JP2001009800A - ナノ構造体及びその製造方法 - Google Patents
ナノ構造体及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001009800A JP2001009800A JP2000093129A JP2000093129A JP2001009800A JP 2001009800 A JP2001009800 A JP 2001009800A JP 2000093129 A JP2000093129 A JP 2000093129A JP 2000093129 A JP2000093129 A JP 2000093129A JP 2001009800 A JP2001009800 A JP 2001009800A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pores
- nanostructure
- pore
- aluminum
- different
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 123
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 306
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 74
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 69
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 30
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 22
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 38
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 38
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 25
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 68
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 11
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 7
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 6
- 241000894007 species Species 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100493711 Caenorhabditis elegans bath-41 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100493712 Caenorhabditis elegans bath-42 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N Metaphosphoric acid Chemical compound OP(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCTYPNKXASFOBE-UHFFFAOYSA-M chloromercury Chemical compound [Hg]Cl RCTYPNKXASFOBE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/045—Anodisation of aluminium or alloys based thereon for forming AAO templates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/16—Pretreatment, e.g. desmutting
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1225—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/743—Patterned record carriers, wherein the magnetic recording layer is patterned into magnetic isolated data islands, e.g. discrete tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/0036—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity
- H01F1/0072—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity one dimensional, i.e. linear or dendritic nanostructures
- H01F1/0081—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity one dimensional, i.e. linear or dendritic nanostructures in a non-magnetic matrix, e.g. Fe-nanowires in a nanoporous membrane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/007—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure ultrathin or granular films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
- H01L33/18—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光デバイス、光デバイス、磁性デバイス、
マイクロデバイスなどの機能材料として、広い範囲で利
用可能な細孔を有するナノ構造体を提供する。 【解決手段】 アルミニウムを陽極酸化することで作成
される細孔体を具備するナノ構造体において、細孔径の
異なる少なくとも２種類以上の細孔（３，５）を有する
ことを特徴とする。
マイクロデバイスなどの機能材料として、広い範囲で利
用可能な細孔を有するナノ構造体を提供する。 【解決手段】 アルミニウムを陽極酸化することで作成
される細孔体を具備するナノ構造体において、細孔径の
異なる少なくとも２種類以上の細孔（３，５）を有する
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ナノ構造体、それ
を用いたデバイスおよびナノ構造体の製造方法に関し、
具体的には例えば、電子デバイスや光デバイス、マイク
ロデバイスなどの機能材料や、構造材料などとして広い
範囲で利用可能な、細孔を有するナノ構造体、それを用
いたデバイスおよびナノ構造体の製造方法に関する。
を用いたデバイスおよびナノ構造体の製造方法に関し、
具体的には例えば、電子デバイスや光デバイス、マイク
ロデバイスなどの機能材料や、構造材料などとして広い
範囲で利用可能な、細孔を有するナノ構造体、それを用
いたデバイスおよびナノ構造体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属及び半導体の薄膜、細線、ドットな
どでは、ある特徴的な長さより小さいサイズにおいて、
電子の動きが閉じ込められることにより、特異な電気
的、光学的、化学的性質を示すことがある。このような
観点から、機能性材料として、数百ｎｍより微細な構造
を有する材料（以降、「ナノ構造体」）への関心が高ま
っている。
どでは、ある特徴的な長さより小さいサイズにおいて、
電子の動きが閉じ込められることにより、特異な電気
的、光学的、化学的性質を示すことがある。このような
観点から、機能性材料として、数百ｎｍより微細な構造
を有する材料（以降、「ナノ構造体」）への関心が高ま
っている。
【０００３】こうしたナノ構造体の作製方法としては、
例えば、フォトリソグラフィーをはじめ、電子線露光、
Ｘ線露光などの微細パターン形成技術をはじめとする半
導体加工技術によって直接的にナノ構造体を作製する方
法が挙げられる。
例えば、フォトリソグラフィーをはじめ、電子線露光、
Ｘ線露光などの微細パターン形成技術をはじめとする半
導体加工技術によって直接的にナノ構造体を作製する方
法が挙げられる。
【０００４】また、このような作製方法のほかに、自然
に形成される規則的な構造、すなわち、自己規則的に形
成される構造をべースに、新規なナノ構造体を実現しよ
うとする試みがある。これらの手法は、べースとして用
いる微細構造によっては、従来の方法を上まわる微細で
特殊な構造を作製できる可能性があるため、多くの研究
が行われ始めている。
に形成される規則的な構造、すなわち、自己規則的に形
成される構造をべースに、新規なナノ構造体を実現しよ
うとする試みがある。これらの手法は、べースとして用
いる微細構造によっては、従来の方法を上まわる微細で
特殊な構造を作製できる可能性があるため、多くの研究
が行われ始めている。
【０００５】このような自己規則的手法として、ナノサ
イズの細孔を有するナノ構造体を容易に、制御よく作製
することができる陽極酸化が挙げられる。たとえば、ア
ルミニウム及びその合金を酸性浴中で陽極酸化すること
で作製する陽極酸化アルミナが知られている。
イズの細孔を有するナノ構造体を容易に、制御よく作製
することができる陽極酸化が挙げられる。たとえば、ア
ルミニウム及びその合金を酸性浴中で陽極酸化すること
で作製する陽極酸化アルミナが知られている。
【０００６】Ａｌ板を酸性電解質中で陽極酸化すると、
多孔質酸化皮膜（陽極酸化アルミナ）が形成される（た
とえばＲＣ．Ｆｕｒｎｅａｕｘ，Ｗ．Ｒ．Ｒｉｇｂｙ＆
Ａ．Ｐ．Ｄａｖｉｄｓｏｎ ＮＡＴＵＲＥ Ｖｏｌ．３
３７ Ｐ１４７（１９８９）等参照）。この多孔質酸化
皮膜の特徴は、直径が数ｎｍ〜数百ｎｍの極めて微細な
円柱状細孔（ナノホール）が、数ｎｍ〜数百ｎｍの間隔
（セルサイズ）で平行に配列するという特異的な幾何学
的構造を有することにある。この円柱状の細孔は、高い
アスペクト比を有し、断面の径の一様性にも優れてい
る。この細孔の径及び間隔は、陽極酸化の際の電流、電
圧を調整することにより、また、酸化皮膜の厚さ及び細
孔の深さは、陽極酸化の時間を制御することにより、あ
る程度の制御が可能である。
多孔質酸化皮膜（陽極酸化アルミナ）が形成される（た
とえばＲＣ．Ｆｕｒｎｅａｕｘ，Ｗ．Ｒ．Ｒｉｇｂｙ＆
Ａ．Ｐ．Ｄａｖｉｄｓｏｎ ＮＡＴＵＲＥ Ｖｏｌ．３
３７ Ｐ１４７（１９８９）等参照）。この多孔質酸化
皮膜の特徴は、直径が数ｎｍ〜数百ｎｍの極めて微細な
円柱状細孔（ナノホール）が、数ｎｍ〜数百ｎｍの間隔
（セルサイズ）で平行に配列するという特異的な幾何学
的構造を有することにある。この円柱状の細孔は、高い
アスペクト比を有し、断面の径の一様性にも優れてい
る。この細孔の径及び間隔は、陽極酸化の際の電流、電
圧を調整することにより、また、酸化皮膜の厚さ及び細
孔の深さは、陽極酸化の時間を制御することにより、あ
る程度の制御が可能である。
【０００７】また陽極酸化アルミナの細孔の垂直性、直
線性及び独立性を改善するために、２段階の陽極酸化を
行なう方法、すなわち、陽極酸化を行って形成した多孔
質酸化皮膜を一旦除去した後に再び陽極酸化を行なっ
て、より良い垂直性、直線性、独立性を示す細孔を有す
る陽極酸化アルミナ（規則化ナノホール）を作製する方
法が提案されている（Ｊｐｎ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．３５，Ｐａ
ｒｔ２，Ｎｏ．１Ｂ，ｐｐ．Ｌ１２６〜Ｌ１２９，１５
Ｊａｎｕａｒｙ １９９６）。ここで、この方法は最
初の陽極酸化により形成した陽極酸化皮膜を除去すると
きにできるアルミニウム板の表面の窪みが、２度目の陽
極酸化の細孔形成開始点となることを用いている。
線性及び独立性を改善するために、２段階の陽極酸化を
行なう方法、すなわち、陽極酸化を行って形成した多孔
質酸化皮膜を一旦除去した後に再び陽極酸化を行なっ
て、より良い垂直性、直線性、独立性を示す細孔を有す
る陽極酸化アルミナ（規則化ナノホール）を作製する方
法が提案されている（Ｊｐｎ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．３５，Ｐａ
ｒｔ２，Ｎｏ．１Ｂ，ｐｐ．Ｌ１２６〜Ｌ１２９，１５
Ｊａｎｕａｒｙ １９９６）。ここで、この方法は最
初の陽極酸化により形成した陽極酸化皮膜を除去すると
きにできるアルミニウム板の表面の窪みが、２度目の陽
極酸化の細孔形成開始点となることを用いている。
【０００８】他にも、プレスパターニングを用いて細孔
形成開始点を形成する方法、すなわち、複数の突起を表
面に備えた基板をアルミニウム板の表面に押しつけてで
きる窪みを細孔形成開始点として形成した後に陽極酸化
を行なって、より良い形状、間隔及びパターンの制御性
を示す細孔を有する多孔質酸化皮膜を作製する方法も提
案されている（特開平１０−１２１２９２）。
形成開始点を形成する方法、すなわち、複数の突起を表
面に備えた基板をアルミニウム板の表面に押しつけてで
きる窪みを細孔形成開始点として形成した後に陽極酸化
を行なって、より良い形状、間隔及びパターンの制御性
を示す細孔を有する多孔質酸化皮膜を作製する方法も提
案されている（特開平１０−１２１２９２）。
【０００９】この陽極酸化アルミナの特異的な幾何学構
造に着目した、さまざまな応用が試みられている。益田
による解説が詳しいが、以下、応用例を列記しておく。
たとえば、陽極酸化膜の耐摩耗性、耐絶縁性を利用した
皮膜としての応用や、皮膜を剥離してフィルターへの応
用がある。さらには、ナノホール内に金属や半導体等を
充填する技術や、ナノホールのレプリカ技術を用いるこ
とより、着色、磁気記録媒体、ＥＬ発光素子、エレクト
ロクロミック素子、光学素子、太陽電池、ガスセンサ、
をはじめとするさまざまな応用が試みられている。さら
には、量子細線、ＭＩＭ素子などの量子効果デバイス、
ナノホールを化学反応場として用いる分子センサー、な
ど多方面への応用が期待されている（益田 固体物理
３１，４９３（１９９６））。
造に着目した、さまざまな応用が試みられている。益田
による解説が詳しいが、以下、応用例を列記しておく。
たとえば、陽極酸化膜の耐摩耗性、耐絶縁性を利用した
皮膜としての応用や、皮膜を剥離してフィルターへの応
用がある。さらには、ナノホール内に金属や半導体等を
充填する技術や、ナノホールのレプリカ技術を用いるこ
とより、着色、磁気記録媒体、ＥＬ発光素子、エレクト
ロクロミック素子、光学素子、太陽電池、ガスセンサ、
をはじめとするさまざまな応用が試みられている。さら
には、量子細線、ＭＩＭ素子などの量子効果デバイス、
ナノホールを化学反応場として用いる分子センサー、な
ど多方面への応用が期待されている（益田 固体物理
３１，４９３（１９９６））。
【００１０】先に述べた半導体加工技術による直接的な
ナノ構造体の作製は、歩留まりの悪さや装置のコストが
高いなどの問題があり、簡易な手法で再現性よく作製で
きる手法が望まれている。
ナノ構造体の作製は、歩留まりの悪さや装置のコストが
高いなどの問題があり、簡易な手法で再現性よく作製で
きる手法が望まれている。
【００１１】このような観点から自己規則的手法、特に
陽極酸化の手法は、ナノ構造体を容易に、制御よく作製
することができ、また、大面積のナノ構造体を作製する
ことが可能であることから望ましい。特に、陽極酸化ア
ルミナの細孔配列を、２段階陽極酸化やプレスパターニ
ングを用いた手法により作成される陽極酸化アルミナの
細孔が規則的に配列した構造は、細孔の垂直性、直線
性、配列性に優れており好ましい。
陽極酸化の手法は、ナノ構造体を容易に、制御よく作製
することができ、また、大面積のナノ構造体を作製する
ことが可能であることから望ましい。特に、陽極酸化ア
ルミナの細孔配列を、２段階陽極酸化やプレスパターニ
ングを用いた手法により作成される陽極酸化アルミナの
細孔が規則的に配列した構造は、細孔の垂直性、直線
性、配列性に優れており好ましい。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで本発明者ら
は、このようなナノ構造体のデバイスヘの応用形態の検
討の過程において、ナノ構造体に、直径の異なる２種類
の細孔を、該構造体内の制御された位置に配置できれ
ば、ナノ構造体のデバイスヘの応用範囲をより拡大させ
ることができるとの認識を持つに至った。即ち、例えば
光の波長程度の長さで、誘電率（屈折率）の異なる周期
構造を有する材料は、フォトニック結晶となり、高度な
光の制御が可能となることが期待される。具体的には、
所定の波長範囲で光の存在が禁止されるフォトニックバ
ンドギャップを形成させたり、所定の波長範囲で光を局
在化させることで光導波路や、発光素子等にナノ構造体
を応用することが可能となると考えられる。そして直径
の異なる細孔のどちらか一方を、フォトニックバンドギ
ャップ領域もしくは光が局在化される領域として利用す
ることができると考えられる。また、直径の異なる細孔
に、磁性体を充填した場合、細孔径の差によって磁化の
向きを反転させるに必要な磁場の強さが変化すると考え
られ、これは例えば記録媒体のトラッキングトラックの
形成等に応用できるものと考えられる。
は、このようなナノ構造体のデバイスヘの応用形態の検
討の過程において、ナノ構造体に、直径の異なる２種類
の細孔を、該構造体内の制御された位置に配置できれ
ば、ナノ構造体のデバイスヘの応用範囲をより拡大させ
ることができるとの認識を持つに至った。即ち、例えば
光の波長程度の長さで、誘電率（屈折率）の異なる周期
構造を有する材料は、フォトニック結晶となり、高度な
光の制御が可能となることが期待される。具体的には、
所定の波長範囲で光の存在が禁止されるフォトニックバ
ンドギャップを形成させたり、所定の波長範囲で光を局
在化させることで光導波路や、発光素子等にナノ構造体
を応用することが可能となると考えられる。そして直径
の異なる細孔のどちらか一方を、フォトニックバンドギ
ャップ領域もしくは光が局在化される領域として利用す
ることができると考えられる。また、直径の異なる細孔
に、磁性体を充填した場合、細孔径の差によって磁化の
向きを反転させるに必要な磁場の強さが変化すると考え
られ、これは例えば記録媒体のトラッキングトラックの
形成等に応用できるものと考えられる。
【００１３】従来知られている、陽極酸化アルミナの細
孔径の制御方法としては、例えば酸の溶液中に浸す処理
（ポアワイドニング処理）がある。しかしこの方法は、
すべての細孔径を基本的に同一とするものであり、それ
ぞれの細孔の細孔径を独立に制御することができる方法
ではなかった。
孔径の制御方法としては、例えば酸の溶液中に浸す処理
（ポアワイドニング処理）がある。しかしこの方法は、
すべての細孔径を基本的に同一とするものであり、それ
ぞれの細孔の細孔径を独立に制御することができる方法
ではなかった。
【００１４】このような技術的背景に鑑み、本発明者ら
は種々検討を重ねた結果、少なくとも２種類の、直径の
異なる細孔を、各々制御された位置に配置させたナノ構
造体を形成できる方法を見出し、本発明をなすに至っ
た。
は種々検討を重ねた結果、少なくとも２種類の、直径の
異なる細孔を、各々制御された位置に配置させたナノ構
造体を形成できる方法を見出し、本発明をなすに至っ
た。
【００１５】即ち本発明の目的は、各種デバイスヘの応
用範囲をより拡大し得る新規な構成を有するナノ構造体
およびそれを用いた発光デバイス、光学デバイスおよび
磁性デバイスを提供することにある。
用範囲をより拡大し得る新規な構成を有するナノ構造体
