JP2000269415A - 内燃機関用の樹脂封止形電子装置 - Google Patents

内燃機関用の樹脂封止形電子装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】内燃機関用の半導体パワー素子のはんだ付け部
の耐久性（長寿命）を高め、しかも装置全体の剛性も高
めて曲げ応力に強く変形しにくい信頼性の高い樹脂封止
形電子装置を提供する。 【課題】金属製のヒートシンク１上にハイブリッドＩＣ
基板２及び半導体パワー素子３が搭載される。半導体パ
ワー素子３は、ヒートシンク１にＳｎ−Ｓｂ系はんだ４
を用いて接合される。半導体パワー素子３，ハイブリッ
ドＩＣ基板２，ヒートシンク１及び入出力用端子６−１
〜６−３が該入出力用端子の一部を除いて、トランスフ
ァモールドにより成形された無機質充填材７０〜９０重
量％のエポキシのパッケージ７に埋設されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電子点火装
置（イグナイタ）のように自動車用エンジンルーム内に
実装される内燃機関用の電子装置に係わり、更に詳細に
は、樹脂封止形のパッケージ構造を備えた電子装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】内燃機関用の半導体パッケージ構造、特
にイグナイタの従来技術としては、特許番号第２５９０
６０１号に記載のように回路基板、パワートランジスタ
を放熱板（ヒートシンク）と共に合成樹脂によりトラン
スファモールドしたものがある。この従来例における、
パワートランジスタは、ヒートスプレッダ及び絶縁板を
介して放熱板に接合されている。
【０００３】また、特開平８−６９９２６号公報に記載
の内燃機関用点火装置には、箱形に成形したヒートシン
クの内部に、制御用回路基板，パワースイッチング素子
を搭載し、このうちパワースイッチング素子は、ヒート
シンク上にＳｎ（錫）とＳｂ（アンチモン）を適宜ブレ
ンドしたＳｎ−Ｓｂ系のはんだを介して接合し、また、
制御用回路基板は、ヒートシンクにシリコン系接着剤等
で接着し、且つこのような部品搭載後にヒートシンク内
部にシリコン系ゲルを注入する技術が開示されている。
さらに、同公報には、パワートランジスタだけを備えた
樹脂封止形トランジスタパッケージユニット（エポキシ
によるトランスファモールド）に上記のＳｎ−Ｓｂ系は
んだを用いたパワートランジスタ接合技術を適用するこ
とが可能な旨の記載がある。
【０００４】そのほかの従来例としては、特開平９−１
７７６４７号記載のように、半導体チップ上に機能回路
を構成し１チップ化した、点火装置もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】イグナイタ等の内燃機
関用の電子装置は、過酷な温度条件で使用されるが、耐
久性（長寿命）を要求される部品である。また、要求さ
れる仕様により、多機能を要求される仕様のものもあ
り、従来技術で述べた１チップ化品では、要求仕様を満
足することができず、半導体パワー素子及び回路基板を
個別に製作して要求仕様を満足させる必要がある。
【０００６】内燃機関用の半導体パッケージ構造で特に
高寿命を要求されるのは、自己発熱の大きいスイッチン
グ用の半導体パワー素子の部分である。
【０００７】すなわち、上記半導体パワー素子は、一般
に材料がＳｉ（シリコン）であり、このＳｉをヒートシ
ンクに積層する場合、Ｓｉとヒートシンクの線膨張係数
差（例えばＳｉの線膨張係数が約３×１０~6／℃、ヒー
トシンクはＣｕで線膨張係数が約１７×１０~6／℃）が
はんだ付け部のストレスとなり、はんだ付け部の寿命を
支配している。この種の電子部品のはんだとして一般的
に用いられていた従来のＰｂ−Ｓｎ系の高温はんだ（Ｐ
ｂ：Ｓｎ＝９０：１０）では、この線膨張差を吸収する
には充分ではなく、目標耐久寿命を確保することが困難
であり、そのため、従来は線膨張係数差を緩和する熱緩
衝部材（例えばモリブデン）を積層することでストレス
を緩和していた。
