ES2621938T3 - Conductor de alta frecuencia con una conductividad mejorada - Google Patents

Conductor de alta frecuencia con una conductividad mejorada Download PDF

Info

Publication number
ES2621938T3
ES2621938T3 ES14716747.2T ES14716747T ES2621938T3 ES 2621938 T3 ES2621938 T3 ES 2621938T3 ES 14716747 T ES14716747 T ES 14716747T ES 2621938 T3 ES2621938 T3 ES 2621938T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
base material
high frequency
frequency conductor
conductor according
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
ES14716747.2T
Other languages
English (en)
Inventor
Martin Mikulics
Hilde Hardtdegen
Detlev GRÜTZMACHER
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Forschungszentrum Juelich GmbH
Original Assignee
Forschungszentrum Juelich GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Forschungszentrum Juelich GmbH filed Critical Forschungszentrum Juelich GmbH
Application granted granted Critical
Publication of ES2621938T3 publication Critical patent/ES2621938T3/es
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
    • H01L21/28587—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds characterised by the sectional shape, e.g. T, inverted T
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/402—Field plates
    • H01L29/404—Multiple field plate structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
    • H01L29/42376—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the length or the sectional shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/47—Schottky barrier electrodes
    • H01L29/475—Schottky barrier electrodes on AIII-BV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4966—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a composite material, e.g. organic material, TiN, MoSi2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66848—Unipolar field-effect transistors with a Schottky gate, i.e. MESFET
    • H01L29/66856—Unipolar field-effect transistors with a Schottky gate, i.e. MESFET with an active layer made of a group 13/15 material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762—Charge transfer devices
    • H01L29/765—Charge-coupled devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
    • H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
    • H01L29/812—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a Schottky gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Un conductor de alta frecuencia (1), que comprende por lo menos un material de base conductor de la electricidad, en el que la relación de las superficies externa e interna penetrables por una corriente del material de base al volumen total del material de base por subdivisión del material de base, perpendicularmente a la dirección de la corriente en dos segmentos (1a), (1b), que están distanciados por una pieza intermedia (1c) conductora de la electricidad así como conectados entre sí eléctrica y mecánicamente, que se compone de un material que es atacable por un agente corrosivo, frente al que es estable el material de base, ha aumentado en comparación con una conformación del material de base en la que se había suprimido esta subdivisión caracterizado por que por lo menos un segmento en cada dirección situada perpendicularmente a la dirección de la corriente tiene una dimensión comprendida entre el doble de la profundidad de efecto pelicular del material de base en el caso de la máxima frecuencia de servicio y el múltiplo de 2,5 de la profundidad de efecto pelicular del material de base en el caso de la más baja frecuencia de servicio.

