汚染の原因になるのが防止される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態を説明する。
【００１６】
図１はこの発明の一実施の形態に係るスピンタイプの処理装置を示し、この処理装置はカップ体１を有する。このカップ体１は処理槽の底板２（処理槽は底板のみ図示）上に設けられた下カップ３と、この下カップ３の上側に図示しない上下駆動機構によって上下駆動可能に設けられた上カップ４とからなる。
【００１７】
上記下カップ３の底壁の中心部と底板２とにはこれらを貫通する通孔５が形成されており、また上記下カップ３の周壁３ａには上記上カップ４の二重構造の周壁４ａがスライド自在に嵌挿され、これら周壁によってラビリンス構造をなしている。
【００１８】
上記上カップ４の上面は開口していて、この上カップ４が下降方向に駆動されることで、後述するようにカップ体１内でたとえば洗浄及び乾燥の処理が行われた半導体ウエハなどの基板Ｗを図示しないロボットによって取出したり、未処理の基板Ｗを供給できるようになっている。
【００１９】
上記下カップ３の底壁には周方向に所定間隔で複数の排出管６の一端が接続され、他端は図示しない吸引ポンプに連通している。それによって、上記基板Ｗを洗浄処理した処理液や洗浄処理後の乾燥処理時に上記基板Ｗから飛散する洗浄液が上記排出管６を通じて排出されるようになっている。
【００２０】
上記底板２の下方にはベ−ス７が配置されている。このベ−ス７には上記カップ体１の通孔５と対応する位置に取付け孔８が形成されている。この取付け孔８には駆動手段を構成するパルス制御モ−タ９の固定子９ａの上端部が嵌入固定されている。
【００２１】
上記固定子９ａは筒状をなしていて、その内部には同じく筒状の回転子９ｂが回転自在に嵌挿されている。この回転子９ｂの上端面には筒状の連結体１１が下端面を接合させて一体的に固定されている。この連結体１１の下端面には上記固定子９ａの内径寸法よりも大径な鍔部１１ａが形成されている。この鍔部１１ａは上記固定子９ａの上端面に摺動可能に接しており、それによって回転子９ｂの回転を阻止することなく、この回転子９ｂが固定子９ａから抜け落ちるのを規制している。
【００２２】
上記連結体１１は上記カップ体１の通孔５から内部に突出し、上端面には円板状の回転体１２が取付け固定されている。この回転体１２の上面の周辺部には周方向に所定間隔で複数、この実施の形態では６０度間隔で６本の保持部材１３（２つのみ図示）が回転可能に設けられている。この保持部材１３の上面には中心部に円錐状の支持ピン１４が突設され、中心から偏心した位置に逆テ−パ状のロックピン１５が設けられている。
【００２３】
上記基板Ｗは図示しないロボットによって上記カップ体１内に供給される。カップ体１内に供給された基板Ｗは、周辺部の下面が上記支持ピン１４に支持される。その状態で上記保持部材１３が回転してロックピン１５が偏心回転することで、基板Ｗの外周面に係合する。それによって、基板Ｗは回転体１２に保持される。
【００２４】
上記連結体１１の外周面には付勢ばね１６が設けられている。この付勢ばね１６は、上記回転体１２の下面側に、この回転体１２に対して回転可能に設けられた親歯車（図示せず）を所定の回転方向に付勢している。この親歯車には子歯車（図示せず）が噛合しており、この子歯車は上記保持部材１３の上記回転体１２の下面側に突出した下端部に設けられている。それによって、上記保持部材１３は上記付勢ばね１６によりロックピン１５が基板Ｗの外周面に係合するロック方向に付勢されている。
【００２５】
上記ロックピン１５による基板Ｗのロック状態の解除は解除機構１７によって行われる。この解除機構１７は解除シリンダ１８と、この解除シリンダ１８によって駆動されるア−ム１９と、このア−ム１９の上端に設けられた解除ピン２１とからなる。
【００２６】
上記解除シリンダ１８が作動して解除ピン２１が上記親歯車の回転を阻止した状態で、上記回転体１２がパルス制御モ−タ９により上記付勢ばね１６の付勢力に抗して所定角度回転駆動されることで、上記保持部材１３が回転されて上記ロックピン１５による基板Ｗのロック状態が解除されるようになっている。
