-
Technisches Gebiet
-
Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
Sputtertargets aus hochreinem Ruthenium, das als Material für die unteren
oder oberen Elektroden ferroelektrischer Halbleiter-Kondensatoren verwendet
werden kann.
-
Hintergrund und Stand der
Technik
-
Bei
der Herstellung von Halbleitern wurde vor kurzem die Verwendung
einer dünnen
Schicht aus einer ferroelektrischen Substanz wie einem BaSrTi-Mischoxid,
einem PbZrTi-Mischoxid und einem SrBiTa-Mischoxid auf einem Wafer
z. B. aus Silizium für
Halbleiterbauteile wie Kondensatoren untersucht. Für den Einsatz einer
solchen ferroelektrischen Halbleiter-Dünnschicht bei der unteren bzw.
oberen Elektrode von Kondensatoren wurde die Bildung einer Rutheniumoxid-Schicht
durch Besputtern eines Targetbauteils aus Ruthenium in einer Sauerstoffatmosphäre untersucht.
-
Um
eine zuverlässige
Leistung von Halbleitermaterialien für durch Sputtern erzeugte Halbleiterbauteile
zu garantieren, ist es entscheidend, dass sie nur minimale Mengen
an für
Halbleiterbauelemente schädlichen
metallischen Fremdatomen aufweisen. Das heißt, dass der Anteil an Fremdatomen
wie
- (1) Alkalimetallen z. B. Na und K,
- (2) radioaktiven Elementen wie U und Th sowie
- (3) Schwermetallen wie Fe und Ni
so gering wie möglich gehalten
werden muss.
-
Alkalimetalle
wie Na und K können
sich in Isolierschichten leicht bewegen, und radioaktive Elemente wie
U und Th senden Alphastrahlen aus, die leichte Fehler verursachen.
Schwermetalle wie Fe und Ni können Probleme
bei Sperrschichten hervorrufen.
-
Im
Allgemeinen wird folgendes Verfahren zur industriellen Herstellung
von Ruthenium angewendet. Rohes Ruthenium wird mit Kaliumhydroxid
und Kaliumnitrat gemischt und durch Oxidationsschmelzen bearbeitet,
um das Ruthenium in lösliches
Kaliumruthenat umzuwandeln. Dieses Salz wird mit Wasser extrahiert und
unter Einblasen von Chlorgas zu dem Zweck der Bildung von Rutheniumtetroxid
erhitzt, das dann in mit Methanol verdünnter Salzsäure aufgefangen wird. Diese
Lösung
wird bis zur Trockenheit eingedampft, und die Rückstände werden in einer Sauerstoffatmosphäre zur Bildung
von Rutheniumdioxid gesintert, was anschließend mit Wasserstoff entflammt
wird, um metallisches Ruthenium zu erzeugen.
-
Handelsübliches
Rutheniumpulver, das nach dem oben beschriebenen Verfahren erzeugt
wird, enthält jedoch
große
Mengen an Alkalimetallen wie Na und K, Schwermetallen wie Fe und
Ni sowie radioaktiven Elementen wie U und Th und eignet sich daher
nicht als ein Material für
die Elektroden ferroelektrischer Kondensatoren.
-
Um
dieses Problem zu lösen,
wurden Anstrengungen unternommen, um hochreines Ruthenium herzustellen.
-
So
offenbart beispielsweise das
japanische
Patent mit der Offenlegungs-Nr. 8-199350 ein Verfahren für die Herstellung
eines Sputtertargets aus hochreinen Ruthenium mit einer Reinheit
von 5 N oder höher,
das folgende Arbeitsschritte umfasst: Alkalischmelzen von handelsüblichem
Rutheniumpulver, Auslaugen mit Wasser, weitere Zugabe von NaOH,
Sättigung
mit Chlorgas, Erhitzung zum Zeck der Umwandlung von Ruthenium in
Rutheniumtetroxid; Abscheiden des Rutheniumtetroxids durch Eindampfung,
Absorption des abgesonderten Rutheniumtetroxids in einer Lösung aus
Salzsäure
und Methanol, dreimaliges Reinigen durch Destillation, Rücklauf und
Eindampfung der Lösung
bis zur Trockenheit zur Erzeugung einer gel-artigen Ausfällung von
Rutheniumhydroxid; Trocknen der Ausfällung, Erhitzen der Ausfällung in
der Luft zur Bildung von Rutheniumdioxid; Erhitzen des Rutheniumdioxids
in einem Wasserstoffstrom zur Erzeugung von Rutheniumpulver mit
einer Reinheit von 5 N, Heißpressen
des Pulvers zu einer Scheibe und Bearbeitung der Scheibe mit Elektronenstrahlschmelzen,
um Na-, Ka-, Mg- und Ca-Anteile abzuscheiden.