Description

DESCRIPCION
Conductor de alta frecuencia con una conductividad mejorada
El invento se refiere a un conductor de alta frecuencia con una conductividad mejorada Estado de la tecnica
5 La corriente continua penetra por completo en un conductor electrico, a traves del cual ella es guiada. La corriente alterna penetra solamente hasta una profundidad de efecto pelicular (“skin”), que es dependiente del material y de la frecuencia en el conductor, puesto que el campo magnetico alterno generado por la corriente induce en el interior del conductor, en virtud de la regla de Lenz, una tension antagonista, que empuja a la corriente hasta junto al borde del conductor. De esta manera, solamente la zona de borde de la seccion transversal del conductor esta a disposicion 10 hasta la profundidad de efecto pelicular para el transporte de la corriente. El resto de la seccion transversal del conductor no contribuye en nada al transporte de la corriente. Con el fin de disminuir la resistencia electrica del conductor, es conocido aumentar su tamano, de manera tal que tambien se haga mayor la zona de borde portadora de la corriente. De manera desventajosa, una pequena ganancia de conductividad se adquiere a costa de un gran volumen adicional de material conductor, que no participa en el transporte de la corriente a causa del efecto 15 pelicular. Los metales mejor conductores son metales nobles y por lo tanto son muy costosos.
El dispositivo de acuerdo con el documento de solicitud de patente de los EE.UU US 2003/234437 A1 comprende un conductor de alta frecuencia con por lo menos un material de base capaz de conducir la electricidad, en el que la relacion de las superficies externa e interna del material de base, penetrables por una corriente, al volumen total del material de base, aumenta por subdivision del material de base, perpendicularmente a la direccion de la corriente, en 20 por lo menos dos segmentos, que estan distanciados por una pieza intermedia conductora de la electricidad asf como conectados entre sf electrica y mecanicamente, en comparacion con una conformacion del material de base, en la que se habfa omitido esta subdivision, componiendose la pieza intermedia a base de un material, que es atacable por un agente corrosivo, frente al que es estable el material de base.
De modo desventajoso, en ese documento no se da ninguna informacion acerca de las dimensiones de los 25 segmentos ni del consumo de material vinculado con ello, por una parte, ni de la eficiencia del conductor, por otra parte.
Mision y solucion del problema planteado por ella
Por lo tanto, la mision del invento es poner a disposicion un conductor de alta frecuencia, en el que los segmentos tengan una dimension, que de lugar a la mejor conductividad posible al mismo tiempo que a unos costos del material 30 lo mas pequenos que sean posibles.
El problema planteado por esta mision se resuelve conforme al invento mediante un conductor de alta frecuencia de acuerdo con la reivindicacion principal, asf como mediante un procedimiento de produccion de acuerdo con una reivindicacion secundaria. Otras ventajosas formas de realizacion se establecen a partir de las reivindicaciones subordinadas que se refieren a ella.
35 Objeto del invento
En el marco del invento se desarrollo un conductor de alta frecuencia, que comprende por lo menos un material de base conductor de la electricidad.
Conforme al invento, el dispositivo comprende por lo menos un material de base conductor de la electricidad. Este esta subdividido perpendicularmente a la direccion de la corriente en por lo menos dos segmentos, que estan 40 distanciados por una pieza intermedia conductora de la electricidad. La pieza intermedia se compone a base de un material, que es atacable por un agente corrosivo, frente al que es estable el material de base. Mediante la pieza intermedia los segmentos estan conectados entre sf electrica y mecanicamente. Mediante esta conformacion se aumenta la relacion de las superficies externa e interna del material de base, que son penetrables por una corriente, al volumen total del material de base, en comparacion con una conformacion del material de base, en la que se 45 habfa omitido esta subdivision.
Mediante estas medidas tecnicas que conciernen a la conformacion, la misma cantidad de material de base se puede disponer espacialmente de manera tal que una mayor proporcion del material de base se encuentre a una distancia de a lo sumo la profundidad del efecto pelicular desde una superficie externa o interna y por consiguiente participe en el transporte de corriente. Por consiguiente permanece sin aprovechar una menor proporcion en virtud 50 del efecto pelicular.
