JP3336487B2 - 高周波トランジスタのゲート電極形成方法 - Google Patents

高周波トランジスタのゲート電極形成方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波トランジスタに
おけるＴ型のゲート電極の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に高周波トランジスタ（ＦＥＴ）の
ゲート電極には、高周波電力の伝達特性を良くするため
に、半導体基板に対するゲート幅を狭くするとともに、
ゲート抵抗を低減させる必要があるという観点から、半
導体基板に接続される比較的幅の狭い脚部およびその脚
部上に形成された比較的幅の広い頭部からなるいわゆる
Ｔ型電極が用いられている。
【０００３】従来、このＴ型のゲート電極の形成方法と
しては、例えば、図３に示すように、半導体基板１上
に、脚部形成用の比較的幅の狭い開口部２が形成された
第１のレジストパターン３を設け、さらにその上に、頭
部形成用の比較的幅の広い開口部４が形成された第２の
レジストパターン５を設けたうえで、その上から電極金
属（Ａｕ）を蒸着することによって、開口部２内に電極
脚部６１を、開口部４内に電極頭部６２を連続的に一体
形成して、第１、第２のレジストパターン３，５を除去
することにより電極金属の蒸着層７をリフトオフさせ
て、Ｔ型のゲート電極６を得るようにしている。
【０００４】しかし、このような方法によるのでは、電
極金属の蒸着によって電極脚部６１と電極頭部６２とを
連続的に一体形成するに際して、電極脚部６１の形成の
影響が電極頭部６２の頂に凹部８としてあらわれてしま
う。
【０００５】また、リフトオフにより電極を形成する場
合、一般的に、その形成される電極の下方が末広がりに
なることが否めず、そのため特に、比較的幅の広い開口
部４内に形成される電極頭部６２の裾が広がって突起９
が形成されてしまうことになる。
【０００６】また、従来では、図４に示すように、半導
体基板１上に、まず先に、脚部形成用の比較的幅の狭い
開口部２を有する第１のレジストパターン３を用いて、
電極金属を蒸着することによって電極脚部６１を形成
し、そのレジストパターン３を除去して蒸着層７をリフ
トしたうえで、その上から、頭部形成用の比較的幅の広
い開口部４を有し、その開口部４の底方に電極脚部６１
の先端が裸出するように設けられた第２のレジストパタ
ーン５を用いて、電極金属を蒸着することによって電極
頭部６２を別途形成し、そのレジストパターン５を除去
して蒸着層１２をリフトすることにより、Ｔ型のゲート
電極６を得るようにしている（特開平６−５３２４２号
公報参照）。
【０００７】しかして、このような方法によれば、電極
脚部６１と電極頭部６２とを別途に形成するようにして
いるので、電極頭部６２の頂がへこむようなことはない
が、逆に、電極脚部６１の先端に応じた突起１１が生じ
てしまい、また、これによっても比較的幅の広い開口部
４内に形成される電極頭部６２の裾が広がって突起９が
形成されてしまう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、Ｔ型のゲート電極６として形成されるものの変形
が著しく、凹部８で破損しやすくなったり、また、突起
９で局部的な電界集中が生じて高周波電力を半導体基板
１に良好に伝えることができなくなり、高周波の伝達特
性が劣化してしまったりすることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、へこみや突起
による変形のない、高周波の伝達特性に優れた高周波ト
ランジスタにおけるＴ型のゲート電極を形成するべく、
半導体基板上に第１の開口部を有する第１のレジストパ
ターンを形成して、その上から電極金属を蒸着して第１
の開口部内に電極脚部を形成する工程と、第１の開口部
よりも幅の広い第２の開口部を有し、その第２の開口部
の底方に前記電極脚部の先端が裸出するように、その電
極脚部上に第２のレジストパターンを形成して、その上
から電極金属を蒸着して第２の開口部内に電極頭部を形
成する工程と、その形成された電極頭部に生じている突
起をエッチングにより除去する工程とをとるようにして
いる。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明による高周波トランジスタの
ゲート電極形成方法を示している。
【００１１】本発明では、まず、図１の（ａ）に示すよ
うに、半導体基板１上にＥＢ（エレクトロンビーム）レ
ジストを塗布してレジスト膜を形成したうえで、所定箇
所に電子ビームを照射することによってレジスト膜のエ
ッチングをなして、脚部形成用の比較的幅の狭い開口部
２を形成する。そして、その比較的幅の狭い開口部２が
形成された第１のレジストパターン３の上から電極金属
（Ａｕ）を蒸着して、その開口部２内に２５０ｎｍ程度
の高さをもった電極脚部６１を形成する。
【００１２】次いで、第１のレジストパターン３を有機
