JP5716765B2 - エピタキシャル基板 - Google Patents
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Description
図6、図7及び図8は、本実施に係る化合物半導体電子デバイスを作製する方法、及びエピタキシャル基板を作製する方法に主要な工程を示す図面である。この工程フローに従ってHEMT構造を作製した。図6(a)に示されるように、工程S101では、半極性主面41aを有するGaN基板41を準備した。この半極性面41aは(20−21)面を有する。GaN基板41におけるc軸の傾斜はベクトルVC41で示される。このGaN基板41上に窒化ガリウム系半導体を成長炉10aを用いて成長した。この成長は有機金属気相成長法で行った。原料として、トリメチルガリウム(TMG),トリメチルアルミニウム(TMA)、アンモニア(NH3を用い、n型ドーパントガスとしてシランを用いた。図6(b)に示されるように、工程S102では、GaNバッファ層43を半極性主面41a上に成長した。GaNバッファ層43の表面も半極性を示す。次いで、図6(c)に示されるように、工程S103では、1.0μm厚のノンドープGaN電子走行層45をGaNバッファ層43上に成長した。図7(a)に示されるように、工程S104では、0.02μm厚のAl0.25Ga0.85N層47をGaN電子走行層45上に成長してエピタキシャル基板Epiを作製した。エピタキシャル基板Epi上に、マスク層を堆積した。マスク層の材料は、例えばシリコン酸化物であった。マスク層のパターン形成のために、マスク層上にレジストを塗布した。フォトリソグラフィを利用して、図7(b)に示されるように、工程S105では、ソース領域及びドレイン領域に開口を有するエッチングマスク49を作製した。このエッチングマスク49を用いて、エッチング装置10bを用いてマスク層をエッチングしてマスク51を作製した、エッチングマスク49を除去した後に、図7(c)に示されるように、工程S106では、エッチング装置10cを用いてさらにAl0.25Ga0.85N層47をエッチングして、電子走行層45を露出させると共にAl0.25Ga0.85Nスペーサ層47aを形成した。このエッチングとして、塩素系ガスを用いるドライエッチングを使用した。マスク51は、ソース領域及びドレイン領域に開口を有すると共に、ゲート電極のためのエリアを覆っている。このマスク51を用いて、図8(a)に示されるように、工程S107では、0.02μm厚のn型GaN53をスペーサ層47aの開口領域に再成長した。再成長の後に、工程S108では、マスク層51を除去した。シリコン酸化物からなるマスク層51はフッ化水素酸を用いて除去して、図8(b)に示されるように、基板生産物Pを作製した。この後に、図8(c)に示されるように、工程S109では、ドレイン電極55a、ソース電極55b及びゲート電極55cを基板生産物P上に形成した。電子ビーム法により、ドレイン電極55a及びソース電極55bの形成のためにチタン、アルミニウムを基板生産物P上に蒸着した。抵抗加熱法により、ゲート電極55cの形成のためにニッケル、金を基板生産物P上に蒸着した。これらの蒸着の後に、摂氏500度の温度及び1分間の熱処理で合金化を行った。
Claims (5)
- 化合物半導体電子デバイスのためのエピタキシャル基板であって、
ウルツ鉱構造の第1の化合物からなり、該ウルツ鉱構造のc軸方向に延びる基準軸に直交する第1の基準平面に対して傾斜する半極性主面を有する基板と、
前記基板上に設けられ、キャリア走行半導体層のための第1の半導体層と、
前記第1の半導体層にヘテロ接合を成し、スペーサ半導体層のための第2の半導体層と、
を備え、
前記第1の半導体層は、前記第2の半導体層と前記基板との間に設けられており、
前記第1の半導体層はウルツ鉱構造の第2の化合物からなり、
前記第2の半導体層はウルツ鉱構造の第3の化合物からなり、
前記第2の化合物は前記第3の化合物と異なり、
前記第2の半導体層の表面は半極性を示し、
前記ヘテロ接合は、前記基準軸に対して傾斜した第2の基準平面に沿って延びており、
前記第1の半導体層はGaNからなり、
前記第2の半導体層は、GaNの格子定数より小さい格子定数の窒化ガリウム系半導体からなり、前記第1の半導体層は圧縮歪みを内包し、前記第2の基準平面に沿った方向にピエゾ電界の成分を有し、前記第2の基準平面に沿った方向の前記ピエゾ電界の成分が二次元キャリアをソース領域に引く、ことを特徴とするエピタキシャル基板。 - 前記スペーサ半導体層のための前記第2の半導体層は、AlXGa1−XNからなり、
前記スペーサ半導体層のための前記第2の半導体層のアルミニウム組成Xは0.03以上0.30以下の範囲にある、ことを特徴とする請求項1に記載されたエピタキシャル基板。 - 前記スペーサ半導体層のための前記第2の半導体層のキャリア濃度は5×1018cm−3以下である、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載されたエピタキシャル基板。
- 前記基板は、AlYGa1−YNからなり、
前記基板のアルミニウム組成Yは0以上1以下の範囲にある、ことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載されたエピタキシャル基板。 - 前記基準軸と前記半極性主面の法線との成す傾斜角は、10度以上80度以下及び100度以上170度以下の範囲にある、ことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載されたエピタキシャル基板。
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