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Conforme al invento, por lo menos un segmento del material de base tiene, en cada direccion situada perpendicularmente a la direccion de la corriente, una dimension comprendida entre el doble de la profundidad del efecto pelicular del material de base en el caso de la maxima frecuencia de servicio y un multiplo de 2,5 de la profundidad del efecto pelicular del material de base en el caso de la mas baja frecuencia de servicio. Una menor dimension merma la conductividad, una dimension esencialmente mas alta da lugar solo a unos costos mas altos del material, pero no establece ningun aumento de la conductividad.
Conforme al invento, la pieza intermedia se compone de un material, que puede ser atacado por un agente corrosivo, frente al que es estable el material de base. Entonces, el conductor de alta frecuencia puede ser producido de manera especialmente sencilla, creciendo sobre el substrato unas capas alternantes hechas del material de base y del material de la pieza intermedia y usandose a continuacion el agente corrosivo. Las capas hechas del material de la pieza intermedia son atacadas entonces simultaneamente por dos lados. En el centro entre ambos lugares de ataque queda un resto, cuya anchura depende de la duracion de la corrosion y de la velocidad de corrosion. No es necesaria ninguna secuencia complicada de etapas de litograffa.
De la pieza intermedia se ha de solicitar solamente que ella tenga una conductividad metalica y que sea estable mecanicamente. Cuando el conductor de alta frecuencia es aplicado sobre un semiconductor, entonces para cada semiconductor hay un grupo de materiales conductivos especialmente apropiados, que forman p.ej. un contacto de Schottky con el semiconductor.
Ventajosamente el material de la pieza intermedia es un metal del grupo principal 3° o 4° o un metal de transicion, o contiene por lo menos uno de tales metales como elemento de aleacion. De manera especialmente ventajosa, el material de la pieza intermedia pertenece al grupo de (Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn) o el contiene por lo menos un metal de este grupo como elemento de aleacion. Estos materiales reunen una conductividad tolerable con una buena corrosividad en particular mediante agentes corrosivos qmmicos en humedo. Cuando se utiliza un procedimiento de produccion, en el que no se trata de esto, el material de la pieza intermedia puede sin embargo ser tambien por ejemplo un metal noble y en particular ser identico al material de base.
Si el material de base esta estructurado topograficamente, ventajosamente por lo menos un 30 %, preferiblemente por lo menos un 50 % y de manera muy especialmente preferida por lo menos un 80 % de las estructuras topograficas tienen en cada direccion situada perpendicularmente a la direccion de la corriente una dimension comprendida entre el doble de la profundidad del efecto pelicular del material de base en el caso de la maxima frecuencia de servicio y el multiplo de 2,5 de la profundidad del efecto pelicular del material de base en el caso de la mas baja frecuencia de servicio. Entonces las estructuras son penetradas por la corriente esencialmente por completo.
Si el material de base es poroso, entonces ventajosamente la mas pequena distancia es de por lo menos un 30 %, preferiblemente por lo menos un 50 % y de manera muy especialmente preferida por lo menos un 80 % de los poros con respecto a sus vecinos mas proximos es entre el doble de la profundidad del efecto pelicular del material de base en el caso de la maxima frecuencia de servicio y el multiplo de 2,5 de la profundidad del efecto pelicular del material de base en el caso de la mas baja frecuencia de servicio. Entonces las zonas situadas entre los poros son penetradas esencialmente por completo por la corriente y quedan solo pequenas cantidades del material de base, que no contribuyen en nada al transporte de la corriente.
Ventajosamente el material de base es carbono o un metal noble o seminoble o contiene por lo menos un material de este grupo como elemento de aleacion. En una forma de realizacion especialmente ventajosa del invento, el material de base pertenece al grupo de (Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn) o contiene por lo menos un metal de este grupo como elemento de aleacion. El carbono y estos metales nobles no solamente son optimamente conductores de la electricidad sino que tambien son estables frente a influencias del medio ambiente asf como frente a agentes corrosivos qmmicos en humedo, que se utilizan eventualmente para la produccion de piezas intermedias.
