CN107393890A - 一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构及制备方法 - Google Patents
一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107393890A CN107393890A CN201710733462.8A CN201710733462A CN107393890A CN 107393890 A CN107393890 A CN 107393890A CN 201710733462 A CN201710733462 A CN 201710733462A CN 107393890 A CN107393890 A CN 107393890A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- gan
- graphene
- heat dissipating
- buries
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 50
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 abstract 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 abstract 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 21
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009933 burial Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 210000002421 cell wall Anatomy 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7788—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3738—Semiconductor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构及制备方法,该元胞结构从下至上包括衬底、AlN隔离层、石墨烯掩埋散热层、AlN成核层,GaN缓冲层,n型重掺杂GaN层,n型GaN层,p型GaN电子阻挡层、非掺杂GaN层以及AlGaN势垒层;元胞结构的栅槽孔由元胞结构的顶部一直延伸至所述n型GaN层,所述栅槽孔的侧壁及底部均设置有栅介质层。本申请解决了现有常关型GaN MISFET器件不能同时兼具均匀而稳定的大阈值电压、低的器件导通电阻和高开关速率的技术问题,针对GaN基III‑V族材料功率器件中的常关型类别,提出一种具有纵向栅极结构的常关型GaN MISFET器件元胞结构及其制备方法,以实现GaN MISFET器件稳定大阈值电压常关型操作的同时有效降低器件的开启导通电阻。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件领域,具体涉及一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaNMISFET元胞结构及制备方法。
背景技术
功率开关器件作为DC/AC、AC/DC、DC/DC以及AC/AC等电能变换器的核心部件,在现代电子设备中具有重要应用需求,是实现相关系统集成控制和保证系统安全性、可靠性、稳定性和高效性的关键核心器件。GaN作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,与传统的半导体材料Si相比,具有禁带宽度宽、击穿电场大、电子饱和漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等特点。GaN材料异质结构(典型如AlGaN/GaN)界面存在大密度的界面极化电荷,可以诱导出高密度的二维电子气(2DEG)(>1013cm-2)。由于沟道材料无故意掺杂,电子在沟道内能够保持很高的迁移率(>1000cm2V-1s-1)。因此,GaN材料适合制作高电子迁移率晶体管(HEMT),它的导通电阻只有SiC器件的1/2~1/3,比Si器件低三个数量级以上,因此具有更低的开关损耗和更优的频率特性,非常适于研制更高耐压、更大电流、更高频率、更小体积和更恶劣环境的应用,在通讯电源、航空航天、船舶舰载电源等领域具有十分广阔的应用前景。
以GaN为代表的III-V族材料异质结构(典型如AlGaN/GaN)界面由于存在高密度带正电的极化电荷,通过极化电场可以诱导材料中的电子并使之束缚在异质结构界面处,形成在二维平面运动的2DEG导电沟道。为了实现GaN材料HEMT器件的常关型操作,目前常规的方法都是基于削弱或者抵消异质结构界面处极化电荷所形成强电场的原理,主要有栅极势垒层刻蚀形成凹槽栅、氟离子注入势垒层形成氟化栅、以及栅极生长p型盖帽层三种方案。
如图1所示,凹槽栅方案器件结构包括衬底1、AlN成核层2、非掺杂GaN层3、AlGaN势垒4、栅介质层5、源极6、栅极以及漏极8;其通过切断2DEG沟道而达到常关型操作,方法直接简单,但是对于大面积器件栅极刻蚀深度均匀性难以保证,另外具有刻蚀损伤表面的区域尺寸较大(2~3μm),器件的导通电阻一般较大。
如图2所示,氟离子注入势垒层形成氟化栅结构包括衬底1、AlN成核层2、非掺杂GaN层3、AlGaN势垒4、栅介质层5、源极6、栅极以及漏极8;常关型GaN基HEMT器件结构,在栅极区域AlGaN势垒层4内通过注入的方式注入氟离子9而带负电,从而排斥AlGaN/GaN界面处的2DEG,可以使器件实现常关型操作,引入氟离子杂质的AlGaN/GaN界面沟道将作为器件开启的导电沟道。氟离子注入势垒层方案不破坏2DEG沟道界面,但是由于氟离子的热稳定性问题,器件在使用过程的可靠性是潜在隐患,另外对于大面积器件,其阈值电压均匀性不好。