【００２７】
上記回転体１２の中心部には通孔１２ａが形成されている。上記回転子９ｂには中空状の固定軸２２が通され、この固定軸２２の上端部は上記回転体１２の通孔１２ａ内に位置している。固定軸２２の上端にはノズルヘッド２３が設けられている。このノズルヘッド２３には上記回転体１２に保持された基板Ｗの下面に向けて洗浄液を噴射する複数の下部ノズル体２４が設けられている。
【００２８】
上記回転体１２の上面側は乱流防止カバ−２９によって覆われている。この乱流防止カバ−２９には上記ノズルヘッド２３を露出させる開口部２９ａと、上記保持部材１３を露出させる開口部２９ｂとが形成されている。この乱流防止カバ−２９の上面は、上記支持ピン１４に支持された基板Ｗの下面にわずかな間隔で離間しており、回転体１２の回転にともない基板Ｗの下面側に乱流が生じるのを防止している。
【００２９】
上記カップ体１内に保持された基板Ｗの上面側には、ノズル装置３１が基板Ｗの径方向に沿って往復動可能に設けられている。このノズル装置３１からは処理液が噴射され、この処理液によって上記基板Ｗの上面にたとえば洗浄などの処理を行うようになっている。
【００３０】
上記ノズル装置３１は、図１に示すように垂直部４２と水平部４３とによってほぼ逆Ｌ字状をなした取付け部材としてのア−ム体４１の、上記水平部４３の先端部に形成された取付け部４３ａに軸線をほぼ垂直して取付けられている。
【００３１】
上記ア−ム体４１の垂直部４２は上記ベ−ス７に形成された挿通孔４７を通され、このア−ム体４１を所定の角度内で揺動駆動する中空軸モ−タからなる第１の駆動源４８の図示しない回転子に連結されている。この第１の駆動源４８は可動板４９に取付けられている。この可動板４９は上記ベ−ス７に垂設された固定板５１に図示しないリニアガイドによって上下方向にスライド可能に設けられている。
【００３２】
上記固定板５１には第２の駆動源５２が設けられている。この第２の駆動源５２の駆動軸５２ａには図示しないボ−ルねじが連結されている。このボ−ルねじは上記可動板４９に設けられた図示しないナット体に螺合されている。したがって、第２の駆動源５２が作動してボ−ルねじが回転駆動されれば、上記可動板４９が矢印で示す上下方向に駆動されることになる。
【００３３】
つまり、上記ノズル装置３１は、第１の駆動源４８によってカップ体１内に保持された基板Ｗの上方で、この基板Ｗの径方向に沿って揺動駆動されるとともに、第２の駆動源５２によって上下方向に駆動され、所定の高さ位置で保持されるようになっている。
【００３４】
上記ノズル装置３１は、図２乃至図４に示すようにノズル本体６１を有する。このノズル本体６１は塩化ビニールや弗素系の樹脂などの耐薬品性を有する合成樹脂によって成形されている。ノズル本体６１を成形するとき、このノズル本体６１内には導電性部材として互いに電気的に接続された多数の金属ワイヤ６２が埋設される。そのうちの１本の金属ワイヤ６２の一端部はノズル本体６１の外部に導出されたアース部６３となっている。このアース部６３は、上記アーム体４１を介してアースされる。
【００３５】
上記ノズル本体６１は円柱状に形成されていて、その中途部には断面形状が矩形状の矩形部６４が形成されている。この矩形部６４の一側面６４ａには第１の液体供給部としての第１の接続孔６５が開口形成されている。第１の接続孔６５が形成された一側面６４ａに対向する他側面６４ｂには第２の液体供給部としての第２の接続孔６６が開口形成されている。さらに、上記ノズル本体６１の上端面には気体供給部としての第３の接続孔６７が開口形成されている。
【００３６】
上記第１乃至第３の接続孔６５〜６７は上記ノズル本体６１の矩形部６４の中心部に形成された混合室６８に連通している。この混合室６８には噴射部６９の一端が連通している。この噴射部６９の他端はノズル本体６１の先端面に開口している。なお、噴射部６９は、混合室６８に連通した一端からノズル本体６１の先端面に開口した他端にゆくにつれて漸次拡径する円錐形状をなしている。