En una forma de realizacion especialmente ventajosa del invento, el conductor de alta frecuencia esta desarrollado como electrodo de control de un transistor. El puede estar desarrollado como electrodo de puerta de un transistor de efecto de campo. En el caso de un transistor de efecto de campo, en aras de obtener una frecuencia de conmutacion y una pendiente del flanco de la conmutacion lo mas altas que sean posibles, es importante poder cubrir con carga al electrodo de puerta con la mayor rapidez que sea posible o, a la inversa, poder evacuar carga desde este con la mayor rapidez que sea posible.
Ventajosamente, el conductor de alta frecuencia esta acoplado como electrodo de puerta a traves de una pieza intermedia conductora de la electricidad, que define la longitud de puerta, a una estructura semiconductora de transistor de efecto de campo. Cuanto mas pequena sea la longitud de puerta, tanto mayor es la frecuencia maxima de conmutacion del transistor.
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
En otra forma de realizacion especialmente ventajosa del invento, el conductor de alta frecuencia esta conformado como electrodo colector o de disipacion de un fotodetector. Particularmente, en un fotodetector de acuerdo con el principio MSM (acronimo de metal - semi-conductor - metal) el rendimiento cuantico es tanto mejor cuanto mas pequena sea la resistencia electrica de los electrodos colectores y de disipacion.
Segun lo que se ha dicho precedentemente, el invento se refiere tambien a un procedimiento para la produccion de un conductor de alta frecuencia conforme al invento. En tal caso se hacen crecer sobre un substrato unas capas alternantes hechas del material de la pieza intermedia y del material de base. El apilamiento de capas es sometido a continuacion a la accion de un agente corrosivo, que corroe isotropamente al material de la pieza intermedia y al mismo tiempo no ataca ni al substrato ni al material de base. Mediante la interaccion de la velocidad de corrosion con la duracion de la corrosion se puede ajustar la anchura de la pieza intermedia que queda despues del proceso de corrosion.
Ventajosamente, se escoge un agente corrosivo diluible. La velocidad de corrosion se puede ajustar entonces a traves del grado de dilucion. El agente corrosivo puede ser, por ejemplo, un acido o una base. Sin embargo, la dilucion puede, pero no debe, efectuarse con agua. Por ejemplo, se pueden utilizar para la dilucion tambien otros disolventes.
Parte descriptiva especial
Seguidamente se explica el objeto del invento con ayuda de unas Figuras, sin que el objeto del invento sea restringido por ello. Se muestra:
En la Figura 1: Un ejemplo de realizacion del conductor de alta frecuencia conforme al invento.
En la Figura 2: La respuesta en frecuencia de la densidad de corriente conseguible y la comparacion con el estado de la tecnica.
En la Figura 3: Un ejemplo de realizacion del procedimiento de produccion conforme al invento.
En la Figura 4: Una fotograffa tomada con microscopio electronico de barrido del conductor de alta frecuencia
conforme al invento y su comparacion con el estado de la tecnica.
En la Figura 5: La respuesta en frecuencia de la amplificacion de la corriente en cortocircuito de un transistor con un conductor de alta frecuencia conforme al invento como puerta y de un transistor con puerta de acuerdo con el estado de la tecnica.
La Figura 1a muestra un Ejemplo de realizacion del conductor de alta frecuencia conforme al invento 1 como dibujo en seccion. El conductor de alta frecuencia 1 esta acoplado a traves de una pieza intermedia 2 hecha de mquel, que define la longitud de puerta, a una heteroestructura AlGaN/GaN 3 como una estructura semiconductora de transistor con efecto de campo. Esta heteroestructura se encuentra sobre un substrato de zafiro. El substrato asf como las zonas de fuente y de sumidero del transistor, inclusive el contacto electrico, no se dibujan por motivos de claridad. El material de base oro del conductor de baja frecuencia 1 esta subdividido en dos segmentos 1a y 1b, que estan conectados entre sf electrica y mecanicamente por una pieza intermedia 1c hecha de mquel. La corriente, que aporta carga a la puerta o respectivamente la evacua desde ella, fluye perpendicularmente al plano del dibujo. A causa del efecto pelicular, solamente las partes rayadas proximas a las superficies de los dos segmentos 1a y 1b contribuyen al transporte de la corriente a traves del conductor de alta frecuencia 1. El transporte de la corriente a traves de las piezas intermedias 1c y 2, que conducen peor, se desprecia en la Figura 1 por motivos de claridad.