【０００８】半導体パワー素子とヒートシンクの接合
に、上記Ｐｂ−Ｓｎ系はんだに代わって上記特開平８−
６９９２６号公報に記載のようにＳｎ−Ｓｂ系はんだ
（例えば、Ｓｂを５〜８％，Ｎｉを０．０〜０．８％、
Ｐを０．０〜０．１％残りをＳｎとするはんだ）を用い
た場合には、このＳｎ−Ｓｂ系はんだは剛性が高いため
に、上記の半導体パワー素子とヒートシンクとの間の線
膨張係数差による熱衝撃の進展速度を遅くでき、はんだ
付け部の耐久性を向上させることができるものと評価さ
れる。
【０００９】本発明の目的は、このようなＳｎ−Ｓｂ系
はんだの利点を活かしつつ、さらに、内燃機関用の半導
体パワー素子のはんだ付け部の耐久性（長寿命）を図
れ、しかも装置全体の剛性も高めて曲げ応力に強く変形
しにくい電子装置を提供することにある。さらに、環境
上の問題の配慮して、電子装置全体を鉛不使用の高温は
んだ使用を実現させることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】（１）本発明における内
燃機関用の電子装置は、金属製のヒートシンク上にハイ
ブリッドＩＣを備えた基板（ハイブリッドＩＣ基板）及
び半導体パワー素子が固定され、前記半導体パワー素子
は、前記ヒートシンクにＳｎ−Ｓｂ系はんだを用いて接
合され、この半導体パワー素子，ハイブリッドＩＣ基
板，ヒートシンク及び入出力用端子が該入出力用端子の
一部を除いて、トランスファモールドされた無機質充填
材７０〜９０重量％のエポキシのパッケージに埋設され
ていることを特徴とする。
【００１１】なお、このように構成される本発明は、見
方を変えれば、半導体パワー素子，ハイブリッドＩＣ基
板，ヒートシンク及び入出力用端子の一部がトランスフ
ァモールドされたエポキシのパッケージに埋設され、且
つこのエポキシは、線膨張係数が前記半導体パワー素子
の線膨張係数と前記ヒートシンクの線膨張係数との間の
値をとるよう無機質充填材の含有量が調整されていると
いうことである。
【００１２】半導体パワー素子（例えばＳｉ製）とヒー
トシンク（例えば、Ｃｕ製）とを接合するはんだを、Ｓ
ｎ−Ｓｂ系はんだとした場合、その厚み管理を適正に行
なうことで、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだは、既述したように剛
性が高いために、Ｓｉとヒートシンク間の線膨張係数差
に伴う熱変形（膨張，収縮）を抑える働きが生じ、しか
も、トランスファモールド成形されたエポキシパッケー
ジを上記したように無機質充填材を高配合割合（通常の
配合割合よりも極めて高い）にすることで、その線膨張
係数をＳｉとヒートシンク（Ｃｕ）の間、例えば、約１
０×１０~6／℃とすることができ、しかも、このように
高配合無機質充填材入りのエポキシは、通常の絶縁モー
ルドに使用する一般的なエポキシよりも硬質な状態でパ
ッケージ中の電子部品を堅く固定するので、半導体パワ
ー素子やヒートシンクの熱膨張，収縮変形を抑える機能
をなす。したがって、半導体パワー素子とヒートシンク
との間の線膨張係数差による熱衝撃の進展速度を今まで
よりも遅くすることができ、半導体パワー素子のはんだ
付け部の耐久性を向上させることができる。
【００１３】さらに、ハイブリッドＩＣ基板を搭載して
トランスファモールドするとき、ハイブリッドＩＣ基板
は通常アルミナ系セラミックを使用するため、曲げ応力
に対して注意しなければならない。この場合、半導体パ
ワー素子の接合に使用するＳｎ−Ｓｂ系はんだは、はん
だ自体の剛性が高く、これを使用することによりハイブ
リッドＩＣ基板を搭載するヒートシンクの剛性を高め、
したがってハイブリッドＩＣ基板やヒートシンクに曲げ
応力が加えられてもその変形を低減させることができ
る。
【００１４】（２）さらに、もう一つの発明に係わる内
燃機関用の樹脂封止形電子装置は、金属製のヒートシン
ク上にハイブリッドＩＣを備えた基板及び半導体パワー
素子が固定され、前記半導体パワー素子は、前記ヒート
シンクにＳｎ−Ｓｂ系はんだを用いて接合され、前記ハ
イブリッドＩＣ基板上の導体材料は、Ａｇ−Ｐｔ系導体
