DE1597840A1 - Verfahren zur Verbesserung der Photoleitfaehigkeit duenner,im Vakuum auf einem Traeger abgelagerter Cadmiumsulfidschichten - Google Patents

Description

Eastman Kodak Company, 3^3 State Street, Rochester, Staat New York, Vereinigte Staaten von Amerika

Verfahren zur Verbesserung der Photoleitfähigkeit dünner, im Vakuum auf einem Träger abgelagerter Cadmiumsulfidschichten

Es ist bekannt, im Vakuum auf Trägern lichtempfindliche Verbindungen abzulagern· So 1st es beispielsweise bekannt, das als Photoleiter bekannte Cadmiumsulfid im Vakuum oder bei vermindertem Druck auf Träger unter Erzeugung lichtempfindlicher, photoleitfähiger Element· abzuscheiden. Das Verhältnis von HeIl-ZU Dunkelleitfähigkeit aufgedampfter CadmiumsulfidfUmschichten, 1» folgenden als "H/D" bezeichnet, welches ein allgemein übliches Maß für die Verwendbarkeit eines photoleitfähigen Materials darstellt, 1st jedoch extrem niedrig, so daß sich Cadmiumsulfidschichten nicht ohne weiteres überall dort verwenden lassen, wo Photoleiter erfolgreich eingesetzt werden können.

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Beim Vakuumaufdampfen von Cadmiumsulfid, bei üblichen Substrattemperaturen, die keine geeignete Wachstumsgeschwindigkeit .der abgelagerten Schicht und der darin enthaltenden Kristalle zulassen, entsteht eine cadmiumreiche, nicht stöchiometrische Schicht, in welcher die Dunkelleitfähigkeit infolge eines Überschusses an nicht gebundenen Elektronen erhöht wird. Weiterhin bilden die vielen, beim Aufdampfen des Cadmiumsulfids entstandenen, kleinen Kristalle interkristalline Sperrschichten, welche die Elektronenbeweglichkeit und damit die mögliche Hell·? leitfähigkeit erniedrigen. Diese beiden Faktoren sind somit für einen kleinen Quotienten H/D und folglich für die beschränkte Brauchbarkeit solcher Cadmiumsulfidschichten als Photoleiter verantwortlich. ,

Es ist weiterhin bekannt, daß durch geeignete Nachbehandlung von aufgedampften Schichten, d. h« durch Tempern der Schichten bei erhöhten Temperaturen,ζ. B. bei 60O⁰C oder noch höher sowie in Gegenwart eines mit Kupfer oder Silber dotierten Cadmiumsulfidpulvers, eine beträchtliche Diffusion des Silbers oder einwertigen Kupfers in die im Vakttuum abgelagerten Cadmiumsulfid* .schichten stattfindet* Diese Diffusion findet so lange statt, bis Cadmiuroeulfidschioht und Cadmiumaulfidpulver miteinander im Gleichgewicht stehen* · ·

Das Silber oder Kupfer wirkt gegenüber dem Cadmium als Elektronenakzeptor, da zur Ausbildung einer Bindung mit dem Schwefel

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ein zusätzliches Elektron erforderlich ist. Da hierdurch die Anzahl der freien oder nicht gebundenen Elektronen vermindert wird, nimmt auch die Dunkelleitfähigkeit ab, wobei das Verhältnis H/D, d. h. der Leitfähigkeitsquotient, erhöht wird. Darüberhinaus kann die Im Vakuum abgelagerte Sulfidschic'ht bei geeignet hohen Temperaturen umkristalllisiert werden, wobei das Kristallwachstum von Einzelkristallen erfahrungsgemäß auf Kosten der umliegenden Kristalle erfolgt. Bei einem derartigen Kristallwachstum erniedrigt sich die Gesamtzahl der Kristalle in der Schicht, wodurch wiederum die Anzahl der interkristallinen Sperrschichten vermindert und durch Erhöhen der maximalen Helleitfähigkeit der Quotient H/D zunimmt. .