如图3所示,栅极势垒层上方生长p型GaN(或者InGaN)盖帽层常关型器件结构包括衬底1、AlN成核层2、非掺杂GaN层3、AlGaN势垒4、栅介质层5、源极6、栅极以及漏极8;该结构则利用内建电场来耗尽2DEG沟道电子,器件沟道导电性能较好,但高浓度p型掺杂10较难控制,外延片各个位置的浓度均匀性不完全一致,因此器件阈值电压较小且均匀性同样不好。另外由于栅电极距离2DEG沟道过远,器件的开关速率受到影响。以上三种设计方案的栅极结构通过常规光学光刻来实现,栅极长度较大,一般在2~3μm范围,其典型特征是栅极横向电流沟道开关控制。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构,以解决现有常关型GaN MISFET器件不能同时兼具均匀而稳定的大阈值电压、低的器件导通电阻和高开关速率的技术问题。本发明的另一目的在于提供一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构的制备方法。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构,所述元胞结构从下至上包括衬底、AlN隔离层、石墨烯掩埋散热层、AlN成核层,GaN缓冲层,n型重掺杂GaN层,n型GaN层,p型GaN电子阻挡层、非掺杂GaN层以及AlGaN势垒层;元胞结构的栅槽孔由元胞结构的顶部一直延伸至所述n型GaN层,所述栅槽孔的侧壁及底部均设置有栅介质层。
进一步,所述石墨烯掩埋散热层通过金属与元胞结构的背板和热沉连接。
进一步,所述衬底由Si、SiC、AlN或者蓝宝石中的任一种材料制成。
进一步,所述AlN隔离层的厚度为1-100纳米。
进一步,所述石墨烯掩埋散热层的厚度为1-100纳米。
一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构的制备方法,所述方法包括如下步骤:
1)放置衬底,在衬底片上生长一层AlN隔离层;
2)在所述AlN隔离层上淀积生长一层石墨烯掩埋散热层;
3)在所述石墨烯掩埋层上依次淀积生长AlN成核层,GaN缓冲层,n型重掺杂GaN层,n型GaN层,p型GaN电子阻挡层、非掺杂GaN层以及AlGaN势垒层;
4)采用离子刻蚀技术刻蚀出栅槽孔,所述栅槽孔一直刻到所述n型GaN层;然后在栅通孔里淀积一层栅介质层;然后淀积金属栅极和制作漏极欧姆接及漏极电极;
5)器件正面元胞结构都完成后,在整个器件有源区边缘刻蚀露出n型高掺杂GaN层制作源极,并用金属通过欧姆接触与器件背面相连;之后通过连接用金属烧结到背板和热沉上。
进一步,步骤4)中所述的栅介质层的厚度为10-50nm。
进一步,步骤4)中所述的栅介质层采用溅射、ALD或者LPCVD方法生长。
进一步,步骤5)中所述连接用金属为Ti、Al、Ni、Au合金;或Ti、Al、Ti、Au合金;或Ti、Al、Mo、Au合金。
进一步,步骤5)中用锡金焊膏或纳米银焊膏将所述连接用金属烧结到背板和热沉上。
本发明具有以下有益技术效果:
本发明具有石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构,这种新型器件结构解决现有常关型GaN MISFET器件不能同时兼具均匀而稳定的大阈值电压、低的器件导通电阻和高开关速率的技术问题,针对GaN基III-V族材料功率器件中的常关型类别,提出一种具有纵向栅极结构的常关型GaN MISFET器件用元胞结构及其制备方法,以实现GaNMISFET器件稳定大阈值电压常关型操作的同时有效降低器件的开启导通电阻,可以实现高密度的元胞结构,提高器件的有效利用面积和单位面积功率密度;同时利用石墨烯优越的热导率迅速将器件有源区产生的热量导走,可以有助于实现大功率GaN器件,增长器件的高温可靠性。
本发明具有石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构,采用纵向栅极结构,将传统的GaN MISFET器件中长的横向沟道开启模式转变成短的纵向沟道开启模式,栅极由长的横向电流控制沟道转变为短的纵向电流控制沟道,器件利用短的栅极侧壁沟道来实现开关控制,从而有效减小器件的导通电阻。通过直接切断栅极2DEG沟道,器件能够实现大阈值电压常关型操作,并且由于器件阈值电压不受栅极区域刻蚀深度的影响,相对于常规横向栅极结构,器件的阈值电压具有更好的重复性和均匀性。在切断2DEG沟道从而使器件具备大的常关型操作阈值电压前提下,本发明大大减小栅极开启沟道的长度,降低器件的栅极导通电阻。同时,由于器件的阈值电压与栅极势垒层刻蚀深度没有直接关系,器件栅极区域也没有F离子注入等其他有害加工处理,器件的阈值电压稳定性很好,制作大面积器件或者在大面积衬底上制作器件时,器件产品的性能均匀性很好。本发明提供的常关型GaNMISFET器件同时具有稳定的高阈值电压和低导通电阻特点。
附图说明
图1为现有技术中凹槽栅器件结构的结构示意图;
图2为现有技术中氟离子注入势垒层形成的氟化栅结构的结构示意图;
图3为现有技术中p型GaN(或者InGaN)盖帽层栅极结构的结构示意图;
图4本发明具有石墨烯掩埋散热层和纵向沟道的GaN MISFET元胞结构的结构示意图;
图5本发明具有石墨烯掩埋散热层的多层外延层结构。
具体实施方式
下面,参考附图,对本发明进行更全面的说明,附图中示出了本发明的示例性实施例。然而,本发明可以体现为多种不同形式,并不应理解为局限于这里叙述的示例性实施例。而是,提供这些实施例,从而使本发明全面和完整,并将本发明的范围完全地传达给本领域的普通技术人员。
如图4-5所示,本发明提供了一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构,该元胞结构从下至上包括衬底11、AlN隔离层12、石墨烯掩埋散热层13、AlN成核层14,GaN缓冲层15,n型重掺杂GaN层16,n型GaN层17,p型GaN电子阻挡层18、非掺杂GaN层19以及AlGaN势垒层20;元胞结构的栅槽孔由元胞结构的顶部一直延伸至n型GaN层17,栅槽孔的侧壁及底部均设置有栅介质层21。
石墨烯掩埋散热层13通过金属与元胞结构的背板和热沉26连接。在源极旁边蚀刻有到石墨烯层的通孔,石墨烯掩埋散热层13与器件的源极通过穿过上述通孔的金属连接,起到源接地的作用,并利用石墨烯的高导热率将器件沟道区产生的热量迅速导走,使得整个器件有源区温升更均匀,避免出现局域高热点导致的器件高温可靠性问题;同时石墨烯掩埋散热层起到源极背场板作用,可以协助提高器件耐压。在整个器件有源区边缘刻蚀以露出石墨烯层,并用金属将石墨烯掩埋散热层与器件背面相连。
衬底11由Si、SiC、AlN或者蓝宝石中的任一种材料制成。
AlN隔离层12的厚度为1-100纳米。
石墨烯掩埋散热层13的厚度为1-100纳米。
本发明还提供了一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构的制备方法,该方法包括如下步骤:
1)放置衬底11,在衬底片上生长一层AlN隔离层12;AlN隔离层12的厚度为1-100纳米。
2)在AlN隔离层12上淀积生长一层石墨烯掩埋散热层13;石墨烯掩埋散热层13的厚度为1-100纳米。