およびそれを用いた発光デバイス、光学デバイスおよび
磁性デバイスを提供することにある。
【００１６】また本発明は、新規な構造を有するデバイ
スヘの応用範囲をより拡大し得る新規な構成のナノ構造
体の製造方法を提供することを他の目的とする。
スヘの応用範囲をより拡大し得る新規な構成のナノ構造
体の製造方法を提供することを他の目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施態様にか
かるナノ構造体は、複数種類の細孔を有する陽極酸化膜
を具備することを特徴とするものである。
かるナノ構造体は、複数種類の細孔を有する陽極酸化膜
を具備することを特徴とするものである。
【００１８】また本発明の他の実施態様にかかるナノ構
造体は、互いに直径の異なる第１の細孔および第２の細
孔を含む陽極酸化膜を有し、該第１および第２の細孔の
各々は、該陽極酸化膜内の制御された位置に配置されて
いることを特徴とするものである。
造体は、互いに直径の異なる第１の細孔および第２の細
孔を含む陽極酸化膜を有し、該第１および第２の細孔の
各々は、該陽極酸化膜内の制御された位置に配置されて
いることを特徴とするものである。
【００１９】本発明の一実施態様にかかる発光デバイス
は、例えば複数種類の細孔を有する陽極酸化膜を具備
し、該細孔内に発光機能を有する物質が充填されている
ナノ構造体を備えていることを特徴とするものである。
は、例えば複数種類の細孔を有する陽極酸化膜を具備
し、該細孔内に発光機能を有する物質が充填されている
ナノ構造体を備えていることを特徴とするものである。
【００２０】また本発明の他の実施態様にかかる発光デ
バイスは、例えば互いに直径の異なる第１の細孔および
第２の細孔を含む陽極酸化膜を有し、該第１および第２
の細孔の各々は、該陽極酸化膜内の制御された位置に配
置されており、且つ該第１及び第２の細孔の少なくとも
一方が発光機能を有する物質によって充填されているナ
ノ構造体を備えていることを特徴とするものである。
バイスは、例えば互いに直径の異なる第１の細孔および
第２の細孔を含む陽極酸化膜を有し、該第１および第２
の細孔の各々は、該陽極酸化膜内の制御された位置に配
置されており、且つ該第１及び第２の細孔の少なくとも
一方が発光機能を有する物質によって充填されているナ
ノ構造体を備えていることを特徴とするものである。
【００２１】本発明の一実施態様にかかる光学デバイス
は、例えば複数種類の細孔を有する陽極酸化膜を具備
し、該細孔内に該陽極酸化膜と異なる屈折率を有する物
質が充填されているナノ構造体を備えていることを特徴
とするものである。
は、例えば複数種類の細孔を有する陽極酸化膜を具備
し、該細孔内に該陽極酸化膜と異なる屈折率を有する物
質が充填されているナノ構造体を備えていることを特徴
とするものである。
【００２２】また本発明の他の実施態様にかかる光学デ
バイスは、例えば互いに直径の異なる第１の細孔および
第２の細孔を含む陽極酸化膜を有し、該第１および第２
の細孔の各々は、該陽極酸化膜内の制御された位置に配
置されており、且つ該第１および第２の細孔の少なくと
も一方が該陽極酸化膜とは屈折率の異なる物質で充填さ
れているナノ構造体を備えていることを特徴とするもの
である。
バイスは、例えば互いに直径の異なる第１の細孔および
第２の細孔を含む陽極酸化膜を有し、該第１および第２
の細孔の各々は、該陽極酸化膜内の制御された位置に配
置されており、且つ該第１および第２の細孔の少なくと
も一方が該陽極酸化膜とは屈折率の異なる物質で充填さ
れているナノ構造体を備えていることを特徴とするもの
である。
【００２３】本発明の一実施態様にかかる磁性デバイス
は、例えば複数種類の細孔を有する陽極酸化膜を具備
し、該細孔内に磁性体が充填されているナノ構造体を備
えていることを特徴とするものである。
は、例えば複数種類の細孔を有する陽極酸化膜を具備
し、該細孔内に磁性体が充填されているナノ構造体を備
えていることを特徴とするものである。
【００２４】また本発明の他の実施態様にかかる磁性デ
バイスは、例えば互いに直径の異なる第１の細孔および
第２の細孔を含む陽極酸化膜を有し、該第１および第２
の細孔の各々は、該陽極酸化膜内の制御された位置に配
置されており、且つ該第１および第２の細孔の少なくと
も一方が磁性体で充填されていることを特徴とするもの
である。
バイスは、例えば互いに直径の異なる第１の細孔および
第２の細孔を含む陽極酸化膜を有し、該第１および第２
の細孔の各々は、該陽極酸化膜内の制御された位置に配
置されており、且つ該第１および第２の細孔の少なくと
も一方が磁性体で充填されていることを特徴とするもの
である。
【００２５】本発明の一実施態様にかかるナノ構造体の
製造方法は、複数種類の細孔を有する陽極酸化膜を具備
したナノ構造体の製造方法であって、（ａ）表面に複数
種類の細孔開始点を有する、アルミニウムを含む膜を用
意する工程；および（ｂ）該アルミニウムを含む膜を陽
極酸化する工程、を有し、該複数種類の細孔開始点は、
互いに形状および組成の少なくとも一方が異なっている
ことを特徴とするものである。
製造方法は、複数種類の細孔を有する陽極酸化膜を具備
したナノ構造体の製造方法であって、（ａ）表面に複数
種類の細孔開始点を有する、アルミニウムを含む膜を用
意する工程；および（ｂ）該アルミニウムを含む膜を陽
極酸化する工程、を有し、該複数種類の細孔開始点は、
互いに形状および組成の少なくとも一方が異なっている
ことを特徴とするものである。
【００２６】また本発明の他の実施態様にかかるナノ構
造体の製造方法は、直径の異なる第１および第２の細孔
を有する陽極酸化膜を具備したナノ構造体の製造方法で
あって、（ａ）表面に第１及び第２の細孔開始点を有す
る、アルミニウムを含む膜を用意する工程；および
（ｂ）該表面を陽極酸化する工程、を有し、該第１およ
び第２の細孔開始点は、形状および組成の少なくとも一
方が互いに異なっていることを特徴とするものである。
造体の製造方法は、直径の異なる第１および第２の細孔
を有する陽極酸化膜を具備したナノ構造体の製造方法で
あって、（ａ）表面に第１及び第２の細孔開始点を有す
る、アルミニウムを含む膜を用意する工程；および
（ｂ）該表面を陽極酸化する工程、を有し、該第１およ
び第２の細孔開始点は、形状および組成の少なくとも一
方が互いに異なっていることを特徴とするものである。
【００２７】このような構成にかかるナノ構造体は、被
加工物の所望の位置に細孔形成開始点を形成した後に、
被加工物を陽極酸化することで作成する。細孔形成開始
点を形成の際に、それぞれの細孔開始点の形状もしくは
組成を制御することで、陽極酸化アルミナのそれぞれの
細孔の細孔径を独立に制御することができる。この手法
により、所望の位置に、所望の細孔径の細孔が規則的に
配列した細孔体を実現することができる。
加工物の所望の位置に細孔形成開始点を形成した後に、
被加工物を陽極酸化することで作成する。細孔形成開始
点を形成の際に、それぞれの細孔開始点の形状もしくは
組成を制御することで、陽極酸化アルミナのそれぞれの
細孔の細孔径を独立に制御することができる。この手法
により、所望の位置に、所望の細孔径の細孔が規則的に
配列した細孔体を実現することができる。
【００２８】本発明のナノ構造体の細孔に、金属、半導
体等の機能材料を埋め込むことにより、新たな電子デバ
イスヘと応用できる可能性がある。
体等の機能材料を埋め込むことにより、新たな電子デバ
イスヘと応用できる可能性がある。
【００２９】また、本発明のナノ構造体を鋳型やマスク
として用い、新たなナノ構造体を形成することも可能で
ある。たとえば、本発明のナノ構造体の細孔体以外の部
分を除去して得た貫通細孔体をマスクとして用いて、金
属、半導体等の機能材料を蒸着したり、他の基板上に設
置してエッチングすることにより、量子ドットを始めと
するナノ構造体を形成することができる。
として用い、新たなナノ構造体を形成することも可能で
ある。たとえば、本発明のナノ構造体の細孔体以外の部
分を除去して得た貫通細孔体をマスクとして用いて、金
属、半導体等の機能材料を蒸着したり、他の基板上に設
置してエッチングすることにより、量子ドットを始めと
するナノ構造体を形成することができる。
【００３０】さらに本発明のナノ構造体は、量子細線、
ＭＩＭ素子、分子センサー、着色、磁気記録媒体、ＥＬ
発光素子、エレクトロクロミック素子、フォトニックバ
ントを始めとする光学素子、電子放出素子、太陽電池、
ガスセンサ、耐摩耗性、耐絶縁性皮膜、フィルター、を
はじめとするさまざまな形態で応用することを可能とす
るものであり、その応用範囲を著しく広げる作用を有す
る。
ＭＩＭ素子、分子センサー、着色、磁気記録媒体、ＥＬ
発光素子、エレクトロクロミック素子、フォトニックバ
ントを始めとする光学素子、電子放出素子、太陽電池、
ガスセンサ、耐摩耗性、耐絶縁性皮膜、フィルター、を
はじめとするさまざまな形態で応用することを可能とす
るものであり、その応用範囲を著しく広げる作用を有す
る。
【００３１】特に、光の波長程度の長さで誘電率の異な
る周期構造を有する材料は、フォトニック結晶となり、
高度な光の制御を可能な材料となる可能性がある。もっ
とも効果的には、ある波長範囲で光の存在が禁止される
フォトニックバンドギャップが現われる（Ｐｈｏｔｏｎ
ｉｃ．Ｃｒｙｓｔａｌｓ，Ｊ．Ｄ．Ｊｏａｎｎｏｐｏｕ
ｌｏｓ，Ｒ．Ｄ．Ｍｅａｄｅ，ａｎｄ Ｊ．Ｎ．Ｗｉｎ
ｎ，Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｐｒ
ｅｓｓ）。規則的な細孔を配列した陽極酸化アルミナ
は、その周期的構造を利用しフォトニック結晶としての
利用が挙げられる。本発明の、規則的な細孔を配列した
陽極酸化アルミナの細孔径をそれぞれの細孔において独
立に制御する技術により、フォトニック結晶の構造、フ
ォトニックバント構造の制御を可能とし、導波路形成や
欠陥形成が可能となる。フォトニック結晶において、欠
陥が導入された場合には、光の局在状態を得ることがで
きるため、陽極酸化アルミナの細孔の一部において局所
的に細孔径を変えることで、光局在状態を得ることがで
きる。さらにはこれを利用して光記録媒体などへの応用
が考えられる。
る周期構造を有する材料は、フォトニック結晶となり、
高度な光の制御を可能な材料となる可能性がある。もっ
とも効果的には、ある波長範囲で光の存在が禁止される
フォトニックバンドギャップが現われる（Ｐｈｏｔｏｎ
ｉｃ．Ｃｒｙｓｔａｌｓ，Ｊ．Ｄ．Ｊｏａｎｎｏｐｏｕ
ｌｏｓ，Ｒ．Ｄ．Ｍｅａｄｅ，ａｎｄ Ｊ．Ｎ．Ｗｉｎ
ｎ，Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｐｒ
ｅｓｓ）。規則的な細孔を配列した陽極酸化アルミナ
は、その周期的構造を利用しフォトニック結晶としての
利用が挙げられる。本発明の、規則的な細孔を配列した
陽極酸化アルミナの細孔径をそれぞれの細孔において独
立に制御する技術により、フォトニック結晶の構造、フ
ォトニックバント構造の制御を可能とし、導波路形成や
欠陥形成が可能となる。フォトニック結晶において、欠
陥が導入された場合には、光の局在状態を得ることがで
きるため、陽極酸化アルミナの細孔の一部において局所
的に細孔径を変えることで、光局在状態を得ることがで
きる。さらにはこれを利用して光記録媒体などへの応用
が考えられる。
【００３２】また、フォトニック結晶に発光体を配置し
た場合には、発光波長に対して、フォトニックバントを
適当に設計することで、自然放出の制御が可能となり、
発光素子の高性能化が期待できる。すなわち、上述の陽
極酸化アルミナの細孔内に発光材料を充填することで、
低閾値の発光素子、発光スペクトル幅の狭い発光素子、
低閾値レーザーなどの実現が期待できる。
た場合には、発光波長に対して、フォトニックバントを
適当に設計することで、自然放出の制御が可能となり、
発光素子の高性能化が期待できる。すなわち、上述の陽
極酸化アルミナの細孔内に発光材料を充填することで、
低閾値の発光素子、発光スペクトル幅の狭い発光素子、
低閾値レーザーなどの実現が期待できる。
【００３３】他に、陽極酸化アルミナの細孔内に、磁性
材料を充填した場合には、磁性ナノ細線が得られる。細
孔径の異なる細孔を有する陽極酸化アルミナに磁性材料
を充填することで、磁性細線の径が異なる細線を配列し
て作成できる。磁性細線の太さは、磁化反転の閾値や、
細線中の磁区制御、磁気抵抗などに影響を及ぼすため、
これらの制御により、磁場センサ、磁気抵抗素子、磁気
記録媒体などの磁性デバイスとしての応用が期待でき
る。
材料を充填した場合には、磁性ナノ細線が得られる。細
孔径の異なる細孔を有する陽極酸化アルミナに磁性材料
を充填することで、磁性細線の径が異なる細線を配列し
て作成できる。磁性細線の太さは、磁化反転の閾値や、
細線中の磁区制御、磁気抵抗などに影響を及ぼすため、
これらの制御により、磁場センサ、磁気抵抗素子、磁気
記録媒体などの磁性デバイスとしての応用が期待でき
る。
【００３４】
【発明の実施の形態】＜ナノ構造体の構成＞図１は、本
発明にかかる、２種類の、互いに直径の異なる細孔を有
するナノ構造体の構成の模式的平面図である。図１にお
いて、１は例えば、被加工物（アルミ）、３は第１の細
孔（ナノホール）、４はバリア層である。なお、５は周
囲の細孔３よりも径の小さい第２の細孔を示している。
発明にかかる、２種類の、互いに直径の異なる細孔を有
するナノ構造体の構成の模式的平面図である。図１にお
いて、１は例えば、被加工物（アルミ）、３は第１の細
孔（ナノホール）、４はバリア層である。なお、５は周
囲の細孔３よりも径の小さい第２の細孔を示している。
【００３５】このナノ構造体は、アルミを陽極酸化する
ことで得られる細孔を有する陽極酸化アルミナを有し、
さらにその陽極酸化アルミナには、少なくとも２種類以
上の細孔径の異なる細孔３および５を有する。陽極酸化
アルミナの細孔３は円柱状の形状を有し、それぞれの細
孔（３，５）は互いに、ほぼ平行かつ等間隔に配置する
ことができる。
ことで得られる細孔を有する陽極酸化アルミナを有し、
さらにその陽極酸化アルミナには、少なくとも２種類以
上の細孔径の異なる細孔３および５を有する。陽極酸化
アルミナの細孔３は円柱状の形状を有し、それぞれの細
孔（３，５）は互いに、ほぼ平行かつ等間隔に配置する
ことができる。
【００３６】ここで２種類以上の細孔径の異なる細孔を
有することは、細孔径の分布を見ることで判断すること
ができる。例えば図７（ａ）のような、従来の一般的な
ナノホールや規則化ナノホールにおいては一つのピーク
しか存在しないが、例えば図２（ａ）に示すように大小
２種類の細孔を有する本発明の陽極酸化アルミナは、図
７（ｂ）のように２つのピークを有する。この細孔径分
布より２種類以上の細孔径の異なる細孔を有することを
判断することができる。
有することは、細孔径の分布を見ることで判断すること
ができる。例えば図７（ａ）のような、従来の一般的な
ナノホールや規則化ナノホールにおいては一つのピーク
しか存在しないが、例えば図２（ａ）に示すように大小
２種類の細孔を有する本発明の陽極酸化アルミナは、図
７（ｂ）のように２つのピークを有する。この細孔径分
布より２種類以上の細孔径の異なる細孔を有することを
判断することができる。
【００３７】このように、陽極酸化アルミナ内における
細孔の直径の制御は、陽極酸化後に酸溶液に浸すポアワ
イド処理の条件で行うことができる。さらに、本発明に
おいては、細孔開始点の形状、サイズおよび組成の少な
くとも１つを制御することで、陽極酸化アルミナ内に、
少なくとも２種類の、直径の異なる細孔を、所定の位置
に配置することができる。そしてまた、それぞれの細孔
の細孔径を独立に制御することができる。細孔３の直径
２ｒは、例えば数ｎｍ〜数百ｎｍ、間隔（セルサイズ）
２Ｒは例えば数ｎｍ〜数百ｎｍ程度の範囲である。
細孔の直径の制御は、陽極酸化後に酸溶液に浸すポアワ
イド処理の条件で行うことができる。さらに、本発明に
おいては、細孔開始点の形状、サイズおよび組成の少な
くとも１つを制御することで、陽極酸化アルミナ内に、
少なくとも２種類の、直径の異なる細孔を、所定の位置
に配置することができる。そしてまた、それぞれの細孔
の細孔径を独立に制御することができる。細孔３の直径
２ｒは、例えば数ｎｍ〜数百ｎｍ、間隔（セルサイズ）
２Ｒは例えば数ｎｍ〜数百ｎｍ程度の範囲である。
【００３８】さらに、細孔３および５の位置は、この細
孔開始点の位置を制御することで制御することができ
る。実際の応用を考慮すると、ほぼ同一の間隔及びパタ
ーンの繰り返しの位置に細孔を有するナノ構造体を形成
することが要求される場合があり、その場合には細孔開
始点をほぼ同一の間隔及びパターンの繰り返しとなるよ
うに形成することができる。特に、陽極酸化による細孔
形成において細孔のパターンが自己組織化によりほぼ３
角格子状のパターンの繰り返しになる傾向があるので、
あらかじめ細孔形成開始点がほぼ３角格子状のパターン
の繰り返しになるように形成することが挙げられる。こ
の際、陽極酸化の電圧と細孔の間隔には相関を有するた
め、細孔開始点もこの間隔を考慮して設定しておくこと
が好ましい。
孔開始点の位置を制御することで制御することができ
る。実際の応用を考慮すると、ほぼ同一の間隔及びパタ
ーンの繰り返しの位置に細孔を有するナノ構造体を形成
することが要求される場合があり、その場合には細孔開
始点をほぼ同一の間隔及びパターンの繰り返しとなるよ
うに形成することができる。特に、陽極酸化による細孔
形成において細孔のパターンが自己組織化によりほぼ３
角格子状のパターンの繰り返しになる傾向があるので、
あらかじめ細孔形成開始点がほぼ３角格子状のパターン
の繰り返しになるように形成することが挙げられる。こ
の際、陽極酸化の電圧と細孔の間隔には相関を有するた
め、細孔開始点もこの間隔を考慮して設定しておくこと
が好ましい。
【００３９】また細孔３および５の深さ（長さ）は、陽
極酸化時間、Ａｌの厚さ等で制御することができ、たと
えば１０ｎｍ〜１００μｍの範囲である。
極酸化時間、Ａｌの厚さ等で制御することができ、たと
えば１０ｎｍ〜１００μｍの範囲である。
【００４０】陽極酸化アルミナ内の少なくとも２種類の
径の異なる細孔３および５の配列としては、図１に示し
たように、周囲に比し一つの細孔だけ細孔径を小さく
（もしくは大きく）するパターンに限定されず、例えば
図２（ａ）および図２（ｂ）のように部分的に細孔径の
異なる領域を作ることや、図２（ｃ）のように細孔径の
異なる領域を繰り返し作ること、更には図２（ｄ）のよ
うに、所定の方向に細孔径を連続的もしくは段階的に変
化させるパターンがあげられる。
径の異なる細孔３および５の配列としては、図１に示し
たように、周囲に比し一つの細孔だけ細孔径を小さく
（もしくは大きく）するパターンに限定されず、例えば
図２（ａ）および図２（ｂ）のように部分的に細孔径の
異なる領域を作ることや、図２（ｃ）のように細孔径の
異なる領域を繰り返し作ること、更には図２（ｄ）のよ
うに、所定の方向に細孔径を連続的もしくは段階的に変
化させるパターンがあげられる。
【００４１】さらに、このようなナノ構造体の細孔内
に、金属、半導体、誘電体、磁性体等の機能材料を埋め
込むことも可能である。特に、誘電体を埋め込む際に
は、フォトニックバントを制御する観点から陽極酸化膜
と屈折率が大きく異なる誘電体材料を充填することが好
ましい。たとえば、屈折率が１０％以上、さらに好まし
くは５０％以上異なることが好ましい。
に、金属、半導体、誘電体、磁性体等の機能材料を埋め
込むことも可能である。特に、誘電体を埋め込む際に
は、フォトニックバントを制御する観点から陽極酸化膜
と屈折率が大きく異なる誘電体材料を充填することが好
ましい。たとえば、屈折率が１０％以上、さらに好まし
くは５０％以上異なることが好ましい。
【００４２】＜ナノ構造体の製造方法＞以下、図１を用
いて、本発明にかかるナノ構造体の作製方法について詳
細に説明する。図３の（ａ）〜（ｃ）の順に追って説明
する。以下の工程（ａ）〜（ｃ）は、図３の（ａ）〜
（ｃ）に対応する。
いて、本発明にかかるナノ構造体の作製方法について詳
細に説明する。図３の（ａ）〜（ｃ）の順に追って説明
する。以下の工程（ａ）〜（ｃ）は、図３の（ａ）〜
（ｃ）に対応する。