La Figura 1b muestra como comparacion un conductor de alta frecuencia 1 de acuerdo con el estado actual de la tecnica, que contiene la misma cantidad de material de base que el Ejemplo de realizacion segun la Figura 1a, en dibujo en seccion. En el presente caso se suprime la subdivision en dos segmentos del material de base. Como consecuencia de ello se suprimen la arista inferior del segmento 1a y la arista superior del segmento 1b como zonas proximas a la superficie, que contribuyen al transporte de la corriente. De esta manera, se aprovecha para el transporte de la corriente solo una parte manifiestamente mas pequena del costoso material de base.
En la Figura 2, para los conductores de alta frecuencia segun la Figura 1a (lmea continua) y segun la Figura 1b (lmea de trazos) se registra a escala doblemente logantmica en funcion de la frecuencia f la respuesta en frecuencia de la densidad de corriente j que se puede conseguir en el conductor de alta frecuencia. Para unas frecuencias a partir de aproximadamente 2*1010Hzse muestra una manifiesta ganancia de densidad de corriente cuando se emplea la misma cantidad de material de base.
La Figura 3 muestra un ejemplo de realizacion del procedimiento de produccion conforme al invento, con el que se habfa producido el conductor de alta frecuencia mostrado en la Figura 1a. Sobre una heteroestructura 3 de
5
10
15
20
25
AlGaN/GaN, que ha^a crecido sobre un substrato de zafiro, disponible comercialmente, se hicieron crecer en primer lugar unas capas alternantes de mquel y oro con un espesor en cada caso de 200 nm (Figura 3a). La heteroestructura se compone de una capa amortiguadora de GaN no dopada con un espesor de 3 pm, sobre la que se encuentra una barrera de AlGaN con un espesor de 30 nm. En la cantidad molar de material de esta barrera, el AIN tiene una proporcion de 26 %. Despues del crecimiento, el apilamiento de capas fue sometido a la accion de un acido clorlmdrico diluido con agua (HCl:H2O 1:100), que atacaba a las capas de mquel en cada caso desde la derecha y desde la izquierda (Figura 3b). Despues de la corrosion el apilamiento de capas fue enjuagado en agua desionizada durante l0 min, con el fin de detener la descomposicion ulterior de las capas de mquel. Las mediciones por AFM mostraron que mediante la corrosion no se habfa aumentado la aspereza media (rms) causada por la corrosion.
Inmediatamente sobre la heteroestructura 3 quedo una pieza intermedia de mquel 2, que define la longitud de puerta del transistor con alta movilidad de electrones, en ingles high electron mobility transistor" (con el acronimo HEMT). La segunda pieza intermedia de mquel 1c une a los dos segmentos 1a y 1b del material de base oro.
La Figura 4a muestra una fotograffa tomada en microscopio electronico de barrido del conductor de alta frecuencia conforme al invento producido de esta manera, que corresponde al esquema de acuerdo con la Figura 1a, en seccion transversal (puerta T de dos niveles). La Figura 4b muestra como comparacion una fotograffa tomada en microscopio electronico de barrido de un Ejemplo para la habitual estructura de puerta T (puerta T de un solo nivel) de acuerdo con el estado de la tecnica, que corresponde al esquema segun la Figura 1b, en seccion transversal.
La Figura 5 muestra la respuesta en frecuencia de la amplificacion de corriente de cortocircuito g de un transistor con una puerta T habitual de acuerdo con el estado de la tecnica (Figura 1b; delgada lmea de puntos) y de un transistor con una puerta T de dos niveles conforme al invento (Figura 1a; gruesa lmea continua g) registrada en cada caso en funcion de la frecuencia F. Ambos transistores estan estructurados por lo demas identicamente. La ventaja del transistor con el conductor de alta frecuencia conforme al invento como puerta se hace visible en el caso de altas frecuencias. De esta manera el conductor de alta frecuencia conforme al invento confiere al transistor una mas alta frecuencia lfmite fmax (maxima frecuencia, que es transferida sin amortiguacion).

