FR2555614A1 - Procede pour former un film sur un substrat par decomposition en phase vapeur - Google Patents

Procede pour former un film sur un substrat par decomposition en phase vapeur Download PDF

Info

Publication number
FR2555614A1
FR2555614A1 FR8412872A FR8412872A FR2555614A1 FR 2555614 A1 FR2555614 A1 FR 2555614A1 FR 8412872 A FR8412872 A FR 8412872A FR 8412872 A FR8412872 A FR 8412872A FR 2555614 A1 FR2555614 A1 FR 2555614A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
space
activated species
decomposition
deposition
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8412872A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2555614B1 (fr
Inventor
Masaaki Hirooka
Kyosuke Ogawa
Shunichi Ishihara
Isamu Shimizu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP58149366A external-priority patent/JPS6041047A/ja
Priority claimed from JP58149758A external-priority patent/JPS6042765A/ja
Priority claimed from JP58151027A external-priority patent/JPS6042766A/ja
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of FR2555614A1 publication Critical patent/FR2555614A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2555614B1 publication Critical patent/FR2555614B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/0245—Silicon, silicon germanium, germanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08214—Silicon-based
    • G03G5/08278—Depositing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE POUR FORMER UN FILM PAR DEPOSITION SUR UN SUBSTRAT. LE PROCEDE CONSISTE A INTRODUIRE SEPAREMENT UN PRECURSEUR OU DES ESPECES ACTIVEES, FORMES DANS UN ESPACE DE DECOMPOSITION B, ET DES ESPECES ACTIVEES, FORMEES DANS UN ESPACE DE DECOMPOSITION C, DANS L'ESPACE DE DECOMPOSITION A OU LE FILM EST FORME SUR LE SUBSTRAT 101. DOMAINE D'APPLICATION: ELEMENTS DE FORMATION D'IMAGE ELECTROPHOTOGRAPHIQUE POUR MACHINES DE COPIES, ETC.