【００４３】（ａ）被加工物の準備 被加工物１を準備する。本発明の被加工物はアルミニウ
ムを主とする部位を有する。
ムを主とする部位を有する。
【００４４】被加工物の第１の形態の例としては、Ａｌ
を主成分とするバルクが挙げられる。他にも、基体上に
Ａｌを主成分とする膜を形成したものも挙げられる。こ
のとき基体としては、例えば石英ガラスをはじめとする
絶縁体基板やシリコンやガリウム砒素をはじめとする半
導体基板などの基板や、これらの基板の上に１層以上の
膜を形成したものが挙げられる。なお、Ａｌを主成分と
する膜の陽極酸化による細孔形成に不都合がなければ、
基体の材質、厚さ、機械的強度などは特に限定されるも
のではない。例えば基体として基板上にＴｉやＮｂやＰ
ｔやＣｕなどの導電性膜を形成したものを用いれば、細
孔の深さの均一性を上げることも可能になる。またＡｌ
を主成分をする膜の成膜方法は、抵抗加熱蒸着、ＥＢ蒸
着、スパッタ、ＣＶＤ、メッキをはじめとする任意の成
膜方法が適用可能である。
を主成分とするバルクが挙げられる。他にも、基体上に
Ａｌを主成分とする膜を形成したものも挙げられる。こ
のとき基体としては、例えば石英ガラスをはじめとする
絶縁体基板やシリコンやガリウム砒素をはじめとする半
導体基板などの基板や、これらの基板の上に１層以上の
膜を形成したものが挙げられる。なお、Ａｌを主成分と
する膜の陽極酸化による細孔形成に不都合がなければ、
基体の材質、厚さ、機械的強度などは特に限定されるも
のではない。例えば基体として基板上にＴｉやＮｂやＰ
ｔやＣｕなどの導電性膜を形成したものを用いれば、細
孔の深さの均一性を上げることも可能になる。またＡｌ
を主成分をする膜の成膜方法は、抵抗加熱蒸着、ＥＢ蒸
着、スパッタ、ＣＶＤ、メッキをはじめとする任意の成
膜方法が適用可能である。
【００４５】本発明の被加工物の形状としては平滑な板
状のものに限らず、曲面を有するもの、表面にある程度
の凹凸や段差を有するものなどが挙げられるが、陽極酸
化による細孔形成に不都合がなければ、特に限定される
ものではない。
状のものに限らず、曲面を有するもの、表面にある程度
の凹凸や段差を有するものなどが挙げられるが、陽極酸
化による細孔形成に不都合がなければ、特に限定される
ものではない。
【００４６】（ｂ）細孔形成開始点の形成工程 この工程により、被加工物のＡｌを主成分とする部位に
所望の位置に細孔形成開始点を形成する。この工程の後
に、被加工物を陽極酸化することにより所望の位置に細
孔を形成でき、ナノ構造体の細孔の配列、間隔、位置、
方向等の制御が可能である。その一例として、パターニ
ングの全域にわたり直線性に優れた細孔が規則正しく配
置されたナノ構造体（陽極酸化アルミナ）を作製するこ
とが可能になる。
所望の位置に細孔形成開始点を形成する。この工程の後
に、被加工物を陽極酸化することにより所望の位置に細
孔を形成でき、ナノ構造体の細孔の配列、間隔、位置、
方向等の制御が可能である。その一例として、パターニ
ングの全域にわたり直線性に優れた細孔が規則正しく配
置されたナノ構造体（陽極酸化アルミナ）を作製するこ
とが可能になる。
【００４７】細孔形成開始点の形成としては、集束イオ
ンビームを照射する手法（図３（ｂ））、ＡＦＭやＳＴ
Ｍを始めとするＳＰＭを用いて行う手法、特開平１０−
１２１２９２で開示されたプレスパターニングを用いて
凹みを作成する手法、レジストパターン作成後エッチン
グにより凹みを作る手法などを用いることが挙げられ
る。
ンビームを照射する手法（図３（ｂ））、ＡＦＭやＳＴ
Ｍを始めとするＳＰＭを用いて行う手法、特開平１０−
１２１２９２で開示されたプレスパターニングを用いて
凹みを作成する手法、レジストパターン作成後エッチン
グにより凹みを作る手法などを用いることが挙げられ
る。
【００４８】さらに、本工程において、細孔形成開始点
の組成もしくは形状を制御することにより、細孔３およ
び５の各々の直径を制御することができる。そしてこれ
により異なる直径の細孔が、制御された位置に配列、も
しくは配置されてなるナノ構造体を実現することができ
る。
の組成もしくは形状を制御することにより、細孔３およ
び５の各々の直径を制御することができる。そしてこれ
により異なる直径の細孔が、制御された位置に配列、も
しくは配置されてなるナノ構造体を実現することができ
る。
【００４９】集束イオンビームを用いる手法において
は、集束イオンビームの照射量、ビーム径、イオン照射
エネルギーなどの集束イオンビームの照射条件を制御す
ることで、細孔開始点の凹み形状や組成を制御すること
ができ、これにより最終的なナノホールの細孔径を制御
することができる。
は、集束イオンビームの照射量、ビーム径、イオン照射
エネルギーなどの集束イオンビームの照射条件を制御す
ることで、細孔開始点の凹み形状や組成を制御すること
ができ、これにより最終的なナノホールの細孔径を制御
することができる。
【００５０】プレスパターニングを用いる手法において
は、あらかじめプレスパターニングの形状を所望のもの
とすることで、細孔開始点の凹み形状の深さ、面積を制
御することができ、これにより最終的なナノホールの細
孔径を制御することができる。
は、あらかじめプレスパターニングの形状を所望のもの
とすることで、細孔開始点の凹み形状の深さ、面積を制
御することができ、これにより最終的なナノホールの細
孔径を制御することができる。
【００５１】ＳＰＭを用いる手法においては、探針をア
ルミに押し付ける力を制御することや探針の形状を変え
ることなどにより細孔開始点の凹み形状、たとえば深さ
や面積を制御することができる。他にも、探針に電圧を
印可することでアルミ表面を局所的に酸化させる手法を
適用することもでき、この場合には電圧、時間などで細
孔開始点の形状、組成を制御できる。
ルミに押し付ける力を制御することや探針の形状を変え
ることなどにより細孔開始点の凹み形状、たとえば深さ
や面積を制御することができる。他にも、探針に電圧を
印可することでアルミ表面を局所的に酸化させる手法を
適用することもでき、この場合には電圧、時間などで細
孔開始点の形状、組成を制御できる。
【００５２】これらの中でも、集束イオンビーム照射を
用いる手法は、レジスト塗布、電子ビーム露光、レジス
ト除去といったような手間のかかる工程は不必要であ
り、短時間で細孔形成開始点を形成することが可能であ
ることや、被加工物に圧力をかける必要がないので、機
械的強度が強くない被加工物に対しても適用可能である
などの観点から特に好ましい。
用いる手法は、レジスト塗布、電子ビーム露光、レジス
ト除去といったような手間のかかる工程は不必要であ
り、短時間で細孔形成開始点を形成することが可能であ
ることや、被加工物に圧力をかける必要がないので、機
械的強度が強くない被加工物に対しても適用可能である
などの観点から特に好ましい。
【００５３】以下に集束イオンビームを用いた細孔形成
開始点の形成についてさらに説明する。
開始点の形成についてさらに説明する。
【００５４】まずアルミ表面へのパターニング位置の設
定は、集束イオンビーム加工装置付属の観察機能を用い
ることにより容易に高精度で行なうことが可能である。
この観察機能としてまず集束イオンビームを試料上で走
査したときに発生する２次電子を検出して走査像を得る
方法が挙げられる。この方法では観察時に集束イオンビ
ームを照射することになるが、充分に弱い集束イオンビ
ームを用いても走査像を得ることができるので、被加工
物のパターニング位置を設定する際の集束イオンビーム
照射の影響を実質的になくすことは可能である。さらに
走査電子顕微鏡やレーザー顕微鏡などの観察機能を付属
させた集束イオンビーム加工装置を用いれば、集束イオ
ンビーム照射を行なわずに被加工物のパターニング位置
を設定することも可能である。
定は、集束イオンビーム加工装置付属の観察機能を用い
ることにより容易に高精度で行なうことが可能である。
この観察機能としてまず集束イオンビームを試料上で走
査したときに発生する２次電子を検出して走査像を得る
方法が挙げられる。この方法では観察時に集束イオンビ
ームを照射することになるが、充分に弱い集束イオンビ
ームを用いても走査像を得ることができるので、被加工
物のパターニング位置を設定する際の集束イオンビーム
照射の影響を実質的になくすことは可能である。さらに
走査電子顕微鏡やレーザー顕微鏡などの観察機能を付属
させた集束イオンビーム加工装置を用いれば、集束イオ
ンビーム照射を行なわずに被加工物のパターニング位置
を設定することも可能である。
【００５５】次に集束イオンビーム照射位置を移動させ
る方法としては、集束イオンビームを移動させる方法、
被加工物を移動させる方法、あるいはその両者を組み合
わせる方法などが挙げられる。
る方法としては、集束イオンビームを移動させる方法、
被加工物を移動させる方法、あるいはその両者を組み合
わせる方法などが挙げられる。
【００５６】集束イオンビームのイオン種としては、例
えば、液体金属イオン源であるＧａ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃ
ｓ，Ｎｂ，Ｃｕなどや、電界電離ガスイオン源である
Ｏ，Ｎ，Ｈ，Ｈｅ，Ａｒなどが挙げられるが、陽極酸化
による細孔形成に不都合がなければ、集束イオンビーム
のイオン種は特に制限されるものではない。
えば、液体金属イオン源であるＧａ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃ
ｓ，Ｎｂ，Ｃｕなどや、電界電離ガスイオン源である
Ｏ，Ｎ，Ｈ，Ｈｅ，Ａｒなどが挙げられるが、陽極酸化
による細孔形成に不都合がなければ、集束イオンビーム
のイオン種は特に制限されるものではない。
【００５７】集束イオンビームはビーム径５〜１０００
ｎｍ程度の範囲のものを用いることができる。また集束
イオンビームの強度分布はほぼガウシアン分布している
とはいえ、各細孔形成開始点での集束イオンビーム照射
領域（すなわち集束イオンビームの直径）は、その隣の
細孔形成開始点での集束イオンビーム照射領域（すなわ
ち集束イオンビームの直径）と重ならない方が望まし
い。
ｎｍ程度の範囲のものを用いることができる。また集束
イオンビームの強度分布はほぼガウシアン分布している
とはいえ、各細孔形成開始点での集束イオンビーム照射
領域（すなわち集束イオンビームの直径）は、その隣の
細孔形成開始点での集束イオンビーム照射領域（すなわ
ち集束イオンビームの直径）と重ならない方が望まし
い。
【００５８】次に本発明の集束イオンビーム照射による
細孔形成開始点の形成方法の例を、図４の（ａ）〜
（ｄ）を用いて説明する（なお、図４の（ａ）、（ｃ）
はほぼ三角格子状に、図４の（ｂ）、（ｄ）はほぼ四方
格子状に細孔形成開始点を形成している例である）。こ
こで示す例の他にも様々の例が考えられ、陽極酸化によ
る細孔形成に不都合がなければ、特に限定されるもので
はない。
細孔形成開始点の形成方法の例を、図４の（ａ）〜
（ｄ）を用いて説明する（なお、図４の（ａ）、（ｃ）
はほぼ三角格子状に、図４の（ｂ）、（ｄ）はほぼ四方
格子状に細孔形成開始点を形成している例である）。こ
こで示す例の他にも様々の例が考えられ、陽極酸化によ
る細孔形成に不都合がなければ、特に限定されるもので
はない。
【００５９】このとき陽極酸化による細孔形成において
細孔のパターンが自己組織化によりほぼ三角格子状のパ
ターンの繰り返しになる傾向があるので、あらかじめ細
孔形成開始点がほぼ三角格子状のパターンの繰り返しに
なるように形成することが好ましい。このことは深い細
孔を有するナノ構造体を形成しようとする場合には特に
望ましい。ただし細孔が浅い場合には上記の自己組織化
はまだ起こらないので、細孔形成開始点がほぼ正方格子
状など任意の形状のパターンの繰り返しになるように形
成することも意味が出てくる。
細孔のパターンが自己組織化によりほぼ三角格子状のパ
ターンの繰り返しになる傾向があるので、あらかじめ細
孔形成開始点がほぼ三角格子状のパターンの繰り返しに
なるように形成することが好ましい。このことは深い細
孔を有するナノ構造体を形成しようとする場合には特に
望ましい。ただし細孔が浅い場合には上記の自己組織化
はまだ起こらないので、細孔形成開始点がほぼ正方格子
状など任意の形状のパターンの繰り返しになるように形
成することも意味が出てくる。
【００６０】また陽極酸化による細孔形成において細孔
の間隔は、陽極酸化に用いる陽極酸化電圧をはじめとす
るプロセス諸条件である程度制御できるので、あらかじ
め細孔形成開始点をプロセス諸条件から予想される細孔
の間隔に形成することが好ましい。このことは深い細孔
を有するナノ構造体を形成しようとする場合には特に望
ましい。一方、形成しようとする被加工物の細孔の深さ
が浅い場合には、細孔形成開始点の間隔に関してプロセ
ス諸条件から規定される制約は緩やかになる。
の間隔は、陽極酸化に用いる陽極酸化電圧をはじめとす
るプロセス諸条件である程度制御できるので、あらかじ
め細孔形成開始点をプロセス諸条件から予想される細孔
の間隔に形成することが好ましい。このことは深い細孔
を有するナノ構造体を形成しようとする場合には特に望
ましい。一方、形成しようとする被加工物の細孔の深さ
が浅い場合には、細孔形成開始点の間隔に関してプロセ
ス諸条件から規定される制約は緩やかになる。
【００６１】具体的なイオンビームの照射方法の例とし
てまず、図４の（ａ）、（ｂ）に示すように、被加工物
にドット状に照射する方法が挙げられる。この方法で
は、あるドット位置３１に集束イオンビームを滞在させ
た後に次のドット位置３１に移動して集束イオンビーム
を滞在させることを繰り返し行なう。ここでドット間の
移動時に集束イオンビームを止めたくない場合には、ド
ット間の移動時間をドット位置での滞在時間に比べて非
常に短くすることにより、ドット間の移動の際の集束イ
オンビーム照射の影響を実質的になくすことが可能であ
る。
てまず、図４の（ａ）、（ｂ）に示すように、被加工物
にドット状に照射する方法が挙げられる。この方法で
は、あるドット位置３１に集束イオンビームを滞在させ
た後に次のドット位置３１に移動して集束イオンビーム
を滞在させることを繰り返し行なう。ここでドット間の
移動時に集束イオンビームを止めたくない場合には、ド
ット間の移動時間をドット位置での滞在時間に比べて非
常に短くすることにより、ドット間の移動の際の集束イ
オンビーム照射の影響を実質的になくすことが可能であ
る。
【００６２】イオンビームの照射方法の別の例として、
図４の（ｃ）、（ｄ）に示すように、被加工物に方向の
異なる平行なライン位置３２に照射する方法が挙げられ
る。この方法においては、ラインの交点３３においては
その周囲に比べて集束イオンビームが多く照射されるの
で、ラインの交点３３に細孔形成開始点を形成できる。
図４の（ｃ）、（ｄ）に示すように、被加工物に方向の
異なる平行なライン位置３２に照射する方法が挙げられ
る。この方法においては、ラインの交点３３においては
その周囲に比べて集束イオンビームが多く照射されるの
で、ラインの交点３３に細孔形成開始点を形成できる。
【００６３】このような手法を用いて、各細孔形成開始
点を形成する際の集束イオンビームの照射条件を制御す
ることができ、これにより最終的なナノホールの細孔径
を制御することができる。
点を形成する際の集束イオンビームの照射条件を制御す
ることができ、これにより最終的なナノホールの細孔径
を制御することができる。
【００６４】ここで集束イオンビーム照射の多い位置が
細孔形成開始点になる理由であるが、イオン注入及びま
たはイオンエッチングによって周囲と異なる状態が被加
工部表面に形成され、それが陽極酸化の際の特異点とな
り陽極酸化が進行すると考えらる。また、先に述べたよ
うに、細孔形成開始点の形状や組成は、イオン照射量、
イオン照射エネルギー、ビーム径などを制御することで
制御可能であり、これにより最終的なナノホールの細孔
径を制御することができる。
細孔形成開始点になる理由であるが、イオン注入及びま
たはイオンエッチングによって周囲と異なる状態が被加
工部表面に形成され、それが陽極酸化の際の特異点とな
り陽極酸化が進行すると考えらる。また、先に述べたよ
うに、細孔形成開始点の形状や組成は、イオン照射量、
イオン照射エネルギー、ビーム径などを制御することで
制御可能であり、これにより最終的なナノホールの細孔
径を制御することができる。
【００６５】（ｃ）細孔形成工程 上記被加工物を陽極酸化処理を行うことで、アルミを主
成分とする部位を陽極酸化アルミナヘ変換することでナ
ノ構造体を作成する。工程（ｂ）で形成した細孔形成開
始点２を反映して、細孔３および５が形成される。
成分とする部位を陽極酸化アルミナヘ変換することでナ
ノ構造体を作成する。工程（ｂ）で形成した細孔形成開
始点２を反映して、細孔３および５が形成される。
【００６６】本工程に用いる陽極酸化装置の概略を図５
に示す。図５中、１は被加工物、４１は恒温槽、４２は
Ｐｔ板のカソード、４３は電解液、４４は反応容器、４
５は陽極酸化電圧を印加する電源、４６は陽極酸化電流
を測定する電流計である。図では省略してあるが、この
ほか電圧、電流を自動制御、測定するコンピュータ、な
どが組み込まれている。
に示す。図５中、１は被加工物、４１は恒温槽、４２は
Ｐｔ板のカソード、４３は電解液、４４は反応容器、４
５は陽極酸化電圧を印加する電源、４６は陽極酸化電流
を測定する電流計である。図では省略してあるが、この
ほか電圧、電流を自動制御、測定するコンピュータ、な
どが組み込まれている。
【００６７】被加工物１およびカソード４２は、恒温槽
４１により温度を一定に保たれた電解液４３中に配置さ
れ、電源４５より被加工物１、カソード４２間に電圧を
印加することで陽極酸化が行われる。
４１により温度を一定に保たれた電解液４３中に配置さ
れ、電源４５より被加工物１、カソード４２間に電圧を
印加することで陽極酸化が行われる。
【００６８】陽極酸化に用いる電解液は、例えば、シュ
ウ酸、りん酸、硫酸、クロム酸溶液などが挙げられる
が、陽極酸化による細孔形成に不都合がなければ特に限
定されるものではない。また各電解液に応じた陽極酸化
電圧、温度などの諸条件は、作製するナノ構造体に応じ
て、適宜設定することができる。
ウ酸、りん酸、硫酸、クロム酸溶液などが挙げられる
が、陽極酸化による細孔形成に不都合がなければ特に限
定されるものではない。また各電解液に応じた陽極酸化
電圧、温度などの諸条件は、作製するナノ構造体に応じ
て、適宜設定することができる。
【００６９】さらに上記ナノ構造体を酸溶液（陽極酸化
アルミナの場合には例えばリン酸溶液）中に浸すポアワ
イド処理により、適宜、細孔径を広げることができる。
酸濃度、処理時間、温度などにより所望の径の細孔を有
するナノ構造体とすることができる。
アルミナの場合には例えばリン酸溶液）中に浸すポアワ
イド処理により、適宜、細孔径を広げることができる。
酸濃度、処理時間、温度などにより所望の径の細孔を有
するナノ構造体とすることができる。
【００７０】このように、細孔形成開始点の形状や組成
の制御によって、少なくとも２種類の細孔径の異なる細
孔を有するナノ構造体を、各細孔の径および位置を制御
して作成することができる。
の制御によって、少なくとも２種類の細孔径の異なる細
孔を有するナノ構造体を、各細孔の径および位置を制御
して作成することができる。
【００７１】また、このようなナノ構造体の細孔内へ充
填物を充填する際には、電着、真空溶融導入、ＣＶＤ、
真空蒸着などの任意の手法を適用することが可能であ
る。
填物を充填する際には、電着、真空溶融導入、ＣＶＤ、
真空蒸着などの任意の手法を適用することが可能であ
る。
【００７２】
【実施例】以下に実施例を挙げて、本発明を説明する。
【００７３】（実施例１）本実施例はＦＩＢにより細孔
形成開始点を制御して形成した例である。
形成開始点を制御して形成した例である。
【００７４】ａ）被加工物準備 図３（ａ）に示すように、被加工物として純度９９．９
９％のＡｌ板の表面を過塩素酸とエタノールの混合溶液
中での電界研磨により鏡面加工を行なったものを準備し
た。
９％のＡｌ板の表面を過塩素酸とエタノールの混合溶液
中での電界研磨により鏡面加工を行なったものを準備し
た。
【００７５】ｂ）細孔形成開始点の形成工程 集束イオンビーム加工装置を用い被加工物に集束イオン
