JP2000200482A - デ―タ入出力回路及びインタフェ―ス方式 - Google Patents

デ―タ入出力回路及びインタフェ―ス方式

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 入力データの受信タイミングを最適な値に設
定可能なデータ入出力回路及びそれを備えたインタフェ
ース方式を提供する。 【解決手段】 基準電圧と共に差動入力されるクロック
に同期してデータを送受信するためのデータ入出力回路
であって、基準電圧のレベルを変更可能に設定するため
の設定データが記録されるレジスタと、レジスタに記録
された設定データにしたがって基準電圧のレベルを所定
の値に設定するレベルシフト回路とを有する構成とし、
基準電圧を調整することで差動出力である内部用クロッ
クの位相を調整し、データを確実に受け取ることができ
るようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は基準電圧と共に差動
入力されるクロックに同期して高速にデータ転送を行う
インタフェース方式に用いて好適なデータ入出力回路に
関する。
【0002】
【従来の技術】近年のメモリデバイスは、マイクロコン
ピュータの高速化に伴って、RDRAM(Rambus DRA
M:ラムバスDRAM)やSLDRAM(SyncLink DRA
M:シンクリンクDRAM)等に代表されるように、ま
すます高速化が進んでいる。
【0003】これらのメモリデバイスとの間で高速にデ
ータ転送を実現するラムバスインタフェースやシンクリ
ンクインタフェースでは、データ入力用のクロック(以
下、入力用クロックと称す)とデータ出力用のクロック
(以下、出力用クロックと称す)とを独立して用いる方
式が提案されている。
【0004】図5はデータ入力用のクロック及びデータ
出力用のクロックを用いる従来のインタフェース方式の
構成を示すブロック図である。
【0005】図5に示すように、データ入力用のクロッ
クとデータ出力用のクロックとを独立して用いるインタ
フェース方式では、マスタデバイス1によって複数のス
レーブデバイス2(図5ではスレーブデバイス21、22
のみ表示)との間のデータ転送が管理される。
【0006】マスタデバイス1及び複数のスレーブデバ
イス2には、クロック発生回路4から入力用クロック及
び出力用クロックがそれぞれ供給される。通常、マスタ
デバイス1、及びスレーブデバイス2を接続するバス5
には500MHz〜1GHzの高速でデータが転送され
るため、バス5の終端にはインピーダンスの整合を図り
転送波形の歪みを低減するための終端装置3が接続され
ている。
【0007】各々のスレーブデバイス2には、入力用ク
ロック及び出力用クロックに同期してデータを送受信す
るためのデータ入出力回路を備え、データ入出力回路
は、入力用クロックの立ち上がりと立ち下がりに同期し
てそれぞれデータを受信し、出力用クロックの立ち上が
りと立ち下がりに同期してそれぞれデータを送信する。
なお、各スレーブデバイス2が備えるデータ入出力回路
には、入力用クロック、出力用クロックのハイ(Hig
h)レベル及びロウ(Low)レベルを判定するための
判定基準となる基準電圧VREFがそれぞれ供給される。
基準電圧VREFは、通常、マスタデバイス1から、例え
ば、電源電圧VDDを抵抗分割することで供給される。
【0008】図6は図5に示したインタフェース方式が
有する従来のデータ入出力回路の構成を示すブロック図
であり、図7は図6に示した入力クロック用PLL(Ph
aseLocked Loop:位相同期ループ)回路及び出力クロッ
ク用PLL回路の一構成例を示すブロック図である。な
お、図7では入力クロック用PLL回路を例にしてその
構成を示しているが、出力クロック用PLL回路も同一
の構成であるため、以降、PLL回路と称した場合は、
入力クロック用PLL回路及び出力クロック用PLL回
路の双方を指すものとする。
【0009】図6において、データ入出力回路は、差動
入力される基準電圧VREF及び入力用クロックからデバ
イス内部で用いる内部入力用クロックを生成する入力ク
ロック用PLL回路11と、差動入力される基準電圧V
REF及び出力用クロックからデバイス内部で用いる内部
出力用クロックを生成する出力クロック用PLL回路1
2と、バス5を介して受信した入力データを内部入力用
クロックに同期させるための第1のフリップフロップ1
3及び第2のフリップフロップ14と、デバイス内部か
らの内部出力データを内部出力用クロックに同期させて
切替出力するセレクタ回路15とによって構成されてい
る。
【0010】図7において、PLL回路は、差動入力さ
れるクロック及び基準電圧VREFを用いてクロック波形
を整形する第1のクロックアンプ31と、第1のクロッ
クアンプ31の出力クロックの位相を調整可能に遅延さ
せる可変遅延回路32と、可変遅延回路32の出力クロ
