DE903971C - Photowiderstaende, beispielsweise zur Fernbilduebertragung mittels Sekundaeremission von Photowiderstaenden und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Photowiderstaende, beispielsweise zur Fernbilduebertragung mittels Sekundaeremission von Photowiderstaenden und Verfahren zu deren Herstellung

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DE903971C
DE903971C DET2980D DET0002980D DE903971C DE 903971 C DE903971 C DE 903971C DE T2980 D DET2980 D DE T2980D DE T0002980 D DET0002980 D DE T0002980D DE 903971 C DE903971 C DE 903971C
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DE
Germany
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photoresistors
grams
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secondary emission
metals
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DET2980D
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Dr Ludwig Wesch
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Telefunken AG
Original Assignee
Telefunken AG
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/20Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
    • H01J9/233Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36Photoelectric screens; Charge-storage screens
    • H01J29/39Charge-storage screens
    • H01J29/45Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

  • Photowiderstände, beispielsweise zur Fernbildübertragung mittels Sekundäremission von Photowiderständen und Verfahren zu deren Herstellung Die Übertragung von Fernsehbildern mittels Photowiderständen und Sekundäremission erfolgt üblicherweise derart, daß der fermizusendendie Gegenstand auf eine Halbleiterschicht abgebildet wird, die sich auf einer metallischen Elektrode befindet und auf welcher Mosaikelemente mit einem sekundäremittierenden Werkstoff vorhanden sind. Diese Halbleiterschicht ist so ausgewählt, daß sie ihren Widerstand bei Belichtung ändert und daß ihre Oberbäche eine erhebliche Sekundäremission aufweist. Der die Schicht abtastende Elektronenstrahl wird dann je nach der Nachlieferung von Elektronen, d. h. je nach dem durch Belichtung eingestellten Widerstandswert der getroffenen Schichtteilchen, eine verschiedene und der Belichtung entsprechende Sekundäremission auslösen. Diese von der Belichtung abhängigem Sekundäremissionsströme werden zur Steuerung der Bdldsen,duxng benutzt. Als Werkstoff für lie Halbleiterschicht wurde bereits Kupferoxydul Cu. 0 vorgeschlagen. Die Verwendung von Kupferoxydul hatte jedoch den Nachteil, daß es nur in einem beschränkten spektralen Empfindlichkeitsbereich benutzt werden kann und daß zusätzlich sekundär ennittierendie Mosaikelemente aufgebracht werden müssen. Außerdem entstehen bei der Bildung der Kupfer`-oxydulschichten auf Kupferplatten Kristallkörner sehr unterschiedlicher Größe und Empfindlichkeit. Unter diesen Umständen war es schwer, die Sekundärernissionsfähigkeit und die Speicherdauer den praktischen Bedürfnissen anzupassen und die gewünschte Einstellung bei verschiedenen Röhren in gleicher Weise zu reproduzieren. Durch die vorliegende Erfindung werden. die genannten Schwierigkeiten überwundien.
  • Gemäß der Erfindung werden nach Art der Lenard-Phosphoce ausgebildete Selenide und Telluride von Metallen benutzt. Alps Metalle bewährten sich die Metalle der 2. Reihe des Periodischen Systems (und unter diesen insbesondere die Schwermetalle!) und außerdem Blei, Thallium, Antimon und Molybdän. Es hat sich gezeigt, daß diese Stoffe den jenveilsi vorliegenden Bedürfnissen, leicht und reproduzierbar angepaßt werden können.