ビーム照射を行ない、図３（ｂ）に示すように被加工物
に細孔形成開始点を形成した。ここで集束イオンビーム
加工装置のイオン種はＧａ、加速電圧は３０ｋＶであ
る。まず集束イオンビーム加工装置付属の２次電子観察
機能を用いて、細孔形成開始点を形成する位置を定め
た。次にイオンビーム径３０ｎｍ、イオン電流３ｐＡの
集束イオンビームを用いて、図１に示すように間隔１０
０ｎｍでほぼ三角格子状のパターンの繰り返しになるよ
うにして被加工物に集束イオンビームをドット状に照射
することにより細孔形成開始点の形成を行なった。この
とき各ドット位置での集束イオンビームの滞在時間は、
唯一つ特異ドットを１０ｍｓｅｃとし、他のすべてのド
ットを３０ｍｓｅｃとした。
ビーム照射を行ない、図３（ｂ）に示すように被加工物
に細孔形成開始点を形成した。ここで集束イオンビーム
加工装置のイオン種はＧａ、加速電圧は３０ｋＶであ
る。まず集束イオンビーム加工装置付属の２次電子観察
機能を用いて、細孔形成開始点を形成する位置を定め
た。次にイオンビーム径３０ｎｍ、イオン電流３ｐＡの
集束イオンビームを用いて、図１に示すように間隔１０
０ｎｍでほぼ三角格子状のパターンの繰り返しになるよ
うにして被加工物に集束イオンビームをドット状に照射
することにより細孔形成開始点の形成を行なった。この
とき各ドット位置での集束イオンビームの滞在時間は、
唯一つ特異ドットを１０ｍｓｅｃとし、他のすべてのド
ットを３０ｍｓｅｃとした。
【００７６】ｃ）細孔の形成工程 図５に示したような陽極酸化装置を用い被加工物に陽極
酸化処理を施し、図１に示すように細孔体を形成した。
酸電解液は０．３Ｍシュウ酸水溶液を用い、恒温槽によ
り溶液を３℃に保持し、陽極酸化電圧は４０Ｖとした。
次に、陽極酸化処理後の被加工物を５ｗｔ％リン酸溶液
中に３０分間浸すことにより、細孔の径を広げた（ポア
ワイドニング処理）。
酸化処理を施し、図１に示すように細孔体を形成した。
酸電解液は０．３Ｍシュウ酸水溶液を用い、恒温槽によ
り溶液を３℃に保持し、陽極酸化電圧は４０Ｖとした。
次に、陽極酸化処理後の被加工物を５ｗｔ％リン酸溶液
中に３０分間浸すことにより、細孔の径を広げた（ポア
ワイドニング処理）。
【００７７】評価（構造観察） ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて観察し
たところ、細孔は細孔形成開始点を反映し、間隔は１０
０ｎｍで、ほぼ三角格子状のパターンの繰り返し配列し
て形成されており、細孔の規則性の高いナノ構造体が形
成されているのが確認された。
たところ、細孔は細孔形成開始点を反映し、間隔は１０
０ｎｍで、ほぼ三角格子状のパターンの繰り返し配列し
て形成されており、細孔の規則性の高いナノ構造体が形
成されているのが確認された。
【００７８】また、細孔形成開始点作成時のイオンビー
ム照射量が３０ｍｓｅｃの位置の細孔（第１の細孔）の
細孔径は約５０ｎｍである一方で、１０ｍｓｅｃ照射し
た特異ドットの位置の細孔（第２の細孔）の細孔径はそ
れよりも小さく、約３０ｎｍであった。
ム照射量が３０ｍｓｅｃの位置の細孔（第１の細孔）の
細孔径は約５０ｎｍである一方で、１０ｍｓｅｃ照射し
た特異ドットの位置の細孔（第２の細孔）の細孔径はそ
れよりも小さく、約３０ｎｍであった。
【００７９】これにより、細孔形成開始点の形成条件で
あるイオンビームの照射時間（量）によって、細孔径を
制御することができた。特に、規則的に配列した細孔を
有し、図１に示すように周囲に比べて細孔径の小さい特
異的な細孔５を制御された位置に有するナノ構造体を作
成できた。
あるイオンビームの照射時間（量）によって、細孔径を
制御することができた。特に、規則的に配列した細孔を
有し、図１に示すように周囲に比べて細孔径の小さい特
異的な細孔５を制御された位置に有するナノ構造体を作
成できた。
【００８０】（実施例２）本実施例においては、ＦＩＢ
の代わりにプレスパターニングの手法を用いて細孔形成
開始点を作成した例である。
の代わりにプレスパターニングの手法を用いて細孔形成
開始点を作成した例である。
【００８１】ａ）被加工物準備 実施例１に準じて被加工物を用意した。
【００８２】ｂ）細孔形成開始点の形成工程 まず、以下のようにして、２種類の突起が交互に周期的
に三角格子状に配列したプレスパターン用基板（スタン
パ）を作成した。
に三角格子状に配列したプレスパターン用基板（スタン
パ）を作成した。
【００８３】電子ビーム露光装置を用い、シリコン基板
上に三角格子状に０．１μｍの周期で約２０ｎｍ径と約
４０ｎｍ径の開口を有するレジストパターンを形成し
た。約４０ｎｍ径の開口と約２０ｎｍの開口とは、図２
（ｃ）の大小の細孔の配列と同様に配列している。この
上に、蒸着装置を用いてクロムを蒸着し、レジスト上の
クロムをレジストと共に除去することにより、約２５ｎ
ｍ径と約４０ｎｍ径（高さはともに４０ｎｍ）の２種類
のクロムの突起を形成した。さらに、このクロムをマス
クとして、ＣＦ4ガスを用いた反応性ドライエッチング
法によりシリコン基板をエッチングし、さらに酸素プラ
ズマでクロムを除去して、径がそれぞれ約２５ｎｍと約
４０ｎｍで高さ６０ｎｍの２種類の突起が、０．１μｍ
周期で、規則的に配列したプレスパターン用基板を作製
した。
上に三角格子状に０．１μｍの周期で約２０ｎｍ径と約
４０ｎｍ径の開口を有するレジストパターンを形成し
た。約４０ｎｍ径の開口と約２０ｎｍの開口とは、図２
（ｃ）の大小の細孔の配列と同様に配列している。この
上に、蒸着装置を用いてクロムを蒸着し、レジスト上の
クロムをレジストと共に除去することにより、約２５ｎ
ｍ径と約４０ｎｍ径（高さはともに４０ｎｍ）の２種類
のクロムの突起を形成した。さらに、このクロムをマス
クとして、ＣＦ4ガスを用いた反応性ドライエッチング
法によりシリコン基板をエッチングし、さらに酸素プラ
ズマでクロムを除去して、径がそれぞれ約２５ｎｍと約
４０ｎｍで高さ６０ｎｍの２種類の突起が、０．１μｍ
周期で、規則的に配列したプレスパターン用基板を作製
した。
【００８４】上述の突起を形成したプレスパターン用基
板を、工程ａ）で用意したアルミニウム板上に置き、油
圧プレス機を用いて３トン／ｃｍ2の圧力を加えること
により、アルミニウム板表面に２種類の細孔形成開始点
を形成した。
板を、工程ａ）で用意したアルミニウム板上に置き、油
圧プレス機を用いて３トン／ｃｍ2の圧力を加えること
により、アルミニウム板表面に２種類の細孔形成開始点
を形成した。
【００８５】ｃ）細孔の形成工程 実施例１と同様に陽極酸化およびポアワイドニング処理
を行った。
を行った。
【００８６】評価（構造観察） ＦＥ−ＳＥＭ観察したところ、細孔は細孔形成開始点を
反映し、間隔は１００ｎｍでほぼ三角格子状のパターン
の繰り返しが形成されており、細孔の規則性の高いナノ
構造体が形成されているのが確認された。
反映し、間隔は１００ｎｍでほぼ三角格子状のパターン
の繰り返しが形成されており、細孔の規則性の高いナノ
構造体が形成されているのが確認された。
【００８７】また、２５ｎｍ及び４０ｎｍ径の突起を用
いて形成した２種類の細孔形成開始点に対応して、それ
ぞれ３０ｎｍおよび５０ｎｍの細孔径を有する２種類の
細孔３及び５が、図２（ｃ）のように周期的に配列した
ナノ構造体を作成することができた。
いて形成した２種類の細孔形成開始点に対応して、それ
ぞれ３０ｎｍおよび５０ｎｍの細孔径を有する２種類の
細孔３及び５が、図２（ｃ）のように周期的に配列した
ナノ構造体を作成することができた。
【００８８】（実施例３）本実施例においては、ＦＩＢ
手法を用いて正方格子状に細孔形成開始点を作成した例
である。
手法を用いて正方格子状に細孔形成開始点を作成した例
である。
【００８９】ａ）被加工物準備 被加工物として石英基板上に厚さ２００ｎｍのＡｌ膜を
抵抗加熱法にて成膜したものを準備した。
抵抗加熱法にて成膜したものを準備した。
【００９０】ｂ）細孔形成開始点の形成工程 集束イオンビーム加工装置を用いＡｌ膜に図４（ｂ）に
示すように間隔６０ｎｍでほぼ正４角形のパターンの繰
り返しになるようにして集束イオンビームをドット状に
照射し、細孔形成開始点を形成した。ここで集束イオン
ビーム加工装置のイオン種はＧａ、加速電圧は１５ｋ
Ｖ、イオンビーム径３０ｎｍ、イオン電流２ｐＡ、集束
イオンビームの滞在時間は３０ｍｓｅｃとした。ただし
正方格子の唯一つのライン上ドットにおいてのみ加速電
圧を３０ｋＶとした。
示すように間隔６０ｎｍでほぼ正４角形のパターンの繰
り返しになるようにして集束イオンビームをドット状に
照射し、細孔形成開始点を形成した。ここで集束イオン
ビーム加工装置のイオン種はＧａ、加速電圧は１５ｋ
Ｖ、イオンビーム径３０ｎｍ、イオン電流２ｐＡ、集束
イオンビームの滞在時間は３０ｍｓｅｃとした。ただし
正方格子の唯一つのライン上ドットにおいてのみ加速電
圧を３０ｋＶとした。
【００９１】ｃ）細孔の形成工程 実施例１と同様に陽極酸化、ポアワイドニング処理をお
こなった。ただし、酸電解液は０．３Ｍ硫酸水溶液を用
い、恒温槽により溶液を３℃に保持し、陽極酸化電圧は
２５Ｖとした。
こなった。ただし、酸電解液は０．３Ｍ硫酸水溶液を用
い、恒温槽により溶液を３℃に保持し、陽極酸化電圧は
２５Ｖとした。
【００９２】評価（構造観察） ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて観察し
たところ、細孔は細孔形成開始点を反映し、間隔は６０
ｎｍほぼ正方格子状のパターンの繰り返しが形成されて
おり、細孔の規則性の高いナノ構造体が形成されている
のが確認された。
たところ、細孔は細孔形成開始点を反映し、間隔は６０
ｎｍほぼ正方格子状のパターンの繰り返しが形成されて
おり、細孔の規則性の高いナノ構造体が形成されている
のが確認された。
【００９３】また、細孔開始点作成時のイオン加速電圧
を１５ｋＶとした位置の細孔の直径は約２５ｎｍである
一方、加速電圧を３０ｋＶとした位置の細孔径は約４５
ｎｍであった。
を１５ｋＶとした位置の細孔の直径は約２５ｎｍである
一方、加速電圧を３０ｋＶとした位置の細孔径は約４５
ｎｍであった。
【００９４】これにより、細孔形成開始点の形成条件で
あるイオン加速電圧を制御することで、規則的に配列し
た細孔を有し、さらに周囲に比べて細孔径の大きい細孔
がライン状に並んだ部位を有するナノ構造体を作成でき
た。
あるイオン加速電圧を制御することで、規則的に配列し
た細孔を有し、さらに周囲に比べて細孔径の大きい細孔
がライン状に並んだ部位を有するナノ構造体を作成でき
た。
【００９５】（実施例４）本実施例においては、ＦＩＢ
手法を用いて照射条件の異なる３種類の細孔形成開始点
を作成した。
手法を用いて照射条件の異なる３種類の細孔形成開始点
を作成した。
【００９６】ａ）被加工物準備 図６に示すように、Ｓｉ基板１６上に厚さ１００ｎｍの
導電性膜１５としてＮｂ膜を電子線蒸着法で成膜した後
に、さらに５００ｎｍのＡｌ膜１２をスパッタ法で成膜
したものを被加工物１として準備した。
導電性膜１５としてＮｂ膜を電子線蒸着法で成膜した後
に、さらに５００ｎｍのＡｌ膜１２をスパッタ法で成膜
したものを被加工物１として準備した。
【００９７】ｂ）細孔形成開始点の形成工程 集束イオンビーム加工装置を用いＡｌ膜に間隔１００ｎ
ｍでほぼ平行なラインの繰り返しになるように集束イオ
ンビームをライン状に照射した。１ライン毎にイオン電
流が１ｐＡと２ｐＡとなるように制御した。さらに、先
のラインに対して６０度異なる方向に、１ライン毎にイ
オン電流が１ｐＡと２ｐＡとなるようにライン状に集束
イオンビームを照射した。ここで集束イオンビームのイ
オン種はＧａ、加速電圧は３０ｋＶ、イオンビーム径３
０ｎｍであり、このときラインの交点での集束イオンビ
ームの滞在時間の合計が２０ｍｓｅｃになるように、ス
キャンスピード及びスキャン回数を調整した。これによ
り、ラインの交点部において、トータルのイオン照射量
が４０ｆＣｏｕｌｏｍｂ、６０ｆＣｏｕｌｏｍｂ、８０
ｆＣｏｕｌｏｍｂの異なる３種類の細孔形成開始点が三
角格子状に配列して形成された。
ｍでほぼ平行なラインの繰り返しになるように集束イオ
ンビームをライン状に照射した。１ライン毎にイオン電
流が１ｐＡと２ｐＡとなるように制御した。さらに、先
のラインに対して６０度異なる方向に、１ライン毎にイ
オン電流が１ｐＡと２ｐＡとなるようにライン状に集束
イオンビームを照射した。ここで集束イオンビームのイ
オン種はＧａ、加速電圧は３０ｋＶ、イオンビーム径３
０ｎｍであり、このときラインの交点での集束イオンビ
ームの滞在時間の合計が２０ｍｓｅｃになるように、ス
キャンスピード及びスキャン回数を調整した。これによ
り、ラインの交点部において、トータルのイオン照射量
が４０ｆＣｏｕｌｏｍｂ、６０ｆＣｏｕｌｏｍｂ、８０
ｆＣｏｕｌｏｍｂの異なる３種類の細孔形成開始点が三
角格子状に配列して形成された。
【００９８】ｃ）細孔の形成工程 実施例１と同様にＡｌ膜の陽極酸化および、ポアワイド
ニング処理をおこなった。ただし、酸電解液は０．３Ｍ
シュウ酸水溶液を用い、恒温槽により溶液を３℃に保持
し、陽極酸化電圧は４５Ｖとした。
ニング処理をおこなった。ただし、酸電解液は０．３Ｍ
シュウ酸水溶液を用い、恒温槽により溶液を３℃に保持
し、陽極酸化電圧は４５Ｖとした。
【００９９】また陽極酸化電流をモニタし、陽極酸化電
流の減少により、アルミが全膜厚にわたりアルミナに変
換されたこと確認して陽極酸化を終了した。
流の減少により、アルミが全膜厚にわたりアルミナに変
換されたこと確認して陽極酸化を終了した。
【０１００】評価（構造観察） ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて観察し
たところ、細孔は細孔形成開始点を反映し、間隔は１１
５ｎｍ、ほぼ三角格子状のパターンの繰り返しが形成さ
れており、細孔の規則性の高いナノ構造体が形成されて
いるのが確認された。
たところ、細孔は細孔形成開始点を反映し、間隔は１１
５ｎｍ、ほぼ三角格子状のパターンの繰り返しが形成さ
れており、細孔の規則性の高いナノ構造体が形成されて
いるのが確認された。
【０１０１】また、細孔形成開始点を作成する際のイオ
ン照射量が４０ｆＣｏｕｌｏｍｂ、６０ｆＣｏｕｌｏｍ
ｂ、８０ｆＣｏｕｌｏｍｂの細孔形成開始点に対応する
細孔の細孔径は、それぞれ約２５ｎｍ、約４０ｎｍ、約
５０ｎｍであった。
ン照射量が４０ｆＣｏｕｌｏｍｂ、６０ｆＣｏｕｌｏｍ
ｂ、８０ｆＣｏｕｌｏｍｂの細孔形成開始点に対応する
細孔の細孔径は、それぞれ約２５ｎｍ、約４０ｎｍ、約
５０ｎｍであった。
【０１０２】これにより、細孔開始点形成時のイオン電
流制御することで、３種類の細孔が規則的に配列したナ
ノ構造体を作成できた。
流制御することで、３種類の細孔が規則的に配列したナ
ノ構造体を作成できた。
【０１０３】（実施例５）本実施例は、細孔内に磁性体
を充填してナノ構造体を作製した例である。
を充填してナノ構造体を作製した例である。
【０１０４】ａ）被加工物準備 実施例４と同様にして被加工物１を準備した。
【０１０５】ｂ）細孔形成開始点の形成工程 集束イオンビーム加工装置を用いＡｌ膜に間隔１００ｎ
ｍでほぼ平行なラインの繰り返しになるように集束イオ
ンビームをライン状に照射した。１ライン毎にイオン電
流が１ｐＡと２ｐＡとなるように制御した。さらに、先
のラインに対して６０度異なる方向に全ラインイオン電
流２ｐＡで平行なラインの繰り返しになるように集束イ
オンビームを照射した。ここで集束イオンビームのイオ
ン種はＧａ、加速電圧は３０ｋＶ、イオンビーム径３０
ｎｍであり、このときラインの交点での集束イオンビー
ムの滞在時間の合計が３０ｍｓｅｃになるように、スキ
ャンスピード及びスキャン回数を調整した。これによ
り、ラインの交点部において、トータルのイオン照射量
が６０ｆＣｏｕｌｏｍｂ、９０ｆＣｏｕｌｏｍｂの異な
る２種類の細孔形成開始点がライン状に配列して形成さ
れた。
ｍでほぼ平行なラインの繰り返しになるように集束イオ
ンビームをライン状に照射した。１ライン毎にイオン電
流が１ｐＡと２ｐＡとなるように制御した。さらに、先
のラインに対して６０度異なる方向に全ラインイオン電
流２ｐＡで平行なラインの繰り返しになるように集束イ
オンビームを照射した。ここで集束イオンビームのイオ
ン種はＧａ、加速電圧は３０ｋＶ、イオンビーム径３０
ｎｍであり、このときラインの交点での集束イオンビー
ムの滞在時間の合計が３０ｍｓｅｃになるように、スキ
ャンスピード及びスキャン回数を調整した。これによ
り、ラインの交点部において、トータルのイオン照射量
が６０ｆＣｏｕｌｏｍｂ、９０ｆＣｏｕｌｏｍｂの異な
る２種類の細孔形成開始点がライン状に配列して形成さ
れた。
【０１０６】ｃ）細孔の形成工程 実施例１と同様に陽極酸化およびポアワイドニング処理
をおこなった。ただし、酸電解液は０．３Ｍシュウ酸水
溶液を用い、恒温槽により溶液を３℃に保持し、陽極酸
化電圧は４５Ｖとした。
をおこなった。ただし、酸電解液は０．３Ｍシュウ酸水
溶液を用い、恒温槽により溶液を３℃に保持し、陽極酸
化電圧は４５Ｖとした。
【０１０７】また、陽極酸化電流をモニタし、陽極酸化
電流の減少により、アルミが全膜厚にわたりアルミナに
変換されたこと確認した後、電圧印加を終了した。
電流の減少により、アルミが全膜厚にわたりアルミナに
変換されたこと確認した後、電圧印加を終了した。
【０１０８】ｄ）細孔内への金属充填工程 次にＮｉ金属電着を行うことにより、細孔内に充填材６
を充填した。Ｎｉ充填は、０．１４Ｍ ＮｉＳＯ4，
０．５Ｍ Ｈ3ＢＯ3からなる電解液中で、Ｎｉの対向電
極と共に浸して電着することでナノホール内にＮｉを析
出させた。
を充填した。Ｎｉ充填は、０．１４Ｍ ＮｉＳＯ4，
０．５Ｍ Ｈ3ＢＯ3からなる電解液中で、Ｎｉの対向電
極と共に浸して電着することでナノホール内にＮｉを析
出させた。
【０１０９】評価（構造観察） ＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、図６に示すように細
孔はＮｉで充填されており、細孔径の大小により、太さ
３０ｎｍ及び５０ｎｍのＮｉからなる磁性ナノ細線が形
成されていた。図６においては、細孔底部で、充填物が
直接的に下地導電性膜１５に接触している構造として描
かれているが、細孔底部の構造はこれに限られるもので
はなく、導電性膜１５の材料や陽極酸化条件などによ
り、細孔底部に絶縁性バリアー層を有する構造や、バリ
アー層を有しそのバリアー層内に導電性の経路を有する
構造などにすることができる。本実施例においては、細
孔底部はバリアー層を有しそのバリアー層内に導電性の
経路を有する構造を有しており、その導電パスを通して
充填Ｎｉ（６）と下地導電膜１５の電気的接続がなされ
ている。
孔はＮｉで充填されており、細孔径の大小により、太さ
３０ｎｍ及び５０ｎｍのＮｉからなる磁性ナノ細線が形
成されていた。図６においては、細孔底部で、充填物が
直接的に下地導電性膜１５に接触している構造として描
かれているが、細孔底部の構造はこれに限られるもので
はなく、導電性膜１５の材料や陽極酸化条件などによ
り、細孔底部に絶縁性バリアー層を有する構造や、バリ
アー層を有しそのバリアー層内に導電性の経路を有する
構造などにすることができる。本実施例においては、細
孔底部はバリアー層を有しそのバリアー層内に導電性の
経路を有する構造を有しており、その導電パスを通して
充填Ｎｉ（６）と下地導電膜１５の電気的接続がなされ
ている。
【０１１０】磁化率を測定したところ、磁化曲線に２段
に階段状に観測された。２種類の細線径の異なる磁性体
の存在が異方性エネルギーの違いにより、磁化曲線を階
段状にさせたと考えることができる。このような細線径
に依存して磁場で磁化反転する性質を用いることによ
り、各種磁性デバイスヘの応用が期待できる。
に階段状に観測された。２種類の細線径の異なる磁性体
の存在が異方性エネルギーの違いにより、磁化曲線を階
段状にさせたと考えることができる。このような細線径
に依存して磁場で磁化反転する性質を用いることによ
り、各種磁性デバイスヘの応用が期待できる。
【０１１１】（実施例６）本実施例は、細孔内に磁性体
と非磁性体の積層構造を充填してナノ構造体を作製した
例である。
と非磁性体の積層構造を充填してナノ構造体を作製した