Nachteilig an dem bekannten Diffusionsverfahren 1st jedoch, daß man einen Dotierionen aufweisenden Stoff, d. h« ein "Dopant", beispielsweise ein mit Silber dotiertes Cadmiumsulfidpulver, benötigt, das besonders hergestellt werden muß« Weiterhin diffundieren Silber oder Kupfer nur sehr langsam in dJ-ü? aufgedampfte Cadmiumsulfidschleht, da das Verhältnis von Silber oder Kupfer zu Cadmiumsulfldpulver extrem niedrig ist. Zur Steigerung der Diffusionsgeschwindigkeit kann man zwar die Behandlungstemperaturen erhöhen, doch verringert sich hierbei die Zahl der zur Herstellung photoleitfähiger Elmemente geeigneten Trägermaterialien (z. B. Quarz), da nur wenige Trägermaterialien in der Lage sind, derart hohe Behandlungstemperaturen, ohne zu schmelzen, aus« zuhaiten. 00 98 38/1680

Bei höheren Behandlungstemperaturen entstehen ferner in gesteigertem Maße kleine Hohlräume, d. h. Stellen, an denen die im Vakuum abgeladerte Cadmiumsulfidschicht "durchgebrannt" ist, wodurch leitfähige Bahnen gebildet werden und beim Aufladen der Cadmiumsulfidschicht ein Kurzschluß auftritt. Außerdem verdampft eine Cadmiumsulfidschicht einer Dicke von 5 Mikron oder weniger vollständig vom Träger, wenn die Diffusion 2 1/2 Stunden lang im Vakuum bei einer Temperatur von etwa 55O⁰C durchgeführt wird. Verlängert man demgegenüber die Behandlungszeit, ohne die Temperatur zu erhöhen, so nimmt zwar die Menge des in die abgelagerte Cadmiumsulfidschicht diffundierten Kupfers oder Silbers zu, es treten jedoch auch bei dieser Behandlung in stärkerem Ausmaß kleine Hohlräume auf.

Andererseits kann auch eine dünne Schicht von metallischem Kupfer oder Silber im Vakuum auf die Oberfläche der beschriebenen Cadmiumsulfidschichten aufgedampft werden, worauf man die benachbart angeordneten, im Vakuum abgelagerten Schichten des Cadmiumsulfids und des Elektronenakzeptors in einem Inertgas, wie beispielsweise Argon, einbrennt (annealed). Ein solches Diffusionsverfahren ermöglicht niedrigere Behandlungstemperaturen und eine kürzere Behandlungszeit. Wird jedoch das metallische Kupfer oder Silber direkt eingebrannt (anneal«) so muß zur Erzielung einer Ladungsneutralität gleichzeitig ein Coaktivator mit eingebrannt werden. Ein solcher Coaktivator muß in diesem Falle ein Gitterdefekt sein, der die 00 98 38/1680

Photoleitfähigkeit nachteilig beeinflußt. Weiterhin diffundiert der Elektronenakzeptor bei diesem Verfahren nicht mit gleichmäßiger Geschwindigkeit in die Oadmiumsulfidschicht, wodurch leitfähige Bezirke entstehen, wo höhere Sulfidkonzentrationen des Elektronenakzeptors vorhanden sind. Auf diese Art und Weise nimmt die Dunkelleitfähigkeit zu, wobei der Quotient H/D zwangsläufig kleiner wird. Eine Verkürzung der Behandlungszeit und eine Erniedrigung der Behandlungstemperatur verhindern zwar die Bildung überschüssigen Sulfids, der Quotient H/D der im Vakuum abgelagerten Cadmiumsulfidschicht wird jedoch dabei nicht ausreichend genug erhöht,Verwiesen wird in diesem Zusammenhang auf die Arbeit von H.H. Woodbury, "Diffusion and Solubility of Silver in Cadmium Sulfide", Journal of Applied Physics, Bd, 36, 1965, Seite 2287.