ックの駆動能力を上げるためのクロックドライバ33
と、差動入力されるクロック及び基準電圧VREFを用い
てクロック波形を整形する第2のクロックアンプ34、
及び第2のクロックアンプ34の出力クロックとクロッ
クドライバ33の出力クロック(内部用クロック)の位
相を比較し、その比較結果に応じて可変遅延回路32の
位相を変えるための遅延調整信号を出力する位相差検出
回路35を備えた位相比較回路36とによって構成され
ている。
【0011】PLL回路は、入力用クロック(または出
力用クロック)と同相のクロック(正確には1周期分遅
れたクロック)をデバイス内部に供給するための回路で
あり、このようなPLL回路を用いることで、クロック
アンプ自体の遅延を打ち消すことができる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上記したようなデータ
入出力回路でデータを受信する場合、データを確実に受
け取るためには、クロックの立ち上がりあるいは立ち下
がり時点でデータの値が確立しており、かつ確立したデ
ータを取り込むために所定の時間だけデータの値が保持
されている必要がある。通常、データが確立するまでの
時間はセットアップタイムtSと呼ばれ、必要なデータ
の保持時間はホールドタイムtHと呼ばれる。
【0013】上記したような高速にデータ転送が行われ
る従来のインタフェース方式では、クロックとデータの
受け渡しタイミングに対する要求がきびしくなってきて
いる。
【0014】例えば、スレーブデバイスでデータを受信
する場合、図8(a)に示すように、マスタデバイスか
ら入力用クロックに対してtQMだけ遅れてデータが出力
されると、スレーブデバイスでは、入力用クロックに対
するデータの受信タイミングがデータを受け取るのに必
要なセットアップ時間tSを有していないため、データ
を受け取ることができないという問題が発生する。
【0015】また、スレーブデバイスからデータを送信
する場合、図8(b)に示すように、スレーブデバイス
から出力用クロックに対してtQSだけ遅れてデータが出
力されると、マスタデバイスでは、出力用クロックに対
するデータの受信タイミングがデータを受け取るのに必
要なセットアップ時間tSを有していないため、データ
を受け取ることができないという問題が発生する。
【0016】本発明は上記したような従来の技術が有す
る問題点を解決するためになされたものであり、入力デ
ータの受信タイミングを最適な値に設定可能なデータ入
出力回路及びそれを備えたインタフェース方式を提供す
ることを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のデータ入出力回路の第1の構成は、基準電圧と
共に差動入力されるクロックに同期してデータを送受信
するためのデータ入出力回路であって、前記基準電圧の
レベルを変更可能に設定するための設定データが記録さ
れるレジスタと、前記レジスタに記録された設定データ
にしたがって前記基準電圧のレベルを所定の値に設定す
るレベルシフト回路と、を有するものである。
【0018】このとき、前記基準電圧及び前記クロック
が入力され、前記クロックに対して所定の位相遅延を有
して成る内部用クロックを生成する位相同期ループ回路
をさらに有していてもよい。
【0019】また、本発明のデータ入出力回路の第2の
構成は、第1の基準電圧と共に差動入力されるデータ入
力用のクロックである入力用クロック、及び第2の基準
電圧と共に差動入力されるデータ出力用のクロックであ
る出力用クロックにそれぞれ同期してデータを送受信す
るためのデータ入出力回路であって、前記第1の基準電
圧のレベルを変更可能に設定するための第1の設定デー
タが記録される第1のレジスタと、前記第2の基準電圧
のレベルを変更可能に設定するための第2の設定データ
が記録される第2のレジスタと、前記第1のレジスタに
記録された前記第1の設定データにしたがって前記第1
の基準電圧のレベルを所定の値に設定する第1のレベル
シフト回路と、前記第2のレジスタに記録された前記第
2の設定データにしたがって前記第2の基準電圧のレベ
ルを所定の値に設定する第2のレベルシフト回路と、を
有するものである。
【0020】このとき、前記第1の基準電圧及び前記入
力用クロックが入力され、前記入力用クロックに対して
所定の位相遅延を有して成る内部入力用クロックを生成
する入力クロック用位相同期ループ回路と、前記第2の
基準電圧及び前記出力用クロックが入力され、前記出力
用クロックに対して所定の位相遅延を有して成る内部出
力用クロックを生成する出力クロック用位相同期ループ
回路と、をさらに有していてもよい。
【0021】一方、本発明のインタフェース方式は、デ
ータ転送を管理するマスタデバイスと、上記第1の構成
のデータ入出力回路をそれぞれ備え、前記マスタデバイ
スからの指示にしたがって前記マスタデバイスとの間で
データ転送を行う複数のスレーブデバイスと、前記マス