例である。
【０１１２】本実施例においては、実施例５と同様に陽
極酸化アルミナナノホールを作製した後、陽極酸化ナノ
ホールヘの金属の積層充填を行った。但し、下地導電性
膜１５（図６）はＰｔとした。
極酸化アルミナナノホールを作製した後、陽極酸化ナノ
ホールヘの金属の積層充填を行った。但し、下地導電性
膜１５（図６）はＰｔとした。
【０１１３】細孔形成工程後、試料を、硫酸コバルト
０．５Ｍ、硫酸銅０．００１Ｍからなる電解質中で、白
金の対向電極と共に浸して、−０．２Ｖ、−０．９Ｖの
電圧を各々１秒、１５秒交互に印加させてナノホール底
にＣｏ，Ｃｕの積層膜を成長させた。ここで−０．２Ｖ
の電圧印加時は稀なイオンであるＣｕのみ電着され、−
０．９Ｖ印加時には濃度の濃いＣｏが主に電着され、結
果として積層膜となった。本実施例においては、図６に
示すように、細孔底部において充填物が直接的に下地導
電性膜１５に接触している構造を有することで、下地導
電性膜１５とＣｏ，Ｃｕ積層膜６の電気的接続がなされ
ていた。
０．５Ｍ、硫酸銅０．００１Ｍからなる電解質中で、白
金の対向電極と共に浸して、−０．２Ｖ、−０．９Ｖの
電圧を各々１秒、１５秒交互に印加させてナノホール底
にＣｏ，Ｃｕの積層膜を成長させた。ここで−０．２Ｖ
の電圧印加時は稀なイオンであるＣｕのみ電着され、−
０．９Ｖ印加時には濃度の濃いＣｏが主に電着され、結
果として積層膜となった。本実施例においては、図６に
示すように、細孔底部において充填物が直接的に下地導
電性膜１５に接触している構造を有することで、下地導
電性膜１５とＣｏ，Ｃｕ積層膜６の電気的接続がなされ
ていた。
【０１１４】本実施例のナノ構造体の上部に電極を付
け、充填材上部と下地層間の抵抗の磁場依存性を調べた
ところ、階段状の負の磁気抵抗を示した。これは充填さ
れた積層膜がＧＭＲ効果を示したためと考えられる。以
上のことから本実施例のナノ構造体は磁気センサーに利
用可能なことが分かる。
け、充填材上部と下地層間の抵抗の磁場依存性を調べた
ところ、階段状の負の磁気抵抗を示した。これは充填さ
れた積層膜がＧＭＲ効果を示したためと考えられる。以
上のことから本実施例のナノ構造体は磁気センサーに利
用可能なことが分かる。
【０１１５】（実施例７） ａ）被加工物準備 実施例１に準じて被加工物を用意した。
【０１１６】ｂ）細孔形成開始点の形成工程 実施例５と同様に細孔形成開始点を形成した。但し、細
孔形成開始点の間隔は、２００ｎｍとした。
孔形成開始点の間隔は、２００ｎｍとした。
【０１１７】ｃ）細孔の形成工程 実施例１と同様に陽極酸化およびポアワイドニング処理
をおこなった。ただし、酸電解液は０．３Ｍリン酸水溶
液を用い、恒温槽により溶液を３℃に保持し、陽極酸化
電圧は８０Ｖとした。
をおこなった。ただし、酸電解液は０．３Ｍリン酸水溶
液を用い、恒温槽により溶液を３℃に保持し、陽極酸化
電圧は８０Ｖとした。
【０１１８】塩化水銀を用いてアルミを溶解し、陽極酸
化アルミナを単離し、この透過スペクトルを測定したと
ころ、５００ｎｍから６００ｎｍの波長付近に透過率の
減少が見られ、フォトニック結晶としての性質を示して
いることがわかった。これにより、本実施例にかかるナ
ノ構造体が、光デバイスに利用可能なことが分かった。
化アルミナを単離し、この透過スペクトルを測定したと
ころ、５００ｎｍから６００ｎｍの波長付近に透過率の
減少が見られ、フォトニック結晶としての性質を示して
いることがわかった。これにより、本実施例にかかるナ
ノ構造体が、光デバイスに利用可能なことが分かった。
【０１１９】（実施例８）本実施例においては、規則的
陽極酸化アルミナの作製と細孔への酸化物の充填を行っ
た。
陽極酸化アルミナの作製と細孔への酸化物の充填を行っ
た。
【０１２０】実施例６と同様にＰｔ上に陽極酸化アルミ
ナを形成した。但し、細孔形成開始点の間隔は、１６０
ｎｍとし、陽極酸化においては、電解質は５ｗｔ％のリ
ン酸溶液とし、電圧は６５Ｖに設定した。
ナを形成した。但し、細孔形成開始点の間隔は、１６０
ｎｍとし、陽極酸化においては、電解質は５ｗｔ％のリ
ン酸溶液とし、電圧は６５Ｖに設定した。
【０１２１】細孔形成工程を終えた試料を、６０℃に保
持した硝酸亜鉛０．１Ｍの水溶液中で、白金の対向電極
と共に浸してＡｇ／ＡｇＣｌ標準電極に対して−０．８
Ｖの電圧を印加することで細孔内にＺｎＯの結晶を成長
させた。
持した硝酸亜鉛０．１Ｍの水溶液中で、白金の対向電極
と共に浸してＡｇ／ＡｇＣｌ標準電極に対して−０．８
Ｖの電圧を印加することで細孔内にＺｎＯの結晶を成長
させた。
【０１２２】そしてＦＥ−ＳＥＭでこの試料の表面を観
察したところ、細孔は規則的に配列しており、細孔内に
はＺｎＯが成長していることが分かった。
察したところ、細孔は規則的に配列しており、細孔内に
はＺｎＯが成長していることが分かった。
【０１２３】比較例として、ナノホールの存在しないＰ
ｔ上に同様の条件でＺｎＯを堆積した。
ｔ上に同様の条件でＺｎＯを堆積した。
【０１２４】本実施例のナノ構造体にＨｅ−Ｃｄレーザ
ー（波長３２５ｎｍ）を照射したところ、比較例に比べ
て波長３９０ｎｍ付近に、強度が大きく、スペクトル幅
の狭い発光が観測された。
ー（波長３２５ｎｍ）を照射したところ、比較例に比べ
て波長３９０ｎｍ付近に、強度が大きく、スペクトル幅
の狭い発光が観測された。
【０１２５】本実施例の結果より、陽極酸化アルミナの
細孔内に発光材料（ＺｎＯ）を充填できることがわかっ
た。また、細孔内に発光材料を充填することで発光デバ
イスに利用可能なことが分かった。
細孔内に発光材料（ＺｎＯ）を充填できることがわかっ
た。また、細孔内に発光材料を充填することで発光デバ
イスに利用可能なことが分かった。
【０１２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ナノ構造体をさまざまな形態で応用することを可能とす
るものであり、その応用範囲を著しく広げるものであ
る。また本発明のナノ構造体は、それ自体機能材料とし
て使用可能であるが、さらなる新規なナノ構造体の母
材、鋳型、などとして用いることもできる。
ナノ構造体をさまざまな形態で応用することを可能とす
るものであり、その応用範囲を著しく広げるものであ
る。また本発明のナノ構造体は、それ自体機能材料とし
て使用可能であるが、さらなる新規なナノ構造体の母
材、鋳型、などとして用いることもできる。
【０１２７】更に、本発明に関わる各実施態様によれ
ば、例えば下記に記載したような効果も得ることができ
る。
ば、例えば下記に記載したような効果も得ることができ
る。
【０１２８】（１）アルミニウムを含む部位の所望の位
置に細孔形成開始点を形成した後に、陽極酸化すること
により所望の位置に細孔を形成できるので、ナノ構造体
の細孔の配列、間隔、位置、方向等の制御が可能であ
り、パターニングの全域にわたり直線性に優れた細孔が
規則正しく配置されたナノ構造体（陽極酸化アルミナ）
を作製することが可能になる。特に、細孔形成開始点の
形状、サイズおよび組成の少なくとも１つを制御するこ
とにより、それぞれの細孔径を独立に制御することがで
きる。これにより異なる細孔径の細孔が配列、もしくは
制御された位置に配置されたナノ構造体を実現すること
ができる。
置に細孔形成開始点を形成した後に、陽極酸化すること
により所望の位置に細孔を形成できるので、ナノ構造体
の細孔の配列、間隔、位置、方向等の制御が可能であ
り、パターニングの全域にわたり直線性に優れた細孔が
規則正しく配置されたナノ構造体（陽極酸化アルミナ）
を作製することが可能になる。特に、細孔形成開始点の
形状、サイズおよび組成の少なくとも１つを制御するこ
とにより、それぞれの細孔径を独立に制御することがで
きる。これにより異なる細孔径の細孔が配列、もしくは
制御された位置に配置されたナノ構造体を実現すること
ができる。
【０１２９】（２）ナノ構造体の細孔に、屈折率の異な
る材料を充填することで光学材料として応用することが
できる。
る材料を充填することで光学材料として応用することが
できる。
【０１３０】（３）ナノ構造体の細孔に、磁性材料を充
填することで磁性細線、磁場センサ、磁気記録媒体など
として応用することができる。
填することで磁性細線、磁場センサ、磁気記録媒体など
として応用することができる。
【０１３１】（４）ナノ構造体の細孔に、発光材料を充
填することで発光スペクトル幅の小さい発光素子、さら
には閾値の小さいレーザー素子などが実現できる。
填することで発光スペクトル幅の小さい発光素子、さら
には閾値の小さいレーザー素子などが実現できる。
【図１】本発明のナノ構造体の一例を示す図である。
【図２】本発明の異なる径の細孔の配列の一例を示す図
である。
である。
【図３】本発明のナノ構造体の作製方法の一例を示す図
である。
である。
【図４】本発明の集束イオンビーム照射による細孔形成
開始点の形成の一例を示す図である。
開始点の形成の一例を示す図である。
【図５】陽極酸化装置の概略図である。
【図６】本発明の細孔内に充填材を有するナノ構造体の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図７】ナノ構造体の細孔の分布を示す図である。
１ 被加工物（アルミ） ２ 細孔形成開始点 ３ 細孔 ４ バリア層 ５ 径の小さい細孔 ６ 充填材 １０ 集束イオンビーム １２ Ａｌの膜 １５ 導電性膜（電極） １６ 基板 ３１ ドット照射位置 ３２ ライン照射位置 ３３ ライン交点 ４１ 恒温槽 ４２ カソード ４３ 電解液 ４４ 反応容器 ４５ 電源 ４６ 電流計
Claims (40)
- 【請求項１】 複数種類の細孔を有する陽極酸化膜を具
備することを特徴とするナノ構造体。 - 【請求項２】 前記複数種類の細孔が、各々異なる直径
を有することを特徴とする請求項１に記載のナノ構造
体。 - 【請求項３】 前記複数種類の細孔が、各々制御された
位置に配置されていることを特徴とする請求項１または
２に記載のナノ構造体。 - 【請求項４】 前記細孔が一定の間隔で規則的に配列し
ていることを特徴とする請求項３に記載のナノ構造体。 - 【請求項５】 前記細孔が三角格子状に配列しているこ
とを特徴とする請求項４に記載のナノ構造体。 - 【請求項６】 前記複数種類の細孔のうちの少なくとも
一種類が、一列に配列していることを特徴とする請求項
１乃至５のいずれかに記載のナノ構造体。 - 【請求項７】 前記陽極酸化膜が、アルミニウムの陽極
酸化膜であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれ
かに記載のナノ構造体。 - 【請求項８】 前記細孔の少なくとも一つに充填物を有
することを特徴とする請求項７に記載のナノ構造体。 - 【請求項９】 前記充填物が、アルミニウムの陽極酸化
膜とは屈折率の異なる誘電体であることを特徴とする請
求項８に記載のナノ構造体。 - 【請求項１０】 前記充填物が、半導体であることを特
徴とする請求項８に記載のナノ構造体。 - 【請求項１１】 前記充填物が、発光機能を有すること
を特徴とする請求項８に記載のナノ構造体。 - 【請求項１２】 前記充填物が、磁性体であることを特
徴とする請求項８に記載のナノ構造体。 - 【請求項１３】 前記細孔体底部に接触した電極を有
し、該電極と前記充填物が電気的に接続されていること
を特徴とする請求項８に記載のナノ構造体。 - 【請求項１４】 互いに直径の異なる第１の細孔および
第２の細孔を含む陽極酸化膜を有するナノ構造体であっ
て、該第１および第２の細孔の各々は、該陽極酸化膜内
の制御された位置に配置されていることを特徴とするナ
ノ構造体。 - 【請求項１５】 前記陽極酸化膜が、アルミニウムの陽
極酸化膜であることを特徴とする請求項１４に記載のナ
ノ構造体。 - 【請求項１６】 前記第１の細孔および前記第２の細孔
の少なくとも一方が充填物を有することを特徴とする請
求項１４または１５に記載のナノ構造体。 - 【請求項１７】 前記充填物が、絶縁物であることを特
徴とする請求項１６に記載のナノ構造体。 - 【請求項１８】 前記充填物が、半導体であることを特
徴とする請求項１６に記載のナノ構造体。 - 【請求項１９】 前記充填物が、発光機能を有すること
を特徴とする請求項１６に記載のナノ構造体。 - 【請求項２０】 前記充填物が、アルミニウムの陽極酸
化膜とは誘電率の異なる物質であることを特徴とする請
求項１６に記載のナノ構造体。 - 【請求項２１】 前記充填物が、磁性体であることを特
徴とする請求項１６に記載のナノ構造体。 - 【請求項２２】 請求項１〜２１のいずれかに記載のナ
ノ構造体の、前記細孔内に発光機能を有する物質が充填
されているナノ構造体を備えていることを特徴とする発
光デバイス。 - 【請求項２３】 請求項１〜２１のいずれかに記載のナ
ノ構造体の、前記細孔内に前記陽極酸化膜と異なる屈折
率を有する物質が充填されているナノ構造体を備えてい
ることを特徴とする光学デバイス。 - 【請求項２４】 請求項１〜２１のいずれかに記載のナ
ノ構造体の、前記細孔内に磁性体が充填されているナノ
構造体を備えていることを特徴とする磁性デバイス。 - 【請求項２５】 前記細孔内に、強磁性体と非磁性体の
積層構造体が充填されていることを特徴とする請求項２
４に記載の磁性デバイス。 - 【請求項２６】 複数種類の細孔を有する陽極酸化膜を
具備したナノ構造体の製造方法であって、（ａ）表面に
複数種類の細孔開始点を有する、アルミニウムを含む膜
を用意する工程；および（ｂ）該アルミニウムを含む膜
を陽極酸化する工程、を有し該複数種類の細孔開始点
は、互いに形状および組成の少なくとも一方が異なって
いることを特徴とするナノ構造体の製造方法。 - 【請求項２７】 前記複数種類の細孔開始点が、互いに
形状が異なる凹み形状を有することを特徴とする請求項
２６に記載のナノ構造体の製造方法。 - 【請求項２８】 前記複数種類の細孔開始点が、互いに
深さの異なる凹み形状を有することを特徴とする請求項
２６に記載のナノ構造体の製造方法。 - 【請求項２９】 前記工程（ａ）が、前記アルミニウム
を含む表面に集束イオンビームを照射する工程を有する
ことを特徴とする請求項２６に記載のナノ構造体の製造
方法。 - 【請求項３０】 前記工程（ａ）が、前記アルミニウム
を含む表面に、細孔開始点ごとに異なる照射量の集束イ
オンビームを照射する工程を有することを特徴とする請
求項２９に記載のナノ構造体の製造方法。 - 【請求項３１】 前記工程（ａ）が、前記アルミニウム
を含む表面に、細孔開始点ごとにビーム径の異なる集束
イオンビームを照射する工程を有することを特徴とする
請求項２９に記載のナノ構造体の製造方法。 - 【請求項３２】 前記工程（ａ）が、前記アルミニウム
を含む表面に、細孔開始点ごとに照射エネルギーの異な
る集束イオンビームを照射する工程を有することを特徴
とする請求項２９に記載のナノ構造体の製造方法。 - 【請求項３３】 直径の異なる第１および第２の細孔を
有する陽極酸化膜を具備したナノ構造体の製造方法であ
って、（ａ）表面に第１および第２の細孔開始点を有す
る、アルミニウムを含む膜を用意する工程；および
（ｂ）該表面を陽極酸化する工程、を有し、該第１およ
び第２の細孔開始点は、形状および組成の少なくとも一
方が互いに異なっていることを特徴とするナノ構造体の
製造方法。 - 【請求項３４】 前記第１および第２の細孔開始点が、
互いに形状が異なる凹部であることを特徴とする請求項
３３に記載のナノ構造体の製造方法。 - 【請求項３５】 前記第１および第２の細孔開始点が、
互いに深さの異なる凹みであることを特徴とする請求項
３３に記載のナノ構造体の製造方法。 - 【請求項３６】 前記工程（ａ）が、前記アルミニウム
を含む表面に異なる照射条件にて集束イオンビームを照
射する工程を有することを特徴とする請求項３３に記載
のナノ構造体の製造方法。 - 【請求項３７】 前記工程（ａ）が、前記アルミニウム
を含む表面に照射量の異なる集束イオンビームを照射す
る工程を有することを特徴とする請求項３３に記載のナ
ノ構造体の製造方法。 - 【請求項３８】 前記工程（ａ）が、前記アルミニウム
を含む表面にビーム径の異なる集束イオンビームを照射
する工程を有することを特徴とする請求項３３に記載の
ナノ構造体の製造方法。 - 【請求項３９】 前記工程（ａ）が、前記アルミニウム
を含む表面に照射エネルギーの異なる集束イオンビーム
を照射する工程を有することを特徴とする請求項３３に
記載のナノ構造体の製造方法。 - 【請求項４０】 請求項２６〜３９のいずれかに記載の
方法によって製造されたことを特徴とするナノ構造体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000093129A JP4536866B2 (ja) | 1999-04-27 | 2000-03-30 | ナノ構造体及びその製造方法 |
| US09/553,857 US6476409B2 (en) | 1999-04-27 | 2000-04-21 | Nano-structures, process for preparing nano-structures and devices |
| US10/252,395 US6784007B2 (en) | 1999-04-27 | 2002-09-24 | Nano-structures, process for preparing nano-structures and devices |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11910299 | 1999-04-27 | ||
| JP11-119102 | 1999-04-27 | ||
| JP2000093129A JP4536866B2 (ja) | 1999-04-27 | 2000-03-30 | ナノ構造体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001009800A true JP2001009800A (ja) | 2001-01-16 |
| JP4536866B2 JP4536866B2 (ja) | 2010-09-01 |
Family
ID=26456902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000093129A Expired - Fee Related JP4536866B2 (ja) | 1999-04-27 | 2000-03-30 | ナノ構造体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6476409B2 (ja) |
| JP (1) | JP4536866B2 (ja) |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003268592A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-09-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 構造体及び構造体の製造方法並びにこれを用いたセンサ |
| JP2004244689A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Univ Osaka | 多孔体の製造方法、及び多孔体 |
| JP2005172569A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 微細構造体、微細構造体の作製方法、ラマン分光方法および装置 |
| JP2005195440A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 被検体検出方法 |
| JP2005198815A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 押し形の採取方法、採取セットおよび採取装置 |
| JP2005307340A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-11-04 | Canon Inc | 構造体の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、成型体の製造方法 |