3)在石墨烯掩埋层13上依次淀积生长AlN成核层14,GaN缓冲层15,n型重掺杂GaN层16,n型GaN层17,p型GaN电子阻挡层18、非掺杂GaN层19以及AlGaN势垒层20;
4)采用离子刻蚀技术刻蚀出栅槽孔,栅槽孔一直刻到n型GaN层17;然后在栅通孔里淀积一层栅介质层21;栅介质层21可以采用溅射、ALD或者LPCVD方法生长,栅介质层的厚度为10-50nm,栅介质层21可以是任意单层或者多层栅极介质层材料,包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)以及氧化铪(HfO2)等;介质层生长方法可以是ALD、LPCVD、PECVD、PLD(脉冲激光沉积)、MOCVD(金属有机物化学气相沉积)、电子束蒸发以及溅射等;然后淀积金属栅极22和制作漏极欧姆接及漏极电极23;漏极电极材料可选择Ti、Al、Ni、Au合金;或Ti、Al、Ti、Au合金;或Ti、Al、Mo、Au合金;栅极材料为Ni、Au合金;Pt、Al合金或Pd、Au合金等。
5)器件正面元胞结构都完成后,在整个器件有源区边缘刻蚀露出n型高掺杂GaN层制作源极24,并用金属通过欧姆接触与器件背面相连;之后通过连接用金属25烧结到背板和热沉26上。连接用金属25为Ti、Al、Ni、Au合金;或Ti、Al、Ti、Au合金;或Ti、Al、Mo、Au合金。
步骤5)中用锡金焊膏或纳米银焊膏将连接用金属25烧结到背板和热沉26上;有利于整个器件的热沉降,减小整个器件的热阻,实现高功率的GaN HEMT功率器件。也可以用其他方式将连接用的金属烧结到背板和热沉上。
石墨烯和AlN间晶格失配度为4.5%,以AlN为材料可以制成很好的隔离层。实际工艺制作中,步骤2)中的石墨烯层可以是直接在AlN隔离层上通过CVD等方法淀积生长石墨烯层;或者是在铜箔等金属膜上生长石墨烯层后通过电化学分层分离石墨烯并转移到AlN隔离层上;还可以是直接在AlN隔离层上先用ALD或溅射等方法淀积一薄层的铜诱导层后,再在铜膜上生长石墨烯层。
上面所述只是为了说明本发明,应该理解为本发明并不局限于以上实施例,符合本发明思想的各种变通形式均在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构,其特征在于,所述元胞结构从下至上包括衬底、AlN隔离层、石墨烯掩埋散热层、AlN成核层,GaN缓冲层,n型重掺杂GaN层,n型GaN层,p型GaN电子阻挡层、非掺杂GaN层以及AlGaN势垒层;元胞结构的栅槽孔由元胞结构的顶部一直延伸至所述n型GaN层,所述栅槽孔的侧壁及底部均设置有栅介质层。
2.根据权利要求1所述的石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构,其特征在于,所述石墨烯掩埋散热层通过金属与元胞结构的背板和热沉连接。
3.根据权利要求1所述的石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构,其特征在于,所述衬底由Si、SiC、AlN或者蓝宝石中的任一种材料制成。
4.根据权利要求1所述的石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构,其特征在于,所述AlN隔离层的厚度为1-100纳米。
5.根据权利要求1所述的石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构,其特征在于,所述石墨烯掩埋散热层的厚度为1-100纳米。
6.一种权利要求1-5任一所述的石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
1)放置衬底,在衬底片上生长一层AlN隔离层;
2)在所述AlN隔离层上淀积生长一层石墨烯掩埋散热层;
3)在所述石墨烯掩埋层上依次淀积生长AlN成核层,GaN缓冲层,n型重掺杂GaN层,n型GaN层,p型GaN电子阻挡层、非掺杂GaN层以及AlGaN势垒层;
4)采用离子刻蚀技术刻蚀出栅槽孔,所述栅槽孔一直刻到所述n型GaN层;然后在栅通孔里淀积一层栅介质层;然后淀积金属栅极和制作漏极欧姆接及漏极电极;
5)器件正面元胞结构都完成后,在整个器件有源区边缘刻蚀露出n型高掺杂GaN层制作源极,并用金属通过欧姆接触与器件背面相连;之后通过连接用金属烧结到背板和热沉上。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤4)中所述的栅介质层的厚度为10-50nm。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤4)中所述的栅介质层采用溅射、ALD或者LPCVD方法生长。
9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤5)中所述连接用金属为Ti、Al、Ni、Au合金;或Ti、Al、Ti、Au合金;或Ti、Al、Mo、Au合金。
10.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤5)中用锡金焊膏或纳米银焊膏将所述连接用金属烧结到背板和热沉上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710733462.8A CN107393890B (zh) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | 一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710733462.8A CN107393890B (zh) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | 一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构及制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107393890A true CN107393890A (zh) | 2017-11-24 |
CN107393890B CN107393890B (zh) | 2023-10-20 |
Family