Description

L'invention concerne un procédé pour former des films fonctionnels, en
particulier une déposition utile
à diverses fins, notamment pour des dispositifs semi-
conducteurs et des dispositifs électrophotographiques photosensibles. Un certain nombre de procédés possibles ont été
décrits jusqu'à présent pour former des films par déposition.
Par exemple, pour produire des films constitués d'un dépôt de silicium amorphe, on a essayé le procédé de déposition sous vide, le procédé de déposition de vapeur chimique sous plasma, le procédé de déposition de vapeur chimique, le procédé de pulvérisation réactive, le
procédé d'implantation ionique et le procédé de photo-
déposition de vapeur chimique,etc. En général, le procédé de déposition de vapeur chimique sous plasma est largement
utilisé dans l'industrie à cet effet.
Cependant, les films obtenus par déposition
de silicium amorphe peuvent encore faire l'objet d'amélio-
rations portant sur leurs caractéristiques globales et comprenant des propriétés électriques et optiques, diverses caractéristiques de fatigue dues à des utilisations répétées ou aux conditions ambiantes d'utilisation et
portant également sur la productivité, comprenant l'uni-
formité du produit, sa reproductibilité et sa productivité
en grande série.
Le procédé classique de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, par rapport au procédé classique de déposition chimique en phase vapeur, est compliqué en ce qui concerne le processus de réaction pour déposer du silicium amorphe et le mécanisme de réaction renferme de nombreuses inconnues. La formation du film dans le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma est affectée par un certain nombre de paramètres (par exemple la température du substrat, les débits d'écoulement et la proportion de mélange de-s gaz de charge, la pression pendant la formation du film, la puissance à haute fréquence utilisée, la structure des électrodes, la structure de la chambre de déposition, le taux de vide et le procédé de génération du plasma). Ces divers paramètres, associés les uns aux autres, engendrent parfois un plasma instable qui
produit des effets nuisibles notables sur le film déposé.
De plus, les paramètres caractéristiques de l'appareil de déposition doivent être déterminés en fonction de l'appareil donné, de sorte qu'il est difficile, en
pratique, de généraliser les conditions de production.
Le procédé classique de déposition chimique en phase vapeur sous plasma est considéré à l'heure actuelle comme le meilleur procédé pour obtenir des films de silicium amorphe dont les propriétés électriques et
optiques leur permettent de convenir à diverses applications.
Cependant, il est nécessaire, dans certaines applications du film déposé, de produire ce film en grande série, de façon reproductible, tout en satisfaisant les critères demandés pour le film, à savoir une grande
surface, une épaisseur uniforme et une qualité uniforme.
En conséquence, l'équipement de production en grande série demande un investissement important, les questions administratives concernant la production en grande série deviennent compliquées, les tolérances du contrÈle de qualité deviennent étroites, et la commande et le réglage de l'équipement deviennent délicats. Ces points concernant la production de films de silicium amorphe déposés par le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma sont considérés comme étant les problèmes à résoudre dans
le futur.
Par ailleurs, le procédé classique de déposition chimique en phase vapeur exige une température de travail élevée et ne permet pas d'obtenir un film déposé ayant des
caractéristiques lui permettant d'être utilisé en pratique.
Il existe donc un besoin important en un procédé de production de films de silicium amorphe qui, comme indiqué précédemment, permet une production en grande série de ces films, avec un faible coût d'équipement, tout en assurant des caractéristiques acceptables en pratique et
l'uniformité des films produits.
Les points indiqués ci-dessus s'appliquent également à d'autres films fonctionnels, par exemple les films de nitrure de silicium, de carbure de silicium et d'oxyde de silicium. L'invention a pour objet un procédé perfectionné pour former des films par déposition, procédé ne présentant pas les inconvénients indiqués ci-dessus du procédé de
déposition chimique en phase vapeur sous plasma.
L'invention a également pour objet un procédé permettant de former, par déposition, des films de bonnes caractéristiques, à une vitesse de déposition améliorée, sans faire appel à une réaction de plasma dans l'espace de déposition (A) pour la formation de films, ce procédé permettant, de plus, une simplification de la maîtrise des conditions de formation des films et de la production en
grande série des films.
Conformément à un aspect de l'invention, il est prévu un procédé pour former un film par déposition sur un substrat, qui consiste à introduire séparément un précurseur, formé dans un espace (B) de décomposition, et des espèces activées, formées dans un autre espace (C) de décomposition, le précurseur et les espèces étant introduits dans l'espace (A) de déposition o le film est formé sur le
substrat.
Conformément à un autre aspect de l'invention, il est prévu un procédé pour former un film par déposition sur un substrat, qui consiste à introduire séparément-des
espèces activées, formées dans un espace (B) de décomposi-
tion, et des espèces activées, formées dans un autre espace (C) de décomposition, les espèces étant introduites dans l'espace (A) de déposition o le film est formé
sur le substrat.
Conformément à un autre aspect de l'invention, il est prévu un procédé pour former un film par déposition sur un substrat, qui consiste à introduire séparément des espèces activées (a) qui sont préparées par décomposition d'un halogénure de silicium représenté par la formule SinX2n+2 (n étant un entier au moins égal à un) et un mélange d'espèces activées d'hydrogène avec des espèces activées (b) représentées par la formule SimHmx (m et x étant des entiers au moins égaux chacun à un), le mélange étant préparé par décomposition d'un composé de silane supérieur, à chaine droite, les espèces activées et le mélange étant introduits dans l'espace de déposition (A)
o le film est formé sur le substrat.
Conformément à un autre aspect de l'invention, il est prévu un procédé pour former un film par déposition sur un substrat, qui consiste à introduire séparément des espèces activées (a) qui sont préparées par décomposition d'un halogénure de silicium représenté par la formule SinX2n+2 (n étant un entier au moins égal à un) et un mélange d'espèces activées d'hydrogène avec des espèces activées (b), le mélange étant préparé par décomposition d'un composé de silane cyclique, les espèces activées et le mélange étant introduits dans l'espace de déposition (A)
o le film est formé sur le substrat.
L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: - la figure 1 est une coupe schématique montrant une structure stratifiée d'une forme de réalisation d'un élément photoconducteur préparé par le procédé de l'invention; - la figure 2 est un schéma d'un exemple d'appareil pour la mise en oeuvre du procédé de l'invention; - la figure 3 est un schéma d'un agencement permettant une production industrielle en grande série de films par déposition, conformément au procédé de l'invention; et - la figure 4 est un schéma d'un autre exemple
d'appareil pour la mise en oeuvre du procédé de l'invention.
Dans le procédé de l'invention, les paramètres affectant la formation de films produits par déposition sont les quantités d'un précurseur et d'espèces activées introduits dans l'espace de déposition (A), les températures du substrat et de l'espace (A), et la pression régnant dans ce dernier, car aucun plasma n'y est formé. Par conséquent, la formation de films par déposition est aisée à maîtriser et les films reproductibles peuvent être
produits en grande série.
Le terme "précurseur" signifie ici un inter-
médiaire formé avant le produit final (une matière consti-
tuant le film de déposition) et converti totalement ou partiellement en une matière constituant le produit final, bien que possédant, dans l'état d'énergie intacte, aucune aptitude ou une faible aptitude à former le film par déposition. L'expression "espèces activées" désigne ici des espèces chimiques, par exemple des radicaux ou des ions qui s'étendent dans des états à haute énergie et qui agissent les uns sur les autres pour former un film par
déposition sur un substrat, ou qui subissent une inter-
action chimique ou une réaction avec des molécules du précurseur pour lui fournir de l'énergie, par exemple, et amènent ainsi le précurseur à des états permettant la formation d'un film par déposition. Par conséquent, les espèces activées, dans le premier cas, doivent contenir un constituant qui sera converti en un constituant du film déposé, tandis que les espèces activées du second cas
peuvent contenir ou non un tel constituant.
Dans la présente invention, le précurseur ou les espèces activées à introduire à partir de l'espace (B) de décomposition dans l'espace (A) de déposition sont choisis comme souhaité à partir de durées de vie qui, dans le cas du précurseur, sont au moins avantageusement de 0,01 s, de préférence de 0,1 s, et notamment de 1 s, etdans le cas des espèces activées, sont au moins avantageusement de 1 s,
de préférence de 10 s, et notamment de 150 s. Les consti-
tuants du précurseur ou des espèces activées sont convertis en constituants principaux du film de déposition devant
être formé dans l'espace (A) de déposition.
Lorsqu'un précurseur est introduit à partir de l'espace (B) de décomposition, les espèces activées à introduire à partir de l'espace (C) de décomposition sont choisies parmi celles dont les durées de vie s'élèvent avantageusement à 10 s, de préférence à 8 s, et notamment à 5 s. Ces espèces activées subissent une interaction chimique dans l'espace (A) de déposition avec le précurseur introduit au même moment à partir de l'espace (B) de décomposition dans l'espace (A) de déposition, lequel précurseur contient un constituant qui deviendra le constituant principal du film déposé prévu. Ainsi, un film de déposition souhaité est aisément formé sur un substrat donné. Lorsqu'une espèce activée est introduite à partir de l'espace (B) de décomposition, l'espèce activée à introduire à partir de l'espace (C) de décomposition-est de courte durée de vie. L'espèce activée subit une interaction chimique dans l'espace de déposition (A) avec l'espèce activée introduite au même moment, à partir de l'espace (B) de décomposition dans l'espace (A) de déposition, qui contient un constituant qui deviendra la constituant principal du film déposé résultant. Ainsi, un film déposé
prévu peut être aisément formé sur un substrat donné.
Conformément au procédé de l'invention, le film formé par déposition sans génération d'aucun plasma dans l'espace (A) de déposition n'est affecté d'aucun effet sensiblement nuisible de l'action d'attaque chimique ou de toute autre action, par exemple une action de décharge anormale. De plus, une production plus stable de films déposés devient possible conformément au procédé de l'invention, qui est un procédé perfectionné de déposition chimique en phase vapeur, grâce au réglage, comme souhaité, de la température de l'atmosphère de l'espace (A) de
déposition et de la température du substrat.
Une différence entre le procédé de l'invention et le procédé classique de déposition chimique en phase vapeur réside dans l'utilisation d'un précurseur et d'espèces activées qui ont été produits à l'avance dans des espaces autres que l'espace (A) de déposition. De cette manière, le procédé de l'invention est notablement amélioré, en ce qui concerne la vitesse de déposition du film, par rapport au procédé classique de déposition chimique en phase vapeur. De plus, la température du substrat pendant la déposition du film peut être davantage abaissée. Ainsi, des films déposés de qualité définie peuvent être produits à l'échelle industrielle, en grande quantité et à faible coût. La formation d'espèces activées dans l'espace (C) de décomposition peut être obtenue par excitation de la matière chargée, avec non seulement toutes énergies convenables comprenant l'énergie d'une décharge électrique, l'énergie lumineuse, l'énergie thermique et plusieurs de ces énergies combinées, mais également avec un catalyseur
hétérogène ou homogène.
La matière à introduire dans l'espace (B) de décomposition est un composé contenant au moins un atome de silicium qui se combine à un atome ou un groupe
atomique, ou un groupe polaire à forte attraction élec-
tronique. De tels composés peuvent comprendre, par exemple, SinX2n+2 (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I), (SiX2)n (n > 3, X = F, Cl, Br, I), SinHX2n+l (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I) et SinH2H2n (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I). Des exemples individuels de ces composés sont SiF4, Si2F6, Si3F8, Si2Cl, S Si2C13F3, (SiF2)5, (SiF2)6, (SiF2)4, SiHF3, SiH2F2, SiC14, (SiC12)5, SiBr4 et (SiBr2)5, qui sont gazeux à la température normale, ou des composés aisément gazéifiables. SiH2(C6H5)2, SiH2(CN)2 et autres sont également utilisés suivant l'application prévue pour le film déposé. Un précurseur ou des espèces activées sont formés par l'application d'une énergie de décomposition, par exemple de l'énergie thermique, de l'énergie lumineuse ou l'énergie d'une décharge électrique, au composé précité dans l'espace (B) de décomposition. Le précurseur ou les espèces
activées sont introduits dans l'espace (A) de déposition.
Le précurseur devant être introduit doit avantageusement avoir une durée de vie d'au moins 0,01 s. En introduisant un tel précurseur dans l'espace (A) de déposition, sa réaction d'activation avec les espèces activ-s introduites à partir de l'espace (C) de décomposition est rendue plus efficace et l'efficacité et la vitesse de déposition sont augmentées, lorsque de l'énergie thermique, lumineuse ou autre est appliquée, si cela est nécessaire, sur le substrat ou à l'atmosphère régnant dans l'espace (A) de déposition, sans qu'une telle énergie de décharge électrique soit utilisée pour former un plasma. Ainsi, la formation