| JP2006051576A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | National Institute For Materials Science | 固体粒子充填方法とその方法で作製されたナノ構造体 |
| JP2006097125A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-04-13 | Canon Inc | 多孔質体の製造方法 |
| US7079250B2 (en) | 2002-01-08 | 2006-07-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Structure, structure manufacturing method and sensor using the same |
| JP2006250924A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-09-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | ラマン分光用デバイス、及びラマン分光装置 |
| JP2007248284A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Canon Inc | 検知素子、該検知素子を用いた標的物質検知装置及び標的物質を検知する方法 |
| JP2007247070A (ja) * | 2007-06-22 | 2007-09-27 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 陽極酸化ポーラスアルミナ複合体の製造方法 |
| KR100773925B1 (ko) * | 2006-02-08 | 2007-11-06 | 제주대학교 산학협력단 | 미세 물질층 상의 전극 형성 방법 |
| JP2007298840A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Canon Inc | 電磁波吸収体部を含むフォトニック結晶電磁波デバイス、及びその製造方法 |
| JP2008053615A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Canon Inc | 光電変換素子およびその製造方法 |
| WO2008044665A1 (fr) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | National Institute For Materials Science | Microrelais sans contact |
| JP2008511985A (ja) * | 2004-08-31 | 2008-04-17 | エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ | ナノ構造体及びそれを製造する方法 |
| JP2008150674A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Canon Inc | 微細構造の製造方法 |
| JP2008166602A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Sachiko Ono | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材及びその製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2008178877A (ja) * | 2008-03-18 | 2008-08-07 | National Institute For Materials Science | 磁気フィルター |
| JP2008178879A (ja) * | 2008-03-18 | 2008-08-07 | National Institute For Materials Science | 磁気フィルター |
| JP2008178878A (ja) * | 2008-03-18 | 2008-08-07 | National Institute For Materials Science | 磁気フィルター |
| JP2008188593A (ja) * | 2008-03-18 | 2008-08-21 | National Institute For Materials Science | 磁気フィルター |
| EP2000793A2 (en) | 2007-06-08 | 2008-12-10 | FUJIFILM Corporation | Microstructures, method for producing microstructures, and optical field amplifying device |
| US7470353B2 (en) | 2004-08-30 | 2008-12-30 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing field emitter electrode using self-assembling carbon nanotubes and field emitter electrode manufactured thereby |
| JP2009009650A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Fujitsu Ltd | 発色構造体、及びその製造方法、並びに、該発色構造体を有する電器製品 |
| EP2048492A1 (en) | 2007-10-10 | 2009-04-15 | FUJIFILM Corporation | Microstructure and method of manufacturing the same |
| JP2009539635A (ja) * | 2006-06-12 | 2009-11-19 | ザ クイーンズ ユニヴァーシティ オブ ベルファスト | 改良型のプラズモンカップリング装置 |
| US8008620B2 (en) | 2008-09-26 | 2011-08-30 | Fujifilm Corporation | Substrate for mass spectrometry and mass spectrometry method |
| US8319178B2 (en) | 2009-05-22 | 2012-11-27 | Fujifilm Corporation | Mass spectrometry apparatus and method using the apparatus |
Families Citing this family (114)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3387897B2 (ja) * | 1999-08-30 | 2003-03-17 | キヤノン株式会社 | 構造体の製造方法、並びに該製造方法により製造される構造体及び該構造体を用いた構造体デバイス |
| JP3610293B2 (ja) | 1999-09-22 | 2005-01-12 | キヤノン株式会社 | 細孔を有する構造体及び前記細孔を有する構造体を用いたデバイス |
| US7066234B2 (en) | 2001-04-25 | 2006-06-27 | Alcove Surfaces Gmbh | Stamping tool, casting mold and methods for structuring a surface of a work piece |
| JP3923244B2 (ja) * | 2000-09-01 | 2007-05-30 | 富士フイルム株式会社 | 光素子 |
| JP2003016921A (ja) * | 2000-09-20 | 2003-01-17 | Canon Inc | 構造体、電子放出素子、画像形成装置およびそれらの製造方法 |
| US6709929B2 (en) * | 2001-06-25 | 2004-03-23 | North Carolina State University | Methods of forming nano-scale electronic and optoelectronic devices using non-photolithographically defined nano-channel templates |
| US6843902B1 (en) | 2001-07-20 | 2005-01-18 | The Regents Of The University Of California | Methods for fabricating metal nanowires |
| AU2003221365A1 (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Porous material and process for producing the same |
| US6982217B2 (en) | 2002-03-27 | 2006-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Nano-structure and method of manufacturing nano-structure |
| US7022604B2 (en) * | 2002-04-09 | 2006-04-04 | Micron Technology, Inc. | Method of forming spatial regions of a second material in a first material |
| US6878634B2 (en) * | 2002-04-10 | 2005-04-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure having recesses and projections, method of manufacturing structure, and functional device |
| US20080153105A1 (en) * | 2002-07-30 | 2008-06-26 | Peter Martin | Optical sensor and methods for measuring molecular binding interactions |
| US20060063178A1 (en) * | 2002-06-27 | 2006-03-23 | Trex Enterprises Corporation | Optical sensor and methods for measuring molecular binding interactions |
| US7517656B2 (en) * | 2002-07-30 | 2009-04-14 | Trex Enterprises Corp. | Optical sensor and methods for measuring molecular binding interactions |
| KR20050051652A (ko) * | 2002-08-28 | 2005-06-01 | 유니버시티 오브 피츠버그 | 제어된 대칭과 정렬을 갖는 자기-편제 나노포어 어레이 |
| JP4254189B2 (ja) * | 2002-10-02 | 2009-04-15 | 株式会社ニコン | 光学素子、分光装置、及び集光装置 |
| US7507987B2 (en) * | 2002-10-11 | 2009-03-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of making packets of nanostructures |
| JP4434575B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2010-03-17 | キヤノン株式会社 | 熱電変換素子及びその製造方法 |
| JP4464041B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2010-05-19 | キヤノン株式会社 | 柱状構造体、柱状構造体を有する電極、及びこれらの作製方法 |
| US7841577B2 (en) * | 2002-12-16 | 2010-11-30 | Corona International Corporation | Composite of aluminum material and synthetic resin molding and process for producing the same |
| EP1445601A3 (en) * | 2003-01-30 | 2004-09-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Localized surface plasmon sensor chips, processes for producing the same, and sensors using the same |
| JP2004258169A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Alps Electric Co Ltd | 光偏向素子及びそれを用いた光スイッチ |
| ITTO20030167A1 (it) * | 2003-03-06 | 2004-09-07 | Fiat Ricerche | Procedimento per la realizzazione di emettitori nano-strutturati per sorgenti di luce ad incandescenza. |
| US7252698B2 (en) * | 2003-03-14 | 2007-08-07 | Northwestern University | Triangular nanoframes and method of making same |
| US7092101B2 (en) * | 2003-04-16 | 2006-08-15 | Duke University | Methods and systems for static multimode multiplex spectroscopy |
| US20100150781A1 (en) * | 2003-07-08 | 2010-06-17 | Trex Enterprises Corp. | Optical sensor and methods for measuring molecular binding interactions |
| US20050008900A1 (en) * | 2003-07-10 | 2005-01-13 | Masatoshi Ishii | Substrate for magnetic recording medium |
| JP4438049B2 (ja) * | 2003-08-11 | 2010-03-24 | キヤノン株式会社 | 電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ並びにその製造方法 |
| US7455759B2 (en) * | 2003-08-11 | 2008-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for production of a structure with pores by anodizing |
| TWI233697B (en) * | 2003-08-28 | 2005-06-01 | Genesis Photonics Inc | AlInGaN light-emitting diode with wide spectrum and solid-state white light device |
| JP2005072524A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Institute Of Physical & Chemical Research | 光電変換素子及びこれを用いた太陽電池 |
| JP4495426B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2010-07-07 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 超伝導膜およびその製造方法 |
| KR20050051041A (ko) * | 2003-11-26 | 2005-06-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 카본나노튜브의 형성방법 |
| KR20050065902A (ko) * | 2003-12-26 | 2005-06-30 | 한국전자통신연구원 | 나노 포어 형성 방법 |
| DE102004009612B4 (de) * | 2004-02-27 | 2010-11-18 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Schaltungsanordnung zum Verzögerungsabgleich von zeitversetzt arbeitenden Analog-Digital-Wandlern |
| EP1580305A3 (en) * | 2004-03-23 | 2008-01-16 | FUJIFILM Corporation | Fine structural body surface and method of producing the same |
| EP1772186B1 (en) * | 2004-05-31 | 2011-08-24 | Japan Science and Technology Agency | Process for producing nanoparticle or nanostructure with use of nanoporous material |
| US7129513B2 (en) * | 2004-06-02 | 2006-10-31 | Xintek, Inc. | Field emission ion source based on nanostructure-containing material |
| MD2714G2 (ro) * | 2004-10-19 | 2005-10-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Procedeu de obtinere a structurilor semiconductoare poroase |
| KR100898470B1 (ko) * | 2004-12-03 | 2009-05-21 | 샤프 가부시키가이샤 | 반사 방지재, 광학 소자, 및 표시 장치 및 스탬퍼의 제조 방법 및 스탬퍼를 이용한 반사 방지재의 제조 방법 |
| KR101078125B1 (ko) * | 2005-02-07 | 2011-10-28 | 삼성전자주식회사 | 다공성 물질을 이용한 비휘발성 나노 채널 메모리 소자 |
| US20060197436A1 (en) * | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | ZnO nanotip electrode electroluminescence device on silicon substrate |