ID=60346603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710733462.8A Active CN107393890B (zh) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | 一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构及制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107393890B (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108682663A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-10-19 | 中国科学院微电子研究所 | 石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构及方法 |
CN108962981A (zh) * | 2018-07-13 | 2018-12-07 | 北京大学 | 一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法 |
CN111129295A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-05-08 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 相变射频开关制造方法 |
CN111162147A (zh) * | 2020-02-03 | 2020-05-15 | 苏州大学 | 一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件及其制备方法 |
CN111952175A (zh) * | 2020-07-06 | 2020-11-17 | 深圳大学 | 晶体管的凹槽制作方法及晶体管 |
CN112736048A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-30 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 射频相变开关 |
CN114250510A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-03-29 | 中电化合物半导体有限公司 | 一种用于氮化镓基射频器件的外延结构及其制备方法 |
TWI838037B (zh) * | 2022-12-26 | 2024-04-01 | 創世電股份有限公司 | 半導體元件 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102332469A (zh) * | 2011-09-22 | 2012-01-25 | 中山大学 | 纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法 |
CN105405881A (zh) * | 2014-08-20 | 2016-03-16 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
US20170125571A1 (en) * | 2015-10-28 | 2017-05-04 | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN207572358U (zh) * | 2017-08-24 | 2018-07-03 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET的元胞结构 |
-
2017
- 2017-08-24 CN CN201710733462.8A patent/CN107393890B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102332469A (zh) * | 2011-09-22 | 2012-01-25 | 中山大学 | 纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法 |
CN105405881A (zh) * | 2014-08-20 | 2016-03-16 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
US20170125571A1 (en) * | 2015-10-28 | 2017-05-04 | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN207572358U (zh) * | 2017-08-24 | 2018-07-03 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET的元胞结构 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
杨帆: "用于常关型GaN场效应晶体管槽栅结构制备的选择区域外延技术研究", 万方中国学位论文数据库 * |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108682663A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-10-19 | 中国科学院微电子研究所 | 石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构及方法 |
CN108962981A (zh) * | 2018-07-13 | 2018-12-07 | 北京大学 | 一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法 |
CN108962981B (zh) * | 2018-07-13 | 2022-05-06 | 北京大学 | 一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法 |
CN111129295A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-05-08 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 相变射频开关制造方法 |
CN111129295B (zh) * | 2019-12-06 | 2023-09-26 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 相变射频开关制造方法 |
CN111162147A (zh) * | 2020-02-03 | 2020-05-15 | 苏州大学 | 一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件及其制备方法 |
CN111162147B (zh) * | 2020-02-03 | 2024-03-08 | 苏州大学 | 一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件及其制备方法 |
CN111952175A (zh) * | 2020-07-06 | 2020-11-17 | 深圳大学 | 晶体管的凹槽制作方法及晶体管 |
CN112736048A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-30 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 射频相变开关 |
CN114250510A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-03-29 | 中电化合物半导体有限公司 | 一种用于氮化镓基射频器件的外延结构及其制备方法 |
TWI838037B (zh) * | 2022-12-26 | 2024-04-01 | 創世電股份有限公司 | 半導體元件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107393890B (zh) | 2023-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107393890A (zh) | 一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构及制备方法 | |
US10002958B2 (en) | Diamond on III-nitride device | |
US9818855B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5044222B2 (ja) | Iii族窒化物電流制御デバイスおよび製造方法 | |
CN102239550A (zh) | 场效应晶体管 | |
US10424643B2 (en) | Diamond air bridge for thermal management of high power devices | |
US10867792B2 (en) | High electron mobility transistor (HEMT) having an indium-containing layer and method of manufacturing the same | |
CN105336789A (zh) | 一种高质量MIS结构的GaN基场效应晶体管及其制备方法 | |
JP5997234B2 (ja) | 半導体装置、電界効果トランジスタおよび電子装置 | |
CN106653840A (zh) | 一种半导体器件及其制造方法 | |
JP2019506740A (ja) | ショットキーバリア整流器 | |
CN107978642A (zh) | 一种GaN基异质结二极管及其制备方法 | |
Hahn et al. | Charge balancing in GaN-based 2-D electron gas devices employing an additional 2-D hole gas and its influence on dynamic behaviour of GaN-based heterostructure field effect transistors | |
CN108054208A (zh) | 横向型氮化镓基场效应晶体管及其制作方法 | |
JP5341345B2 (ja) | 窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ | |
CN107195674B (zh) | 具有石墨烯掩埋源极和纵向栅极的GaN HEMT元胞结构及制备方法 | |
CN110444599A (zh) | GaN基异质结场效应晶体管及其制造方法 | |
TWI464877B (zh) | 具有高效率之氮化物系異質結構場效電晶體 | |
CN107706238B (zh) | Hemt器件及其制造方法 | |
Kurt et al. | Investigation of a hybrid approach for normally-off GaN HEMTs using fluorine treatment and recess etch techniques | |
CN207572358U (zh) | 一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET的元胞结构 | |
JP2013232578A (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
CN104037211B (zh) | 半导体器件和电子装置 | |
CN103367417A (zh) | 三族氮化物高电子迁移率晶体管 | |
CN207068862U (zh) | 具有石墨烯掩埋源极和纵向栅极的GaNHEMT元胞结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231020 Address after: Room JZ2467, Yard 2, Junzhuang Road, Junzhuang Town, Mentougou District, Beijing, 102399 (cluster registration) Patentee after: Beijing Xingyun Lianzhong Technology Co.,Ltd. Address before: 100176 courtyard 17, Tonghui Ganqu Road, Daxing Economic and Technological Development Zone, Beijing Patentee before: BEIJING HUAJINCHUANGWEI ELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
TR01 | Transfer of patent right |