Claims (11)

  1. 5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    40
    REIVINDICACIONES
    1. Un conductor de alta frecuencia (1), que comprende por lo menos un material de base conductor de la electricidad,
    en el que la relacion de las superficies externa e interna penetrables por una corriente del material de base al volumen total del material de base por subdivision del material de base, perpendicularmente a la direccion de la corriente en dos segmentos (1a), (1b), que estan distanciados por una pieza intermedia (1c) conductora de la electricidad asf como conectados entre sf electrica y mecanicamente, que se compone de un material que es atacable por un agente corrosivo, frente al que es estable el material de base, ha aumentado en comparacion con una conformacion del material de base en la que se habfa suprimido esta subdivision caracterizado por que
    por lo menos un segmento en cada direccion situada perpendicularmente a la direccion de la corriente tiene una dimension comprendida entre el doble de la profundidad de efecto pelicular del material de base en el caso de la maxima frecuencia de servicio y el multiplo de 2,5 de la profundidad de efecto pelicular del material de base en el caso de la mas baja frecuencia de servicio.
  2. 2. Un conductor de alta frecuencia de acuerdo con la reivindicacion 1, caracterizado por que el material de la pieza intermedia es un metal del 3° o 4° grupo principal o un metal de transicion o por que el contiene por lo menos uno de tales metales como elemento de aleacion.
  3. 3. Un conductor de alta frecuencia de acuerdo con la reivindicacion 2, caracterizado por que el material de la pieza intermedia pertenece al grupo de (Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn) o contiene por lo menos un metal de este grupo como elemento de aleacion.
  4. 4. Un conductor de alta frecuencia de acuerdo con una de las reivindicaciones 1 hasta 3, caracterizado por que el material de base es carbono o un metal noble o seminoble o por que el contiene por lo menos un material de este grupo como elemento de aleacion.
  5. 5. Un conductor de alta frecuencia de acuerdo con una de las reivindicaciones 1 hasta 4, caracterizado por que el material de base pertenece al grupo de (Ru, Rh, Pd, Ag, Os, Ir, Pt, Au) o contiene por lo menos un metal de este grupo como elemento de aleacion.
  6. 6. Un conductor de alta frecuencia de acuerdo con una de las reivindicaciones 1 hasta 5, caracterizado por que el esta desarrollado como electrodo de control de un transistor.
  7. 7. Un conductor de alta frecuencia de acuerdo con la reivindicacion 6, caracterizado por que el esta desarrollado como electrodo de puerta de un transistor de efecto de campo.
  8. 8. Un conductor de alta frecuencia de acuerdo con la reivindicacion 7, caracterizado por que el esta acoplado a traves de una pieza intermedia conductora de la electricidad, que define la longitud de puerta, a una estructura semiconductora de transistor de efecto de campo.
  9. 9. Un conductor de alta frecuencia de acuerdo con una de las reivindicaciones 1 hasta 8, caracterizado por que el esta desarrollado como electrodo colector o de disipacion de un fotodetector.
  10. 10. Un procedimiento para la produccion de un conductor de alta frecuencia de acuerdo con una de las reivindicaciones 1 hasta 9, caracterizado por que sobre un substrato se hacen crecer capas alternantes a base del material de la pieza intermedia y del material de base y el apilamiento de capas se somete a continuacion a la accion de un agente corrosivo, que corroe isotropamente al material de la pieza intermedia y al mismo tiempo no ataca ni al substrato ni al material de base.
  11. 11. Un procedimiento de acuerdo con la reivindicacion 10, caracterizado por que se escoge un agente corrosivo diluible.
ES14716747.2T 2013-04-18 2014-03-20 Conductor de alta frecuencia con una conductividad mejorada Active ES2621938T3 (es)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013006624 2013-04-18
DE201310006624 DE102013006624B3 (de) 2013-04-18 2013-04-18 Hochfrequenzleiter mit verbesserter Leitfähigkeit und Verfahren seiner Herstellung
PCT/DE2014/000149 WO2014169887A1 (de) 2013-04-18 2014-03-20 Hochfrequenzleiter mit verbesserter leitfähigkeit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2621938T3 true ES2621938T3 (es) 2017-07-05