-
Diese
konventionellen Verfahren haben jedoch den Nachteil, dass eine große Zahl
von Prozess-Schritten, komplizierter Arbeitsgänge und hohe Herstellungskosten
erforderlich sind. Weiterhin werden die Produkte während der
Arbeitsgänge
leicht kontaminiert, und der Ertrag ist gering. Mit zunehmender
Beschaltungsdichte bei Halbleiterdünnschichten wirft die Partikelbildung
während
des Sputtervorgangs ein großes
Problem auf. Die Partikelbildung kann nämlich nicht mit einem nach
konventionellen Verfahren hergestellten hochreinen Ruthenium-Target
verringert werden.
-
Die
vorliegende Erfindung hat zum Ziel, ein Verfahren zur Herstellung
eines Sputtertargets aus hochreinem Ruthenium anzugeben, das einen
geringen Anteil an Fremdatomen aufweist und insbesondere wenig Partikel
bildet, was für
Anwendungen wie die Erzeugung von Halbleiterdünnschichten geeignet ist.
-
Offenbarung der Erfindung
-
Zur
Lösung
der oben beschriebenen Probleme haben die Erfinder dieses Verfahrens
wiederholt Experimente durchgeführt
und gefunden, dass das meiste rohe Ruthenium in Rutheniumtetroxid
umgewandelt werden konnte, wenn Chlorgas in die NaOH-Lösung mit
rohem Ruthenium eingeblasen wurde mit anschließender Einblasung von Ozon.
Rutheniumsalzkristalle konnten gewonnen werden, indem die Lösung des
Rutheniumtetroxids in Salzsäure
oder einer Mischlösung
aus Salzsäure
und einem organischen Lösungsmittel
bis zur Trockenheit eingedampft wurde. Hochreines Rutheniumpulver
konnte gewonnen werden, indem diese Kristalle in einer Wasserstoffatmosphäre reduziert
und in einer inerten Atmosphäre
weiter behandelt wurden. Die Erfinder fanden auch, dass das mit
diesem Verfahren gewonnene Sputtertarget aus hochreinem Ruthenium
nicht nur einen niedrigen Anteil metallischer Fremdatome, die schon
als solche Probleme verursacht haben, sondern auch an gasförmigen Bestandteilen
aufwiesen, wobei die Partikelbildung deutlich verringert wurde.
-
Auf
der Grundlage dieser Ergebnisse und entsprechend einem ersten Aspekt
der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines
Sputtertargets aus hochreinem Ruthenium bereit gestellt, das die
folgenden Schritte umfasst: Zufuhr von rohem Rutheniumpulver in
eine Natriumhydroxid-Lösung;
Einblasen eines ozonhaltigen Gases in die Lösung, während oder nachdem Chlorgas
eingeblasen wird, um Rutheniumtetroxid zu erzeugen; Absorption des
Rutheniumtetroxids in einer Salzsäurelösung oder in einer Mischlösung von
Salzsäure
und Ammoniumchlorid mit anschließender Eindampfung der Lösung bis
zur Trockenheit; Sintern des so entstandenen Rutheniumsalzes in
einer Wasserstoffatmosphäre
zur Erzeugung von hochreinem Rutheniumpulver; sowie Heißpressen
des Rutheniumpulvers zu einem Sputtertarget.
-
Entsprechend
einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren
zur Herstellung eines Sputtertargets aus hochreinem Ruthenium bereit
gestellt, das die folgenden Schritte umfasst: Zufuhr von rohem Rutheniumpulver
in eine Natriumhydroxid-Lösung;
Einblasen eines ozonhaltigen Gases in die Lösung, während oder nachdem Chlorgas
eingeblasen wird, um Rutheniumtetroxid zu erzeugen; Absorption des
Rutheniumtetroxids in einer Salzsäurelösung oder in einer Mischlösung von
Salzsäure
und Ammoniumchlorid mit anschließender Eindampfung der Lösung bis
zur Trockenheit; Sintern des so entstandenen Rutheniumsalzes in
einer Wasserstoffatmosphäre
zur Erzeugung von hochreinem Rutheniumpulver; sowie Elektronenstrahlschmelzen
des Rutheniumpulvers zu einem Sputtertarget.
-
Mit
dem Verfahren der vorliegenden Erfindung wird ein Sputtertarget
aus hochreinem Ruthenium bereit gestellt, bei dem der jeweilige
Kohlenstoff-, Sauerstoff- und Chlorgehalt 100 ppm oder niedriger
beträgt.
-
Durch
das Verfahren der vorliegenden Erfindung hat das Sputtertarget die
besondere Eigenschaft, dass die Reinheit des Rutheniums nach Abscheidung
der Gasanteile 99,995 % oder höher
beträgt.
-
Beschreibung der bevorzugten
Ausführung
-
Die
bevorzugte Ausführung
der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden detailliert beschrieben.
-
Rohes
Rutheniumpulver, wie es in der vorliegenden Erfindung verwendet
wird, ist nicht speziell definiert, aber es handelt sich allgemein
um handelsübliches,
rohes Rutheniumpulver mit einer Reinheit von ca. 98 bis 99,9 %.
Solch rohes Ruthenium enthält normalerweise
10 bis 1000 ppm Na, 10 bis 1000 ppm Fe und 0,5 bis 100 ppb jeweils
von U und Th.
-
Andererseits
sind auch die Reinheit des für
die Auflösung
des rohen Rutheniums verwendeten NaOH und die Reinheit des in die
Lösung
eingeblasenen Chlorgases nicht definiert. Es können aber alle allgemein gebräuchlichen
Industriegase verwendet werden. Dies hat den Grund, dass Fremdatome,
die darin enthalten sind, effizient von Rutheniumtetroxid abgeschieden
werden können.
-
Die
NaOH-Konzentration liegt bei 10 bis 400 g/l, vorzugsweise bei 100
bis 350 g/l. Ist die Konzentration niedriger als 10 g/l, kann nur
ein wenig Ruthenium aufgelöst
werden. Übersteigt
die Konzentration 400 g/l, kann nicht gelöstes NaOH zurückbleiben
oder eine große
Menge des Reaktionsprodukts NaCl kann sich aus der Lösung absetzen
und die Reaktion stören.
-
Die
Reaktion zur Bildung von Rutheniumtetroxid durch Auflösen von
Ruthenium und Einblasen von Chlorgas in die NaOH-Lösung verläuft wie
folgt: 8 NaOH + Ru + 4 Cl2 → RuO4 + 8 NaCl + 4 H2O (1)
-
Die
Konzentration des gelösten
Ru sollte zwischen 5 und 100 g/l betragen. Eine niedrigere Konzentration
als 5 g/l ist nicht wünschenswert,
weil eine große
Menge der Lösung
benötigt
wird, um Ruthenium aufzulösen
und große
Apparaturen erforderlich sind. Eine höhere Konzentration als 100
g/l ist ebenso nicht wünschenswert,
weil nicht gelöstes
Ruthenium zurückbleibt,
was zu schwachen Erträgen
führt.
-
Die
Menge an einzublasendem Chlorgas ist vorzugsweise das 0,5- bis 1,5-fache
von NaOH. Eine kleinere Menge als das 0,5-fache ist nicht wünschenswert,
weil das Ruthenium nicht vollständig
aufgelöst
werden und Rutheniumtetroxid nicht in ausreichender Menge gebildet
werden kann. Das 1,5-fache oder mehr ist ebenso nicht wünschenswert,
weil sich eine große
Menge Rutheniumdioxid bildet.
-
Auch
wenn Ruthenium sich auflöst
und reagiert wie oben beschrieben, wird es nicht vollständig in
Rutheniumtetroxidgas umgewandelt, sondern ein Teil des Rutheniums verbleibt
in der Lösung.
Je nach den Bedingungen werden üblicherweise
80 bis 90 % des Rutheniums in Rutheniumtetroxid umgewandelt und
der Rest verbleibt in der Lösung.
Aus diesem Grund wird Ruthenium, das in der Lösung verblieben ist, durch
Einblasen von Ozon in die Lösung
vollständig
in Rutheniumtetroxid umgewandelt. Der Zeitpunkt für das Einblasen von
Ozon in die Lösung
kann nach vollständigem
Einblasen von Chlorgas gewählt
werden.
-
Das
Material für
die Apparaturen zur Auflösung
von Ruthenium sollte idealerweise Glas oder Ähnliches sein. Organische Materialien
wie Polyethylen sind nicht wünschenswert,
weil organische Stoffe mit dem entstandenen Rutheniumtetroxid reagieren
können.
Des Weiteren wird durch einen Abscheider zwischen der Reaktionsapparatur
und der Absorptionsapparatur eine Kontamination mit Fremdatomen
vom Sprühnebel
aus der Auflösungsapparatur
verhindert. Somit lässt
sich auch eine Kontamination der Absorptionslösung mit Fremdatomen verhindern.
-
Die
Absorptionslösung
für Rutheniumtetroxid
besteht vorzugsweise aus einer Salzsäurelösung oder einer Mischlösung von
Salzsäure
und Ammoniumchlorid.
-
Nach
Ende des Reaktionsvorgangs wird die Lösung zur Erzeugung von Rutheniumsalz
bis zur Trockenheit eingedampft. Diese Kristalle werden bei niedriger
Temperatur in einer Wasserstoffatmosphäre reduziert, um hochreines
Rutheniumpulver zu gewinnen. Des Weiteren kann durch Sintern des
Pulvers in einer inerten Atmosphäre
Rutheniumpulver mit sehr niedrigem Kohlenstoff-, Sauerstoff- und
Chlorgehalt gewonnen werden.
-
Das
so gewonnene hochreine Rutheniumpulver kann mittels Heißpressen
oder Elektronenstrahlschmelzen zu dem gewünschten Sputtertarget verarbeitet
werden. Nachdem beispielsweise das durch das oben beschriebene Verfahren
gewonnene hochreine Rutheniumpulver in eine Form aus Graphit gefüllt wurde, kann
es bei einer Temperatur von 1200 bis 2000° C und einem Druck von 100 bis
300 kg/cm2 heißgepresst werden, um ein Sputtertarget
aus hochreinem Ruthenium mit einer Dichte von 95 % oder höher zu formen. Wird
Elektronenstrahlschmelzen angewandt, so wird das hochreine Rutheniumpulver
in einem Vakuum von 10–4 torr und bei einer
Stromstärke
von 0,1 bis 1 A geschmolzen und mit Schmieden oder ähnlichen
Techniken zum gewünschten
Target verarbeitet. Jedoch konnten beim Einsatz von Elektronenstrahlschmelzen
Targets nicht einfach durch Schmelzen des Pulvers mit Elektronenstrahlen
geformt werden, da das Material während des Schmiedens oder Walzens
Risse erhielt.
-
Entsprechend
der vorliegenden Erfindung ist das Sputtertarget aus hochreinem
Ruthenium dadurch gekennzeichnet, dass der jeweilige Gehalt an Kohlenstoff,
Sauerstoff und Chlor 100 ppm oder weniger beträgt, vorzugsweise 50 ppm oder
weniger. Ein Gehalt an Kohlenstoff, Sauerstoff und Chlor von jeweils
mehr als 100 ppm ist nicht wünschenswert,
weil sich dann eine große
Zahl von Partikeln bildet. Entsprechend der vorliegenden Erfindung
kann Ruthenium mit einer Reinheit von 99,995 % oder höher ohne
gasförmige
Bestandteile gewonnen werden. Ein geringerer Reinheitsgrad ist nicht
wünschenswert,
weil vermehrt Leckströme
auftreten.
-
Das
durch die vorliegende Erfindung bereit gestellte Target kann die
Partikelbildung während
des Sputterns minimieren und nur geringe Leckströme verursachen.
-
Ausführungen der Erfindung
-
Die
vorliegende Erfindung wird im Folgenden anhand von Beispielen beschrieben,
ist jedoch nicht durch diese Ausführungen begrenzt.
-
(Beispiel 1)
-
In
einen Kolben wurden 580 g handelsübliches Rutheniumpulver (Reinheit:
99,9 %) gegeben. Es wurden 320 g/l NaOH-Lösung hinzugefügt und 500
Liter Chlorgas eingeblasen, um das Rutheniumpulver aufzulösen und
Rutheniumtetroxid zu erzeugen. Diese Lösung wurde auf 80° C erhitzt,
und Ozon wurde in die Lösung
eingeblasen, um in der Lösung
verbliebenes Ruthenium in Rutheniumtetroxid umzuwandeln. Als Absorptionslösung wurden
6 Liter einer 25° C
warmen Lösung
mit einer Salzsäurekonzentration
von 6 N präpariert, die
10 Volumenprozent Methanol enthielt. Innerhalb von ungefähr 18 Stunden
wurde das gesamte Ruthenium in Rutheniumtetroxid umgewandelt und
in der Absorptionslösung
aufgenommen. Die Absorptionslösung
wurde bis zur Trockenheit eingedampft, um 1360 g kristallinen Rutheniumsalzes
zu erzeugen. Die Kristalle wurden bei 300° C in einer Wasserstoffatmosphäre reduziert,
dann in einer Stickstoffatmosphäre
bei 1500° C
gesintert. Daraus wurden 570 g hochreines Rutheniumpulver gewonnen.
Der Ertrag war 95 %. Das so entstandene hochreine Rutheniumpulver
wurde in die gewünschte
Form gepresst und bei einer Temperatur von 1700° C und einem Druck von 200 kg/cm2 zwei Stunden lang heißgepresst, um ein scheibenförmiges Sputtertarget
aus hochreinem Ruthenium mit einem Durchmesser von 110 mm, einer
Stärke
von 5 mm und einer Dichte von 98 % zu gewinnen.
-
Der
Fremdatomgehalt von Rutheniumpulver und das Sputtertarget ist in
Tabelle 1 ersichtlich. [Tabelle 1]
| Einheit:
ppm (ppb nur für
U und Th) |
| Fremdatome | Na | K | Fe | U | Th | O | C | Cl |
| Pulver | 60 | 20 | 46 | 2 | 5 | 800 | 250 | 100 |
| Target | 0,1 | 0,1 | 0,5 | < 0,1 | < 0,2 | 60 | 20 | < 10 |
-
(Beispiel 2)
-
In
einen Kolben wurden 580 g handelsübliches Rutheniumpulver (Reinheit:
99,9 %) gegeben. Es wurden 100 g/l NaOH-Lösung hinzugefügt und 500
Liter Chlorgas eingeblasen, um das Rutheniumpulver aufzulösen und
Rutheniumtetroxid zu erzeugen.
-
Diese
Lösung
wurde auf 80° C
erhitzt, und Ozon wurde in die Lösung
eingeblasen, um in der Lösung verbliebenes
Ruthenium in Rutheniumtetroxid umzuwandeln. Als Absorptionslösung wurden
6 Liter einer 50° C
warmen Lösung
mit einer Salzsäurekonzentration
von 9 N präpariert,
die 10 Volumenprozent Isopropanol enthielt.
-
Innerhalb
von ungefähr
18 Stunden wurde das gesamte Ruthenium in Rutheniumtetroxid umgewandelt
und in der Absorptionslösung
aufgenommen. Die Absorptionslösung
wurde bis zur Trockenheit eingedampft, um 1360 g kristallinen Rutheniumsalzes
zu erzeugen.
-
Die
Kristalle wurden bei 700° C
in einer Wasserstoffatmosphäre
reduziert, dann in einer Stickstoffatmosphäre bei 1200° C gesintert. Daraus wurden
570 g hochreines Rutheniumpulver gewonnen. Der Ertrag war 95 %.
Das so entstandene hochreine Rutheniumpulver wurde in die gewünschte Form
gepresst und in einem Vakuum von 1 × 10–4 torr
und bei einer Stromstärke
von 0,5 A mit Elektronenstrahl geschmolzen, um ein scheibenförmiges Sputtertarget
aus hochreinem Ruthenium mit einem Durchmesser von 110 mm und einer
Stärke von
5 mm zu gewinnen.
-
Der
Fremdatomgehalt von Rutheniumpulver und das Sputtertarget ist in
Tabelle 2 ersichtlich. [Tabelle 2]
| Einheit:
ppm (ppb nur für
U und Th) |
| Fremdatome | Na | K | Fe | U | Th | O | C | Cl |
| Pulver | 60 | 20 | 46 | 2 | 5 | 800 | 250 | 100 |
| Target | < 0,1 | < 0,1 | < 0,1 | < 0,1 | < 0,2 | < 10 | < 10 | < 10 |
-
(Vergleichsbeispiel)
-
Nach
der Bearbeitung von 1000 g rohem Ruthenium mit Alkalischmelzen und
Auslaugen mit Wasser wurde zusätzlich
eine Menge Natriumhydroxid hinzugefügt. Die Lösung wurde mit Chlorgas gesättigt, erhitzt und
eingedampft, um Rutheniumtetroxid abzuscheiden.