  • I. Die Herstellung einer d. h. der Leitfähigkeit im unbelichteten Zu!stunde, die die aus denZeniren lichtelektrisch ausgeälöstenElektronen weiterleitet, gelingt insbesondere dadurch, da,ß die genannten Stoffe bei verschiedenen Drucken und verschiedenen Temperaturen, behandelt werden. Die Erhöhung der Temperatur erhöht die Leitfähigkeit, während die Erhöhung des Druckes die Leitfähigkeit herabsetzt. Es ist bekannt, daß normale Selenide sich schon bei Temperaturen von 6oo° und Atmosphärendruck zersetzen können. Da die Zentrenbildung bei höherer Temperatur ein größerer Menge erfolgt, ist @es zweckmäßig, den Druck so zu wählen,, daß bei der jeweils benutzten höheren Temperatur eine merkliche Zersetzung noch nicht eintritt. Man erhält auf diese Weisse die Möglichkeit, sowohl den gewünschten Wert; der Grundleitfähigkeit als auch eine große Zahl von aktiven Zentren zu erhalten. Als Richtwert für den gewünschten Wert der Grundleitfähigkeit sei genannt, daß man zweckmäßig bei einer Schichtstärke von 3>,000 mm je Bildpunkt einem, Widerstand von 2 Megöhm'vorsieht-=.Im allgemeinen hat es seich bewährt; beispielsweise bei einem Druck von 300 .Atm. und bei goo°: zu arbeiten. Das benutzte Gas soll weder den Phosphor, noch den Ofen angreifen. Benutzt wurde bei den, Versuchen Stickstoff, Edelgas, seienbelädener Stickstoff und Selendampf. In vielen Fällen wird es zweckmäßig sein, den Druck weiter zu steigern, beispielsweise auf iooo Atm. Die Temperatur kann dann entsprechend erhöht werden.
  • Beispiel einer Substanz.: ioo Gramm Cadmiumselenid werden mit 3 Gramm Kupferchlorid als Aktiivator und- 5-Gramm Cäsiumchlorid als Schmelzmittel .innig gemischt und bei goo,° sowie 3oo Aitm. Stickstoff i Stunde geglüht Man erhält etwa ioo Gramm des Stoffese.
  • II. Die Trägheit der Substanz kann in weiten Grenzen werden, so daß auch speichernde Photoelemente entstehen. Dies gelingt insbesondere durch Variation dies Akttivätorzusaizes und der Glühdauer sowie .der Temperatur. In geringerem Maßet kann einet Veränderung durch den Schmelzzusatz vorgenommen werden. Höhere Glühdauer und geringere Aktivatormenge, z. B. Kupfermenge, erhöhen die Speicherwirkung. Dieselbe Wirkung halt eine Erhöhung der Temperatur und die Vergrößerung der Menge des Schmeilzzusatzes. Bei:is.p,iel ioo Gramm Cädmiumselennd oder Bariumselenid werden mit o,3 Gramm Kupfer als! Chlorid und io Gramm Cäsiumchlerid innig gemischt und bei 95'o° und 35o Atm. 2 Stunden geglüht. Die Ausbeute beträgt rund i o5 Gramm.
  • III. Die spektrale Empfindlichkeit kann bei den angegebenen Substanzen weitgehend geändert werden. Es hat sich gezeigt, daß dies sowohl durch Veränderung des Metallatoms im Grundmetall, z. B. Zink, Cadmium, Quecksilber, Thallium, Blei, als. auch d'er Gattungsatome (Selen, Tellur und gegebenenfalls zusätzlich Schwefel) geschehen, kann. Grün-Rot-Empfindlichkeit Beispiel 8o Gramm Cadmiumselenid und 2o Gramm Zinksel:enid werden mit i Gramm Kupfer als Chlorid und 5 Gramm Kaliurnchlorid bei goo° und 3oo Atm. rund i Stunde geglüht. Die Ausbeute beträgt ioo Gramm.
  • Rot-Empfindlichkeit Beispiel 9a Gramm Cad'miumselenid und; io Gramm Cadmiumsulfid wermit i Gramm Kupfer als Chlorid und 5 Gramm Cäsiumchlorid, wie eben beschrieben:, behandelt.
  • Ultrarot-Empfindlichkeit Beispiel i 8o Gramm Cadmiumselenid und 2o Gramm Cad'miumtellurid werden: mit i Gramm Kupfer als Chlorid und io Gramm Cäsiumselenat., wie oben beschrieben, behandelt.
  • B.evspiel 2 8o Gramm Cadmiumselenid und 15 Gramm Cad'miumtellurlid werden mit 5 Gramm Bleiselenid und 5 Gramm Cä:siurntelluridsowie einem aktivierenden Zusatz vonSilberchlorid!, wie oben: beschrieben; behandelt.
  • Beispiel 3 8o Gramm Zinkselenid und 15 Gramm Antimon, sulfid werden: mit 5 Gramm Bleiseleaid und i Gramm Manganchlorid, wie oben; beschrieben, behandelt.
  • Di.e Roteempfind!lichkeit der Phosphore steigt mit der Sehwerte .des basischen und des; sauren! Bestandteiles, und sie sinkt mit der Menge des benutzten Aktivatones..
  • IV. Diel Überlegenheit der neu geschaffenen. Photowiderstände beruht neben der guten Einstellbarkeit der verschiedenen Eigenschaften auf der großen Seku:nd:äremissiio,n. Günstig ist die Z,cintrenbildung innerhalb der Photawider(ätände und die Abführung der im Innern befreiten Sekundärelektronen durch Leitfähigkeit nach außen-.
  • Zur gewünschten Einstellung der zweckmäßigen Leitfähigkeitswerte können während der Präparation in dem Glühtiegel Elektroden, beispielsweise aus Platin, angeordnet werden. Mit ihrer Hilfe wirddann der Leitfähigkeitszusta.nd während des Formierungsprozesses durch Anlegen einer Spannung beobachtet. Im Bedarfsfalle kann man vorher eine Abkühlung der Substanz auf Raumtemperatur abwarten. Sollte in einzelnen Ausnahmefällen die Sekundäremissionsfäh.igke:it der erfindungsgemäßen Stoffe noch gesteigert «-erden, so kann man als Schmelzzusätze Werkstoffe verwenden, (die eine hohe Sekundäremiss an besitzen. Auch hier hat man noch dien Vorteil, daß zur der Sekundäremission nicht die Herstellung besonderer zusätzlicher Überzüge erforderlich istj. Als sekundär emittierende Schmelzzusütze bewährten sich die Selenide, Seleniate und Seleniate der Alkalien und von Beryllium.
  • V. Für die Herstellung der Phosphore bewährten sich sogenn;te Langformtiegel, deren( Durchmesser vorteilhaft q.o mm nicht überschreiten. Man erhält dann leicht bis, ins, Innere einte gleichmäßige Temperaturverteilung und eine gleichmäßige Zentrenbildung. Beispielsweise bei goo° und einem hohen Druck, insbesondere bis zu iooo Atrn., entstehen fesiügefügte feinkristallinische Stangen, die im Bedarfsfalle zu Plattren geischnitten, oder in, der Kallo,id@mühle gepulvert. werden. können. Wenn man in der Kolloidmühle eine Flüssigkeit mit höherer Dielektrizitäbskonstante als, der Dielektrizitätskonstanite des Phosphors verwendet, so erhält man die besten Mahlbedingungen und: die feinste Suspension. Es, ergibt sich dann ein Korn, dessen Größe unter 1/100o mm liegt und. das für die Schichtherstellung besonders zweckmäßig ist. Beim Trockenmahlen wird der- Phosphor leicht zerstört.
  • VI. Die so, hergestellten Suspensionen können nun in der Weise zur Plattenherstellung verwendet werden, daß sie auf d'u.rchsichtli,ge oder undurchsichtige gut gereinigte Metallschichten z. B. aus Nickel, Kupfer, Platin( oder Gold auifgeschlämmit werden. Esi ist vorteilhaft, durch Vorsedimentation in einem oder mehreren getrennten Gefäßen die Grobbeile zu entfernen. Um unversehrte Schichten zu erhalten,, benutzt man zweckmäßig leicht verdampfba,re Aufschlämmflüssigkeiten, wie Gemische aus Azeton und Äther. Die Aufschlämmflüssigkeiten können ein einem Thermostaten abgedampft werden. Die so durch Absetzen im Schwerefeld erzeugten Schichten geben, feinkörnige Unterlagen mit großer Empfindlichkeit.
  • Wenn bei der Fernbildübertragung unter Benutzung der erfindü:ngsgemäßen Schichten mit höchster Zeilenzahl (4oo bis, iooo Zeilen) gearbeitet wird(, kann es. vorkommen, daß sich die Struktur der Oberfläche unangenehm bemerkbar macht. Weiterhin ist es störend, dla.ß bei dem üblichen Sedimentabionisverfähren auch das. inaktive Korn seich mit absetzt, so daß die volle Empfindlichkeit des erfindungsgemäßen Stoffes nicht ausgenutzt wird. Es wurde nun gefunden, daß diel aktüven Zentrengruppen der Phosphore teilweise schon im unbelichteten Zustande erregt. sind, also Elektronen verloren haben. Das hat zur Folge, daß sie dazu neigen, in der Suspension Ionen zu@ bilden. Wenn man nun die Aufschlämm:flüssigkeit so wählt, daß die inaktiven Zentren sich nicht auifladen, dann hat man die Möglichkeit,- durch ein der Elektrophorese ähnelndes Verfahren die aktiven Zehntren au;szuscheiden und nur @sie zur Schichttbildung zu verwenden. Zu diesem Zweck wird die in der Kodloidmühle hergestellte :Suspens,ion in ein Gefäß gebracht, das zweckmäßig in seinem Boden( ein Netz aus Platin od. dgl. enthält und in denn an, der Flüssigkeibsoberfäche diie Grundplatte, für die Widerstandsschicht angeordheit ist. Als Aufschlämmflüssigkeit bewährte sichAzerüon mit einem die Auflad'ung der nicht aktiven Teilchen nahezu beseitigenden Elektrolytzusatz, z. B. aus Ammoniak. Wird nun an die obere Plattre eine gegenüber dem Netz negative Spannung angelegt, dann wandern die positiven Zentren entgegen der Schwere nach oben, während die inaktiven Füllmaterialien und die gröberen Teile in Richtung des Schwerefeldes und der Anode nach unten sinken.
  • Bei einemAbs,tand von io cm zwischen denE.lektroden und bei Benutzung von Azeton als Suspensionsmittel wurden mit 5o V Spannung und i mA, innerhalb von a, Stunden hochempfindliche Ulitrafei.nkornschichten abgeschieden.DieseSch.ichten spiegeiliten stark im reflektierten Licht. Geringe Zusätze anderer positiver Ionen fördern diese Abscheid'un g. Beispielsweise wurde an Stelle von N H, auch Cäsiumchlorid angewandt. Dann trat nicht nur einte Erhöhung der Seikundärernission d!er fertigen Schichten ein, sondern es, wurde das Herstellungsverfahren noch zusätzlich dadurch verbessert, daß eine Gasabscheid'ung an den Elekt!raden und insbesondere an; der Kathode nicht mehr auftrat. Beim Fehlen besonderer Vorsichtsmaßregeln kann( nämlich eine solche Gasabscheidung die Ausbildung einer gleichmäßigen Schicht verhindern. Auch durch eine normale Kataphorese können die Schichten abgeschieden werden. Dabei werden aber auch die inaktiven Teilchen zusammen mit den aktiven abgeschieden. Die Aufladung bei der Kataphorese kann durch Belichtung und'/oder Röntgenbeisitrahlung unterstützt werden.
  • Es lä.ßt.,sich nicht vermeiden,, daß beim Mahlen in der Ko@l@loi,dsnühle einige Zentren zerkleinert werden,. Durch Mitabscheiden dieser zerkleinerten Teilchen, die ihre günstige Ei.gen:schaft verloren haben, wird die Schicht unempfindlicher. Dann kann man drei Schicht dadurch nachträglich regenerieren, daß die durch das Sedimentations.- oder Elektrolyse- oder Kataphoreserverfahrien abgeschiedenen Schichten beispielsweise im Hochdruckofen getempert werden.
  • Die so@ hergestellten: Schichten können in, W:iderstandsikonoskopen verwendet werden. Es ist auch möglich, sie in Bildwandlerröhren und/oder Bildspeicherröhren anzuwenden. Sie ergeben einen ausgezeichneten Wirkungsgrad und! sind infolge, ihres Relaiseffektes und der Steilheit ihrer Sekundiäremissionskennlinie bekannten Vorrichtungen überlegen.
  • Der Gegenstand der Erfindung kann aber auch für reine Photowiderstände verwendet lverdeni, da die Widerstandsplatten gemäß der, Erfindung mit einer zweiten lichtdurchlässigen Elektrode; beispielsweise einem Netz oder einer duirch@scheinenden Metallschicht, versehen werden können. Außer bei der Fernsehübertragung mit Licht, können.sie auch zur Bildübertragung bei Röntgenstrahlanregurg für medizinische Zwecke verwendet werden, da dort infolge der Erregung der gesamten Schichtdicke eine noch größere Empfindlichkeit hervorgerufen wird.

Claims (5)

  1. PATENTANSPRÜCHE-: z. Photowiderstände, beispielsweise zurFernbildübertragung mittels Sekunldäremiss,ion von Photowiderständen, enthaltend als Leuchtstoff aktivierte Selenide und/oder Tellurfde der Metalle der
  2. 2. Gruppe :dies Periodischen Systems (insbesondere der Schwermetalle diegser Gruppe) und/oder Blei, Thallium, Antimon und Molybdän. Photowiderstand nach Anspruch i, gekennzeichnet durch einen Zusatz eines sekundäremiss onsfähigen Schmelzmittels, insbesondere der Selenide, Selenate oder Seleniate von Alkalimetallen und von Beryllium.
  3. 3. Verfahren; zur Herstellung von Photowiderständen, nach Anspruch z oder 2, gekennzeichnet durch die Behandilu.ng der Stoffe, aus denen. die Photowiderstände hergestellt werden, in einem Hochdruckofen: q..
  4. Verfahren zur Herstellung von Photowiderständen nach Anspruch r oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Suspension des Widerstandsstofes auf eine z. B. aus Nickel, Kupfer, Platin oder Gold bestgehende Metallschicht aufgeschlämmt und die Aufschlämmflüssigkeit, vorzugsweise ein Gemisch aus Azeton und Äther, abgedampft wird.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch q., dadurch gekennzeichnet, daß der in einer mit einem Elekbrolytzusatz versehenes Aufschlämmflüssigkeit, z. B. Azeton mit Ammoniakzusatz, aufge.-schlämmte Widerstandsstoff in einem der Schwerkraft entgegenwirkenden elektrischen Feld! auf einer Unterlage niedergeschlagen wird.
DET2980D 1941-01-15 1941-01-15 Photowiderstaende, beispielsweise zur Fernbilduebertragung mittels Sekundaeremission von Photowiderstaenden und Verfahren zu deren Herstellung Expired DE903971C (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1043536B (de) * 1954-09-27 1958-11-13 Rca Corp Verfahren zur Herstellung von photoleitfaehigem Material, bestehend aus einer Mischung von Kadmiumsulfid, -selenid oder -sulfidselenid
DE1209666B (de) * 1959-09-28 1966-01-27 Western Electric Co Kathode, die aus einem Halbleiterkoerper mit einem pn-UEbergang besteht, und Sekundaerelektronenvervielfacher und Magnetron mit einer solchen Kathode

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1043536B (de) * 1954-09-27 1958-11-13 Rca Corp Verfahren zur Herstellung von photoleitfaehigem Material, bestehend aus einer Mischung von Kadmiumsulfid, -selenid oder -sulfidselenid
DE1209666B (de) * 1959-09-28 1966-01-27 Western Electric Co Kathode, die aus einem Halbleiterkoerper mit einem pn-UEbergang besteht, und Sekundaerelektronenvervielfacher und Magnetron mit einer solchen Kathode

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