DE1522711A1 - Verfahren zur Herstellung einer xerographischen Bildplatte - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer xerographischen Bildplatte

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DE1522711A1 DE19661522711 DE1522711A DE1522711A1 DE 1522711 A1 DE1522711 A1 DE 1522711A1 DE 19661522711 DE19661522711 DE 19661522711 DE 1522711 A DE1522711 A DE 1522711A DE 1522711 A1 DE1522711 A1 DE 1522711A1
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Description

RlKK XEROX LIMITED, Rank Xerox House. 338 Euston Road,
N.W. 1, Bngland
Verfahren zur Herstellung einer xerographischen Bildplatte
Die Erfindung bezieht sich auf die Xerographie, insbesondere auf ein Verfahren zur Herstellung einer verbesserten lichtempfindlichen Bildplatte.
Bei der xerographischen Technik wird zur Erzeugung latenter elektrostatischer Bilder ein Bildelement oder eine Bildplatte verwendet, die aus einer elektrisch leitfähigen Unterlage, beispielsweise einem Papier oder einem metallischen Teil, und einer darauf aufgebrachten photoleitfähigen Isolierstoffschicht besteht. Dabei stellte sich heraus, daß eine für diese Zwecke geeignete Platte aus einer metallischen Unterlage mit einer Schicht aus gasförmigem Selen besteht. Eine derartige Platte zeichnet sich dadurch aus,
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daß sie in ausreichendem Maße für; elektrostatischer Lädungeitt aif nahmef ähig ist und bei Belichtung mit e intent LichtbiM einen, selektiven Ladimg sausgleich ermöglicht» Ferner ist sie im allgemeinen im blauen und btau^grünen Spefctralbereich sehr lichtempfindlich.
Beim normalen xerographis chen ,Verfahren wird das durch den erwähnten selektiven Ladungsausgleich, erzeugte elektrostatische Ladungsbild durch selektive Anzeiehung von Zeichenteilchen in ein sichtbares Bild umgewandelte wobei bekannte Bildentwicklungsverfahren angewendet werden. Die xerographisehe Platte ist daher im xerographischen Verfahren von großer Wichtigkeit, zumal sie das für die Erzeugung des Ladungsbildes maßgebliche Element darstellt. Ändere Formen xerog raphischer Platten sind bekannt* beispielsweise Papier* das mit einer Photoleitfähigan Mischung von Zinkoxydteilchen in einem nichtleitenden Kunstharz überzogen ist. Die xerographieche Platte mit glasförmigem Selen ist jedoch die ammeisten verwendete, da sie in der Lage ist, eine elektrostatische Ladung für lange Zeiträume zu speiciiern, wenn sie nicht belichtet wird. Ferner ist ihre Lichtempfindlichkeit verglichen mit anderen xerographischen Platten relativ groß und ihre Festigkeit und Stabilität reicht aus, um sie in mehreren hundert oder sogar tausend Arbeitsgängen zu verwenden.pie Selenplatte ist jedoch, wenn sie während des, u Betriebes erhitzt wird* füa schädliches Kristallwachstusi
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anfällig. Dieses Kristallwachstum in der Selenschicht zerstört die photoleitfähigen nichtleitenden EiEenschaften des Selens arid begrenzt die effektive Lebensdauer derSElenplatte. ;;
Es sind nun Verbesserungen in der Lichtempfindlichkeit und dem Ansprechen auf längere Wellenlängen sehr erwünscht. Ein bemerkenswerter Beitrag dazu wurde von O.S. Ullrich geleistet« der in der US-Patentschrift 2 803 $k2 beschreibt, daß ein Zusatz von Arsen zum Selen einen Anstieg der Lichtempfindlichkeit der xerographischen Platte und deren Empfindlichkeit auf längere Wellenlängen verursacht·
Trotzdem werden nach wie vor Platten benötigt, die eine kürzere Belichtungszelt erfordern und einen größeren Bereich reproduzierbarer Farben ermöglichen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht daher darin, eine verbesserte Selen-Arsen-Platte für xerographlsche Zwecke zu schaffen, wozu ein verbessertes Verfahren zu deren Herstellung gefunden werden soll und die vorstehend beschriebenen Nachteile vermieden werden sollen.