d'un film de déposition souhaité est réalisée.
Les espèces activées introduites à partir de la chambre de décomposition (B) doivent avoir des durées de vie
d'au moins 1 s, avantageusement 10 s et de préférence 150 s.
Ces espèces activées permettent d'effectuer la formation d'un film déposé souhaité similairement au cas utilisant le
précurseur indiqué précédemment.
Des matières de charge pour préparer des espèces activées dans l'espace (C) de décomposition peuvent comprendre, par exemple, H2, SiH4, SiH3F, SiH3Cl, SiH3Br, SiH3I et autres; un composé de silane supérieur tel que Si2HG6, Si3H8, Si4H10 et autres; un composé de silane à chaîne ramifiée tel que SiH3.SiH (SiH3)SiH2.SiH3 et autres; un composé de silane cyclique tel que SiH2)5, (SiH2)4, (SiH2)6, (SiH2)5.SiH.SiH3 et autres; et un gaz rare tel que He, Ar et autres. Ces matières peuvent être utilisées
individuellement ou en combinaison.
Le rapport de la quantité de précurseur ou d'espèces activées provenant de l'espace de décomposition (B) à la quantité d'espèces activées provenant de l'espace de décomposition (C), alimentant l'espace (A) de déposition, est choisi de façon appropriée suivant les conditions de déposition et les types d'espèces activées. Le rapport est généralement de 10:1 - 1:10, avantageusement 8:2 - 4:6
(rapport des débits d'écoulement).
Pour produire le précurseur ou les espèces activées dans l'espace de décomposition (B) ou (C), on utilise, comme énergie d'excitation, l'énergie d'une décharge électrique, l'énergie thermique, l'énergie lumineuse ou toute autre énergie en tenant compte des conditions de travail et de l'équipement des différents
cas individuels.
Lorsqu'un silane supérieur à chaîne droite ou un silane cyclique est utilisé comme matière à introduire dans l'espace de décomposition (C), il peut être décomposé à une vitesse très supérieure et avec moins d'énergie, et
la vitesse de déposition du film peut être encore augmen-
tée notablement. Par conséquent, une production régulière et en grande quantité de films de déposition peut être
obtenue plus facilement.
L'invention sera à présent décrite sous la forme d'un exemple typique d'éléments de formation d'images par électrophotographie qui sont produits par le procédé
de formation d'un film par déposition selon l'invention.
La figure 1 représente la structure d'un tel exemple typique. L'élément photoconducteur 100 représenté sur la figure 1 peut être utilisé comme élément de formation d'image pour électrophotographie possédant une structure stratifiée comprenant un substrat 101 convenant à un élément photoconducteur, une couche intermédiaire 102 et une couche superficielle 104 qui peuvent être formées
comme demandé, et une couche photoconductrice 103.
Le substrat 101 peut être conducteur électrique ou isolant électrique. Des matières convenant à un substrat conducteur sont, par exemple, des métaux tels que NiCr, l'acier inoxydable, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta,
V, Ti,Pt et Pd et les alliages de ces métaux.
Dans le cas du substrat isolant, on peut utiliser habituellement un film ou une feuille de résine synthétique, par exemple de polyester, de polyéthylène,
de polycarbonate, d'acétate de cellulose, de poly-
propylène, de poly(chlorure de vinyle), de poly(chlorure de vinylidène), de polystyrène, de polyamide, de verre, de céramique, de papier et autres. Il est souhaitable qu'au moins une face du substrat isolant soit rendue conductrice par un certain traitement convenable,puis recouverte d'autres couches nécessaires. Par exemple, la surface du substratest recouverte d'une mince pellicule de NiCr, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, In203, SnO2 ou ITO (In203+SnO2) lorsque le substrat est réalisé en verre et la surface est traitée avec un métal, par exemple NiCr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti ou Pt par déposition sous vide, déposition de vapeur par faisceau électronique, pulvérisation ou autres, ou bien revêtue d'une mince feuille du métal précédent lorsque le substrat est une pellicule de résine synthétique telle qu'une pellicule de polyester. On peut choisir en toute liberté la forme du substrat, comme souhaité, parmi des formes cylindrique, en courroie, en plaque, etc. Par exemple, il est souhaitable que le substrat utilisé pour un élément de formation d'image par électrophotographie, destiné à produire des copies continues à grande vitesse, se présente sous la forme d'une bande sans fin ou d'un
cylindre creux.
La couche intermédiaire 102 comprend, par exemple, une matière amorphe non photoconductrice contenant des atomes de silicium et l'un quelconque des atomes de carbone, d'azote, d'oxygène et d'un halogène. Cette
couche a pour fonction d'empêcher efficacement la péné-
tration de porteurs de charge dans la couche photoconduc-
trice 103, à partir du côté du substrat 101 et de faciliter le passage, du côté de la couche photoconductrice 103 vers le côté du substrat 101, de photoporteurs qui sont produits dans la couche photoconductrice 103 lorsque cette dernière est irradiée par des ondes électromagnétiques,
ces photoporteurs se déplaçant vers le substrat 101.
Pour la formation de la couche intermédiaire 102, on peut procéder en continu jusqu'à la formation de la couche photoconductrice 103. Dans ce cas, des gaz de départ pour former la couche intermédiaire 102, mélangés
2555614-
chacun à un gaz de dilution, si cela est nécessaire, tel que He ou Ar, sont introduits dans les espaces de décomposition prévus (B) et (C), respectivement. Puis, les énergies d'excitation nécessaires sont appliquées aux gaz se trouvant dans les espaces respectifs afin de produire un précurseur ou des espèces activées dans
l'espace (B) et des espèces activées dans l'espace (C).
Ceux-ci sont introduits dans un espace (A) de déposition o le substrat 101 est placé à l'avance, et la couche intermédiaire prévue 102 est formne sur le substrat 101, si cela est nécessaire, par l'application d'une autre énergie,
pour la formation d'un film, aux gaz introduits.
Des matières efficaces en tant que charge de l'espace de décomposition (C) pour produire des espèces activées destinées à former la couche intermédiaire 102 sont les suivantes: Ar, He, H2, SiH4; des silanes halogénés riches en hydrogène, par exemple SiH3Cl, SiH3F et SiH3Br; des silanes supérieurs à chaîne droite, par exemple Si2H6, Si3H8, et Si4H10; des silanes cycliques, par exemple (SiH2)5 et (SiH2)4; et des mélanges d'un silane cyclique, d'hydrogène et d'un silane supérieur à chaîne droite; des composés d'azote gazeux ou gazéifiables tels que l'azote, un nitrure et un azoture, par exemple N2, NH3, H2N.NH2, HN3, et NH4N3; des hydrocarbures saturés en C1-C5, par exemple du méthane, de l'éthane, du propane, du n-butane et du pentane; des hydrocarbures éthyléniques en C2C5, par exemple de l'éthylène, du propylène, du butène-1, du butène-2, de l'isobutylène et du pentène; des hydrocarbures acétyléniques en C2-C4, par exemple de l'acétylène, du méthylacétylène et du butyne; et des composés d'oxygène, par exemple 02' 03, CO, C02, NO, NO2,
et N20.
La matière de départ pour former la couche intermédiaire 102 est choisie de façon appropriée à partir des composés précités afin que des atomes prévus soient
contenus en tant que constituants dans la couche intermé-
diaire résultante 102.
Par ailleurs, des matières efficaces comme charge
de l'espace de décomposition (B) pour produire un précur-
seur ou des espèces activées destinés à la formation de la couche intermédiaire 102 sont, par exemple, SiF4 et SiH2F2, qui, à une température élevée, produisent aisément un précurseur tel que SiF2 ayant une longue durée de vie, ou
des espèces activées.
L'épaisseur de la couche intermédiaire 102 est
avantageusement de 3-100 nm, de préférence 5-60 nm.
La couche photoconductrice 103 comprend du silicium amorphe, a-SiX(H), qui comprend des atomes de silicium en tant que matrice et qui contient des atomes d'halogène (X) et, si cela est nécessaire, des atomes d'hydrogène (H) afin de posséder des caractéristiques photoconductrices telles que l'élément résultant peut assumer des fonctions suffisantes en tant qu'élément de
formation d'image par électrophotographie.
Pour la formation de la couche photoconductrice 103, un gaz de départ tel que SiF4 ou Si2H2F2 est introduit, de même que dans le cas de la couche intermédiaire 102, dans l'espace de décomposition (B) et est décomposé à une température élevée pour donner un précurseur ou des espèces activées. Ce précurseur ou ces espèces activées sont introduits dans l'espace de déposition (A). A l'intérieur de l'espace de décomposition (C), par ailleurs, on introduit un gaz de départ tel que H2, SiH4, SiH3F, Si2H6, Si3H8, (SiH2)5, (SiH2)4, (SiH3)6, ou un mélange de ces composés, et ce gaz ou ce mélange est excité à l'aide d'une énergie déterminée pour donner des espèces activées. Ces espèces activées sont introduites dans l'espace de déposition (A) et subissent une interaction chimique avec le précurseur ou les espèces activées introduites dans ce même espace à partir de l'espace de décomposition (B), de façon que la couche photoconductrice prévue 103 soit déposée sur la
couche intermédiaire 102.
En général, l'épaisseur de la couche photocon-
ductrice 103 est choisie de façon appropriée en fonction de l'application prévue pour le produit final. L'épaisseur de la couche photoconductrice 103 montrée sur la figure 1 est choisie de façon appropriée en fonction de l'épaisseur de la couche intermédiaire 102 afin de permettre aux deux couches d'assumer efficacement leur fonction respective. En général, on souhaite que l'épaisseur de la couche photoconductrice 103 soit supérieure, de plusieurs centaines ou de plusieurs milliers de fois, à celle de la couche intermédiaire 102. Des valeurs absolues pour l'épaisseur convenable de la couche photoconductrice 103
sont avantageusement de 1-100 dm, de préférence de 2 - 50 Dm.
La teneur de chacune des matières H et X (X étant un atome d'halogène tel que F) dans la couche photoconductrice 103 est avantageusement comprise entre 1 et 40 %, et de préférence entre 5 et 30 %, en valeur atomique. La couche superficielle 104 montrée sur la figure 1 peut être formée, si cela est nécessaire, de la même façon que la couche intermédiaire 102 ou que la couche photoconductrice 103. Pour réaliser la couche superficielle 104 en carbure de silicium, un gaz de départ,
par exemple SiF4, est introduit dans l'espace de décompo-
sition (B) et un gaz de départ, par exemple un mélange SiH4/CH4H2, un mélange SiH4/SiH2(CH3)2, un mélange Si2H6/CH4/H2, un mélange Si2H6/SiH2(CH3)2, un mélange (SiH2)5/CH4/H2, ou un mélange (SiH2) 5/SiH2(CH3)2 est introduit dans l'espace de décomposition (C). Le gaz introduit dans chaque espace est décomposé par une énergie d'excitation en un précurseur ou en espèces activées, dans les espaces respectifs, et est introduit séparément dans l'espace de déposition (A) pour que la couche superficielle
prévue 104 soit déposée sur la couche photoconductrice 103.
Un exemple avantageux de la couche superficielle 104 est un film déposé, par exemple un film de nitrure de silicium ou un film d'oxyde de silicium à large bande interdite. Il est également possible de modifier en continu la composition du film de la couche photoconductrice 103 à
la couche superficielle 104. L'épaisseur de la couche super-
ficielle 104 est avantageusement comprise entre 0,01 et gm, et de préférence entre 0,05 et 1 gm. Pour réaliser la couche photoconductrice 103 du type n ou du type p, selon ce qui est nécessaire, pendant la formation des couches, elle est dopée d'une impureté du type n ou d'une impureté du type p, ou d'impuretés des deux types, le degré du dopage étant contrôlé. Des impuretés du type p convenant pour le dopage sont des éléments du groupe III-A du tableau périodique, par exemple B, Al, Ga, In et Tl. Des impuretés convenables du type n comprennent des éléments du groupe V-A du tableau périodique, par exemple N,, P, As, Sb et
Bi, parmi lesquels B, Ga, P et Sb conviennent le mieux.
Les teneurs convenables pour le dopage de la couche photoconductrice 103 sont déterminées en fonction des caractéristiques électriques et optiques demandées pour la couche. Dans le cas d'éléments du groupe III-A du tableau périodique, les teneurs appropriées sont de 3 x 10-2 % et moins,en valeur atomique, et dans le cas d'éléments du groupe V-A, les teneurs convenables sont de -3 x 10 % et moins en valeur atomique. Le dopage de la couche photoconductrice 103 à l'aide d'une impureté peut être réalisé par le chargement d'une matière de départ, destiné à introduire l'impureté de dopage, à l'état gazeux, dans l'espace de décomposition (B) ou (C), au moment de la formation de la couche. La matière n'est avantageusement pas introduite dans l'espace (B), mais dans l'espace (C) à partir duquel des espèces
activées sont introduites dans l'espace de déposition (A).
Des matières convenables de départ pour l'impureté de dopage sont des composés qui sont gazeux à la température et à la pression normales, ou au moins aisément gazéifiables dans les conditions de formation de la couche. Des exemples de telles matières de départ comprennent PH3, P2H4, PF3, PF5, PC13, AsH3, AsF3, AsF5, AsCl3, SbH3, SbF5, BiH3, BF3, BC13, BBr3, B2H6, B4H10,
B5H9, B5H11, B6H10, B6H12 et AlCl3.
Exemple 1
A l'aide d'un appareil tel que représenté sur
la figure 2, un élément de formation d'image électro-
photographique du type à tambour est préparé de la manière suivante. Sur la figure 2, la référence numérique 1 désigne un espace (A) de déposition, la référence numérique 2 un espace (B) de décomposition, la référence numérique 3 un espace (C) de décomposition, la référence 4 un four électrique, la référence 5 des grains de Si solides, la référence 6 un tuyau d'entrée d'une matière de départ pour un précurseur, la référence 7 un conduit pour le précurseur, la référence 8 un four électrique, la référence 9 un tuyau d'entrée pour une matière de départ pour des espèces activées, la référence 10 un conduit pour les espèces activées, la référence 11 un moteur, la référence 12 un dispositif chauffant, la référence 13 un tuyau de purge de précurseur, la référence 14 un tuyau de purge des espèces activées, la référence 15 un cylindre