| JP4603402B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-12-22 | 富士フイルム株式会社 | 微細構造体およびその製造方法 |
| CN1841587A (zh) * | 2005-04-02 | 2006-10-04 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 电极结构及其制备方法 |
| EP1715085B1 (en) * | 2005-04-18 | 2013-04-03 | FUJIFILM Corporation | Method for producing anodized structure |
| JP4850457B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
| JP4560502B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
| US8906609B1 (en) | 2005-09-26 | 2014-12-09 | Arrowhead Center, Inc. | Label-free biomolecule sensor based on surface charge modulated ionic conductance |
| JP4658129B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2011-03-23 | 三菱レイヨン株式会社 | 鋳型、鋳型の製造方法及びシートの製造方法 |
| US7570082B2 (en) * | 2006-08-15 | 2009-08-04 | International Business Machines Corporation | Voltage comparator apparatus and method having improved kickback and jitter characteristics |
| JP5127183B2 (ja) * | 2006-08-23 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP5164357B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP4665886B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2011-04-06 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体、垂直磁気記録媒体用基板、および、それらの製造方法 |
| US7898659B2 (en) | 2006-12-11 | 2011-03-01 | Fujifilm Corporation | Surface plasmon sensor, sensing apparatus and sensing method |
| US7781977B2 (en) * | 2006-12-20 | 2010-08-24 | General Electric Company | High temperature photonic structure for tungsten filament |
| US7786660B2 (en) * | 2007-02-06 | 2010-08-31 | General Electric Company | Highly emissive cavity for discharge lamp and method and material relating thereto |
| US8337712B2 (en) * | 2007-05-15 | 2012-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming etching mask, method for fabricating three-dimensional structure and method for fabricating three-dimensional photonic crystalline laser device |
| JP5069497B2 (ja) | 2007-05-24 | 2012-11-07 | 富士フイルム株式会社 | 質量分析用デバイス及びそれを用いた質量分析装置 |
| JP5106160B2 (ja) * | 2007-06-11 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 発光素子、及び発光素子の製造方法 |
| US8192815B2 (en) | 2007-07-13 | 2012-06-05 | Apple Inc. | Methods and systems for forming a dual layer housing |
| KR101395454B1 (ko) * | 2007-09-20 | 2014-05-15 | 삼성전자주식회사 | 그레이디드 굴절률을 갖는 광학 필름 및 이의 제조방법 |
| JP5145110B2 (ja) * | 2007-12-10 | 2013-02-13 | 富士フイルム株式会社 | 異方導電性接合パッケージの製造方法 |
| US20090160314A1 (en) * | 2007-12-20 | 2009-06-25 | General Electric Company | Emissive structures and systems |
| US8315043B2 (en) * | 2008-01-24 | 2012-11-20 | Apple Inc. | Methods and systems for forming housings from multi-layer materials |
| US8646637B2 (en) * | 2008-04-18 | 2014-02-11 | Apple Inc. | Perforated substrates for forming housings |
| US8367304B2 (en) | 2008-06-08 | 2013-02-05 | Apple Inc. | Techniques for marking product housings |
| JP2010071727A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Fujifilm Corp | 質量分析用デバイス及びそれを用いた質量分析装置、質量分析方法 |
| TWI375984B (en) * | 2008-09-19 | 2012-11-01 | Univ Nat Taiwan | Nano-hole array in conductor element for improving the contact conductance |
| US8008213B2 (en) * | 2008-09-30 | 2011-08-30 | Sandisk 3D Llc | Self-assembly process for memory array |
| US9494615B2 (en) * | 2008-11-24 | 2016-11-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of making and assembling capsulated nanostructures |
| US20100159273A1 (en) | 2008-12-24 | 2010-06-24 | John Benjamin Filson | Method and Apparatus for Forming a Layered Metal Structure with an Anodized Surface |
| US8114787B2 (en) * | 2009-02-19 | 2012-02-14 | Empire Technology Development Llc | Integrated circuit nanowires |
| US8138675B2 (en) * | 2009-02-27 | 2012-03-20 | General Electric Company | Stabilized emissive structures and methods of making |
| US8253536B2 (en) * | 2009-04-22 | 2012-08-28 | Simon Fraser University | Security document with electroactive polymer power source and nano-optical display |
| US9173336B2 (en) | 2009-05-19 | 2015-10-27 | Apple Inc. | Techniques for marking product housings |
| US9884342B2 (en) * | 2009-05-19 | 2018-02-06 | Apple Inc. | Techniques for marking product housings |
| US8398841B2 (en) * | 2009-07-24 | 2013-03-19 | Apple Inc. | Dual anodization surface treatment |
| US8663806B2 (en) * | 2009-08-25 | 2014-03-04 | Apple Inc. | Techniques for marking a substrate using a physical vapor deposition material |
| US10071583B2 (en) * | 2009-10-16 | 2018-09-11 | Apple Inc. | Marking of product housings |
| US8809733B2 (en) * | 2009-10-16 | 2014-08-19 | Apple Inc. | Sub-surface marking of product housings |
| US20110089039A1 (en) * | 2009-10-16 | 2011-04-21 | Michael Nashner | Sub-Surface Marking of Product Housings |
| US9845546B2 (en) | 2009-10-16 | 2017-12-19 | Apple Inc. | Sub-surface marking of product housings |
| US8628836B2 (en) * | 2010-03-02 | 2014-01-14 | Apple Inc. | Method and apparatus for bonding metals and composites |
| US9991427B2 (en) * | 2010-03-08 | 2018-06-05 | Cree, Inc. | Photonic crystal phosphor light conversion structures for light emitting devices |
| US8489158B2 (en) | 2010-04-19 | 2013-07-16 | Apple Inc. | Techniques for marking translucent product housings |
| US8724285B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-05-13 | Apple Inc. | Cosmetic conductive laser etching |
| US20170267520A1 (en) * | 2010-10-21 | 2017-09-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a micro-structure |
| US20120248001A1 (en) | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Nashner Michael S | Marking of Fabric Carrying Case for Portable Electronic Device |
| US9280183B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-08 | Apple Inc. | Advanced techniques for bonding metal to plastic |
| FR2981951B1 (fr) * | 2011-10-26 | 2013-11-01 | Norsk Hydro As | Procede de finition anodisee d'un profile metallique a base d'aluminium, avec motif, et profile ainsi obtenu |
| US8879266B2 (en) | 2012-05-24 | 2014-11-04 | Apple Inc. | Thin multi-layered structures providing rigidity and conductivity |
| US10071584B2 (en) | 2012-07-09 | 2018-09-11 | Apple Inc. | Process for creating sub-surface marking on plastic parts |
| US9314871B2 (en) | 2013-06-18 | 2016-04-19 | Apple Inc. | Method for laser engraved reflective surface structures |
| US9434197B2 (en) | 2013-06-18 | 2016-09-06 | Apple Inc. | Laser engraved reflective surface structures |
| US9574135B2 (en) * | 2013-08-22 | 2017-02-21 | Nanoco Technologies Ltd. | Gas phase enhancement of emission color quality in solid state LEDs |
| KR20160006335A (ko) * | 2014-07-08 | 2016-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판, 디스플레이 장치, 박막트랜지스터 기판 제조방법 및 디스플레이 장치 제조방법 |
| US10025028B2 (en) | 2014-09-13 | 2018-07-17 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Fluid-based light guiding structure and fabrication thereof |
| US9687577B2 (en) | 2014-09-13 | 2017-06-27 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Ultraviolet illuminator for footwear treatment |
| WO2016040925A1 (en) | 2014-09-13 | 2016-03-17 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Fluid-based light guiding structure and fabrication thereof |
| US9703055B2 (en) * | 2014-09-13 | 2017-07-11 | Sensor Electronic Technology, Inc. | AAO-based light guiding structure and fabrication thereof |
| CN107073145B (zh) | 2014-09-13 | 2020-12-04 | 首尔伟傲世有限公司 | 漫射光照明器 |
| US10197750B2 (en) | 2014-09-13 | 2019-02-05 | Sensor Electronic Technology, Inc. | AAO-based light guiding structure and fabrication thereof |
| WO2016094353A1 (en) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | University Of Houston System | Systems and methods for rapidly fabricating nanopatterns in a parallel fashion over large areas |
| KR101781976B1 (ko) * | 2015-04-08 | 2017-10-23 | 한국과학기술연구원 | 나노구조 하이브리드 입자 및 그 제조방법, 그리고 상기 입자를 포함하는 장치 |
| JP6593017B2 (ja) * | 2015-08-05 | 2019-10-23 | コニカミノルタ株式会社 | 高アスペクト比構造物の製造方法 |
| GB2543514B (en) * | 2015-10-20 | 2020-04-01 | Ecorenew Dmcc | A Method for Preserving a Mark on a Metallic Workpiece |
| CN105442014B (zh) * | 2015-11-12 | 2019-05-03 | 南京大学 | 一种复合材料器件 |
| RU2620801C1 (ru) * | 2015-12-28 | 2017-05-29 | Кирилл Сергеевич Напольский | Способ формирования цветного декоративного покрытия с помощью анодирования |
| JP6766388B2 (ja) * | 2016-03-15 | 2020-10-14 | コニカミノルタ株式会社 | 高アスペクト比構造物の製造方法およびこれを用いた超音波プローブの製造方法ならびに高アスペクト比構造物 |
| KR101840438B1 (ko) | 2016-04-04 | 2018-03-20 | 강원대학교 산학협력단 | 나노 크기의 구조물이 표면에 형성된 마이크로 크기의 구조물 제작 방법 |
| CN106480484B (zh) * | 2016-10-12 | 2018-06-26 | 中山大学 | 一种反射型图像器件的制备及应用方法 |
| CN106772740A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-05-31 | 兰州大学 | 一种用于热光电池的光子晶体过滤器及其应用 |
| EP3518280B1 (en) * | 2018-01-25 | 2020-11-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic product having embedded porous dielectric and method of manufacture |
| US10999917B2 (en) | 2018-09-20 | 2021-05-04 | Apple Inc. | Sparse laser etch anodized surface for cosmetic grounding |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5931801A (ja) * | 1982-08-14 | 1984-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁性粉末およびその製造方法 |