Die zu schaffende xerographisehe Platte soll eine erhöhte Lichtempfindlichkeit sowie einen breiteren spektralen t Empfindlichkeitsbereich laben. Ferner soll ihre Wärmestabilität
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•gegenüber bekannten Platten verbessert sein.
Die vorstehenden sowie weitere Merkmale werden gemäß der Erfindung erreicht, indem eine xerographische Platte hergestellt wird, die aus Selen, Arsen und bis zn 1 % zumindest eines Elementes der Halogenfamilie besteht. Bei der Herstellung dieser Platte werden die passenden Mengen Selen, Arsen und eines Halogens in einen verschlossenen Behälter eingegeben urtd bei einer hohen Temperatur zur Reaktion gebracht, W)durch sich eine homogene Mischung bildet. Diese Mischung wird dann abgekühlt und auf eine geeignete leitfähige Unterlage durch Vakuumaufdampfen aufgebracht. Nach Ende des Verdampf ungsprozesses wird die endgültige Platte aus der Vakuumkammer herausgenommen.
Im allgemeinen beträgt dbr wirksame Anteil des Arsens in der Selenschicht 0,5 bis 50 Gew.-%\ wobei ein Bereich von 1 bis 25 Gew.-J^ vorzugsweise verwendet wird. Der untere . Grenzwert von ungefähr 1% ist dadurch gegeben, daß Arsen in einer Menge von beispielsweise 0,5 % die Kristallisationstemperatur erhöht und in einer Menge von 1 % die Kristallisation praktisch verhinirt. Der obere Grenzwert von 25 % wird deshalb gewählt, da diese Menge Arsen zusammen mit einem Halogenzusatz im wesentlichen den gleichen Grad der Licht<empfindlichkeit und des breiteren spektralen Empfindlichkeitsbereiches ermöglicht, wie ASpSe., oder 38,5 % Arsen,
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wobei nicht die hohe Dunkelentladung des As2Se-. vorhanden igt. Der obere Wert des vorzugsweisen Bereiches, also 15 bis 20 % Arsen, ist im Hinblick einer optimalen Lichtempfindlichkeit mehr anzustreben.
Der wirksame Anteil des Halogenzusjttzes liegt zwischen 0,001 und 1 $% wobei 0,01 bis 0,5 % vorzugsweise verwendet werden» Die Empfindlichkeit bei einem vorgegebenen Anteil von Arsen wäschst mit vergrößertem Anteil eines Halogens um einen ■ bestimmten Grad an. Obwohl Anteile von 0,001 % eine veripößerte Empfindlichkeit bewirken, wird diese bei größeren Anteilen, beispielsweise mindestens 0,01 % Halogen» weiter erhöht. Anteile von 1 % zeigen gleichfalls eine Wirkung, sind jedoch in den meisten Fällen nicht erforderlieh, zumal eine bemerkenswerte Änderung bei Verwendung von über 0,5 % Halogen nicht auftritt.
Die Selen-Arsen-Halogen^Zusammensetzung kann für öle gesamte nichtleitende Schicht verwendet werden, sie kann jedoch auch als eine dünne äußere Schicht auf eine Unterschicht aus
reinem Selen aufgebracht sein.
Die Vorteile der verbesserten xerographisehen Platte sowie des Verfahrens zu ihrer Herstellung gehen aus der folgenden Beschreibung anhand der Figuren hervor.
Es zeigen!
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Fig. 1 den Schnitt einer gemäß d er Erfindung hergestellten xerograMschen Platte,
Fig. 2 den Schnitt einer weiteren gemäß der Erfindung hergestellten xerographischen Platte»
Fig. 3 ©ine Graphik, die die relative Empfindlichkeit verschiedener xerographiseher Platten zeigt, und
Fig. k die relative Empfindlichkeit einer Selenplatte mit zunehmenden Anteilen von Arsen, and zwar mit und ohne dem Halogenzusatz.