もしくはＣｕ系導体で、このハイブリッドＩＣ基板に搭
載する部品のはんだ付けに使用するはんだを、Ｓｎ−Ａ
ｇ系はんだ又はＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだとし、前記半
導体パワー素子，ハイブリッドＩＣ基板，ヒートシンク
及び入出力用端子が該入出力用端子の一部を除いて、ト
ランスファモールドされた合成樹脂製のパッケージに埋
設されていることを特徴とする。
【００１５】上記構成によれば、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだの
利点を活かして半導体パワー素子とヒートシンクの熱衝
撃緩和を図りつつ、さらに、この半導体パワー素子及び
その他の部品のはんだ付け部を鉛不使用の高温はんだ使
用とすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面を用いて説
明する。図１及び図２は、本発明の一実施例に係わる内
燃機関用の樹脂封止形電子装置の一例としてイグナイタ
を例示しており、図１（ａ）はその側面断面図、図１
（ｂ）はその平面図、図２はその透視斜視図を示す。
【００１７】図中、１は銅あるいはアルミニウム製のヒ
ートシンク、２はハイブリッドＩＣ基板（混成回路基
板）、３は半導体パワー素子である。
【００１８】基板２上には、イグナイタとして要求され
る機能を構成するハイブリッドＩＣ１０，チップコンデ
ンサ１１，ＭＩＣ等が搭載（固定）されている。半導体
パワー素子３は、点火コイル（図示省略）の一次電流を
通電，遮断するスイッチング素子として使用され、パワ
ートランジスタやＩＧＢＴ（絶縁ゲート形バイポーラト
ランジスタ）を用いる。ＩＧＢＴを用いた場合には、素
子の発熱を低減し、自己発熱による熱ストレス低減に貢
献することができる。
【００１９】半導体パワー素子３は、ヒートシンク１に
Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ４を用いて接合されている。Ｓｎ−
Ｓｂ系はんだ４は、例えば、成分がＳｂ＝５±０．５重
量％、Ｎｉ＝０．６±０．２重量％、Ｐ＝０．０５±
０．０１５重量％、残りがＳｎで構成されている。Ｓｎ
−Ｓｂ系はんだは、Ｃｕ又はＡｌに対して濡れ性が悪い
ので、予め相性の良いＮｉめっきをヒートシンク１のは
んだ付け部に２〜１０μｍの厚みで施し（なお、Ｎｉめ
っきは、Ｐを含有されていなければベストであるがＰの
含有量が１０重量％以下であれば支障はない）、はんだ
付けを行なう。また、Ｓｂ−Ｓｎ系はんだ４は、酸化し
易いので、水素または窒素、またはその混合である雰囲
気の酸化還元炉を用いはんだ付けが行なわれる。
【００２０】さらに、Ｓｂ−Ｓｎ系はんだ４には、φ３
０〜１５０μｍの球状の金属９を混合してはんだの膜厚
が均一の厚みを保つようにコントロールされている。球
状金属９は、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだの主成分であるＳｎと
線膨張係数が近似（１０〜３０×１０~6／℃）の金属材
料が使用される。このようにして、安定したはんだ付け
が可能になる。
【００２１】ハイブリッドＩＣ基板２は、アルミナ系セ
ラミックで成形され、発熱性がほとんど無いために、ヒ
ートシンク１上に樹脂系の接着剤１３を介して接着され
る。
【００２２】ハイブリッドＩＣ基板２上の導体材料（図
示省略）は、Ａｇ−Ｐｔ（銀／白金）系導体もしくはＣ
ｕ系導体で、このハイブリッドＩＣ基板２に搭載する部
品（コンデンサ１１やワイヤボンディングパッド８等）
のはんだ付けに使用するはんだを、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ
又はＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだとしている。使用するは
んだは、Ｓｎ−Ａｇ系はんだの場合、Ａｇが１〜４重量
％、残りがＳｎである。また、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はん