タデバイスから前記スレーブデバイスに前記設定データ
を送信するための設定データ用インタフェースライン
と、を有する構成である。
【0022】また、データ転送を管理するマスタデバイ
スと、上記第2の構成のデータ入出力回路をそれぞれ備
え、前記マスタデバイスからの指示にしたがって前記マ
スタデバイスとの間でデータ転送を行う複数のスレーブ
デバイスと、前記マスタデバイスから前記スレーブデバ
イスに前記第1の設定データ及び前記第2の設定データ
を送信するための設定データ用インタフェースライン
と、を有する構成である。
【0023】上記のように構成されたデータ入出力回路
では、クロックが基準電圧と共に差動入力されるため、
レジスタに記録される設定データを変更し、基準電圧の
値を変えることで差動出力された内部用クロックの位相
を最適に調整することができる。
【0024】同様に、第1のレジスタに記録される第1
の設定データを変更し、第1の基準電圧の値を変えるこ
とで差動出力された内部入力用クロックの位相を最適に
調整することができる。また、第2のレジスタに記録さ
れる第2の設定データを変更し、第2の基準電圧の値を
変えることで差動出力された内部出力用クロックの位相
を最適に調整することができる。
【0025】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。
【0026】図1は本発明のデータ入出力回路の一構成
例を示すブロック図であり、図2は図1に示した第1の
レベルシフト回路及び第2のレベルシフト回路の一構成
例を示す回路図である。また、図3は図1に示したデー
タ入出力回路を備えた本発明のインタフェース方式の一
構成例を示すブロック図である。なお、図2は第1のレ
ベルシフト回路を例にしてその構成を示しているが、第
2のレベルシフト回路も同一の構成である。
【0027】図1において、本発明のデータ入出力回路
は、図6に示した従来のデータ入出力回路に、入力クロ
ック用PLL回路11に供給する基準電圧VREFのレベ
ルを変更可能に設定する第1のレベルシフト回路16
と、出力クロック用PLL回路12に供給する基準電圧
REFのレベルを変更可能に設定する第2のレベルシフ
ト回路17と、入力クロック用PLL回路11で基準電
圧VREFのレベルを変更するための初期設定データが記
録される第1のレジスタ18と、出力クロック用PLL
回路12で基準電圧VREFのレベルを変更するための初
期設定データが記録される第2のレジスタ19とを追加
した構成である。その他の構成は従来と同様であるた
め、その説明は省略する。
【0028】図2において、第1のレベルシフト回路1
6及び第2のレベルシフト回路17は、例えば、電源V
DDと接地電位GND間に直列に挿入される複数の抵抗器
Rと、抵抗器Rの各接続点にそれぞれ一端が接続され他
端が共通に接続された、第1のレジスタ18(第2のレ
ジスタ19)から出力されるデータにしたがってオン/
オフする複数のスイッチ回路20と、スイッチ回路20
の他端と接地電位間に挿入されるノイズ除去用のコンデ
ンサCとを有し、共通に接続された各スイッチ回路20
の他端からPLL回路に基準電圧VREF1(VREF2)を出
力する構成である。なお、図2は12個の抵抗器R1〜
R12と、11個のスイッチ回路201〜2011とを有
する構成を示している。また、各スイッチ回路20は、
例えば、図2に示すように、FET(Field Effect Tra
nsistor)によって構成される。
【0029】図3において、本発明のインタフェース方
式は、図5に示した従来のインタフェース方式に、図1
に示した第1のレジスタ18及び第2のレジスタ19に
対して初期設定データを送信するための設定データ用イ
ンタフェースライン6を追加した構成である。その他の
構成は従来と同様であるため、その説明は省略する。
【0030】なお、設定データ用インタフェースライン
6は、クロックとデータ信号から成る数MHz程度の低
速のシリアルインタフェースラインであり、初期設定デ
ータはマスタデバイス1から各スレーブデバイス2に対
してそれぞれ送信される。
【0031】このような構成において、次に本発明のデ
ータ入出力回路及びインタフェース方式の動作について
図1〜図3を参照しつつ図4を用いて説明する。
【0032】図4は図1に示したデータ入出力回路の要
部の動作波形を示す図であり、同図(a)はデータ入力
時の動作波形を示すタイミングチャート、同図(b)は
データ出力時の動作波形を示すタイミングチャートであ
る。
【0033】図1に示した第1のレベルシフト回路16
及び第2のレベルシフト回路17では、第1のレジスタ
18または第2のレジスタ19に記録された初期設定デ
ータに基づいてスイッチ回路201〜2011のうちのい
ずれか1つがオンされ、所定の内部用基準電圧VREF1
たはVREF2が出力される。
【0034】PLL回路は、第1のクロックアンプ31
によって、入力されたクロックと内部用基準電圧を差動