Family

ID=50478638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES14716747.2T Active ES2621938T3 (es) 2013-04-18 2014-03-20 Conductor de alta frecuencia con una conductividad mejorada

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9735247B2 (es)
EP (1) EP2987179B1 (es)
JP (1) JP6244450B2 (es)
CN (1) CN105493246B (es)
DE (1) DE102013006624B3 (es)
ES (1) ES2621938T3 (es)
WO (1) WO2014169887A1 (es)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220139709A1 (en) * 2020-11-05 2022-05-05 International Business Machines Corporation Confined gallium nitride epitaxial layers
CN113327759B (zh) * 2021-05-30 2022-11-15 南京工业职业技术大学 一种基于宽禁带异质结结构的平面变压器

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4624004A (en) * 1985-07-15 1986-11-18 Eaton Corporation Buried channel MESFET with backside source contact
JPS6489361A (en) * 1987-09-30 1989-04-03 Fujitsu Ltd Photoelectronic integrated circuit device
JP2932475B2 (ja) * 1988-02-05 1999-08-09 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US4935805A (en) * 1988-05-16 1990-06-19 Eaton Corporation T-type undercut electrical contact on a semiconductor substrate
US4959326A (en) * 1988-12-22 1990-09-25 Siemens Aktiengesellschaft Fabricating T-gate MESFETS employing double exposure, double develop techniques
US5179041A (en) * 1989-06-16 1993-01-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for manufacturing an electrode structure for III-V compound semiconductor element
US5550068A (en) * 1990-11-05 1996-08-27 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Process of fabricating a circuit element for transmitting microwave signals
US5281769A (en) * 1990-11-05 1994-01-25 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Dewall plating technique
JPH04354375A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US5211807A (en) * 1991-07-02 1993-05-18 Microelectronics Computer & Technology Titanium-tungsten etching solutions
JP2887985B2 (ja) 1991-10-18 1999-05-10 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2924450B2 (ja) 1992-05-22 1999-07-26 日本電気株式会社 半導体装置
JPH07326633A (ja) * 1994-06-02 1995-12-12 Toshiba Corp 半導体装置とその製造方法
JP2606592B2 (ja) * 1994-06-24 1997-05-07 日本電気株式会社 電界効果型トランジスタのゲート電極及びその製造方法
JP3336487B2 (ja) * 1995-01-30 2002-10-21 本田技研工業株式会社 高周波トランジスタのゲート電極形成方法
JPH09251999A (ja) * 1996-03-14 1997-09-22 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH10247664A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP2964981B2 (ja) * 1997-03-14 1999-10-18 日本電気株式会社 半導体装置
JP2001308610A (ja) 2000-04-20 2001-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロストリップ線路、その製造方法、インダクタ素子及び高周波半導体装置
JP2002118123A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Sanyo Electric Co Ltd 化合物半導体スイッチ回路装置
US7084507B2 (en) * 2001-05-02 2006-08-01 Fujitsu Limited Integrated circuit device and method of producing the same
JP4229642B2 (ja) 2002-06-18 2009-02-25 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路用インダクタ及びその製造方法
US7799699B2 (en) * 2004-06-04 2010-09-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling
JP4153932B2 (ja) 2004-09-24 2008-09-24 株式会社東芝 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2006113725A2 (en) * 2005-04-18 2006-10-26 The Regents Of The University Of California Optical transceiver integratable with silicon vlsi
EP4040474A1 (en) * 2005-06-02 2022-08-10 The Board of Trustees of the University of Illinois Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling
JP4647484B2 (ja) * 2005-12-27 2011-03-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
WO2008039534A2 (en) * 2006-09-27 2008-04-03 Amberwave Systems Corporation Quantum tunneling devices and circuits with lattice- mismatched semiconductor structures
EP1978472A3 (en) * 2007-04-06 2015-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2009004435A (ja) * 2007-06-19 2009-01-08 Toshiba Corp 半導体装置
JP2009076867A (ja) * 2007-08-30 2009-04-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体素子の製造方法
JP5285348B2 (ja) * 2008-07-30 2013-09-11 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 回路装置
JP2010123831A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Panasonic Corp インダクタとその製造方法
JP2010219117A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Toshiba Corp 半導体装置
US8105889B2 (en) * 2009-07-27 2012-01-31 Cree, Inc. Methods of fabricating transistors including self-aligned gate electrodes and source/drain regions
US9293553B2 (en) * 2011-03-10 2016-03-22 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Graphene electrodes for electronic devices
US20120305059A1 (en) * 2011-06-06 2012-12-06 Alta Devices, Inc. Photon recycling in an optoelectronic device
JP5768027B2 (ja) * 2012-09-20 2015-08-26 株式会社東芝 窒化物半導体層の形成方法
US8859439B1 (en) * 2013-03-28 2014-10-14 International Business Machines Corporation Solution-assisted carbon nanotube placement with graphene electrodes

Also Published As

Publication number Publication date
US20160013285A1 (en) 2016-01-14
DE102013006624B3 (de) 2014-05-28
EP2987179A1 (de) 2016-02-24
CN105493246A (zh) 2016-04-13
EP2987179B1 (de) 2017-01-25
JP6244450B2 (ja) 2017-12-06
US9735247B2 (en) 2017-08-15
CN105493246B (zh) 2018-04-24
WO2014169887A1 (de) 2014-10-23
JP2016521457A (ja) 2016-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6522102B2 (ja) 電界効果ダイオード及びその製造方法
WO2015056797A1 (ja) 窒化物半導体装置およびその製造方法、ならびにダイオードおよび電界効果トランジスタ
JP5494474B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN103098189B (zh) 半导体装置
JP6588340B2 (ja) 窒化物パワーデバイスおよびその製造方法
CN103858236A (zh) 利用再生长栅极的GaN垂直JFET的方法和系统
JP2013235873A (ja) 半導体装置およびその製造方法
CN104600107B (zh) 电子器件
JP5817833B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法、電源装置
CN103875075A (zh) 利用再生长沟道的GaN垂直JFET的方法和系统
JP5792922B2 (ja) ショットキバリアダイオードおよびその製造方法
US20160079410A1 (en) Semiconductor device
JP4873448B2 (ja) 整流ダイオード
CN107393890A (zh) 一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构及制备方法
ES2621938T3 (es) Conductor de alta frecuencia con una conductividad mejorada
WO2017187856A1 (ja) 半導体装置
CN111863953B (zh) 功率开关器件及其制作方法
KR20130082307A (ko) 기판 구조체, 이로부터 제조된 반도체소자 및 그 제조방법
CN107425051A (zh) 一种半导体器件及其制备方法
CN111384163A (zh) 改善GaN HEMT器件散热性能的结构及布局
TWI662700B (zh) 半導體單元
JP2010258148A (ja) 化合物半導体素子
CN105097380B (zh) 一种场发射器件及其制作方法
CN113809153B (zh) 碳化硅基铝镓氮/氮化镓微米线hemt功率器件及制备方法
CN110112216B (zh) 一种晶体管及其制作方法