Der Erfindung lag somit die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Verbesserung der Photoleitfähigkeit dünner, im Vakuum oder bei Unterdruck auf.einen Träger aufgedampfter Cadmiumsulfidsdiichten zu entwickeln, bei dessen Durchführung bei niedrigen Behandlungstemperaturen ein Elektronenakzeptor rasch in die Camiumsulfidschicht eingeführt werden kann, ohne daß hierzu die Verwendung eines dotierten Trägers erforderlich ist. Gleichzeitig sollte die Stöchiometrie der im Vakuum abgelagerten Cadmiumsulfidschichten erhöht und die Bildung von ' Hohlräumen vermindert werden. Ferner sollte die bei der Durchführung dei Verfahrens stattfindende Umsetzung leicht umkehrbar lein,

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Der Erfindung lag die Erkenntnis"zugrunde, daß sich die gestellte Aufgabe dadurch lösen läßt, daß man auf im Vakuum auf Träger niedergeschlagene, dünne Cadmiumsulfidschichten Cuprohalogenid oder Silberhalogeniddämpfe einwirken läßt. Im Falle einer überdosierung des dampfförmigen Kupfer (IP- und/oder Silberhalogenids auf die Cadmiumsulfidschichten läßt man bei erhöhter Temperatur und vermindertem Druck dampfförmiges Cadmium einwirken.

Gegenstand der Erfindung ist somit ein Verfahren zur Verbesserung der Photoleitfähigkeit dünner, im Vakuum auf einem Träger ablagerter Cadmiumsulfidschichten, welches dadurch gekennzeichnet ist, dafijman die Cadmiumsulfidschichten bei erhöhter Temperatur und vermindertem Druck der Einwirkung von dampfförmigem Kupfer(I)- oder Silberhalogenid aussetzt und daß man gegebenenfalls bei überdosierung des dampfförmigen Kupfer (I)- und/oder Silberhalogenids auf die Cadmiumsulfidschlchten bei erhöhter Temperatur und vermindertem Druck dampfförmiges Cadmium auf die Schichten einwirken läßt.

Bei einer optimalen Einwirkungsdauer des gasförmigen Kupfer-(I)- und/oder Silberhalogenids .auf die Cadmiumsulfidschicht erhält man einen maximalen H/D Quotienten. Sdet man die Einwirkung über die optimale Einwirkungsdauer hinaus fort,

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so nimmt der Quotient H/D gegenüber dem vorher erhaltenen Maximum wieder ab. Diese Abnahme des Quotienten H/D läßt sich jedoch reversibel steuern, d. h. durch anschließendes Inkontaktbringen der Cadmiumsulfidschlcht mit dampfförmigem metallischen Cadmium unter entsprechenden erhöhten Temperatur- und vermindert !fen Druckbedingungen, wie sie für die Primärreaktion der Cadmiumsulfidschicht mit dampfförmigem Kupfer(I)- und/oder Silberhalogenid eingehalten wurden, läßt sich der dureh die "überreaktion" der Cadmiumsulfidschicht mit dem dampfförmigen Kupfer(I)- und/oder Silberhalogenid erniedrigte Quotient H/EJwieder erhöhen.

Zur Durchführung des Verfahrens der Erfindung geeignete Halogenide sind beispielsweise Kupfer(I)-Chlorid, Silberchlorid, Kupfer (I)-bromid, Silberjodid, Silberfluori'd und dergleichen. Vorzugsweise verwendet man zur Durchführung des Verfahrens der Erfindung Silberchlorid.

Dünne, im Vakuum auf einem Träger aufgetragene Sülfldsehichten, welche si<jh zur Verbesserung ihres H/D-Quotienten und damit ihrer Eignung als photoleitfähige Materialien nach dem Verfahren der Erfindung mit dampfförmigem Kupfer(I)- und/ oder Silberhalogenid umsetzen lassen, können nach den bekannten Verfahren erzeugt werden, nach denen bindemittelfreie lichtempfindliche Stoffej wie beispielsweise Silberhalogenide

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oder Cadmiumsulfid, auf einem Träger durch Vakuumbedampfung niedergeschlagen werden. Hierzu geeignete Vorrichtungen werden beispielsweise in der USA-Patentschrift 1 970 496 sowie in der USA-Patentanmeldung mit der Serial No. 428 204 beschrieben.