増幅するため、内部用基準電圧の値を変えることでPL
L回路の出力である内部入力用クロック(内部出力用ク
ロック)の位相を変更することができる。
【0035】マスタデバイス1は、初期設定時に、スレ
ーブデバイス2に対して所定の初期設定データを出力
し、スレーブデバイス2は第1のレジスタ18に記録さ
れた初期設定データに基づいてデータを受信する。この
とき、マスタデバイス1は、スレーブデバイス2でその
データが受け取ることができるように初期設定データの
値を調整する。すなわち、データの受信タイミングで必
要なセットアップタイムtSが得られるように内部用基
準電圧VREF1の値を初期設定データを変えることで調整
する。
【0036】図4(a)に示すように、スレーブデバイ
ス2では基準電圧VREFの値が第1のレベルシフト回路
16によって内部用基準電圧VREF1に変更され、スレー
ブデバイス2における入力データの受信タイミングが遅
れる。その結果、入力用クロックに対してマスタデバイ
ス1からtQMだけ遅れてデータが出力されても、スレー
ブデバイス2はセットアップタイムtSを満たすタイミ
ングでデータを受信することができる。なお、入力デー
タの受信タイミングが遅れても、図4(a)に示すよう
にホールドタイムtHを満たしているため、スレーブデ
バイス2はマスタデバイス1からのデータを確実に受信
することができる。
【0037】次に、マスタデバイス1はスレーブデバイ
ス2にデータを出力させる。スレーブデバイス2は第2
のレジスタ19に記録された初期設定データに基づいて
データを送信する。このとき、マスタデバイス1は、そ
のデータを受け取ることができるように初期設定データ
の値を調整する。すなわち、データの受信タイミングで
必要なセットアップタイムtSが得られるように内部用
基準電圧VREF2の値を初期設定データを変えることで調
整する。
【0038】図4(b)に示すように、スレーブデバイ
ス2では基準電圧VREFの値が第2のレベルシフト回路
17によって内部用基準電圧VREF2に変更され、スレー
ブデバイス2における出力データの送信タイミングが早
まる。その結果、出力用クロックに対してスレーブデバ
イス2からtQSだけ遅れてデータが出力されても、マス
タデバイス1はセットアップタイムtSを満たすタイミ
ングでデータを受信することができる。
【0039】ところで、基準電圧VREFの値はマスタデ
バイス1によって変えることもできるため、この方法に
よってスレーブデバイス2におけるデータの送受信タイ
ミングを調整することができる。しかしながら、複数の
スレーブデバイス2との間でデータ転送を行う場合には
各スレーブデバイス2毎に最適値が異なるため、マスタ
デバイス1はデータ転送を行うスレーブデバイス2を変
更する度に基準電圧V REFの値を調整しなければなら
ず、処理が煩雑になってしまう。
【0040】本発明のように、初期設定時に、各スレー
ブデバイス2に対してそれぞれ最適な初期設定データを
送信しておけば、以降はこのような処理が必要なくなる
ため、処理が煩雑になることを防止することができる。
【0041】なお、上記説明では、入力用クロック(出
力用クロック)及び基準電圧(内部基準電圧)をPLL
回路に入力する構成を示したが、PLL回路は必ずしも
必要ではなく、例えば、クロックアンプだけから成る回
路にクロック及び基準電圧を差動入力する構成であって
も上記と同様の効果を得ることができる。
【0042】また、上記説明では、データ入力用のクロ
ック及びデータ出力用のクロックを独立して用いるイン
タフェース方式を例にして説明したが、データ入力用及
びデータ出力用で共通のクロックを用いるインタフェー
ス方式であっても、基準電圧VREFのレベルを変更可能
に設定するための初期設定データが記録されるレジスタ
と、レジスタに記録された初期設定データにしたがって
基準電圧VREFのレベルを所定の値に設定するレベルシ
フト回路を有することで、上記と同様の効果を得ること
ができる。すなわち、本発明のデータ入出力回路は、基
準電圧と共に差動入力されるクロックに同期して高速に
データ転送を行うインタフェース方式に用いて好適であ
る。
【0043】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載する効果を奏する。
【0044】基準電圧のレベルを変更可能に設定するた
めの設定データが記録されるレジスタと、レジスタに記
録された設定データにしたがって基準電圧のレベルを所
定の値に設定するレベルシフト回路とを有することで、
レジスタに記録される設定データを変更し、基準電圧の
値を変えることで差動出力である内部用クロックの位相
を調整することができるため、データの受信タイミング
で必要なセットアップタイムが得られるようになる。よ
って、クロックに対して遅れてデータが送信されても、
そのデータを確実に受け取ることができる。
【0045】同様に、第1の基準電圧のレベルを変更可