| JPH07216587A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-15 | Pentel Kk | 結晶質酸化アルミニウム薄膜体の製造方法 |
| JPH0897398A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-12 | Toshiba Corp | 量子効果装置及びその製造方法 |
| JPH08246190A (ja) * | 1995-03-08 | 1996-09-24 | Hideo Kameyama | 陽極酸化皮膜及びそれを形成させる方法 |
| JPH09316692A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-09 | Fine Ceramics Center | 微細孔を有するアルミナ膜及びその製造法 |
| JPH1037000A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | アルミニウム板の粗面化方法および粗面化装置 |
| JPH10121292A (ja) * | 1996-08-26 | 1998-05-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法 |
| JPH11200090A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-07-27 | Canon Inc | ナノ構造体及びその製造方法 |
| JPH11224422A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2000031462A (ja) * | 1998-03-27 | 2000-01-28 | Canon Inc | ナノ構造体とその製造方法、電子放出素子及びカ―ボンナノチュ―ブデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0619602A3 (en) * | 1993-04-07 | 1995-01-25 | Sony Corp | Semiconductor device and manufacturing method. |
| JP2698796B2 (ja) * | 1994-04-20 | 1998-01-19 | 豊田合成株式会社 | ３族窒化物半導体発光素子 |
| EP0931859B1 (en) | 1996-08-26 | 2008-06-04 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of manufacturing porous anodized alumina film |
| US6359288B1 (en) * | 1997-04-24 | 2002-03-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanowire arrays |
-
2000
- 2000-03-30 JP JP2000093129A patent/JP4536866B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-04-21 US US09/553,857 patent/US6476409B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-09-24 US US10/252,395 patent/US6784007B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5931801A (ja) * | 1982-08-14 | 1984-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁性粉末およびその製造方法 |
| JPH07216587A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-15 | Pentel Kk | 結晶質酸化アルミニウム薄膜体の製造方法 |
| JPH0897398A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-12 | Toshiba Corp | 量子効果装置及びその製造方法 |
| JPH08246190A (ja) * | 1995-03-08 | 1996-09-24 | Hideo Kameyama | 陽極酸化皮膜及びそれを形成させる方法 |
| JPH09316692A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-09 | Fine Ceramics Center | 微細孔を有するアルミナ膜及びその製造法 |
| JPH1037000A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | アルミニウム板の粗面化方法および粗面化装置 |
| JPH10121292A (ja) * | 1996-08-26 | 1998-05-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法 |
| JPH11200090A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-07-27 | Canon Inc | ナノ構造体及びその製造方法 |
| JPH11224422A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2000031462A (ja) * | 1998-03-27 | 2000-01-28 | Canon Inc | ナノ構造体とその製造方法、電子放出素子及びカ―ボンナノチュ―ブデバイスの製造方法 |
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7079250B2 (en) | 2002-01-08 | 2006-07-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Structure, structure manufacturing method and sensor using the same |
| JP2003268592A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-09-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 構造体及び構造体の製造方法並びにこれを用いたセンサ |
| JP2004244689A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Univ Osaka | 多孔体の製造方法、及び多孔体 |
| JP2005172569A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 微細構造体、微細構造体の作製方法、ラマン分光方法および装置 |
| JP2005195440A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 被検体検出方法 |
| JP2005198815A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 押し形の採取方法、採取セットおよび採取装置 |
| US7700932B2 (en) | 2004-01-15 | 2010-04-20 | Fujifilm Corporation | Method, set, and apparatus for obtaining prints of a part of the human body |
| JP2005307340A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-11-04 | Canon Inc | 構造体の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、成型体の製造方法 |
| JP2006051576A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | National Institute For Materials Science | 固体粒子充填方法とその方法で作製されたナノ構造体 |
| JP4714829B2 (ja) * | 2004-08-12 | 2011-06-29 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 固体粒子充填方法 |
| US7470353B2 (en) | 2004-08-30 | 2008-12-30 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing field emitter electrode using self-assembling carbon nanotubes and field emitter electrode manufactured thereby |
| JP2008511985A (ja) * | 2004-08-31 | 2008-04-17 | エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ | ナノ構造体及びそれを製造する方法 |
| JP4641442B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2011-03-02 | キヤノン株式会社 | 多孔質体の製造方法 |
| JP2006097125A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-04-13 | Canon Inc | 多孔質体の製造方法 |
| JP2006250924A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-09-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | ラマン分光用デバイス、及びラマン分光装置 |
| JP4685650B2 (ja) * | 2005-02-14 | 2011-05-18 | 富士フイルム株式会社 | ラマン分光用デバイス、及びラマン分光装置 |
| KR100773925B1 (ko) * | 2006-02-08 | 2007-11-06 | 제주대학교 산학협력단 | 미세 물질층 상의 전극 형성 방법 |
| JP2007248284A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Canon Inc | 検知素子、該検知素子を用いた標的物質検知装置及び標的物質を検知する方法 |
| JP2007298840A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Canon Inc | 電磁波吸収体部を含むフォトニック結晶電磁波デバイス、及びその製造方法 |
| JP2009539635A (ja) * | 2006-06-12 | 2009-11-19 | ザ クイーンズ ユニヴァーシティ オブ ベルファスト | 改良型のプラズモンカップリング装置 |
| JP2008053615A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Canon Inc | 光電変換素子およびその製造方法 |
| JP5266472B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2013-08-21 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 無接点マイクロリレー |
| WO2008044665A1 (fr) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | National Institute For Materials Science | Microrelais sans contact |
| JP2008150674A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Canon Inc | 微細構造の製造方法 |
| JP2008166602A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Sachiko Ono | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材及びその製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ |
| EP2000793A2 (en) | 2007-06-08 | 2008-12-10 | FUJIFILM Corporation | Microstructures, method for producing microstructures, and optical field amplifying device |
| JP2007247070A (ja) * | 2007-06-22 | 2007-09-27 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 陽極酸化ポーラスアルミナ複合体の製造方法 |
| JP4748735B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2011-08-17 | 富士通株式会社 | 発色構造体、及びその製造方法、並びに、該発色構造体を有する電器製品 |
| JP2009009650A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Fujitsu Ltd | 発色構造体、及びその製造方法、並びに、該発色構造体を有する電器製品 |
| EP2048492A1 (en) | 2007-10-10 | 2009-04-15 | FUJIFILM Corporation | Microstructure and method of manufacturing the same |
| JP2008178877A (ja) * | 2008-03-18 | 2008-08-07 | National Institute For Materials Science | 磁気フィルター |
| JP2008188593A (ja) * | 2008-03-18 | 2008-08-21 | National Institute For Materials Science | 磁気フィルター |
| JP2008178879A (ja) * | 2008-03-18 | 2008-08-07 | National Institute For Materials Science | 磁気フィルター |
| JP2008178878A (ja) * | 2008-03-18 | 2008-08-07 | National Institute For Materials Science | 磁気フィルター |
| US8008620B2 (en) | 2008-09-26 | 2011-08-30 | Fujifilm Corporation | Substrate for mass spectrometry and mass spectrometry method |
| US8319178B2 (en) | 2009-05-22 | 2012-11-27 | Fujifilm Corporation | Mass spectrometry apparatus and method using the apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4536866B2 (ja) | 2010-09-01 |
| US20020109134A1 (en) | 2002-08-15 |
| US6476409B2 (en) | 2002-11-05 |
| US6784007B2 (en) | 2004-08-31 |
| US20030020060A1 (en) | 2003-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4536866B2 (ja) | ナノ構造体及びその製造方法 | |
| US6541386B2 (en) | Method for producing a structure with narrow pores | |
| JP3754876B2 (ja) | 細孔を有する構造体の製造方法及び細孔を有する構造体 | |
| JP3610293B2 (ja) | 細孔を有する構造体及び前記細孔を有する構造体を用いたデバイス | |
| JP4146978B2 (ja) | 細孔を有する構造体の製造方法、該製造方法により製造された構造体 | |
| JP3902883B2 (ja) | ナノ構造体及びその製造方法 | |
| US7214418B2 (en) | Structure having holes and method for producing the same | |
| US6610463B1 (en) | Method of manufacturing structure having pores | |
| JP3729449B2 (ja) | 細孔を有する構造体及びデバイス | |
| JP2001205600A (ja) | 微細構造体及びその製造方法 | |
| JP4708596B2 (ja) | ナノ構造体の製造方法 | |
| JP2003113497A (ja) | 多孔質構造体及びその製造方法 | |
| JP2000315785A (ja) | ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体デバイス | |
| JP4641331B2 (ja) | ナノ構造体及びその製造方法 | |
| JP2002084037A (ja) | 発光体、構造体及びその製造方法 | |
| KR100973522B1 (ko) | 양극 산화 알루미늄과 원자층 증착 공정을 이용한 루테늄 나노 구조물의 제조방법 | |
| JP2002004087A (ja) | ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体 | |
| JP4136730B2 (ja) | 細孔を有する構造体及びその製造方法 | |
| JP4097224B2 (ja) | ナノ構造体および電子放出素子 | |
| Korotcenkov | Approaches to PSi Parameters Control |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070312 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100316 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100517 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100615 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100617 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |