JP5341345B2 - 窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ - Google Patents
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C. Chen et al., Jpn. J. Appl. Phys. 42, L1039 (2003). Y. J. Sun et al., Physica Status Solidi (b)240, 360 (2003). M. Funato et al., Jpn. J. Appl. Phys. 45, L659 (2006). T. Mizutani et al., IEEE Trans. on Electron Dev. 50, 2015 (2003). M. Kuroda et al., Extended Abst. of the 2005 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, 470 (2005).
請求項1に記載の窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、前記ヘテロ界面がa面、m面、(11-22)面またはr面であることを特徴とする窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタを構成する。
請求項1又は2に記載の窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、前記表面パッシベーション膜がSiO2膜、AlN膜またはAl2O3膜であることを特徴とする窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタを構成する。
図3は、本発明によるGaN系HFETの第1の形態例を模式的に示した断面図である。図において、窒化物半導体からなるチャネル層1と、窒化物半導体からなる障壁層2と、ソース電極3と、ドレイン電極4と、ゲート電極5とを有する窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、チャネル層1と障壁層2との界面であるヘテロ界面が非極性面または半極性面であり、ソース電極3・ゲート電極5間およびゲート電極5・ドレイン電極4間の障壁層2表面が、バンドギャップが6.2eV以上である表面パッシベーション膜で覆われている。
図4は、本発明によるGaN系HFETの第2の形態例(ノーマリーオン型素子)を模式的に示した断面図である。図において、窒化物半導体からなるチャネル層1と、窒化物半導体からなる障壁層2と、ソース電極3と、ドレイン電極4と、ゲート電極5とを有する窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、チャネル層1と障壁層2との界面であるヘテロ界面が非極性面または半極性面であり、ソース電極3・ゲート電極5間およびゲート電極5・ドレイン電極4間の障壁層2表面が、バンドギャップが6.2eV以上である表面パッシベーション膜で覆われ、障壁層2の少なくとも一部に、キャリア供給のためのドーピングが施されている。
図5は、本発明によるGaN系HFETの第3の形態例(ノーマリーオフ型素子)を模式的に示した断面図である。図において、窒化物半導体からなるチャネル層1と、窒化物半導体からなる障壁層2と、ソース電極3と、ドレイン電極4と、ゲート電極5とを有する窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、チャネル層1と障壁層2との界面であるヘテロ界面が非極性面または半極性面であり、ソース電極3・ゲート電極5間およびゲート電極5・ドレイン電極4間の障壁層2表面が、バンドギャップが6.2eV以上である表面パッシベーション膜で覆われ、ゲート電極5下の障壁層2の厚さが、ゲート電極5下以外の障壁層2の厚さよりも小さく、ゲート電極5下の障壁層2がアンドープ層であり、ゲート電極5下以外の障壁層2の一部に、キャリア供給のためのドーピングが施されている。
6.2 eV)、Al2O3(バンドギャップ
7-9 eV )、あるいはSiO2(バンドギャップ 9.0 eV)を用いることができる。また、膜厚に関しても実施の形態例2と同様、10 nm以上 200 nm以下が適切である。
[実施の形態例4]
図6は、本発明によるGaN系HFETの第4の形態例(ノーマリーオフ型素子)を模式的に示した断面図である。図において、窒化物半導体からなるチャネル層1と、窒化物半導体からなる障壁層2と、ソース電極3と、ドレイン電極4と、ゲート電極5とを有する窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、チャネル層1と障壁層2との界面であるヘテロ界面が非極性面または半極性面であり、ソース電極3・ゲート電極5間およびゲート電極5・ドレイン電極4間の障壁層2表面が、バンドギャップが6.2eV以上である表面パッシベーション膜で覆われ、ゲート電極5下の障壁層2がアンドープ層であり、ゲート電極5下以外の障壁層2の一部に、キャリア供給のためのドーピングが施されている。
6.2 eV)、Al2O3(バンドギャップ 7-9 eV)、あるいはSiO2(バンドギャップ 9.0 eV)を用いることができる。また、膜厚に関しても実施の形態例2および3と同様、10 nm以上 200 nm以下が適切である。
Claims (3)
- 窒化物半導体からなるチャネル層と、窒化物半導体からなる障壁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有する窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、
前記チャネル層と前記障壁層との界面であるヘテロ界面が非極性面または半極性面であり、
前記ソース電極・ゲート電極間および前記ゲート電極・ドレイン電極間の前記障壁層の表面が、バンドギャップが6.2eV以上である表面パッシベーション膜で覆われていて、
前記ゲート電極下の前記障壁層がアンドープ層であり、
前記障壁層における前記ソース電極・ゲート電極間および前記ゲート電極・ドレイン電極間に、キャリア供給のためのドーピングが施されており、
前記ソース電極および前記ドレイン電極下の前記障壁層がアンドープ層である
ことを特徴とする窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ。 - 請求項1に記載の窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、
前記ヘテロ界面がa面、m面、(11-22)面またはr面であることを特徴とする窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ。 - 請求項1又は2に記載の窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、
前記表面パッシベーション膜がSiO2膜、AlN膜またはAl2O3膜であることを特徴とする窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ。
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