能に設定するための第1の設定データが記録される第1
のレジスタと、第2の基準電圧のレベルを変更可能に設
定するための第2の設定データが記録される第2のレジ
スタと、第1のレジスタに記録された第1の設定データ
にしたがって第1の基準電圧のレベルを所定の値に設定
する第1のレベルシフト回路と、第2のレジスタに記録
された第2の設定データにしたがって第2の基準電圧の
レベルを所定の値に設定する第2のレベルシフト回路と
を有することで、データ入力用のクロックである入力用
クロック、及びデータ出力用のクロックである出力用ク
ロックを用いてデータ転送を行うインタフェース方式に
おいても、データを確実に受け取ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のデータ入出力回路の一構成例を示すブ
ロック図である。
【図2】図1に示した第1のレベルシフト回路及び第2
のレベルシフト回路の一構成例を示す回路図である。
【図3】図1に示したデータ入出力回路を備えた本発明
のインタフェース方式の一構成例を示すブロック図であ
る。
【図4】図1に示したデータ入出力回路の要部の動作波
形を示す図であり、同図(a)はデータ入力時の動作波
形を示すタイミングチャート、同図(b)はデータ出力
時の動作波形を示すタイミングチャートである。
【図5】データ入力用のクロック及びデータ出力用のク
ロックを用いる従来のインタフェース方式の構成を示す
ブロック図である。
【図6】図5に示したインタフェース方式が有する従来
のデータ入出力回路の構成を示すブロック図である。
【図7】図6に示した入力クロック用PLL回路及び出
力クロック用PLL回路の一構成例を示すブロック図で
ある。
【図8】図6に示したデータ入出力回路の要部の動作波
形を示す図であり、同図(a)はデータ入力時の動作波
形を示すタイミングチャート、同図(b)はデータ出力
時の動作波形を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
1 マスタデバイス 21、22 スレーブデバイス 3 終端装置 4 クロック発生回路 5 バス 6 設定データ用インタフェースライン 11 入力クロック用PLL回路 12 出力クロック用PLL回路 13 第1のフリップフロップ 14 第2のフリップフロップ 15 セレクタ回路 16 第1のレベルシフト回路 17 第2のレベルシフト回路 18 第1のレジスタ 19 第2のレジスタ 201〜2011 スイッチ回路 31 第1のクロックアンプ 32 可変遅延回路 33 クロックドライバ 34 第2のクロックアンプ 35 位相差検出回路 36 位相比較回路

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基準電圧と共に差動入力されるクロック
    に同期してデータを送受信するためのデータ入出力回路
    であって、 前記基準電圧のレベルを変更可能に設定するための設定
    データが記録されるレジスタと、 前記レジスタに記録された設定データにしたがって前記
    基準電圧のレベルを所定の値に設定するレベルシフト回
    路と、を有するデータ入出力回路。
  2. 【請求項2】 前記基準電圧及び前記クロックが入力さ
    れ、前記クロックに対して所定の位相遅延を有して成る
    内部用クロックを生成する位相同期ループ回路をさらに
    有する請求項1記載のデータ入出力回路。
  3. 【請求項3】 第1の基準電圧と共に差動入力されるデ
    ータ入力用のクロックである入力用クロック、及び第2
    の基準電圧と共に差動入力されるデータ出力用のクロッ
    クである出力用クロックにそれぞれ同期してデータを送
    受信するためのデータ入出力回路であって、 前記第1の基準電圧のレベルを変更可能に設定するため
    の第1の設定データが記録される第1のレジスタと、 前記第2の基準電圧のレベルを変更可能に設定するため
    の第2の設定データが記録される第2のレジスタと、 前記第1のレジスタに記録された前記第1の設定データ
    にしたがって前記第1の基準電圧のレベルを所定の値に
    設定する第1のレベルシフト回路と、 前記第2のレジスタに記録された前記第2の設定データ
    にしたがって前記第2の基準電圧のレベルを所定の値に
    設定する第2のレベルシフト回路と、を有するデータ入
    出力回路。
  4. 【請求項4】 前記第1の基準電圧及び前記入力用クロ
    ックが入力され、前記入力用クロックに対して所定の位
    相遅延を有して成る内部入力用クロックを生成する入力
    クロック用位相同期ループ回路と、 前記第2の基準電圧及び前記出力用クロックが入力さ
    れ、前記出力用クロックに対して所定の位相遅延を有し
    て成る内部出力用クロックを生成する出力クロック用位
    相同期ループ回路と、をさらに有する請求項3記載のデ