-
Als
Absorptionslösung
wurden 10 Liter einer 25° C
warmen Lösung
mit einer Salzsäurekonzentration von
6 N präpariert,
die 10 Volumenprozent Ethanol enthielt. Das Rutheniumtetroxid wurde
in dieser Lösung absorbiert
und drei Mal durch Destillation gereinigt. Diese Lösung wurde
mit einem Rotationsverdampfer 24 Stunden lang bis zur Trockenheit
eingedampft. Die so gewonnenen Kristalle wurden in der Luft getrocknet
und erhitzt, um Rutheniumdioxid zu erzeugen. Des Weiteren wurde
das Rutheniumdioxid zur Herstellung von Rutheniumpulver in einem
Wasserstoffstrom bei 680° C
erhitzt. Der Ertrag lag bei 50 bis 60 %. Der durchschnittliche Kristallkorndurchmesser
des gereinigten Rutheniumpulvers betrug ca. 0,8 μm.
-
Das
so entstandene gereinigte Rutheniumpulver wurde in die gewünschte Form
gepresst und bei einer Temperatur von 1800° C (Beispiel 1) und einem Druck
von 300 kg/cm2 zwei Stunden lang heißgepresst,
um ein scheibenförmiges
Sputtertarget aus Ruthenium mit einem Durchmesser von 110 mm und
einer Stärke
von 5 mm zu gewinnen.
-
Der
Fremdatomgehalt von Rutheniumpulver und das Sputtertarget ist in
Tabelle 3 ersichtlich. [Tabelle 3]
| Einheit:
ppm (ppb nur für
U und Th) |
| Fremdatome | Na | K | Fe | U | Th | O | C | Cl |
| Pulver | 60 | 20 | 46 | 2 | 5 | 800 | 250 | 100 |
| Target | 1,2 | 0,3 | 3 | 0,5 | 2 | 160 | 140 | < 10 |
-
Jedes
Ruthenium-Sputtertarget aus den Beispielen und dem Vergleichsbeispiel
wurde auf eine Kupferstützplatte
aufgebracht und in einer Sauerstoffatmosphäre mit einem Magnetron-Sputtersystem
einem reaktiven Besputtern unterzogen, um eine Rutheniumdioxid-Dünnschicht
auf einem Si-Wafer zu erzeugen. Es wurde auf einem 4-Zoll Siliziumwafer
eine Dünnschicht
von 400 nm gebildet und die Partikeldichte auf diesen Dünnschichten
gemessen. Ebenso wurden die Elektrodeneigenschaften der Dünnschichten
gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 zu sehen. [Tabelle 4]
| | Partikeldichte
(Partikel/cm2) | Elektrodeneigenschaften |
| Beispiel
1 | 0,5 | gut |
| Beispiel
2 | 0,1 | gut |
| Vergleichsbeispiel | 10 | große Leckströme |
-
Das
Sputtertarget aus hochreinem Ruthenium, das durch das der vorliegenden
Erfindung entsprechende Verfahren gewonnen wurde, hat die Eigenschaft,
dass der jeweilige Kohlenstoff-, Sauerstoff- und Chlorgehalt 100
ppm oder weniger betrug, und bildete während des Sputterns nur wenige
Partikel. Die Elektrodeneigenschaften der Dünnschicht waren hervorragend.
-
Vorteile der Erfindung
-
Gemäß der vorliegenden
Erfindung kann ein hochreines Rutheniumpulver hergestellt werden,
das nicht nur ausreichend kleine Mengen an Alkalimetallen, radioaktiven
Elementen und Schwermetallen, sondern auch an Kohlenstoff, Sauerstoff
und Chlor enthält,
was wiederum die Herstellung eines Sputtertargets aus hochreinem
Ruthenium ermöglicht,
das geringste Mengen dieser Fremdatome enthält. Ebenso bildet das durch
die vorliegende Erfindung bereit gestellte Sputtertarget aus hochreinem
Ruthenium während
des Sputterns nur wenige Partikel. Seine Dünnschicht verfügt über hervorragende
Elektrodeneigenschaften und eignet sich demgemäß als Dünnschicht für die Elektrode eines ferroelektrischen
Kondensators bei der Herstellung eines Halbleiterbauelements.