溶剤によって溶融除去し、電極金属の蒸着層７をリフト
オフさせたうえで、図１の（ｂ）に示すように、レジス
ト５に含まれている有機溶剤によっては溶融しないレジ
ストを塗布して、電極脚部６１上にレジスト膜１０を形
成する。
【００１３】そして、図１の（ｃ）に示すように、電極
脚部６１の先端が所定に裸出するまで、レジスト膜１０
をエッチングする。
【００１４】次いで、図１の（ｄ）に示すように、電極
脚部６１の先端が裸出しているレジスト膜１０の上から
レジストを塗布してレジスト膜を形成したうえで、所定
箇所にＵＶを照射することによってレジスト膜のパター
ニングをなして、頭部形成用の前記開口部２よりも幅の
広い開口部４を形成する。そして、その開口部４が形成
された第２のレジストパターン５の上から電極金属（Ａ
ｕ）を蒸着して、その開口部４内に１μｍ程度の厚みを
もった電極頭部６２を形成する。
【００１５】このようにして形成される電極頭部６２に
は、その頂にレジスト膜１０上から突出している電極脚
部６１の先端に応じた突起１１が形成され、また、その
裾に広がる突起９が形成されてしまう。
【００１６】次に、図１の（ｅ）に示すように、エッチ
ングによって電極頭部６２の突起９，１１の除去を行
う。
【００１７】具体的には、電極頭部６２の厚みが１μｍ
程度となるような蒸着を行う場合、ＫＩ：Ｉ：Ｈ２Ｏの
重量比が２：１：５となるようなＫＩ水溶液で２５秒間
程度のエッチングを行う。
【００１８】最終的に、図１の（ｆ）に示すように、レ
ジスト膜５，レジスト膜１０を有機溶剤により溶融除去
し、電極金属の蒸着層１２をリフトオフすることにより
除去して、へこみや突起による変形のないＴ型のゲート
電極６を得る。
【００１９】また、図２は本発明の他の実施例を示すも
ので、この場合は、半導体基板１上に形成される電極脚
部６１の密着性を向上させるとともに、ショットキー障
壁を兼ねるべく、例えばＴｉからなる層１３を１０ｎｍ
程度の厚みになるように蒸着によって形成したうえで、
その層１３上に電極脚部６１を形成するようにしてい
る。そして、電極脚部６１の先端が裸出しているレジス
ト膜１０上に、接着性向上のために、例えばＴｉからな
る層１４を１０ｎｍ程度の厚みになるように蒸着によっ
て形成し、その上に電極頭部６２を形成するようにして
いる。
【００２０】
【効果】以上、本発明による高周波トランジスタのゲー
ト電極形成方法によれば、へこみや突起による変形のな
い、高周波の伝達特性に優れた高周波トランジスタにお
けるＴ型のゲート電極を確実に形成することができると
いう利点を有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による高周波トランジスタのゲート電極
形成方法の一実施例を示す工程図である。
【図２】本発明による高周波トランジスタのゲート電極
形成方法の他の実施例における１つの工程を示す図であ
る。
【図３】従来のＴ型のゲート電極の形成方法の一例を示
す工程図である。
【図４】従来のＴ型のゲート電極の形成方法の他の例を
示す工程図である。
【符号の説明】
１ 半底体基板 ２ 脚部形成用の比較的狭い開口部 ３ 第１のレジストパターン ４ 頭部形成用の比較的広い開口部 ５ 第２のレジストパターン ６ Ｔ型のゲート電極 ６１ 電極脚部 ６２ 電極頭部 ８ 凹部 ９ 突起 １０ レジスト膜 １１ 突起
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−53242（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−27536（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−184572（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−140766（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/338 H01L 29/812 H01L 29/41 H01L 29/417

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上に第１の開口部を有する第
    １のレジストパターンを形成して、その上から電極金属
    を蒸着して第１の開口部内に電極脚部を形成する工程
    と、第１の開口部よりも幅の広い第２の開口部を有し、
    その第２の開口部の底方に前記電極脚部の先端が裸出す
    るように、その電極脚部上に第２のレジストパターンを
    形成して、その上から電極金属を蒸着して第２の開口部
    内に電極頭部を形成する工程と、その形成された電極頭
    部に生じている突起をエッチングにより除去する工程と
    をとるようにした高周波トランジスタのゲート電極形成
    方法。
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