だの場合、Ａｇが１〜４重量％、銅が０．１〜１重量
％、残りがＳｎである。これらのはんだは、Ｓｎ−Ｓｂ
系よりも高温融解温度であり、使用環境が高温下となっ
たときの基板の導体材料とはんだの拡散を抑制し、はん
だ付け部の寿命を向上させ、しかも、半導体パワー素子
３のはんだ付け時の温度で融解しない。
【００２３】６−１〜６−３は信号入出力端子であり、
例えば、６−１が図示されないＥＣＵ（エンジンコント
ロールユニット）からの点火信号を入力する信号入力端
子、６−２が半導体パワー素子３のコレクタと接続され
る出力端子、６−３がグラウンド端子である。
【００２４】入出力用端子６−１〜６−３は、元々がヒ
ートシンク１と同一の金属板により該ヒートシンクと一
体にプレス成形され、そのうち導体を介してハイブリッ
ドＩＣ１０と電気的に接続される端子６−１，６−３
は、ヒートシンク１と切り離されワイヤ５，ボンディン
グパッド８，導体を介してハイブリッドＩＣ１０と電気
的に接続されている。また、半導体パワー素子３と電気
的に接続される端子６−２は、ヒートシンク１と一体に
つながった状態を保って該ヒートシンク１及びＳｎ−Ｓ
ｂ系はんだ４を介して半導体パワー素子３と電気的に接
続されている。
【００２５】ハイブリッドＩＣ基板２は、半導体パワー
素子３の一次電流制御及びグラウンド接続のために、ア
ルミワイヤ５及びパッド８を介して半導体パワー素子３
と電気的に接続されている。
【００２６】以上のようにして、構成された電子装置組
立体（ヒートシンク１，ハイブリッドＩＣ基板２，半導
体パワー素子３，アルミワイヤ５，チップコンデンサ
４，ＭＩＣ，パッド８）や入出力用端子６−１〜６−３
の一部が、トランスファモールドにより成形された無機
質充填材７０〜９０重量％のエポキシのパッケージ７に
埋設されている。
【００２７】エポキシパッケージ７に配合される無機質
充填材は、例えば、半導体部品のダメージを少なくする
ために、丸まったフィラー、例えば溶融シリカが使用さ
れ、上記したような高配合無機質充填材により、エポキ
シは、線膨張係数が半導体パワー素子（Ｓｉ）の線膨張
係数３×１０~6／℃とヒートシンク（Ｃｕ）の線膨張係
数１７×１０~6／℃との間の値，例えば約１０×１０~6
／℃をとるよう調整される。なお、ハイブリッドＩＣ基
板１０は、アルミナ系セラミックの場合には、その線膨
張係数は、約７×１０~6／℃である。
【００２８】本実施例品によれば、外部のＥＣＵからの
点火信号が端子６−１を介して入力されると、ハイブリ
ッドＩＣ１０が一次電流の制御を伴って半導体パワー素
子３をオン，オフ制御し、これにより点火コイル（図示
せず）の二次側に高電圧が発生する。
【００２９】発熱性を有する半導体パワー素子３の素材
Ｓｉとヒートシンク１の素材Ｃｕ又はＡｌとの線膨張係
数差が大きいが、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ４は通常使用され
ている高温はんだ(Ｐｂ：Ｓｎ＝９０：１０程度)よりも
剛性が高く、耐熱サイクル性に優れたはんだ材であるこ
と、及び、高配合無機質充填入材入りエポキシ（トラン
スファモールド）７により、半導体パワー素子のはんだ
接合部の耐熱衝撃性能を高め、長寿命化を図ることが可
能になる。
【００３０】すなわち、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ４は、剛性
が高いために、Ｓｉとヒートシンク間の線膨張係数差に
伴う熱変形（膨張，収縮）を抑える働きが生じ、しか
も、トランスファモールド成形されたエポキシパッケー
ジ７を上記したように無機質充填材を高配合割合（通常
の配合割合よりも極めて高い）にすることで、その線膨
張係数をＳｉとヒートシンク（Ｃｕ）の間、例えば、約
１０×１０~6／℃とすることができ、しかも、このよう
に高配合無機質充填材入りのエポキシは、通常の絶縁モ
ールドに使用する一般的なエポキシよりも硬質な状態で
パッケージ中の電子部品を堅く固定するので、半導体パ
ワー素子３やヒートシンク１の熱膨張，収縮変形を抑え