Zweckmäßig besitzen solche aufgedampften Schichten Dicken von etwa 1 bis etwa 5, vorzugsweise 1,5 bis 3 Mikron. Bei Schichtdicken von beträchtlich weniger als 1 Mikron können bei Durchführung des Verfahrens der Erfindung gelegentlich kleine Hohlräume xsftx entstehen.

Bei Schichtdicken, welche beträchtlich über 5 Mikron liegen, findet eine Lichtabsorption in der Cadmiumsulfidschicht lediglich in den obersten 5 Mikron der Schicht statt, wobei der Widerstand des unbelichteten Schichtteils die Zunahme der He!leitfähigkeit auf einen günstigen Wert verhindert.

Als Trägermaterialien für die Cadmiumsulfidschicht können die verschiedensten, bei elektrophotographischen Verfahren allgemein üblichen Träger verwendet werden. In vorteilhafter Weise verwendet man nichtleitende Träger, wie beispielsweise Quarz, hartes oder weiches Glas, keramische Materialien und mit keramischen Materialien beschichtete Metalle. Geeignete leitende Trägermaterialien sind beispielsweise Aluminium,

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Titan und Palladium. Mit einer dünnen Oxydschicht, Gold oder anderen leitenden Materialien beschichtete Glasträger können ebenfalls als leitende Träger verwendet werden. Zu beachten 1st lediglich, daß die verwendeten Träger die beim Verfahren der Erfindung angewandten Reaktionstemperaturen aushalten.

Das Verfahren der Erfindung wird im einzelnen zweckmäßig in ^ der Weise ausgeführt, daß man einen im Vakuum mit einer dünnen Cadmiumsulfidschicht bedampften geeigneten Träger zusammen mit einem Silber- und/oder Kupfer(I)halogenid in ein verschließbares Gefäß einbringt und dieses samt Inhalt in einen Ofen oder eine andere geeignete Heizvorrichtung legt. Nach dem Verschließen des Gefäßes wird dieses auf eine Temperatur von 350 bis 500⁰C erhi^tzt und soweit evakuiert, daß der darin herrschende Druck nicht größer ist als der Dampfdruck des verwendeten Halogenide bei der Jeweiligen Reaktionstemperatur. Die Reaktionszeit des Cadmiumsulfids und des Halogenids kann sehr verschieden sein. Sie hängt in starkem Maße von der gewählten Reaktionstemperatur ab.

Der beim Verfahren der Erfindung ablaufende Reaktionsmechanismus ist noch nicht ganz geklärti Möglicherweise verdrängen die Silber- und/oder Kupferionen dea verwendeten Halogenide beim Erhitzen .rite CadrniumXonßn des Cadmiumsulfids,

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wobei in der im Vakuum abgelagerten Cadmiumsulfidschicht Silbersulfid und/oder Kupfer(I)sulfid entsteht, d. h. daß das Silber und/oder Kupfer in der Photoleiterschicht an die Stelle des Cadmiums treten. Das gleichzeitig gebildete Cadmiumhalogenid entweicht offensichtlich dampfförmig und beeinflußt die Cadmiumsulfidschicht nicht nachteilig. Zusätzlich wird durch das Entwdchen des Cadmiumhalogenids das nachteilige Eindringen eines Halogens, d. h. eines Elektronendonators, in die Cadmiumsulfidschicht verhindert. Silber und Kupfer, die im Vergleich zu Cadmium Elektronenakzeptoren darstellen, ziehen bei der Ausbildung von Bindungen zusätzlich Elektronen an. Somit nimmt die Gesamtzahl der freien Elektronen und folglich auch die Dunkelleitfähigkeit ab. Dadurch wiederum erhöht sich der Quotient H/D der Cadmiumsulfidschicht,

Bei den erhöhten Temperaturen kann es auch zu einer Umkristallisation der aufgedampften Cadmiumsulfidschicht kommen, wobei infolge selektiven Kristallwachstums auf Kosten umliegender Kristalle die Anzahl interkristalliner Sperrschichten vermindert und durch Steigerung der Helleitfähigkeit der Quotient H/D erhöht werden. Diese beiden Reaktionen bewirken im Endeffekt eine Zunahme des LeitfähigkeltBquotienten der Cadmiumsulfidschicht,

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Gelangt jedoch zu viel metallisches Silber und/oder Kupfer in die Cadmiumsulfidschicht, so entstehen zu große Mengen an Silber- und "Kupfersulfid, In diesem Fall dominiert deren hohe Eigenleitfähigkeit über die vorteilhafte Verringerung der freien Elektronen, wodurch die Dunkelleitfähigkeit erhöht und somit der Quotient H/D erniedrigt wird,

Das Erhitzen wird hierauf lange genug fortgesetzt,um das Verhältnis H/D der aufgedampften Cadmiumsulfidschicht auf einen Maximalwert zu erhöhen. Es darf hierbei jedoch nicht so lange erhitzt werden, daß der Leitfähigkeitsquotient.infolge übermäßiger Kupfer(I)- und/oder Silbersulfidbildung gegenüber dem vorher erhaltenen Maximalwert abfälft. Während des Erhitzens nimmt die gelbe Cadmiumsulfidschicht eine dunkle Färbung an, da das gebildete Silber- und/oder Kupfersulfid eine dunklere Farbe besitzen. Die vorherrschende Farbe bleibt jedoch die des Cadmiumsulfids, Nach Beendigung des Erhitzens wird das Gefäß samt Inhalt abgekühlt,

Setzt man die Umsetzung des Kupfer(I)- und/oder Silberhalogenids mit der Cadmiumsulfidschicht bis zu einem Punkt fort, bei welchem ein etwas niedrigerer als der vorher erhaltene maximale Leitfähigkeitsquotient erreicht ist, (die Abnahme des Quotienten gegenüber dem Maximalwert ist vornehmlich auf die Anwesenheit überschüssigen Silber- und/oder

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Kupfer(I)sulfide in der im Vakuum abgelagerten Cadmiumsulfidschicht zurückzuführen), so läßt sich die hierdurch bedingte Erniedrigung des Leitfähigkeitsquotienten leicht korrigieren, dh. das Verhältnis H/D wieder erhöhen, wenn man die Überschüssiges Silber- und/oder Kupfer(I)sulfid enthaltende Cadmiumsulfidschicht mit dampfförmigem metallischen Cadmium in Kontakt' bringt. Hierbei verfährt man zweckmäßig in der Weise, daß man die "überreagierte", im Vakuum abgelagerte Cadmiumsulfidschicht gemeinsam mit metallischem Cadmium in einem dicht verschlossenen Gefäß der beschriebenen Art auf eine Temperatur zwischen 200 und'500⁰C erhitzt. Das Gefäß wird dabei so weit evakuiert, daß der in seinem Inneren herrschende Druck nicht größer ist als der Dampfdruck des metallischen Cadmiums bei der gewählten Temperatur. Nachdem lange genug erhitzt worden ist, um den Quotienten H/D der Cadmiumsulfidschicht zu erhöhen, wird die Umsetzung durch Erniedrigen der Temperatur unterbrochen. Metallisches Cadmium verdampft unter den angegebenen Temperatur- und Druckbedingungen rasch. St die Verdampfung bereits vor Erniedrigen der Reaktionstemperatur beendet, so wird die im Vakuum abgelagerte Cadmiumsulfidschicht, deren H/D-Quotient infolge einer überdosierung von Silber- und/oder Kupfer(I)-'halogenid unter den Maximalwert abgesunken war, für den Rest der Erhitzungsdauer vermindertem Druck und erhöhter Temperatur ausgesetzt.