【００３７】
上記第１、第２の接続孔６５，６６には、図３に鎖線で示す第１、第２の供給管７１，７２がそれぞれ一端部を接続して設けられる。第１の供給管７１から上記混合室６８にはたとえば純水などの希釈用流体が供給されるようになっている。
【００３８】
上記第２の供給管７２から上記混合室６８には上記希釈用流体によって希釈される添加流体として、たとえばアンモニア水、塩酸、過酸化水素水、オゾン水などの液体、或いはオゾン、窒素、酸素、水素、二酸化炭素などの気体が供給されるようになっている。それによって、上記混合室６８では上記希釈用流体と添加流体とが混合された処理液が作られる。
【００３９】
上記第３の接続孔６７には接続口体７３が接続されている。この接続口体７３には後端面に開口した接続部７４が形成されている。この接続部７４には、所定の圧力に加圧された窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを上記混合室６８に供給する第３の供給管７５が接続されている。
なお、上記第１乃至第３の供給管７１、７２、７５は上記アーム体４１を通されて他端がそれぞれ図示しない供給源に接続されている。
【００４０】
上記接続口体７３の先端部には、上記混合室６８内に位置するノズル部７６が設けられている。このノズル部７６は、外形寸法が上記混合室６８の内径寸法よりもわずかに小さく形成されている。ノズル部７６の外周面には周回溝７７が形成され、先端には上記接続部７４に連通するノズル孔７８が開口形成されている。このノズル孔７８からは上記噴射部６９の一端に向かって加圧気体を噴射するようになっている。
【００４１】
上記第１の供給管７１と第２の供給管７２とからは、希釈用流体と添加流体がそれぞれ上記混合室６８内に位置する上記ノズル部７６の外周面の上記周回溝７７に向かって供給される。そのため、希釈用流体と添加流体とは、周回溝７７に沿って流れながら混合されるから、混合室６８で十分に混合された処理液となってから噴射部６９に流れることになる。
【００４２】
混合室６８で混合されて噴射部６９に流れる処理液は、上記ノズル孔７８から噴射される加圧気体によって加圧される。そのため、処理液は粒子状となって上記噴射部６９の先端から基板Ｗに向かって噴射する。
【００４３】
上記噴射部６９は円錐形状に形成されている。そのため、処理液は加圧気体に加圧されて粒子状となっても、上記噴射部６９の形状によって基板Ｗへの噴射形状が円錐形状に規定されるため、周囲に拡散し難い。つまり、基板Ｗへの処理液の噴射形状が一定に保たれる。それによって、基板Ｗは上記噴射部６９の先端開口に対向する部位が処理液によって確実に処理されることになる。
【００４４】
上記ノズル本体６１の上記矩形部６４の下側の部分の外周面は下端面が開口した円筒状のカバー体８１によって覆われている。このカバー体８１の内径寸法は、上記ノズル本体６１の円柱部分の外形寸法よりも大径に形成されている。それによって、カバー体８１とノズル本体６１の外周面との間には空間部８２が形成されている。さらに、カバー体８１の下端面は、上記ノズル本体６１の下端面とほぼ同じ高さに設定されていて、その下端には径方向外方に突出した鍔８３が設けられている。
【００４５】
上記カバー体８１の周壁には排出管８４の一端が接続されている。この排出管８４は上記アーム体４１内を通され、他端は図示しない吸引ポンプに接続されている。吸引ポンプを作動させることで、排出管８４を介して上記カバー体８１の空間部８２を負圧にできるようになっている。
【００４６】
上記構成の処理装置によれば、回転体１２に保持された基板Ｗに処理液を供給するノズル装置３１は、そのノズル本体６１に希釈用流体を供給する第１の供給管７１、添加流体を供給する第２の供給管７２及び加圧気体を供給する第３の供給管７５が接続されている。
【００４７】
第１の供給管７１から上記ノズル本体６１の混合室６８に供給された希釈用流体と、第２の供給管７２から上記混合室６８に供給された添加流体は、上記混合室で混合されて処理液となる。
【００４８】