en aluminium et la référence 16 une valve de décharge.
Le cylindre 15 d'aluminium est suspendu dans l'espace (A) 1 de déposition. L'élément chauffant 12 est placé à l'intérieur du cylindre de manière à pouvoir être
mis en rotation par le moteur 11.
L'appareil comprend le conduit 7 destiné à l'introduction du précurseur à partir de l'espace (B) 2 de décomposition, le tuyau 13 de purge pour le précurseur, le conduit 10 pour l'introduction des espèces activées à partir de l'espace (C) 3 de décomposition et le tuyau 14
de purge des espèces activées.
Les grains de Si solide 5 chargés dans l'espace (B) 2 de décomposition sont amenés à l'état fondu par chauffage à l'aide du four électrique 4. Tandis que la température du Si fondu est maintenue à 1100 C, du SiF4 est insufflé dans cette matière à partir d'une bombe ou bouteille, par le conduit 6 d'entrée, de façon à former un précurseur constitué de SiF2. Le gaz contenant du SiF2 est ensuite introduit dans l'espace de déposition (A) 1 par
le conduit 7 et le tuyau 13 de purge.
Par ailleurs, du SiH et du H2 sont introduits dans l'espace (C) 3 de décomposition par le tuyau 9 d'entrée et chauffés à 600 C à l'aide du four électrique 8 de façon à former des espèces activées telles que SiH2, SiH, SiH3 et H. Le gaz contenant les espèces activées est introduit dans l'espace (A) 1 de déposition par le conduit et le tuyau 14 de purge. La longueur du- conduit 10 a été établie, dans ce cas, de façon à être aussi faible que possible pour minimiser la désactivation des espèces activées pendant leur passage dans ce conduit. Le cylindre d'aluminium disposé dans l'espace (A) 1 de déposition est chauffé à 300 C par le dispositif chauffant 12 et mis en rotation. Le gas résiduel est évacué par la valve 16 de décharge. Une couche photoconductrice 103 de 20 Nm d'épaisseur est ainsi formée. De façon similaire, une couche intermédiaire 102 et une couche superficielle 104 sont formées.
Exemple 2
Un film de déposition de silicium amorphe est formé par le procédé classique de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, à l'aide d'un appareil tel que montré sur la figure 2, dont l'espace de déposition (A) est équipé d'un dispositif de décharge électrique à haute fréquence de 13,56 MHz. On utilise à ce moment du SiF4,
du SiH4 et du H2.
Exemple 3
Un élément de formation d'image électrophoto-
graphique, sous la forme d'un tambour, est préparé de la même manière que dans l'exemple 1, sauf que, pour la formation de la couche photoconductrice, on introduit du H2 à la place du mélange SiH4/H2, dans l'espace (C) 3 de décomposition et on déclenche une réaction sous plasma à l'aide d'un dispositif de décharge électrique à haute fréquence de 13, 56 MHz, sans chauffage à l'aide du four électrique, de façon à produire un état de plasma d'hydrogène. Les espèces activées de H sont introduites dans l'espace de déposition (A) par l'intermédiaire du
tuyau 14 de purge.
Les conditions de préparation et le comportement de l'élément de formation d'image électrophotographique sous la forme de tambour, obtenu dans les exemples 1, 2
et 3, sont donnés dans le tableau 1.
Dans les exemples 1 et 3, la couche intermédiaire 102 de 200 nm d'épaisseur est formée de manière que SiF4 et SiH4/H2/NO/B2H6 (2 % de NO et 0,2 % de B2H6, en volume) soient introduits dans les espaces de décomposition (B) et (C) respectivement, et que le précurseur et les espèces activées soient produits à l'aide des énergies respectives
d'excitation et introduits dans l'espace de déposition (A).
De plus, dans l'exemple 2, la couche intermé-
diaire (200 nm) est formée par le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma à l'aide d'un mélange gazeux constitué de SiH4/H2/NO/B2H6, de la même composition
que celle indiquée dans les exemples 1 et 3.
Dans les exemples 1 et 3, la couche superficielle 104 (100 nm d'épaisseur) est formée de manière que du SiF4 soit introduit dans l'espace de décomposition (B) en même temps que du SiH4/CH4/H2 est introduit, dans un rapport en volume de 10:100:50, dans l'espace de décomposition (C), et le précurseur et les espèces activées sont produits à l'aide des énergies thermiques respectives d'excitation et
introduits dans l'espace de déposition (A).
Dans l'exemple 2 également, le procédé de dépôt chimique en phase vapeur sous plasma est mis en oeuvre en utilisant SiH4/CH4/H2, de la même composition que ci-dessus, pour former la couche superficielle 104 (100 nm d'épaisseur).
Des tarmbours de formation d'image électrophoto-
graphique préparés dans les exemples 1, 2 et 3 sont placés chacun dans une machine de copie du type à procédé Carlson réalisant une charge positive, une exposition d'image, un développement à l'aide d'une poudre pigmentée ou "toner" négatif, un report d'image et un fixage par la chaleur, et on obtient ainsi des copies du format A3 d'une image noire, d'une image blanche et d'une image grise. On examine les irrégularités des images résultantes et on les exprime par le nombre moyen de défauts de l'image. L'uniformité du potentiel chargé sur la surface cylindrique dans les directions circonférentielle et axiale est également estimée. Les résultats de ces estimations sont
donnés dans le tableau 1.
Exemple 4
A l'aide d'un appareil tel que montré sur la figure 3, on prépare des éléments de formation d'image électrophotographique en forme de tambour, dans des
conditions similaires à celles indiquées dans l'exemple 1.
Sur la figure 3, les références numériques 7, 10, 13, 14, 15 et 16 désignent les mêmes éléments que sur la figure 2, et la référence numérique 17 désigne un support mobile équipé de moyens de rotation, la référence 18 un espace de refroidissement, la référence 19 un espace
chauffant, et la référence 20 un espace de déposition.
Comme montré sur la figure 3, l'appareil utilisé dans cet exemple comprend une chambre chauffante 19, une
chambre 20 de déposition et une chambre 18 de refroidisse-
ment. Des cylindres 15 en aluminium sont placés sur le support mobile 17 équipé de moyens de rotation. Dans l'appareil, un certain nombre de cylindres d'aluminium peuvent être traités en même temps dans un espace de déposition pour produire en continu des éléments de formation d'image électrophotographique sous forme de
tambour.
Il a été confirmé que les éléments de formation d'image électrophotographique sous la forme de tambour, ayant des films de déposition uniformes et reproductibles, peuvent être produits en grande série à faible coût, par réglage des températures de l'espace de déposition et des cylindres d'aluminium, ainsi que des débits d'écoulement du gaz contenant le précurseur sortant du tuyau 13 par l'intermédiaire du conduit 7 et en provenance de l'espace de décOmposition (B) et du gaz contenant les espèces activées, sortant du tuyau 14 par l'intermédiaire du
conduit 10 et provenant de l'espace de décomposition (C).
Conformément au procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, un tel traitement d'un certain nombre de substrats cylindriques dans un espace de déposition poserait des problèmes d'uniformité de la décharge électrique et d'effets synergiques de paramètres compliqués affectant les conditions de production, rendant impossible la production d'éléments de formation d'image électrophotographique sous la forme de tambour, portant des
fils déposés uniformes, avec une reproductibilité élevée.
Exemple 5
A l'aide d'un appareil tel que montré sur la figure 4, on prépare un tambour de formation d'image pour électrophotographie. Sur la figure 4, la référence numérique 20 désigne un espace de déposition, la référence 21une
source d'énergie à haute fréquence (13,56 MHz), la réfé-
rence 22 un espace de plasma, la référence 23 une toile d'acier inoxydable à mailles de 0,297 mm, la référence 24 un substrat, la référence 25 une table de support, la référence 26 une masse destinée à maintenir le même potentiel, la référence 27 un tube desofflage d'un gaz contenant du précurseur ou d'un gaz contenant des espèces activées, provenant d'un espace de décomposition (B), la référence 28 un tuyau de soufflage d'un mélange SiH4/H2, la référence 29 un espace de déposition (A) et la référence
une valve de décharge.
Ainsi, à l'aide de l'appareil dans lequel l'espace de décomposition (C) et l'espace de déposition (A) se trouvent dans la même chambre et sont séparés de l'espace de décomposition (B), du SiF2 est produit dans cet espace de décomposition (B) de la même manière que dans l'exemple 1, et le gaz contenant SiF2 est introduit dans l'espace de déposition (A), tandis qu'un mélange SiH4/H2 est introduit dans l'espace de décomposition (C)
o un plasma est produit et mis en réaction avec SiF2.
Le gaz résultant est passé à travers la toile 23 et du silicium amorphe est déposé à partir de ce gaz sur le substrat qui est maintenu à une température de 280 C
dans l'espace de déposition (A). La couche photoconduc-
trice déposée présente de bonnes caractéristiques, par exemple une conductivité d'obscurité VD de 2 x 1011 i 1cm-1
et une conductivité à la lumière Vp de 3 x 106S 1cm1.
Exemple 6
On prépare un élément de formation d'image électrophotographique sous la forme d'un tambour à l'aide
d'un appareil tel que montré sur la figure 2.
La couche photoconductrice 103 de cet élément
est formé de la manière suivante: un cylindre 15 d'alu-
minium, suspendu dans l'espace de déposition (A)1, est mis en rotation et chauffé à 300 C par l'élément chauffant 12 qui a été placé à l'intérieur de ce cylindre d'aluminium
et mis en rotation par le moteur 11.
Les grains de Si solides 5 chargés dans l'espace (B)2 de décomposition fondent en étant chauffés par le four électrique 4. En même temps que la température du Si fondu est maintenue à 1100 C, du'SiF4 est insufflé à l'intérieur de cette matière à partir d'une bombe ou bouteille par l'intermédiaire du tuyau 6 d'entrée de façon à former des espèces activées de SiF2. Le gaz contenant du SiF2 est ensuite introduit dans l'espace (A)1 de déposition par l'intermédiaire du conduit 7 et du tuyau 13
de soufflage.
Par ailleurs, un mélange Si2H6/H2 (rapport en volume de 5:5) est introduit dans l'espace de décomposition (C)3 par l'intermédiaire du tuyau d'entrée 9 et est chauffé à 450 C à l'aide du four électrique 8 de façon à former des espèces activées telles que SiH2, SiH, SiH3 et H. Le gaz contenant des espèces activées est ensuite introduit dans l'espace de déposition (A)1 par l'intermédiaire du conduit 10 et du tuyau 14 de soufflage. Dans ce cas, le conduit 10 est conçu de façon à être aussi court que possible pour minimiser la désactivation des espèces activées pendant leur passage dans ce conduit. Ainsi, la couche photoconductrice 103 (de 21 gm d'épaisseur) est formée. Le gaz résiduel est déchargé par l'intermédiaire
de la valve 16 d'évacuation.
La couche intermédiaire 102 et la couche
superficielle 104 sont formées de façon similaire.
Exemple 7
Une couche photoconductrice 103 est formée à partir de SiF4, Si2H6 et H2, par le procédé classique de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, à l'aide d'un appareil tel que montré sur la figure 2, dont l'espace de déposition (A)1 est équipé d'un dispositif de décharge électrique à haute fréquence de 13,56 MHzo
Exemple 8
Un film déposé est formé de la même manière que dans l'exemple 6, sauf qu'un mélange SiH4/Si3H8/H2 (rapport en volume de 2:1:1) est introduit en tant que gaz de départ, dans l'espace de décomposition (C)3, et une réaction de plasma est déclenchée par l'application d'un champ électrique à haute fréquence de 13,56 MHz au mélange, au lieu du chauffage à l'aide du four électrique, ce qui donne un état de plasma d'hydrogène. Les espèces activées de H et divers silanes sont introduits dans le tuyau 14 de soufflage. De cette manière, on prépare un élément de formation d'image électrophotographique sous la forme d'un tambour.
Exemple 9
Un élément de formation d'image électrophoto-
graphique sous la forme d'un tambour est préparé de la même manière que dans l'exemple 6, sauf que, pour la formation de la couche photoconductrice, du Si2F6 est
introduit, comme gaz de départ, dans l'espace de décompo-
sition (B) et un mélange Si2H6/H2 (rapport en volume de 5:5) est introduit dans l'espace de décomposition (C) et chauffé à 450 C à l'aide du four électrique pour produire les
espèces activées d'hydrogène et de silane.
Les conditions de préparation et le comportement de l'élément de formation d'image électrophotographique en forme de tambour, obtenu dans les exemples 6, 7, 8 et
9, sont indiqués dans le tableau II.
Dans les exemples 6, 8 et 9, la couche intermédiaire 102 (200 nm d'épaisseur) est formée de manière que du SiF4 et du Si2H6/H2/NO/B2H6 (2 % de NO et 0,2 % de B2H6, en volume)soient introduits dans les espaces de décomposition (B) et (C) respectivement, et que des espèces activées soient produites à l'aide des énergies respectives d'excitation, et introduites dans l'espace de
déposition eA).
De même, dans l'exemple 7, la couche inter-
médiaire (200 nm d'épaisseur) est formée par le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, à l'aide d'un mélange gazeux de Si2H6/H2/NO/B2H6 de la même composition que celle indiquée dans les exemples 6,
8 et 9.
Dans les exemples 6, 8 et 9, la couche superficielle 104 (100 nm d'épaisseur) est formée de manière que du SiF4 soit introduit dans l'espace de décomposition (B) tandis que du Si2H6/CH4/H2 est introduit, dans un rapport en volume de 10:100:50, dans l'espace de décomposition (C) , et que les espèces activées sont produites à l'aide des énergies thermiques respectives d'excitation et sont introduites dans l'espace de
déposition (A).
Dans l'exemple 7 également, le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma est mis en oeuvre à l'aide de Si2H6/CH4/H2 de la même composition que celle indiquée ci-dessus pour former la couche
superficielle 104 (100 nm d'épaisseur).
Exemple 10
A l'aide d'un appareil tel que représenté sur
la figure 3, des éléments de formation d'image électro-
photographique, sous la forme d'un tambour, sont préparés en continu dans des conditions similaires à celles indiquées