る機能をなす。したがって、半導体パワー素子３とヒー
トシンク１との間の線膨張係数差による熱衝撃の進展速
度を今までよりも遅くすることができ、はんだ付け部の
耐久性を向上させることができる。
【００３１】また、ハイブリッドＩＣ基板２を搭載して
トランスファモールドするとき、ハイブリッドＩＣ基板
は通常アルミナ系セラミックを使用するため、曲げ応力
に対して注意しなければならないが、本実施例では、半
導体パワー素子の接合に使用するＳｎ−Ｓｂ系はんだ４
のはんだ自体の剛性が高いために、これを使用すること
によりハイブリッドＩＣ基板を搭載するヒートシンクの
剛性を高め、その結果、ハイブリッドＩＣ基板やヒート
シンクに曲げ応力が加えられてもその変形を低減させる
ことができる。
【００３２】さらに、本実施例によれば、この種全体の
はんだ付け部を鉛不使用の高温はんだ使用とすることが
でき、環境の安全性に貢献することができる。
【００３３】また、本実施例によれば、以下に述べるよ
うに従来品に較べて部品点数を少なくし、しかも、製作
作業工程数の合理化を図ることで、コスト低減を図り得
る。
【００３４】図３にイグナイタの従来例である側面断面
図を示す。なお、図中、図１，図２と同一符号は同一あ
るいは共通する要素を示す。
【００３５】符号の２０が箱形に成形したヒートシンク
で、その内部にハイブリッドＩＣ基板２，半導体パワー
素子３が搭載される。半導体パワー素子３はヒートシン
ク２０上の銀ろう付け（符号の２３）したモリブデン板
（熱衝撃緩和材）２２にＰｂ−Ｓｎ系はんだ２４を用い
て接合されている。ハイブリッドＩＣ基板２はヒートシ
ンク２にシリコン系接着剤２７等で接着されている。入
出力用端子６は、モールド成形された端子ホルダー（タ
ーミナル部組）２６と一体に固着され、端子ホルダー２
６がヒートシンク２０に接着されている。図４にその一
連の組立工程図を示す。
【００３６】図５に上記した実施例の組立工程を示す。
図５と図４とを比較して理解できるように、本実施例で
は、電子装置の構成部品を入出力用端子（外部接続用端
子）の一部を除いてトランスファモールドのエポキシパ
ッケージに埋設するものであるが、従来例に比較して、
モリブデン板を不要とし、また、ターミナル部組のヒー
トシンクへの取り付け，接着作業やシリコンゲル注入・
硬化作業を不要とし、部品点数及び作業工程を大幅に合
理化することができる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、厳しい温度環境条件で
使用される内燃機関用の半導体パワー素子のはんだ付け
部の耐久性（長寿命）を今までよりも一層向上させるこ
とができ、しかも装置全体の剛性も高めて曲げ応力に強
く変形しにくい信頼性の高い電子装置を、コスト低減を
図りつつ提供することができる。さらに、電子装置全体
を鉛不使用の高温はんだ使用を実現させ、環境上の安全
性に貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の一実施例に係わる樹脂封止形
電子装置の側面断面図、（ｂ）はその平面図。
【図２】上記実施例の透視斜視図。
【図３】イグナイタの従来例である側面断面図。
【図４】上記従来例の一連の組立工程を示すフローチャ
ート。
【図５】本実施例品の一連の組立工程を示すフローチャ
ート。
【符号の説明】
１…ヒートシンク、２…ハイブリッドＩＣ基板、３…半
導体パワー素子、４…Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ、６−１〜６
−３…入出力用端子、７…トランスファモールド（パッ
ケージ）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/40 23/36 Ａ (72)発明者 深津 克明 茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会 社日立カ−エンジニアリング内 (72)発明者 小林 良一 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器事業部内 Ｆターム(参考） 3G019 KD05 KD06 4M109 AA01 BA03 CA21 DB01 EA02 EB13 GA02 GA05 5F036 AA01 BA23 BB01 BC06