上記混合室６８で作られた処理液は、第３の供給管７５から供給されて接続口体７３のノズル部７６のノズル孔７８から噴射される加圧気体によって加圧される。そのため、処理液は加圧気体の作用によって粒子状となって上記混合室６８に一端を連通させた噴射部６９の他端から基板Ｗの上面に向かって噴射されるから、基板Ｗの上面が処理液によって処理されることになる。
【００４９】
つまり、ノズル装置３１のノズル本体６１の下端面を回転体１２に保持された基板Ｗの上面に所定の間隔で離間対向させ、アーム体４１を作動させて上記ノズル装置３１を基板Ｗの径方向に沿って往復動させながら、噴射部６９から加圧気体によって加圧された処理液を噴射させる。それによって、基板Ｗの上面が処理液によって処理されることになる。
【００５０】
上記構成のノズル装置によれば、希釈用流体と添加流体とをノズル装置３１の混合室６８で混合することができる。そのため、希釈用流体と添加流体とを予め混合して供給する従来のように、ノズル装置３１の上流側に混合タンクを設けずにすむから、その分、コストの低減や構成の簡略化を図ることができる。
【００５１】
上記混合室６８で作られた処理液は加圧気体によって加圧されて噴射部６９から噴射する。そのため、処理液は圧力が上昇し、しかも粒子状となって基板Ｗに作用するから、基板Ｗに対する処理効果を向上させることができる。しかも、処理液を加圧気体によって加圧するため、処理液を加圧して基板Ｗに供給する場合に比べて処理液の使用量を少なくすることができる。
【００５２】
混合室６８に供給される希釈用流体と添加流体は、ともに混合室６８内に突出したノズル部７６の外周面に形成された周回溝７７に向かって供給される。そのため、この周回溝７７に沿って流れながら十分に混合されてから噴射部６９に流れるから、噴射部６９から基板Ｗに向かって噴射される処理液の希釈用流体と添加流体との混合が不十分となることがない。つまり、混合室６８から噴射部６９には希釈用流体と添加流体が十分に混合された均質な処理液が供給される。
【００５３】
上記混合室６８で混合され加圧気体によって加圧されて噴射部６９から基板Ｗに噴射される処理液は、その噴射形状が噴射部６９の形状に対応する円錐形状に規定される。そのため、処理液は、噴射部６９によって拡散が抑制されながら基板Ｗに噴射されるから、粒子状の処理液が基板Ｗの上面に衝突することで発生するミストがノズル本体６１の周囲に拡散するのも抑制することができる。
【００５４】
上記噴射部６９を円錐形状とすることで、処理液の噴射形状が規定されてミストの拡散が抑制されるものの、ミストの一部はノズル本体６１の下端面を通って周囲に拡散することがある。
【００５５】
しかしながら、ノズル本体６１の外周にはカバー体８１が設けられている。このカバー体８１の空間部８２は排出管８４を介して図示しない真空ポンプにより減圧されている。そのため、ミストがノズル本体６１の下端面を通って周囲に拡散しようとしても、そのミストはカバー体８１内に吸引されて排出管８４から排出されるため、周囲に拡散するのが防止される。
【００５６】
仮に、ミストが周囲に拡散すると、そのミストはカップ体１内を浮遊したり、カップ体１の内周面に付着する。そのため、基板Ｗを処理液によって処理してから乾燥処理する時に、カップ体１内を浮遊するミストやカップ体１の内面から飛散したミストが基板Ｗに付着して汚染の原因になることがある。
【００５７】
しかしながら、上述したように、基板Ｗを処理液によって処理する際に、ミストが周囲に拡散するのが防止されるため、乾燥処理時に基板Ｗにミストが付着して汚染の原因になるのを防止することができる。
【００５８】
上記ノズル装置３１のノズル本体６１は、処理液に対する耐蝕性などを持たせるために、合成樹脂によって作られている。その場合、ノズル本体６１内を処理液が流れることで、摩擦抵抗によって静電気が発生する。処理液の比抵抗値が高い場合、静電気が処理液に帯電してしまうため、基板Ｗに形成された回路パターンが静電気によって破壊される虞がある。
【００５９】