dans l'exemple 6.
Il est confirmé que des éléments de formation d'image électrophotographique en forme de tambour, présentant des films déposés uniformes et reproductibles, peuvent être produits en grande série à de faibles coûts, par réglage des températures de l'espace de déposition
et des cylindresd'aluminium, ainsi que des débits d'écou-
lement du gaz contenant les espèces activées, à partir de l'espace de décomposition (B), et du gaz contenant les espèces activées à partir de l'espace de décomposition
(C), vers l'intérieur de l'espace de déposition (A).
Conformément au procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, un tel traitement d'un certain nombre de substrats cylindriques dans un seul espace de déposition poserait des problèmes d'uniformité de la décharge électrique et d'effets synergiques de paramètres compliqués affectant les conditions de production, ce qui rend impossible la production d'un élément de formation d'image électrophotographique, en formede tambour, présentant des films déposés uniformes,
avec une reproductibilité élevée.
Exemple 11
Un élément de formation d'image électrophoto-
* graphique, sous la forme d'un tambour, est préparé de la même manière que dans l'exemple 6, sauf que, pour la formation de la couche photoconductrice, un mélange de SiH4 et de H2 (rapport, en volume, de 1:1) est utilisé comme gaz de départ introduit dans l'espace de décomposition (C)3 et est chauffé à 600 C par le four électrique pour produire les espèces activées de silane et d'hydrogène. La couche superficielle 104 et la couche intermédiaire 102
sont formées de façon similaire.
Les éléments de formation d'image électro-
photographique en forme de tambour, préparés dans les exemples 6, 7, 8, 9 et 11, sont estimés de la même manière que dans le cas des exemples 1, 2 et 3. Les résultats de ces estimations sont indiqués dans le tableau II, ainsi que les conditions de travail pour la formation des
couches photoconductrices.
Exemple 12
Un élément de formation d'image électrophoto-
graphique en forme de tambour est préparé à l'aide d'un
appareil tel que représenté sur la figure 2.
La couche photoconductrice de cet élément est formée de la manière suivante: un cylindre 15 d'aluminium suspendu dans l'espace (A)1 de déposition est mis en rotation et chauffé à 280 C par le dispositif chauffant 12 qui a été placé à l'intérieur du cylindre d'aluminium et
mis en rotation par le moteur 11.
Les grains de Si solide 5 chargés dans l'espace de décomposition (B)2 sont fondus par chauffage à l'aide du four électrique 4. Tandis que la température du Si fondu est maintenue à 1100 C, du SiF4 est insufflé dans cette
matière à partir d'une bombe ou bouteille, par l'intermé-
diaire du tuyau 6 d'entrée, de façon à former une espèce activée de SiF2. Le gaz contenant du SiF2 est ensuite
introduit dans l'espace de déposition (A)1 par l'intermé-
diaire du conduit 7 et du tuyau 13 de soufflage.
Par ailleurs, du (SiH2)5 est introduit dans l'espace de décomposition (C) 3 par l'intermédiaire du tuyau 9 d'entrée et est chauffé à 300 C à l'aide du four électrique 8 pour produire des espèces activées telles que SiH2, SiH, SiH3 et H. Le gaz contenant les espèces activées est ensuite introduit dans l'espace de déposition (A)1 par l'intermédiaire du conduit 10 et du tuyau 14 de soufflage. Dans ce cas, le conduit est conçu de façon à
être aussi court que possible pour minimiser la désacti-
vation des espèces activées pendant leur passage dans ce tuyau. Ainsi, la couche photoconductrice 103 (20 gm d'épaisseur) est formée. Le gaz résiduel est déchargé par l'intermédiaire de la valve 16 d'évacuation. La couche intermédiaire 102 et la couche superficielle 104 sont
formées de façon similaire.
Exemple 13
Une couche photoconductrice 103 est formée à partir de SiF4, Si2H6 et H2, par le procédé classique de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, à l'aide d'un appareil tel que montré sur la figure 2 dont l'espace de déposition (A)1 est équipé d'un dispositif
de décharge électrique à haute fréquence de 13,56 MHz.
Exemple 14
Un élément de formation d'image électrophoto-
graphique en forme de tambour est préparé de la même manière que dans l'exemple 12, sauf que, pour la formation de la couche photoconductrice 103, un mélange SiH4/(SiH2)5 (rapport en volume de 1:1) est introduit comme gaz de départ dans l'espace de décomposition (C)3, et une réaction de plasma est déclenchée par application d'un champ électrique à haute fréquence de 13,56 MHz au mélange, plutôt que par chauffage à l'aide du four électrique, de façon à produire un état de plasma. Les espèces activées de divers silanes et de H sont ensuite introduites dans le tuyau 14 de soufflage. De cette manière, on
obtient un élément de formation d'image souhaité.
Exemple 15
Un élément de formation d'image électrophoto-
graphique sous la forme d'un tambour est préparé de la même manière que dans l'exemple 12, sauf que, pour la formation de la couche photoconductrice, un mélange (SiH2)4/(SiH2)5/H2 (rapport en volume de 1:1:1) est
introduit comme gaz de départ dans l'espace de décompo-
sition (C) et est chauffé à 320 C à l'aide du four électrique pour produire des espèces activées d'hydrogène
et de silanes.
Exemple 16
Un élément de formation d'image électrophoto-
graphique en forme de tambour est préparé de la même manière que dans l'exemple 12, sauf que, pour la formation de la couche photoconductrice, on introduit du Si2F6, en tant que gaz de départ, dans l'espace de décomposition (B) et on introduit du (SiH2)5 en tant que gaz de départ, dans l'espace de décomposition (C), et on chauffe à 300 C à l'aide du four électrique pour produire des
espèces activées de silanes et d'hydrogène.
Exemple 17
On prépare un élément de formation d'image électrophotographique sous la forme d'un tambour de la même manière que dans l'exemple 12, sauf que, pour la formation de la couche photoconductrice, un mélange Si2H6/(SiH2)5 (rapport en volume de 1:1) est introduit en tant que gaz de départ dans l'espace de décomposition (C) et est chauffé à 310 C à l'aide du four électrique pour produire des espèces activées de silanes et d'hydrogène. Les conditions de préparation et le comportement de l'élément de formation d'image électrophotographique en forme de tambour, obtenu dans les exemples 12, 13, 14,
, 16 et 17,sont indiqués dans le tableau III.
Dans les exemples 12, 14, i5, 16 et 17, la couche intermédiaire 102 (200 nm d'épaisseur) est formée de manière que du SiF4 et du (SiH2) 5/H2/NO/B2H6 (2 % de NO et 0,2 % de B2H6, en volume) soient introduits dans les espaces de décomposition (B) et (C), respectivement, et que des espèces activées soient produites à l'aide des énergies respectives d'excitation, et introduites dans
l'espace de déposition (A).
Dans l'exemple 13 également, la couche intermédiaire (200 nm d'épaisseur) est formée par le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, à l'aide d'un mélange gazeux de (SiH2)5/H2/NO/B2H6, de la même composition que celle utilisée dans les exemples
12 et 14.
Dans les exemples 12, 14, 15, 16 et 17, la couche superficielle 104 (100 nm d'épaisseur) est formée de manière que du SiF4 soit introduit dans l'espace de décomposition (B), tandis que du (SiH2)5/CH4/H2 est introduit dans un rapport en volume de 10:100:50 dans l'espace de décomposition (C), et les espèces activées sont produites avec les énergies thermiques respectives
d'excitation, et introduites dans l'espace de déposition (A).
Dans l'exemple 13 également, le procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma est mis en oeuvre en utilisant du (SiH2)5/CH4/H2 de la même composition que celle donnée ci-dessus pour former la
couche superficielle 104 (100 nm d'épaisseur).
Des tambours de formation d'image électropho-
tographique préparés dans les exemples 12, 13, 14, 15, 16 et 17 sont estimés de la même manière que dans le cas des exemples 1, 2 et 3. Les résultats de ces estimations sont donnés dans le tableau III, ainsi que les conditions
de travail pour la formation des couches photoconductrices.
Exemple 18
A l'aide d'un appareil tel que montré sur la
figure 3, des éléments de formation d'image électropho-
tographique en forme de tambour sont préparés en continu, dans des conditions similaires à celles utilisées dans
l'exemple 12.
Il est confirmé que les éléments de formation d'image électrophotographique, en forme de tambour,
comportant des couches de déposition uniformes et repro-
ductibles, peuvent être produits en grande série à bon marché, par réglage des températures de l'espace de déposition et des cylindres d'aluminium, ainsi que des débits d'écoulement du gaz contenant des espèces activées à partir de l'espace de décomposition (B), et du gaz contenant des espèces activées à partir de l'espace de décomposition (C), vers l'intérieur de l'espace de
déposition (A).
Conformément au procédé de déposition chimique en phase vapeur sous plasma, un tel traitement d'un certain nombre de substrats cylindriques dans un seul espace de déposition poserait des problèmes portant sur l'uniformité de la décharge électrique et sur les effets synergiques de paramètres compliqués de conditions de production, rendant impossible la production d'un élément de formation
l'image électrophotographique en forme de tambour, compor-
tant des filmsdéposés uniformes, avec une reproductibilité élevée. CJl o CJI C Vl
TAB L E A U I
Exemple 1 Ecemple 2 Exenple 3
Espace (B) de décomp..
Gaz de charge 4 SiF4 Temp. de dêcomp. 1100 C 1100 C Précurseur principal SiF* SiF2* Espace (C) de décomrp. SiH4/I2 2
Gaz de charge (rapport en volurm ( 1: 1).
Energie de décomp. Chaleur, 600 C Plasma HF 150 W Espèces activées SiHl2*, Sill*, H* SiH3*, H*, Si* Espace (A) de déposition Débit d'entrée à partiî de (B). 200 cm3/min 200 cm3/min Débit d'entrée à partir de (C) 100 cm /min 80 cm3/min (Conditions normales) Débit d'entrée à partir de SiF4 200 cm3/mir la bouteille SiH4 100 cm3/mir H12 100 cm /ri tn V
C.a O cJ C Cil -
T A B L E A U I (suite) Pression dans (A) 133 Pa 133 Pa 10)6 Pt'a Tempeérature de substrat 2800 C 260 C 280 C Tenpérature dans (A) 250 oC 250 C Vitesse de déposition 1,5 nm/s 0,5 nm/s 1,2 nm/s Haute fréquence de plasma 130 W Epaisseur de la couche photoconductrice 20 m 17 22 CD Nonbre moyen de défauts d'image 2 15 3 o pour chacun des 10 tambours Ecart des potentiels chargés répartis dans la direction +10V +30V 8V
circonférentielle - EBart des potentiels chargés répartis dans la direction axiale +15V +35V +
15V Nature du procédé Procédé-selon Procédé de déposi- Procédé selon l'invention tionchindqueen l'invention phase vapeur sous pl asma classique Ln ut Ch
tn O cn cht e-
TABLEAU IlI Exemple 6 Exemple 7 Exemple 8 Exemple 9 Exemple 11
Espace (B) de décamp.
Gaz de charge SiF SiF Si2F6 SiF
4 4 26 4
Temp. de décomp. 1100 C 1100 C 800 C' 1100 C Précurseur principal SiF2* SiF2* SiF2* SiF2*
Espace (C) de décomp.
Gaz de charge Si2H6/H2 SiH4/Si3H8/H2 Si2H6/H2 SiH4/H2 (rapport en volume) ( 5:5) (10: 5: 5) (5: 5) ( 1: 1) Ehergie de décomp. hDa!eur450 C Plasma HF 10OWChale]r:450 C Chaler: 600 C Espèces activées SiH2* SiH* Similaire à Similaire à Similaire à Si*, SiH3* l'exemple 6 l'exemple 6 l'exemple 6 Si2H5*, H* Espace (A) de décomp. 3 3 3 Débit d'entrée à partir 150 cm3/min 140 cm3/min 120 cm3/min 200 cm3 /mi de (B) 3 3 3 3 Débit d'entrée à partir 80 cm /min 75 cm /min 80 cm /min 100 cm /mnin
de (C). ............
Débit d'entrée à partir SiF4 -0Mc un d laSi2bt i l6 l O0 cm /m i __ _ _ _ _ _ _ _ _ __ _ _ _ _ _ _ _ _ J de la bouteille 100c m H2100cm3/m{i u4 cn o C(; ci TAB L E A U I I (suite) Pression dans (A) 146 Pa 160 Pa 160 Pa 133 l'a 133 Pa Temp. de substrat 270 C 260 C 270 C 270 C 280 C Tempérâture dans (A) 250 C 250 C 250 C 250 0C Vitesse de déposition 2,0 nm/s 0,8 nm/s _21. _ 2,.1 nn/s 1,5 nm/S Haute fréquence de plasr 130 W Epaisseur de la couche 21 m 18 pm 22 îim 21 1im 20 lim photoconductrice Nrrbre myen de défauts d'image pour chacun des 2 17 3 2 2 q o0 tambours Ecart des potentiels chargés répartis dans la +10V +30V +8V +11lV +10V
airection circonfé-
rentielle Ecart des potentiels chargés répartis dans la +13V +35V +15V + 12V +15V direction axiale Nature du procédé Procédé selon Procédé de dépoProcédé selon Procédé selon Uitilisaticn
1'invention chimique 14.invention 1'invention d'espèces acti-
en phase vapeur vées de monn-si sous plasma lane Sili4 classique_ _ _ _ _ _ _ wN w ow bO o cn C
TABLEAU III
Exemple 12Exemple 13Exme 14 eple 15 4epe 16 Exemple 17
Espace (B) de décoEIp.
Gaz de charge SiF4 SiF F4 Sisi2F6 SiF4 Temp. de décoa. 110c 1100 C 1100 C 1100 CC Précurseur principalSiF* SiF SiF* SiF* SiF* 2 2 2 2SiF2 SiF2
Espace (C) de décorp.
Gaz de charge |(SiH2)5 SiH4/(SiH2)5(Silt2)4/(Sil12)5si2Hl/( Sif2) (rapport en volumoe) 5(S 12/H
(1:1) (SIII2)5/2 (1:1)
(1: 1)
Energie de décan.Chaleur Plasma HF Chaleur Chaleur Chaleur 300 C 150 W 320 C 3000C 310oC Espèces activéesSiH2*, H* Similaire àSimilaire àSimilaire à SiH3*, SiH* l'exemple 12l'exemple 12 l'exemple12 l'exemple 12 Si*
Espace (A) de déconp.
Débit d'entrée à par-13 30 3 130 tir de (B) 150 cm3/min 135cm3/min180 cm3/min130 cm3/min170 cm3/min Débit d'entrée à par-70 cm3/min 60 cm3/min100 cm3/min70 cm3/min100 cm3/min tir de (C) _ ui U1 TAB L E A U I I I (1ère suite) Débit d'entrée à SiF4 partir de la 200cm/mi bouteille siH Si2H6 cm3/min H2
cm3/min....
Pression dans (A) 146 Pa 133 Pa 133 Pa 160 Pa 146 Pa 160 Pa Temp. de substrat 260 C 260 C 270 C 270 C 260 C 260 C Temp. dans (A) 2500C 2500C 2500C 200C 250Oc Vitesse de déposition 3,1 nm/s 0,5 nm/s 2,6 nm/s 3,3 nm/s 3,5 nm/s 3,5 rirn/s Haute fréquence de 130 W plasma Epaisseur de la 20 Pm 17 1m 21 pU 20 m 20 2 im 20 jim
couche photoconduc-
trice Wn')re nmven de dcfauts d'image pour chacun 1 15 3 2 1 2 des 10 tambours _. _" __ r___ Vl Ln un 0% Cil o T A B L E A U I I I (2è suite) Ecart des potentiels chargés répartis dans la direction +10V +30V +8V +F5V +8V +4V circonférentielle. _ _ Ecart des potentiels chargés répartis dans la direction axiale +12V +35V +14V +12V _ -13V +10V Natuie du procédé Procédé Procédé de Procédé selon Procédé Procédé Procédé selon déposition invention selon selon selon l'invention chimiaue en l'invention l'invention l'invention phase vapeur SQus.lasma
class_ _qale -..
vi