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属製のヒートシンク上にハイブリッド
    ＩＣを備えた基板（以下、ハイブリッドＩＣ基板と称す
    る）及び半導体パワー素子が固定され、前記半導体パワ
    ー素子は、前記ヒートシンクにＳｎ−Ｓｂ系はんだを用
    いて接合され、この半導体パワー素子，ハイブリッドＩ
    Ｃ基板，ヒートシンク及び入出力用端子が該入出力用端
    子の一部を除いて、トランスファモールドにより成形さ
    れた無機質充填材７０〜９０重量％のエポキシのパッケ
    ージに埋設されていることを特徴とする内燃機関用の樹
    脂封止形電子装置。
  2. 【請求項２】 金属製のヒートシンク上にハイブリッド
    ＩＣを備えた基板及び半導体パワー素子が固定され、前
    記半導体パワー素子は、前記ヒートシンクにＳｎ−Ｓｂ
    系はんだを用いて接合され、この半導体パワー素子，ハ
    イブリッドＩＣ基板，ヒートシンク及び入出力用端子が
    該入出力用端子の一部を除いて、トランスファモールド
    により成形されたエポキシのパッケージに埋設され、且
    つこのエポキシは、線膨張係数が前記半導体パワー素子
    の線膨張係数と前記ヒートシンクの線膨張係数との間の
    値をとるよう無機質充填材の含有量が調整されているこ
    とを特徴とする内燃機関用の樹脂封止形電子装置
  3. 【請求項３】 金属製のヒートシンク上にハイブリッド
    ＩＣを備えた基板及び半導体パワー素子が固定され、前
    記半導体パワー素子は、前記ヒートシンクにＳｎ−Ｓｂ
    系はんだを用いて接合され、前記ハイブリッドＩＣ基板
    上の導体材料は、Ａｇ−Ｐｔ系導体もしくはＣｕ系導体
    で、このハイブリッドＩＣ基板に搭載する部品のはんだ
    付けに使用するはんだを、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ又はＳｎ
    −Ａｇ−Ｃｕ系はんだとし、前記半導体パワー素子，ハ
    イブリッドＩＣ基板，ヒートシンク及び入出力用端子が
    該入出力用端子の一部を除いて、トランスファモールド
    された合成樹脂製のパッケージに埋設されていることを
    特徴とする内燃機関用の樹脂封止形電子装置。
  4. 【請求項４】 前記半導体パワー素子は、内燃機関の点
    火コイルの一次電流を通電，遮断するためのスイッチン
    グ用の半導体パワー素子であり、前記ハイブリッドＩＣ
    が前記点火コイルの一次電流を制御する機能を備えてい
    る請求項ないし３のいずれか１項記載の内燃機関用の樹
    脂封止形電子装置。
  5. 【請求項５】 前記入出力用端子は、元々が前記ヒート
    シンクと同一の金属板により該ヒートシンクと一体にプ
    レス成形され、そのうち前記ハイブリッドＩＣと電気的
    に接続される端子は、前記ヒートシンクと切り離されワ
    イヤボンディングを介してハイブリッドＩＣと接続さ
    れ、前記半導体パワー素子と電気的に接続される端子は
    前記ヒートシンクと一体につながって該ヒートシンク及
    び前記Ｓｎ−Ｓｂ系はんだを介して前記半導体パワー素
    子と接続されている請求項１ないし４のいずれか１項記
    載の内燃機関用の樹脂封止形電子装置。
  6. 【請求項６】 前記Ｓｎ-Ｓｂ系はんだには、φ３０〜
    １５０μｍの球状の金属を混合してはんだの膜厚がコン
    トロールされている請求項１ないし５のいずれか１項記
    載の内燃機関用の樹脂封止形電子装置。
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