しかしながら、ノズル装置３１は、合成樹脂製のノズル本体６１に金属ワイヤ６２を埋設し、その一部を外部に出してアース部６３とし、そのアース部６３をアーム体４１を介してアースするようにした。そのため、処理液に静電気が帯電することがないから、処理液によって処理される基板Ｗが静電気によって損傷するのを防止することができる。
【００６０】
この発明は上記一実施の形態に限定されず、たとえばミストが周囲に飛散するのを防止する飛散防止手段としてはノズル本体にカバー体を設け、このカバー体内を減圧するようにしたが、それに代わってノズル本体の周囲に複数の吸引管を設け、これら吸引管によってノズル本体の噴射部から周囲に拡散するミストを吸引排出するようにしてもよい。
【００６１】
また、ノズル本体に円錐状の噴射部が形成されていない場合であっても、この発明の飛散防止手段を設けることで、処理液によって基板を処理するときに、ミストが周囲に拡散するのを防止することができる。
【００６２】
また、ノズル本体は２つの液体を混合して処理液とし、その処理液を加圧気体で加圧するようにしたが、処理液を形成する液体は２種類に限られず、１種類或いは３種類以上であっても差し支えなく、要は処理液を加圧気体で加圧して噴射するノズル体であればよい。
【００６３】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、加圧気体によって加圧されてノズル本体から噴射された液体の一部がミストとなって周囲に拡散しようとしても、そのミストは飛散防止手段によって除去されるから、拡散することがない。
【００６４】
そのため、基板を処理液で処理してから乾燥処理する際に、基板にミストが付着して汚染の原因になるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施の形態に係る処理装置の概略的構成を示す断面図。
【図２】ノズル装置の側面図。
【図３】ノズル装置のカバー体を除去した縦断面図。
【図４】ノズル装置の平面図。
【符号の説明】
６１…ノズル本体、６５…第１の接続孔（第１の液体供給部）、６６…第２の接続孔（第２の液体供給部）、６７…第３の接続孔（気体供給部）、６８…混合室、６９…噴射部、カバー体８１、８４…排出管。

Claims

基板に向けて処理液を噴射するノズル装置において、
ノズル本体と、
このノズル本体に設けられた混合室と、
上記ノズル本体に設けられ上記混合室に連通した噴射部と、
上記ノズル本体に設けられ上記混合室に希釈用流体を供給するための第１の供給管と、
上記ノズル本体に設けられ上記希釈用流体によって希釈される添加流体を供給するための第２の供給管と、
上記ノズル本体に設けられ上記混合室で上記添加用流体を上記希釈用流体で希釈して作られた上記処理液を加圧して上記噴射部から噴射させる加圧気体を供給する気体供給部と、
上記気体供給部に上記混合室内に突出して設けられ外周面に上記第１の供給管からの希釈用流体と上記第２の供給管からの添加用流体を混合する周回溝が形成されこの周回溝で混合されて上記噴射部に流れる上記処理液に向かって上記加圧気体を噴射するノズル部を有する接続口体と、
上記ノズル本体に設けられ上記加圧気体に加圧されて上記噴射部から上記基板に向けて噴射された液体のうち、上記ノズル本体の周囲に飛散した液体を除去する飛散防止手段と、
を具備したことを特徴とするノズル装置。
上記飛散防止手段は、上記ノズル本体の外周を囲んで設けられたカバー体と、このカバー体に接続され上記ノズル本体の周囲に飛散した液体を上記カバー体を通じて吸引排出する排出管とから構成されていることを特徴とする請求項１記載のノズル装置。
上記噴射部は、上記混合室に連通した一端から上記ノズル本体の先端面に開口した他端に向かって漸次拡径する円錐状に形成されていることを特徴とする請求項１記載のノズル装置。
基板を処理液によって処理する処理装置において、
基板をほぼ水平に支持して回転駆動する回転体と、
この回転体に支持された上記基板に対向して配置され基板の径方向に駆動可能に設けられたノズル装置とを具備し、
上記ノズル装置は請求項１に記載された構成であることを特徴とする基板の処理装置。