Claims (18)

REVENDICATIONS
1. Procédé pour former un film par déposition sur un substrat (101), caractérisé en ce qu'il consiste à introduire séparément un précurseur, formé dans un espace de décomposition (B), et des espèces activées, formées dans un autre espace de décomposition (C), dans un espace de déposition (A) o le film est formé sur le substrat.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la durée de vie du précurseur est d'au moins
0,01 seconde.
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les espèces activéesont des durées de vie pouvant
atteindre 10 secondes.
4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière à introduire dans l'espace de décomposition (B) pour former un précurseur est choisie dans le groupe comprenant les composés ayant les formules: SinX2n+1 (n étant un entier au moins égal à un, n 2+ X= F, Cl, Br, I), (SiX2)n (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I), SinHX2n+ l (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I), SinH2X2n (n étant un entier au moins égal à un,
X = F, Cl, Br, I).
5. Procédé selon la revendication l, caractérisé en ce que la matière à introduire dans l'espace de décomposition (C) pour former des espèces activées est choisie dans le groupe comprenant H2, SiH4, SiH3F, SiH3Br
et SiH3I.
6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le rapport, en quantité, du précurseur provenant de l'espace de décomposition (B) aux espèces activées provenant de l'espace de décomposition (C) est de 10:1 à 1:10 (rapport du débit d'écoulement), à l'espace
de déposition (A).
7. Procédé pour former un film par déposition sur un substrat (101), caractérisé en ce qu'il consiste à introduire séparément des espèces activées, formées dans un espace de décomposition (B) et des espèces activées, formées dans un espace de décomposition (C), dans l'espace de déposition (A) o le film est formé
sur le substrat.
8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que les espèces activées formées dans l'espace de décomposition (B) ont des durées de vie d'au moins
1 seconde.
9. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que les espèces activées formées dans l'espace de décomposition (B) ont des durées de vie d'au moins
150 secondes.
10. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que les espèces activées formées dans l'espace de
décomposition (C) ont de courtes durées de vie.
11. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la matière à introduire dans l'espace de décomposition (B) pour former les espèces activées est choisie dans le groupe comprenant les composés ayant pour formules: SinX2n+ (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I) , (SiX2)n (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I), SinHX2n+l (n étant un entier au moins égal à un, X = F, Cl, Br, I), et S SinH2X2n (n étant un entier au moins égal à un,
X = F, Cl, Br, I).
12. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la matière à introduire dans l'espace de décomposition (C) pour former les espèces activées est
un composé de silane supérieur à chaîne droite.
13. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la matière à introduire dans l'espace de décomposition (C) pour former les espèces activées est un
composé d'un silane cyclique.
14. Procédé-selon la revendication 7, caracté-
risé en ce que le rapport, en quantité, des espèces activées provenant de l'espace de décomposition (B) aux espèces activées provenant de l'espace de décomposition (C) est de 10:1 à 1:10 (rapport des débits d'écoulement),
à l'espace de déposition (A).
15. Procédé pour former un film par déposition sur un substrat (101), caractérisé en ce qu'il consiste à introduire séparément des espèces activées (a) qui sont préparées par décomposition d'un halogénure de silicium représenté par la formule SinX2n+2 (n étant un entier au moins égal à un), et un mélange d'espèces activées d'hydrogène avec des espèces activées (b), représentées par la formule SimH2mx (m et x étant des entiers au moins égaux chacun à un), le mélange étant préparé par décomposition d'un composé de silane supérieur à chaîne droite, dans l'espace de déposition (A) o le film est
formé sur le substrat.
16. Procédé pour former un film par déposition sur un substrat (101), caractérisé en ce qu'il consiste à introduire séparément des espèces activées (a), qui sont préparées par décomposition d'un halogénure de silicium représenté par la formule SinX2n+2 (n étant un entier au moins égal à un) et un mélange d'espèces activées d'hydrogène avec des espèces activées (b), le mélange étant préparé par décomposition d'un composé d'un silane cyclique, dans l'espace de déposition (A) o le film est
formé sur le substrat.
17. Procédé selon l'une quelconque des revendication 1, 7, 15 et 16, caractérisé en ce que le précurseur ou les espèces activées sont formés par l'utilisation de l'une quelconque des énergies de
décharges électrique, thermique et lumineuse.
18. Procécé selon l'une quelconque des
revendications 1, 7, 15 et 16, caractérisé en ce que le
précurseur ou les espèces activées formés comprennent un précurseur ou des espèces activées d'une impureté du
type p ou du type n.
FR848412872A 1983-08-16 1984-08-16 Procede pour former un film sur un substrat par decomposition en phase vapeur Expired - Lifetime FR2555614B1 (fr)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58149366A JPS6041047A (ja) 1983-08-16 1983-08-16 堆積膜形成法
JP58149758A JPS6042765A (ja) 1983-08-17 1983-08-17 堆積膜形成法
JP58151027A JPS6042766A (ja) 1983-08-18 1983-08-18 堆積膜形成法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2555614A1 true FR2555614A1 (fr) 1985-05-31
FR2555614B1 FR2555614B1 (fr) 1991-09-06

Family

ID=27319737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR848412872A Expired - Lifetime FR2555614B1 (fr) 1983-08-16 1984-08-16 Procede pour former un film sur un substrat par decomposition en phase vapeur

Country Status (4)

Country Link
US (3) US4835005A (fr)
DE (1) DE3429899A1 (fr)
FR (1) FR2555614B1 (fr)
GB (1) GB2148328B (fr)

Families Citing this family (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3429899A1 (de) * 1983-08-16 1985-03-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms
CA1245109A (fr) * 1983-10-31 1988-11-22 Hsien-Kun Chu Obtention de pellicules d'halogenosilanes polymeriques amorphes; produits qui en sont derives
US4759947A (en) * 1984-10-08 1988-07-26 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming deposition film using Si compound and active species from carbon and halogen compound
US4772486A (en) * 1985-02-18 1988-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming a deposited film
US4726963A (en) * 1985-02-19 1988-02-23 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US5244698A (en) * 1985-02-21 1993-09-14 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4818563A (en) * 1985-02-21 1989-04-04 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4853251A (en) * 1985-02-22 1989-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film including carbon as a constituent element
US4801468A (en) * 1985-02-25 1989-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
JP2537175B2 (ja) * 1985-03-27 1996-09-25 キヤノン株式会社 機能性堆積膜の製造装置
JPH0624238B2 (ja) * 1985-04-16 1994-03-30 キヤノン株式会社 フォトセンサアレイの製造方法
US4695331A (en) * 1985-05-06 1987-09-22 Chronar Corporation Hetero-augmentation of semiconductor materials
JP2635021B2 (ja) * 1985-09-26 1997-07-30 宣夫 御子柴 堆積膜形成法及びこれに用いる装置
CN1015008B (zh) * 1985-10-23 1991-12-04 佳能株式会社 形成沉积膜的方法
US4812325A (en) * 1985-10-23 1989-03-14 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming a deposited film
JPS62136871A (ja) * 1985-12-11 1987-06-19 Canon Inc 光センサ−、その製造方法及びその製造装置
JPS62136885A (ja) * 1985-12-11 1987-06-19 Canon Inc 光起電力素子、その製造方法及びその製造装置
JPH0645886B2 (ja) * 1985-12-16 1994-06-15 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH0647727B2 (ja) * 1985-12-24 1994-06-22 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH0651906B2 (ja) * 1985-12-25 1994-07-06 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH0647730B2 (ja) * 1985-12-25 1994-06-22 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
US5391232A (en) * 1985-12-26 1995-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Device for forming a deposited film
JPH0651909B2 (ja) * 1985-12-28 1994-07-06 キヤノン株式会社 薄膜多層構造の形成方法
GB2185758B (en) * 1985-12-28 1990-09-05 Canon Kk Method for forming deposited film
JPH084070B2 (ja) * 1985-12-28 1996-01-17 キヤノン株式会社 薄膜半導体素子及びその形成法
US5322568A (en) * 1985-12-28 1994-06-21 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for forming deposited film
JPH084071B2 (ja) * 1985-12-28 1996-01-17 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH0651908B2 (ja) * 1985-12-28 1994-07-06 キヤノン株式会社 薄膜多層構造の形成方法
JP2566914B2 (ja) * 1985-12-28 1996-12-25 キヤノン株式会社 薄膜半導体素子及びその形成法
US4868014A (en) * 1986-01-14 1989-09-19 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming thin film multi-layer structure member
US4801474A (en) * 1986-01-14 1989-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming thin film multi-layer structure member
US5366554A (en) * 1986-01-14 1994-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Device for forming a deposited film
JPH084072B2 (ja) * 1986-01-14 1996-01-17 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
EG18056A (en) * 1986-02-18 1991-11-30 Solarex Corp Dispositif feedstock materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photo-voltaic devices and other semiconductor devices
US4800173A (en) * 1986-02-20 1989-01-24 Canon Kabushiki Kaisha Process for preparing Si or Ge epitaxial film using fluorine oxidant
DE3706482A1 (de) * 1986-02-28 1987-09-03 Politechnika Warszawska Verfahren und vorrichtungen zur herstellung von diffusionsoberflaechenschichten auf metallenen werkstuecken durch glimmentladung
US4696834A (en) * 1986-02-28 1987-09-29 Dow Corning Corporation Silicon-containing coatings and a method for their preparation
US4877650A (en) * 1986-03-31 1989-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming deposited film
JPS62228471A (ja) * 1986-03-31 1987-10-07 Canon Inc 堆積膜形成法
US5135607A (en) * 1986-04-11 1992-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
AU606053B2 (en) * 1986-04-11 1991-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
EP0241317B1 (fr) * 1986-04-11 1993-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Procédé de fabrication d'une couche déposée
EP0242182B1 (fr) * 1986-04-14 1993-06-30 Canon Kabushiki Kaisha Procédé pour former une couche déposée
JPH0639702B2 (ja) * 1986-04-14 1994-05-25 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
US5246734A (en) * 1986-05-05 1993-09-21 Dow Corning Corporation Amorphous silicon hermetic coatings for optical wave guides
US5126169A (en) * 1986-08-28 1992-06-30 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming a deposited film from two mutually reactive active species
EP0264722A3 (fr) * 1986-10-09 1989-07-12 Mitsubishi Materials Corporation Procédé de préparation de silicium amorphe
US4834023A (en) * 1986-12-19 1989-05-30 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for forming deposited film
FR2592524B1 (fr) * 1986-12-29 1991-06-14 Canon Kk Procede de production d'un dispositif electronique a structure multicouche et dispositif electronique ainsi obtenu
US5269848A (en) * 1987-03-20 1993-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Process for preparing a functional thin film by way of the chemical reaction among active species and apparatus therefor
US5874350A (en) * 1987-03-20 1999-02-23 Canon Kabushiki Kaisha Process for preparing a functional thin film by way of the chemical reaction among active species
US4762808A (en) * 1987-06-22 1988-08-09 Dow Corning Corporation Method of forming semiconducting amorphous silicon films from the thermal decomposition of fluorohydridodisilanes
DE3923390A1 (de) * 1988-07-14 1990-01-25 Canon Kk Vorrichtung zur bildung eines grossflaechigen aufgedampften films unter verwendung von wenigstens zwei getrennt gebildeten aktivierten gasen
JPH0225577A (ja) * 1988-07-15 1990-01-29 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JPH02114530A (ja) * 1988-10-25 1990-04-26 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
US5198387A (en) * 1989-12-01 1993-03-30 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for in-situ doping of deposited silicon
JP2758948B2 (ja) * 1989-12-15 1998-05-28 キヤノン株式会社 薄膜形成方法
US5149596A (en) * 1990-10-05 1992-09-22 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Vapor deposition of thin films
US5248621A (en) * 1990-10-23 1993-09-28 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing solar cell devices of crystalline material
JP2965094B2 (ja) * 1991-06-28 1999-10-18 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法
JPH086181B2 (ja) * 1992-11-30 1996-01-24 日本電気株式会社 化学気相成長法および化学気相成長装置
WO1995034092A1 (fr) * 1994-06-03 1995-12-14 Materials Research Corporation Procede de nitruration de couches minces de titane
US5665640A (en) * 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
US5628829A (en) * 1994-06-03 1997-05-13 Materials Research Corporation Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films
US5975912A (en) * 1994-06-03 1999-11-02 Materials Research Corporation Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits
JPH09221559A (ja) * 1996-02-16 1997-08-26 Suzuki Motor Corp 高分子基材へのプラズマｃｖｄによる薄膜形成方法及び装置
JPH1081971A (ja) 1996-07-10 1998-03-31 Suzuki Motor Corp 高分子基材へのプラズマＣＶＤによるＳｉＣ薄膜形成方法及び装置
US6352593B1 (en) * 1997-08-11 2002-03-05 Torrex Equipment Corp. Mini-batch process chamber
US20030049372A1 (en) * 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
US7393561B2 (en) * 1997-08-11 2008-07-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for layer by layer deposition of thin films
US6432479B2 (en) 1997-12-02 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Method for in-situ, post deposition surface passivation of a chemical vapor deposited film
US6368665B1 (en) * 1998-04-29 2002-04-09 Microcoating Technologies, Inc. Apparatus and process for controlled atmosphere chemical vapor deposition
KR100414611B1 (ko) * 1999-03-09 2004-01-07 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 장치의 제조 방법
US6821571B2 (en) * 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
JP2001043530A (ja) 1999-07-28 2001-02-16 Anelva Corp 情報記録ディスク用保護膜作成方法及び情報記録ディスク用薄膜作成装置
US6541369B2 (en) 1999-12-07 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing fixed charges in a semiconductor device
US6559026B1 (en) 2000-05-25 2003-05-06 Applied Materials, Inc Trench fill with HDP-CVD process including coupled high power density plasma deposition
JP2001345273A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Canon Inc シリコン系薄膜の形成方法、シリコン系薄膜及び光起電力素子
US6436488B1 (en) * 2000-06-12 2002-08-20 Agilent Technologies, Inc. Chemical vapor deposition method for amorphous silicon and resulting film
KR100797385B1 (ko) * 2000-10-19 2008-01-24 로베르트 보쉬 게엠베하 유도 결합 플라즈마를 이용한 기판의 에칭 장치 및 방법
JP3712356B2 (ja) * 2000-10-23 2005-11-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 成膜方法および半導体装置の製造方法
US6596653B2 (en) * 2001-05-11 2003-07-22 Applied Materials, Inc. Hydrogen assisted undoped silicon oxide deposition process for HDP-CVD
US6740601B2 (en) 2001-05-11 2004-05-25 Applied Materials Inc. HDP-CVD deposition process for filling high aspect ratio gaps
US6812153B2 (en) * 2002-04-30 2004-11-02 Applied Materials Inc. Method for high aspect ratio HDP CVD gapfill
US7628897B2 (en) * 2002-10-23 2009-12-08 Applied Materials, Inc. Reactive ion etching for semiconductor device feature topography modification
US7097886B2 (en) * 2002-12-13 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Deposition process for high aspect ratio trenches
US6808748B2 (en) * 2003-01-23 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Hydrogen assisted HDP-CVD deposition process for aggressive gap-fill technology
US7081414B2 (en) * 2003-05-23 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Deposition-selective etch-deposition process for dielectric film gapfill
US6958112B2 (en) * 2003-05-27 2005-10-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems for high-aspect-ratio gapfill using atomic-oxygen generation
US7205240B2 (en) 2003-06-04 2007-04-17 Applied Materials, Inc. HDP-CVD multistep gapfill process
US7879696B2 (en) * 2003-07-08 2011-02-01 Kovio, Inc. Compositions and methods for forming a semiconducting and/or silicon-containing film, and structures formed therefrom
US6903031B2 (en) * 2003-09-03 2005-06-07 Applied Materials, Inc. In-situ-etch-assisted HDP deposition using SiF4 and hydrogen
US20050181633A1 (en) * 2004-02-17 2005-08-18 Hochberg Arthur K. Precursors for depositing silicon-containing films and processes thereof
US7498015B1 (en) 2004-02-27 2009-03-03 Kovio, Inc. Method of making silane compositions
US7087497B2 (en) * 2004-03-04 2006-08-08 Applied Materials Low-thermal-budget gapfill process
US20050260356A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Applied Materials, Inc. Microcontamination abatement in semiconductor processing
US7229931B2 (en) * 2004-06-16 2007-06-12 Applied Materials, Inc. Oxygen plasma treatment for enhanced HDP-CVD gapfill
US7183227B1 (en) 2004-07-01 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Use of enhanced turbomolecular pump for gapfill deposition using high flows of low-mass fluent gas
US7087536B2 (en) * 2004-09-01 2006-08-08 Applied Materials Silicon oxide gapfill deposition using liquid precursors
US7485691B1 (en) 2004-10-08 2009-02-03 Kovio, Inc Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom
US20060084283A1 (en) * 2004-10-20 2006-04-20 Paranjpe Ajit P Low temperature sin deposition methods
US7709307B2 (en) * 2006-08-24 2010-05-04 Kovio, Inc. Printed non-volatile memory
JP2010506001A (ja) 2006-10-06 2010-02-25 コヴィオ インコーポレイテッド シリコンポリマー、シリコン化合物の重合方法、及びそのようなシリコンポリマーから薄膜を形成する方法
US7678715B2 (en) * 2007-12-21 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Low wet etch rate silicon nitride film
US20090301551A1 (en) * 2008-05-14 2009-12-10 Energy Photovoltaics, Inc. Silicon Film Deposition Method Utilizing a Silent Electric Discharge and an Active Species
US20090293943A1 (en) * 2008-05-14 2009-12-03 Energy Photovoltaics, Inc. Silicon Film Deposition Method Utilizing a Silent Electric Discharge
DE102010062984A1 (de) * 2010-12-14 2012-06-14 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Halogen- und Hydridosilane
US8497211B2 (en) 2011-06-24 2013-07-30 Applied Materials, Inc. Integrated process modulation for PSG gapfill
DE102012103204A1 (de) * 2012-04-13 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Beschichtung eines Substrates mit einem Halbleitermaterial
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US20210225633A1 (en) * 2020-01-17 2021-07-22 Asm Ip Holding B.V. FORMATION OF SiOCN THIN FILMS

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1268600B (de) * 1964-11-16 1968-05-22 Siemens Ag Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer einkristallinen, insbesondere dotiertenHalbleiterschicht
GB1290491A (fr) * 1968-10-03 1972-09-27
CH533939A (de) * 1970-02-20 1973-02-15 Sulzer Ag Verfahren zur Herstellung von dotierten, keramischen Werkstoffen
WO1981000862A1 (fr) * 1979-09-20 1981-04-02 Western Electric Co Procedes et appareil de production de plasmas
JPS56102577A (en) * 1980-01-18 1981-08-17 Mitsubishi Electric Corp Method and device for forming thin film
JPS56153727A (en) * 1981-04-15 1981-11-27 Shunpei Yamazaki Manufacture of semiconductor device
JPS57175720A (en) * 1981-04-21 1982-10-28 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd Method for forming silicon film
EP0074212A1 (fr) * 1981-08-24 1983-03-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Dispositif pour la formation d'un film mince

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1118579A (en) * 1967-04-21 1968-07-03 Standard Telephones Cables Ltd A method of and apparatus for growing an epitaxial layer of semiconductive material on a surface of a semiconductive substrate
US3473978A (en) * 1967-04-24 1969-10-21 Motorola Inc Epitaxial growth of germanium
BE758613A (fr) * 1969-11-06 1971-05-06 Consortium Elektrochem Ind Procede et dispositif de fabrication de couches semi-conductrices epitactiques
US3916034A (en) * 1971-05-21 1975-10-28 Hitachi Ltd Method of transporting substances in a plasma stream to and depositing it on a target
US3825439A (en) * 1972-08-16 1974-07-23 Corning Glass Works Method for forming amorphous semiconductors
US3961997A (en) * 1975-05-12 1976-06-08 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Fabrication of polycrystalline solar cells on low-cost substrates
US4084024A (en) * 1975-11-10 1978-04-11 J. C. Schumacher Co. Process for the production of silicon of high purity
JPS5914543B2 (ja) * 1976-05-25 1984-04-05 日本電気株式会社 プラズマデポジション装置
FR2419585A1 (fr) * 1978-03-07 1979-10-05 Thomson Csf Procede d'obtention en phase gazeuse d'une couche epitaxiale de phosphure d'indium, et appareil d'application de ce procede
US4217374A (en) * 1978-03-08 1980-08-12 Energy Conversion Devices, Inc. Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors
US4471042A (en) * 1978-05-04 1984-09-11 Canon Kabushiki Kaisha Image-forming member for electrophotography comprising hydrogenated amorphous matrix of silicon and/or germanium
GB2038086A (en) * 1978-12-19 1980-07-16 Standard Telephones Cables Ltd Amorphous semiconductor devices
JPS6029295B2 (ja) * 1979-08-16 1985-07-10 舜平 山崎 非単結晶被膜形成法
US4365015A (en) * 1979-08-20 1982-12-21 Canon Kabushiki Kaisha Photosensitive member for electrophotography composed of a photoconductive amorphous silicon
US4363828A (en) * 1979-12-12 1982-12-14 International Business Machines Corp. Method for depositing silicon films and related materials by a glow discharge in a disiland or higher order silane gas
JPS56133884A (en) * 1980-03-24 1981-10-20 Hitachi Ltd Manufacture of photoelectric transducer
JPS56146142A (en) * 1980-04-16 1981-11-13 Hitachi Ltd Electrophotographic sensitive film
CA1159012A (fr) * 1980-05-02 1983-12-20 Seitaro Matsuo Dispositif de deposition de plasma
JPS5710920A (en) * 1980-06-23 1982-01-20 Canon Inc Film forming process
JPS5730325A (en) * 1980-07-30 1982-02-18 Nec Corp Manufacture of amorphous silicon thin film
US4522663A (en) * 1980-09-09 1985-06-11 Sovonics Solar Systems Method for optimizing photoresponsive amorphous alloys and devices
JPS5766625A (en) * 1980-10-11 1982-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacture of film
JPS5767938A (en) * 1980-10-16 1982-04-24 Canon Inc Production of photoconductive member
JPS5842126B2 (ja) * 1980-10-31 1983-09-17 鐘淵化学工業株式会社 アモルファスシリコンの製造方法
US4419381A (en) * 1982-01-12 1983-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making magnetic material layer
US4468443A (en) * 1981-03-12 1984-08-28 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing photoconductive member from gaseous silicon compounds
JPS57149465A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Canon Inc Formation of accumulated film
US4564997A (en) * 1981-04-21 1986-01-21 Nippon-Telegraph And Telephone Public Corporation Semiconductor device and manufacturing process thereof
US4430404A (en) * 1981-04-30 1984-02-07 Hitachi, Ltd. Electrophotographic photosensitive material having thin amorphous silicon protective layer
JPS57194521A (en) * 1981-05-25 1982-11-30 Sekisui Chem Co Ltd Manufacture of thin film semiconductor
US4402762A (en) * 1981-06-02 1983-09-06 John Puthenveetil K Method of making highly stable modified amorphous silicon and germanium films
US4434188A (en) * 1981-12-17 1984-02-28 National Institute For Researches In Inorganic Materials Method for synthesizing diamond
US4430149A (en) * 1981-12-30 1984-02-07 Rca Corporation Chemical vapor deposition of epitaxial silicon
DE3205345A1 (de) * 1982-02-15 1983-09-01 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg "verfahren zur herstellung von fluordotierten lichtleitfasern"
US4439463A (en) * 1982-02-18 1984-03-27 Atlantic Richfield Company Plasma assisted deposition system
US4485125A (en) * 1982-03-19 1984-11-27 Energy Conversion Devices, Inc. Method for continuously producing tandem amorphous photovoltaic cells
JPS58170536A (ja) * 1982-03-31 1983-10-07 Fujitsu Ltd プラズマ処理方法及びその装置
US4466992A (en) * 1982-05-28 1984-08-21 Phillips Petroleum Company Healing pinhole defects in amorphous silicon films
US4447469A (en) * 1982-06-10 1984-05-08 Hughes Aircraft Company Process for forming sulfide layers by photochemical vapor deposition
JPS5941464A (ja) * 1982-08-30 1984-03-07 Toshiba Corp 膜形成装置
US4615905A (en) * 1982-09-24 1986-10-07 Sovonics Solar Systems, Inc. Method of depositing semiconductor films by free radical generation
US4504518A (en) * 1982-09-24 1985-03-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy
US4517223A (en) * 1982-09-24 1985-05-14 Sovonics Solar Systems Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy
US4664937A (en) * 1982-09-24 1987-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of depositing semiconductor films by free radical generation
JPS5969142A (ja) * 1982-10-13 1984-04-19 Toshiba Corp 膜形成方法及び膜形成装置
US4521447A (en) * 1982-10-18 1985-06-04 Sovonics Solar Systems Method and apparatus for making layered amorphous semiconductor alloys using microwave energy
US4582560A (en) * 1982-12-06 1986-04-15 Sri International In situ production of silicon crystals on substrate for use in solar cell construction
JPS59159167A (ja) * 1983-03-01 1984-09-08 Zenko Hirose アモルフアスシリコン膜の形成方法
US4479455A (en) * 1983-03-14 1984-10-30 Energy Conversion Devices, Inc. Process gas introduction and channeling system to produce a profiled semiconductor layer
JPS59199035A (ja) * 1983-04-26 1984-11-12 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜生成装置
JPS6026664A (ja) * 1983-07-22 1985-02-09 Canon Inc アモルフアスシリコン堆積膜形成法
DE3429899A1 (de) * 1983-08-16 1985-03-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms
US4569697A (en) * 1983-08-26 1986-02-11 Energy Conversion Devices, Inc. Method of forming photovoltaic quality amorphous alloys by passivating defect states
US4546008A (en) * 1983-11-07 1985-10-08 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming a deposition film
JPS60154521A (ja) * 1984-01-23 1985-08-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 炭化珪素被膜作製方法
US4544423A (en) * 1984-02-10 1985-10-01 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Amorphous silicon semiconductor and process for same
US4514437A (en) * 1984-05-02 1985-04-30 Energy Conversion Devices, Inc. Apparatus for plasma assisted evaporation of thin films and corresponding method of deposition
JPS61223756A (ja) * 1985-03-28 1986-10-04 Canon Inc 複写装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1268600B (de) * 1964-11-16 1968-05-22 Siemens Ag Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer einkristallinen, insbesondere dotiertenHalbleiterschicht
GB1290491A (fr) * 1968-10-03 1972-09-27
CH533939A (de) * 1970-02-20 1973-02-15 Sulzer Ag Verfahren zur Herstellung von dotierten, keramischen Werkstoffen
WO1981000862A1 (fr) * 1979-09-20 1981-04-02 Western Electric Co Procedes et appareil de production de plasmas
JPS56102577A (en) * 1980-01-18 1981-08-17 Mitsubishi Electric Corp Method and device for forming thin film
JPS56153727A (en) * 1981-04-15 1981-11-27 Shunpei Yamazaki Manufacture of semiconductor device
JPS57175720A (en) * 1981-04-21 1982-10-28 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd Method for forming silicon film
EP0074212A1 (fr) * 1981-08-24 1983-03-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Dispositif pour la formation d'un film mince

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 5, no. 178 (C-78)[850], 14 novembre 1981; & JP-A-56 102 577 (MITSUBISHI DENKI K.K.) 17-08-1981 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 6, no. 32 (E-96)[910], 26 février 1982; & JP-A-56 153 727 (SHIYUNPEI YAMAZAKI) 27-11-1981 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 7, no. 19 (C-147)[1164], 25 janvier 1983; & JP-A-57 175 720 (FUJI DENKI SOUGOU KENKYUSHO K.K.) 28-10-1982 *

Also Published As

Publication number Publication date
US5910342A (en) 1999-06-08
DE3429899A1 (de) 1985-03-07
DE3429899C2 (fr) 1989-11-09
US5645947A (en) 1997-07-08
FR2555614B1 (fr) 1991-09-06
GB8420725D0 (en) 1984-09-19
US4835005A (en) 1989-05-30
GB2148328A (en) 1985-05-30
GB2148328B (en) 1987-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2555614A1 (fr) Procede pour former un film sur un substrat par decomposition en phase vapeur
FR2490839A1 (fr) Element photoconducteur
JPS6041047A (ja) 堆積膜形成法
JPH0459390B2 (fr)
US6410102B1 (en) Plasma process method
FR2593965A1 (fr) Procede de production d'un dispositif electronique a structure multicouche et le dispositif ainsi obtenu
US6158382A (en) Method for forming a deposited film by plasma chemical vapor deposition and apparatus for forming a deposited film by plasma chemical vapor deposition
JPH071395B2 (ja) 電子写真感光体
JPH0372710B2 (fr)
JPS6227388B2 (fr)
JP2668407B2 (ja) 電子写真用像形成部材
JP2668408B2 (ja) 電子写真用像形成部材
JP3320228B2 (ja) 電子写真用光受容部材の製造方法
JP3323681B2 (ja) 電子写真感光体の製造方法
JP3402952B2 (ja) 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
JP2925298B2 (ja) 堆積膜形成方法
JP2009280856A (ja) 非単結晶シリコン膜の製造方法、該製造方法により形成された光導電層を有する電子写真感光体、及び、それを用いた電子写真装置
FR2551229A1 (fr) Element photoconducteur pour electrophotographie
JP2668406B2 (ja) 電子写真用像形成部材
JPH11350147A (ja) 堆積膜形成方法及び装置
JPS63125679A (ja) 堆積膜形成法
JP2001316823A (ja) 真空処理方法及び真空処理装置
JPS61137158A (ja) 電子写真感光体
JPS61143768A (ja) 電子写真感光体
JPH08286392A (ja) 光受容部材および光受容部材の製造方法