    ータ入出力回路。
  5. 【請求項5】 データ転送を管理するマスタデバイス
    と、 請求項1または2記載のデータ入出力回路をそれぞれ備
    え、前記マスタデバイスからの指示にしたがって前記マ
    スタデバイスとの間でデータ転送を行う複数のスレーブ
    デバイスと、 前記マスタデバイスから前記スレーブデバイスに前記設
    定データを送信するための設定データ用インタフェース
    ラインと、を有するインタフェース方式。
  6. 【請求項6】 データ転送を管理するマスタデバイス
    と、 請求項3または4記載のデータ入出力回路をそれぞれ備
    え、前記マスタデバイスからの指示にしたがって前記マ
    スタデバイスとの間でデータ転送を行う複数のスレーブ
    デバイスと、 前記マスタデバイスから前記スレーブデバイスに前記第
    1の設定データ及び前記第2の設定データを送信するた
    めの設定データ用インタフェースラインと、を有するイ
    ンタフェース方式。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6452849B1 (en) 2001-05-30 2002-09-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with test mode for performing efficient calibration of measuring apparatus
KR100680703B1 (ko) 2005-08-25 2007-02-08 엘지전자 주식회사 고속 메모리 인터페이스 장치
KR100837814B1 (ko) 2006-12-22 2008-06-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 회로
JP2012194686A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Elpida Memory Inc システム、システムにおける調整装置、およびシステムの制御方法
JP2013524318A (ja) * 2010-03-25 2013-06-17 サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド 非ソースシンクロナスインターフェイスのための入出力の強化

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6218876B1 (en) * 1999-01-08 2001-04-17 Altera Corporation Phase-locked loop circuitry for programmable logic devices
KR100689724B1 (ko) * 2000-01-28 2007-03-09 후지쯔 가부시끼가이샤 핫 플러그에 대응한 클록 전환 회로
KR100674905B1 (ko) * 2001-03-19 2007-01-26 삼성전자주식회사 램버스 디램 반도체 장치의 신호 검출기
KR100847759B1 (ko) * 2001-04-25 2008-07-23 주식회사 하이닉스반도체 레지스터 칩
KR100560644B1 (ko) * 2002-01-09 2006-03-16 삼성전자주식회사 클럭 동기회로를 구비하는 집적회로장치
DE10231433B4 (de) * 2002-07-11 2006-02-09 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Steuerung lastabhängiger Treiberstärken
JP2004072680A (ja) * 2002-08-09 2004-03-04 Renesas Technology Corp 半導体集積回路
US7573968B2 (en) * 2004-11-30 2009-08-11 Oki Semiconductor Co., Ltd. Data transmission circuit with serial interface and method for transmitting serial data
US8611379B2 (en) * 2010-08-20 2013-12-17 Broadcom Corporation Resonant clock amplifier with a digitally tunable delay
KR20150040540A (ko) * 2013-10-07 2015-04-15 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 이를 포함하는 반도체 시스템