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Beim Erhitzen in Gegenwart von Cadmiumdämpfen wird offensichtlich ein Teil des Silbersulfides oder KupferCI)sulfides in metallisches Silber und Cadmiumsulfid bzw. Kupfer und Cadmiumsulfid überführt. Das metallische Silber oder das metallische Kupfer neigt dann dazu, aus der Cadmiumsulfidschicht zu verdampfen. In der Cadmiumsulfidschicht zurückbleibendes metallisches Silber oder Kupfer bleibt in Form einzelner diskreter Flecken (spots) zurück, welche keinen Kurzschluß in der Cadmiumsulfidschicht hervorrufen, wenn auf diese eine Ladung aufgebracht wird. Diese einzelnen Flecken aus metallischem Silber oder Kupfer beeinflussen andererseits aber auch die Photoleitereigenschaften der Cadmiumsulfidschicht nicht ungünstig.

Die Messungen, aus denen die H/D Leitfähigkeitsquotienten hier berechnet werden, erfolgen zunächst in Widerstandseinheiten nach dem in der Zeitschrift "PHILLIPS RESEARCH REPORTS^ir,jJ, Seiten 1-9 (1958), beschriebenen Van-der-Pauw-Verfahren. DieWiderstandseinheiten wurden hierauf in die reziproken Leitfähigkeitswerte umgerechnet.

Die folgenden Beispiele sollen das Verfahren der Erfindung näher veranschaulichen.

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Beispiel 1 '

Ein Stück weiches Glas, auf welches in einer Vakuumbedampfungsvorrichtung bei einer Temperatur von 175⁰C und einem Druck von 10"' Torr eine 2 Mikron dicke Cadmiumsulfidschicht mit einem H/D Leitfähigkeitsquotienten von 1,5 aufgedampft worden war, wurde in der Weise in ein Glasrohr gelegt, daß die Schichtseite in einer Entfernung von 2 cm festen Silberchlor idkristallen gegenüberlag. Das Glasrohr wurde zugeschmolzen, auf 400⁰C erhitzt und auf einen Druck von 10"^ Torr evakuiert. Der Prüfling und das Silberchlorid wurden 2 Stunden und 50 Minuten bei dieser Temperatur aufbewahrt, wobei die gelbe Cadmiumsulfidschicht dunkler wurde. Nach dem Abkühlen des Prüflings wurde der Leitfähigkeitsquotient gemessen. Das Verhältnis H/D betrug nun 10^. Das Auftreten von Hohl-? räumen konnte nicht beobachtet werden". Entsprechende Ergebnisse wurden erhalten, wenn anstelle von Silberchlorid Kupfer(I)Chlorid verwendet wurde.

Beispiel 2

Nach dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren wurde ein entsprechender Prüfling 2 Stunden und 50 Minuten lang bei einer Temperatur von IQO⁰C und einem Druck von 10 ■ Torr

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mit Silberchlorid umgesetzt. Nach dem Abkühlen besaß der Prüfling einen Leitfähigkeitsquotienten H/D von 10 .

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Nä'öK-dem in Beispiel !■ beschriebenen Verfahren wurde ein entsprechender Prüfling 3 Stunden und-10 Minuten lang bei 400°C und einem Druck von 10~^ Torr mit Silberchlorid umgesetzt» Nach dem Abkühlen betrug der Leitfähigkeitsquo- . tient H/D des Prüflings 10 .