In den Fig. 1 bis k ist als Halogen jeweils Jod verwendet·
In Fig. 1 ist ein Ausftihrungsbeispiel einer gemäß der Erfindung hergestellten verbesserten xerographischen Platte dargestellt. Die elektrisch leitfähigfce Unterlage ist mit 11 bezeichnet. Sie besteht üblicherweise aus einer Metallplatte, z.B. Messing, Aluminium, Gold, Platin, Stahl oder ähnlichem. Die Unterlage kann jede geeignete Stärke besitzen, sie kann starr oder flexibel sein und die Form eines Blattes, eines Bandes, eines Zylinders o.a. haben. Sie kann mit einer dünnen Kunststoffschicht überzogen sein. Ferner kann diese Unterlage aus, anderen Stoffen bestehen, beispielsweise metallisiertem Papier« mit einem dünnen Aluminium- cder
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Kupfer j o<3 idüber 25ug versehenen Plastikblättern oder Glas» das mit einer dünnen Schicht aus Chrom oder Zinnoxyd überzogen ist. as ist wichtig, daß dieses Element zumindest geringfügig elektrisch leitfähig ist oder eine etwas leitfähige Oberfläche hat und daß eine für seine Verwendung ausreichende Festigkeit besitzt. In einigen Fällen kann auch auf die Unterlage 11sogar völlig verzichtet werden» Die auf die Unterlage 11 aufgebrachte photoleitfähige Isolierstoff schicht ist mit 12 bezeichnet. Wie in der Figur dargestellt ist, besteht diese Schicht aus glasförmifiem Selen sowie geringeren Anteilen Arsen und des Halogens Jod, Brom, Chlor oder Fluor· Für die xerographische Technik hat diese Schicht eine Stärke von 1 bis 300 Mikron oder mehr, sie liegt jedoch in den meisten Anwendungsfällen im allgemeinen aaisehen 20 und 8o Mikron. Dieser Bereich ist deshalb vorzugsweise zu verwenden, da die dickeren Schichten (d.h. Schichten mit einer Stärke von ca. 300 Mikron) eine weniger gute Haftfähigkeit an der Unterlage haben als die dünneren Schichten Ein, geeignetes Verfahren zur Herstellung der in Fig. 1 dar- ■ gestellten Platte wird im folgenden als Beispiel beschrieben.
Die geeigneten Mengen Selen, Arsen und Jod werden in einem abgeschlossenen Reaktionsgefäß bei ?25°C 3 oder k Stunden lang in einem Schaukelofen zur Reaktion gebracht. Nach Abkühlung und Entfernung der Mischung aus dem Reaktionsgefäß wird diese auf eine geeignete Unterlage 10* beispielsweise
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ein poliertes Messingblech, durch.Vakuumverdampfung aufgebracht. Die Mischung wird unter einer Glocke in einen Schmelztiegel gegeben und die Messingplatte wird ungefähr 30 cm über dem Schmelztiegel angeordnet und auf einer Temperatur von ca. 700C gehalten. Die Glocke wird auf einen . Druck von ungefähr 5 x 10*"^ Torr evakuiert und der Schmelztiegel wird erhitzt, um die Selenmischung auf die Unterlage 10 aufzudampfen. Für die Verdampfung sind 20 bis k$ Minuten erforderlich. Nach Vollendung des Verdampfungsprozesses wird der Schmelztiegel abgekühlt und die endgültige Platte aus der Glocke herausgenommen.
In Flg. 3 ist eine Gratihik dargestellt, die die relative empfindlichkeit von Platten zeigt, die gemäß Fig. 1 auegebildet sind und verschiedene Anteile von Arsen und Brom oder Jod enthalten. Ferner sind die Empfindlichkeiten einer aus 100,jC Selen bestehenden Platte sowie einer Selen-Arsen-Platte, die sich unter ähnlichen Bedingungen ergeben, gleichfalls als Bezugsgrößen aufgeführt. Die Empfindlichkeit wurde dadurch gemessen, daß die verschiedenen xerographischen Platten durch eine Korona-Entladungseinrichtung elektrostatisch aufgeladen und dann mit einer Belichtungszeit von 1/25 Sekunde belichtet wurde. Mit einem Elektrometer wurde der relative Ladu^ngsausgleieh gemessen und mit einer Selen-Kontrollplatte verglichen. Aus Fig. 3 geht hervor, daß die Lichtempfindlichkeit von mit Arsen und Jod reparierten
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xerographlsehen Platten diejenige einer aus normalem Selen bestehenden KontrollpiatteÜbertrifft, Die Empfindlichkeit von Platten» die unter ähnlichen Bedingungen mit jeweils 5. I?*?* und 25 % Arsen und ohne Jod hergestellt -wurden* sind zum Vergleich aufgeführt. Es ist ersichtlich« daß die Platten* die das Jod enthalten* einen sehr !»merkenswerten-Anstieg der Empfindlichkeit gegenüber Plattfn ohne Jod zeigen. Diese erhöhte Empfindlichkeit kann erst einige Tage nach der Herstellung der Platte auftreten. Die Brom präparierten Platten zeigen eine Empfindlichkeit, die mit derjenigen der Jodplatten vergleichbar ist.
In Fig. 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel einer xerographischen Platte dargestellt;. Es stellte sich als vorteilhaft heraus, die Selen-Arsen-Jod-Mischung zur Bildung der xerographlschen Platte als dünne Oberflächenschicht auf eine Schicht aus praktisch reinem Selen aufzubringen. Die xero-, graphische Platte kann in dieser Weise hergestellt werden, indem eine zweite Verdampfungsquelle in der Vakuumglocke ν erwendet wird, beispielsweise ein Molybdängefäß. Die erste Veriampfungsquelle «wird mit reinem Selen ader einer Mischung aus Selen und Elsenpulver gefüllt« während die Selen-Arsen-Jod-Mischung in das Molybdängefäß eingegeben wird, das dann die zweite ■Verdampfungsquelle bildet* Das Selen wird zunächst auf eine Unterlage 11 aufgedampt, wie es bereits beschrieben wurde. Sobald die Verdampfung des Selens
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beendet ist, wird ahne Beseitigung des Vakuums die Selen-Arsen-Jod-Mischung auf das Selen aufgedampft. Ba das Arsen und das Jod auf eine dünne Oberflächensicht beschränkt sind, können geringere Anteile dieser Stoffe verwendet werden. Zusätzlich wird das überzugsverfahren vereinfacht, da die Stoffzusammensetzung In einer sehr kurzen Zelt verdampft rt-rd und eine nicht gleichmäßige Verteilung des Arsens und des Jods In der Platte weniger zu beachten ist.
Die Schicht Ik kann jede geeignete Stärke haben. Schichtstärken zwischen 0,1 und 0,5 Mikron zeigten befriedigende Ergebnisse» Die Stärke dieser Schicht hat keinen oberen Grenzwert, da sich bei sehr großer Schichtstärke eine Anordnung ergibt, wie sie in Pig· 1 dargestellt ist.
Es ist ersichtlich, daß die In einzelnen Schichten ausgeführte Plattenanordnung den selben Anstieg der Empfindlichkeit »igt, wie diejenige Platte» in der das Arsen und das Jod In dem gesamten Selen verteilt sind. Bei Verwendung der In FIg. 2 dargestellten Platte ergibt sieh ein biisätzlicher Vorteil. Alle xerogräphlselien Platten zeigen nach der Einwirkung von hellem Licht einen größeren Ladungsausfelelch hei Dunkelheit. Sehr empfindliche Platten zeigen diese unerwünschte Eigenschaft in erhöhtem MaSe. Bs stellte sich heraus/daß die in Sehlchten entsprechend Fig. 2 ausgeführten Platten diese» Bffeiet, der als llterung bezeichnet
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wird«in.geringerem Maße zeigen, als die gemäß Fig. 1 ausgeführten Platten. Eine Selenplatte, in der 10$ Arsen und 0,01 % Jod vorhanden waren, verlor in 30 Sekunden über "90.-5? ihrer Ladung· Wurde dieselbe Arsen-Selen-Jod-Mischung auf eine Oberflächensicht' von 0,5 Mirkon Stärke beschränkt, so war diese Platte in der Lage, mehr als 50 % ihrer Ladung nach Einwirkung von hellem Licht zuhalten. Es sei darauf hingewiesen, daß diese beiden Platten nahezu dieselbe Empfindlichkeit hatten.
Es zeigte sich, daß die Spektralempfindlichkeit der gemäß der Erfindung hergestellten xerographischen Platten einen Bereich einnimmt, dessen Breite dem Jeweils vorhandenen Arsengehalt proportional ist, wie dies in der bereits erwähnten US-Patentschrift 2 8O3 5*+2 auch ausgeführt ist .Durch den Zusatz eines Halogens wird die Empfindlichkeit erhöht, ohne die Spektralempfindlichkeit zu beeinflußen.
In Fig. h ist der Anstieg der Empfindlichkeit einer gegebenen Selenplatte bei ansteigenden Anteilen Arsen mit und ohne Halogenzusatz dargestellt. Die Kurve k zeigt die Lichtempfindlichkeit einer Selenplatte bei ansteigenden Anteilen Arsen, wobei kein Halogenzusatz vorhanden 1st· Die Lichtempfindlichkeit bei 1 Jf und 0 % Arsen ist die Itapfindlicrhkeit einer Platte, die aus 100 % Selen besteht- Wie aus der Kurve A hervorgeht, zeigt eine Platte aus Selen und Arsen keine beesere Empfindlichkeit als eine Platte aus 100 f> Selen, so lange
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der Arsenanteil nicht ungefähr 13 % übersteigt. Andererseits zeigt die Kairtoe B, das der Zusatz von 0.1 % Jod die Lichtempfindlichkeit einer Selen-Arsen-Platte beijedem Prozent- * satz Arsen übersteigt, wobei ein maximaler Wert dlir sechsfachen Empfindlichkeit einer Platte aus 100 % Selen bei einem Zusatz Von ungefähr l8 % Arsen erreicht wird·
Als Halogenzusatz wird vorzugsweise Jod verwendet, da dieses in geeigneter Weise als Feststoff in gewogenen Anteilen zum Arsen und Selen in einem Hartglasfläschehen kurz vor Erzeugung des Vakuums hinzugefügt werden kann. Wie bereits beschrieben, wird das Fläschchen dann in einem Schaukelofen erhitzt» um die geeignete Mischung und Homogenisierung zu erreichen.
Da die anderen Elemente der Halogenfamilie bei Zimmertemperatur entweder flüssig,oder gasförmig sind* müssen zusatzteile Vorkehrungen getroffen werden, um für diese Elemente die geeignete Kombination mit dem Selen «und dem Arsen zu erreichen.
Brom wird zum Selen und Arsen in Tropfenform durch eine Tropfröhre zugegeben, die in einem Glasrohr durch eine Mischung aus Trockeneis und Azeton vorgekühlt 1st. Dieser Vorgang ist wichtig» um den völligen Verlust des Broms während der Evakuierung zu vermelden, da der Schmelzpunkt von Brom
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bei -70C liegt.
Chlor kann durch ein etwas anderes Verfahren beigegeben wer-, den. Dabei wird das Chlorgas in ein Evakuierungsrohr geleitet, das Arsen und Selen in Mengen von einigen Gramm enthält. Die verbleibenden llormalmengen Arsen und Selen werden in das Rohr eingegeben und in Trockeneis-Azeton-Mischungen vor der Erzeugung des Vakuums gekühlt* Das Brom und das Chlor werden jetzt ausreichend mit dem Arsen und Selen vermischt, worauf das Mischungs« und HoaDgenisierungsverfahren ausgeführt wird,» wie es bei der Verwendung von Jod als Zusatzstoff bereits beschrieben wurde· Ia zeigte sich, daß Brom bei Verwendung in den erfindung«gemäßen Platten eine ähnliche Wirkung hervorruft, wie Jod·
Die folgenden B«i*pi.Ble dienen der weiteren Erläuterung der vorliegenäeß Brfinduna und beziehen sich auf die Her- . stellung von SfXeftwi*etn-Platten» in denen ein Halogenzuaatz vorhanden ist» BisrAnteile und Prozentsätze beziehen sich auf das 0e^ii^i» falls nicht anders angegeben· Die folg®ftäe!SBi$#|>iel© «teilen einige vorzugsweise Aus*· ita effindungsgemäßen Verfahrens dar.
Eine Misohung iron oa. 17*5 $ Arsen, ca. 82,5 $ Selen, und zusätzlioh 0,1 Jod aird in ein Hartglasfläschchen
; ORfGiNALlNSPECTED
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eingegeben, und bei ca. 5250C drei Stunden lang in einem Schaukelofen zur Reaktion gebracht. Dann wird die Mischung auf Zimmertemperatur abgekühlt, aus dem Fläschchen entnommen und in einen ^uarztiegel gegeben, der sich unter einer Vakuumglocke befindet, iüine Aluminiumplatte wird ca. 30 cm über den Schmelztiegel gehängt und auf einer Temperatur von ca. 700C gehalten. Die Vakuumglocke wird dann auf einen Druck ■von ca. 5 x 10 Torr evakuiert und der Quarztiegel wird auf eine Temperatur von ca. 380°C erhitzt, um die Selenmischung auf die Aluminiumplatte aufzudampfen. Der Schmelztiegel wird 30 Minuten auf Verdampfungstemperatur gehalten. Danach wird er abgekühlt und die Platte aus der Vakuumglocke entnommen.
Beispiel II
Eine Mischung von ca. 17t5 % Arsen und ca. 82e5 % Selen wird in ein Hartglasfläschehen eingegeben. Dieser Mischung wird zusätzliches Brom in einer Konzentration von ca. 0,05 % beigegeben und zwar in Form von Tropfen durch ein Tr op fr ohr, das in dem Hartilasfläschchen durch eine Trockeneis-Szeton-Mischung vorgekühlt wurde. Das Hartglasfläschehen wird dann mit der reaultierenden Mischung evakuiert und verschlossen. Darin wird es in der gleichen Weise behandelt wie die in Beispiel I beschriebene mit Jod als Zusatzstoff versetzte Mischung,
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Beispiel III
Eiirie Mischung aus ca* 15 % Arsen und ca. 85 % Selen wird mit Chlor gemischt, indem zunächst 1 Gramm Arsen und 1 Gramm Selen in ein evakuiertes Rohr eingegeben werden. Dann wird in dieses Rohr Chlorgas eingeführt, wobei eine Chlorkonzentration von ca. 0*2 % erzeugtwird. Das Chlor reagiert mit dem Arsenund dem Selen»was sich an der Wärmeentwicklung zeigt. Die verbliebenen Mengen Arsen und Selen werden dann in das Rohr eingegeben und in einer Trockeneis-Azeton-Mischung gekühlt, bevor die Zusammensetzung in dem Hartiglasfläschchen evakuiert wird. Dieses wird dann in der gleichen Weise behandelt wie die in Beispiel Ii beschriebene» mit Jod versetzte Mischung.
Die gemäß-der Erfindung hergestellten. Platten werden in einem xerographischen Verfahren verwendet» das zumindest aus den drei grundsätzlichen Schritten der Aufladung, Belichtung und Entwicklung besteht. Eine Platte, die vorzugsweise bei Dunkelheit' gelagert wurde, wird durch eine Korona-Entladüngseinrichtung elektrostatisch aufgeladen. Dazu wird eine positive Spannung in der Größenordnung von einigen hundert Volt ver-
■ ■:■■- "■...' Hell wendet. Dann wird die Platte mit einem/L-Dunkel-Bild belichtet, wie es in einer Kamera erzeugt wird. Dadurch wird dte-Qberflächenladung der Platte selektiv ausgeglichen und die verbleibende Ladung erzeugt ein Ladungsbild, das dem für die Belichtung verwendeten Bild entspricht. Bei Ver-
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vendtuig der erfindungegemäß hergestellten Platten sind wesentlich geringere Beltohtungeseiten möglich und durch den Empfindlichkeitsanstieg und das breitere Empfindlichkeit«- spektrum wird ein größerer Farbenbereich reproduziert. Schließlich wird das elektrostatische Ladungsbild durch selektive elektrostatisch hervorgerufene Ablagerung von Zeichenteilchen sichtbar gemacht. Einrichtungen und Stoffe aur Durchführung dieser grundsätzlichen xerographisehen Verfahrensschritte sind bekannt und bedürfen nicht der weiteren Erläuterung.
Obwohl in der vorstehenden Beschreibung der Aueführungsbeispiele der xerographischen Selenplatte spezielle Komponenten und Anteile aufgeführt wurden* können auch andere geeignete Stoffe» wie sie oben genannt sind, mit ähnlichen Ergebnissen verwendet werden· Ferner können der Stoffmischung weitere Stoffe beigegeben werden» um ihre Eigenschaften zu verbessern» anzupassen oder anderweitig zu verändern. Beispielsweise kann das Halogen vorteilhaft als eine Arsen- oder Selenverbindung hinzugefügt werden. Als Quelle für das Chlor kann z.B. Natriumhypochlorid verwendet werdtn» Biese Möglichkeit gestattet die Beigabe aller Halogene zur ßelen-Arsen-Mischung als Feststoffe, ungeachtet der Tatsache» daß einige Halogene bei Zimmertemperatur in ihrer Elementenform als Gas oder Flüssigkeit vorliegen. ",
- Patentanspruch·-'-*
■■.-■■.■ ■;;■■■■' ; .,'. . ■ - 17■- . ■ :
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Claims (1)

  1. P at β η t a ns ρ Γ ü ehe:
    Verfahren zur Herstellung einerxerographischen Platte, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mischung aus Selen, Arsen und einem Halogen auf eine elektrisch leitfähige Unterlage (11) aufgedampft wird.
    2. Verfahren nach Anspruch 1» dadurch gekeimzeichnet, daß als Halogen Jod verwendet wird.
    3.· Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß glasförmiges Selen zur Bildung einer Schicht (13) auf eine elektrisch leitfähige Unterlage (11) aufgedampft; wird, und daß auf diese Schicht (1*0 am Ende des Auf dampf-Vorganges eine zweite Sohicht (ik) aufgedampft wird, die aus einer Mischung von Selen» Arsen und eines Halogens besteht.
    kt XerogrsphiöQh.© Platte» hergestellt nach einem der Ansprüche X t»is;3i gekenrizeichnet durch eine auf einer Unterlage (11) angtö|*dnöte photoleitfählge IsblierstOff schicht
    (12), die au« «Ιϊΐ,βρ 2u8*mmens<ötzung von Selen, Arsen und eines Halogene besteht«
    5* Zerographtsche Platt© nach Anspruch k\ dadurch gekennzeichnet, daß als Halogen Jod verwendet ist.
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    - 18 -ORIGINAL INSPECTED
    6. Xerographische Platte nach Anspruch k% dadurch gekennzeichnet, daß als Halogen Brom verwendet ist.
    7· Xerogrghische Platte nach Anspruch k% dadurch gekennzeichnet, daß als Halogen Chlor verwendet ist.
    8. Xerographische Platte nach einem der Ansprüche k - 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Halogen in einer Konzentration von 0,001 % bis 1 % vorhanden ist.
    9. Xerogrq? hische Platte nach einem der Ansprüche k - 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Arsen und das Halogen in der photoleitfähigen Isolierstoffschicht (12) gleidmäßig verteilt sind.
    10. Xerographische Platte nach einem der Ansprüche k - 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Arsen und das Halogen auf eine dünne Oberflächenschicht (I1O begrenzt sind, die sich auf der photoleitfähigen Isolierstoffschieht (13) befindet.
    H. XerographlsdE Platte nach einem der Ansprüche k - 10, gekennzeichnet durch eine elektrisch leitfähige Unterlage (11) und eine auf dieser angeordnete photöleitfahigke Isolierstoff schicht (12), die aus Selen, Arsen und einem Halogen besteht und deren Stärke zwischen 1 und 300 Mikron liegt, vebei das Arsen einen Anteil von 0,5 % bis 50 % dieser
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    ;■ ■ " - 19 - ■.'.■: -
    /-Schicht (12) bildet und dae Halogen in einem zusätzlichen Anteil von 0,001 % bis 1 % vorhanden ist.
    12« Xerographlsche Platte nach einem der vorhergehenden Ansprüche* dadurch gekennzeichnet, daß die photoleltfähige Isolleretoffschicht (12) aus 82 % Selen, 18 % Arsen und zusätzlich 0,1$ Jod besteht·
    13« Xerographlsehe Platte nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke der Isolierstoff schicht (12) zwischen 20 und 80 Mikron liegt.
    lh» Xerographlsche Platte nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine elektrisch leitfähige Unterlage (11), durch eine auf diese aufgebrachte Schicht (13) aus reinem glasförmigem Selen, und durch eine auf diese Schient (13) aufgebrachte photoleitfähige Schicht (l§*f) die aus einer Mischung von glasförmigem Selen, Qt5 % bis % % Arsen, und zusätzlich 0,001 % bis 1 % eines Halogens besteht»
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DE1522711A 1963-07-08 1966-12-14 Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial Expired DE1522711C3 (de)

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