CN109036322B (zh) * 2018-09-26 2023-11-03 北京集创北方科技股份有限公司 输入缓冲器、控制方法、驱动装置以及显示装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4808937A (en) * 1986-07-15 1989-02-28 Hayes Microcomputer Products, Inc. Phase-locked loop for a modem
KR940011436B1 (ko) * 1989-04-19 1994-12-15 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 자기디스크 기억장치
US5544063A (en) * 1990-03-30 1996-08-06 Dallas Semiconductor Corporation Digital controller
JPH0511863A (ja) 1991-06-29 1993-01-22 Nec Corp 基準電圧発生回路
JPH06195978A (ja) * 1992-12-25 1994-07-15 Kawasaki Steel Corp 半導体記憶装置
JP2792801B2 (ja) * 1992-12-28 1998-09-03 三菱電機株式会社 半導体集積回路並びにその設計方法及び製造方法
JP3043533B2 (ja) * 1993-01-27 2000-05-22 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 シフトレジスタ回路
JP3080520B2 (ja) * 1993-09-21 2000-08-28 富士通株式会社 シンクロナスdram
JPH0818414A (ja) * 1994-04-26 1996-01-19 Hitachi Ltd 信号処理用遅延回路
JPH0832425A (ja) 1994-07-18 1996-02-02 Fujitsu Ltd データ読み取りタイミング可変回路
KR0164389B1 (ko) * 1995-08-31 1999-02-18 김광호 동기 반도체 메모리 장치
US5767715A (en) * 1995-09-29 1998-06-16 Siemens Medical Systems, Inc. Method and apparatus for generating timing pulses accurately skewed relative to clock
JP2914267B2 (ja) * 1996-01-30 1999-06-28 日本電気株式会社 集積回路のデータ転送方法およびその装置
JP3100907B2 (ja) * 1996-07-12 2000-10-23 日本無線株式会社 アナログ信号遅延回路
KR19980029392A (ko) * 1996-10-25 1998-07-25 김광호 동기식 반도체 메모리 장치의 시스템 클럭 발생 회로
JP4144913B2 (ja) * 1997-01-20 2008-09-03 富士通株式会社 半導体装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6452849B1 (en) 2001-05-30 2002-09-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with test mode for performing efficient calibration of measuring apparatus
KR100680703B1 (ko) 2005-08-25 2007-02-08 엘지전자 주식회사 고속 메모리 인터페이스 장치
KR100837814B1 (ko) 2006-12-22 2008-06-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 회로
US7633832B2 (en) 2006-12-22 2009-12-15 Hynix Semiconductor Inc. Circuit for outputting data of semiconductor memory apparatus
JP2013524318A (ja) * 2010-03-25 2013-06-17 サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド 非ソースシンクロナスインターフェイスのための入出力の強化
JP2012194686A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Elpida Memory Inc システム、システムにおける調整装置、およびシステムの制御方法

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