Beispiel 4

Ein Stück weiches Glas, auf welchem durch Vakuumbedampfung

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bei einer Temperatur von 175 C und einem Druck von 10~' Torr eine 2 Mikron dicke Cadmiumsulfidschicht mit einem H/D Leitfähigkeitsquotienten von 1,5 aufgetragen worden war, wurde in der Weise in ein Glasrohr gelegt, daß die Schichtseite in einer Entfernung von, 2 cm festen Silberchloridkristallen gegenüberlag. Das Glasrohr wurde zugeschmolzen, auf 425⁰C erhitzt und auf einen Druck von IQ- Torr evakuiert. Der Prüfling und das Silberchlorid wurden 1 Stünde und 37 Minuten lang bei dieser Temperatur aufbewahrt, wobei die gelbe Cadmiumsulfidschicht dunkler wurde. Nach dem Abkühlen betrug der Quotient H/D des Prüflings 7 x 10²» Der Prüf-

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ling wurde hierauf zusammen mit etwas metallischem Cadmium in ein anderes Glasrohr gebracht, welches nach dem Zuschmelzen auf eine Temperatur von 4OÖ°C erhitzt und auf einen Druck von 10 ^J Torr evakuiert wurde. Es wurde 50 Minuten lang erhitzt und anschließend auf Raumtemperatur abgekühlt. Der abgekühlte Prüfling war wieder gelber geworden. Ein Auftreten von Hohlräumen konnte nicht beobachtet werden. Der H/D Leitfähigkeitsquotient des Prüflingsbetrug nach der Behandlung mit dampfförmigem metallischen Cadmium 1,3-x 10 .

Entsprechende Ergebnisse wurden mit Kupfer(I)chlorid erhalten.

Beispiel 5

Nach dem in Beispiel 4 beschriebenen Verfahren wurde ein entsprechender Prüfling unter entsprechenden Bedingungen mit Silberchlorld umgesetzt· Nach der Umsetzung betrug der Leitfähigkeit squotient H/D des Prüflings 1,4 χ IQ². Wie in Beispiel 4 beschrieben, wurde der Prüfling hierauf mit dampfförmigem metallischen Cadmium umgesetzt, Nach dem Abkühlen des Prüflings betrug sein Leitfähigkeitsquotient H/D 2,6 χ 10^, Ein Auftreten von Hohlräumen konnte nicht festgestellt werden.

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Claims (7)

1. "* j-1 —

   PATENTANSPRÜCHE

   /Ti) Verfahren zur Verbesserung der Photoleitfähigkeit dünner, Im Vakuum auf einem Träger abgelagerter Cadmiumsulfldschichten, dadurch gekennzeichnet, daß man die Cadmiumsulfldschichten bei erhöhter Temperatur und vermindertem Druck der Einwirkung von dampfförmigem Kupfer(I)- oder Silberhalogenid aussetzt und daß man gegebenenfalls bei überdosierung des dampfförmigen Kupfer(I)-und/oder SiI-berhalogenids auf die Cadmiumsulfldsehlchten bei erhöhter Temperatur und vermindertem Druck dampfförmiges Cadmium auf die Schichten einwirken läßt*
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1* dadurch gekennzeichnet, daß man als Silberhalogenid SlIberchlorId verwendet,
3. 3, Verfahren nach Ansprüchen 1 und 2_$ dadurch gekennzeichnet, daß man von Cadmiumsulfldschichten einer Dicke von etwa 1 bis efcwa 5 Mikron ausgeht»
4. 4» Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß maß das Kupfer(I)- oder Silberhalogenid bei Reaktionstemperaturen von 350 bis 5QO⁰C einwirken läßt.

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   — Io -
5. 5» Verfahren nach Ansprüchen 1 bis ¹I, dadurch gekennzeichnet, daß man den Druck bei Einwirkung des Kupfer(I)- oder Silberhalogenides so weit erniedrigt, daß dieser nicht größer ist als der Dampfdruck des verwendeten Halogenids bei Reaktionstemperatur,
6. 6. Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß man bei überdosierung von Kupfer(I)- oder Silberhalogenid Cadmium bei Reaktionstemperaturen von 200 bis 500°C auf die Schichten einwirken läßt*
7. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß man den Druck bei Einwirkung des Cadmiums so weit erniedrigt» daß dieser nicht größer ist als der Dampfdruck des metallischen Cadmium» bei der Reaktionstemperatur*