DE562535C - Lichtempfindliche Zelle - Google Patents
Lichtempfindliche ZelleInfo
- Publication number
- DE562535C DE562535C DER82572D DER0082572D DE562535C DE 562535 C DE562535 C DE 562535C DE R82572 D DER82572 D DE R82572D DE R0082572 D DER0082572 D DE R0082572D DE 562535 C DE562535 C DE 562535C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- selenium
- tellurium
- embodiment according
- mixture
- silicon oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 claims description 3
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052946 acanthite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 claims description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 claims description 2
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KDSXXMBJKHQCAA-UHFFFAOYSA-N disilver;selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Ag+].[Ag+] KDSXXMBJKHQCAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 229940056910 silver sulfide Drugs 0.000 claims description 2
- XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N silver sulfide Chemical compound [S-2].[Ag+].[Ag+] XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QXKXDIKCIPXUPL-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenemercury Chemical compound [Hg]=S QXKXDIKCIPXUPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229960003671 mercuric iodide Drugs 0.000 claims 1
- YFDLHELOZYVNJE-UHFFFAOYSA-L mercury diiodide Chemical compound I[Hg]I YFDLHELOZYVNJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005534 acoustic noise Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
- Fertilizers (AREA)
Description
erloschen
AUSGEGEBEN AM
2.N0VEMBER1932
2.N0VEMBER1932
REICHSPATENTAMT
PATENTSCHRIFT
JVl 562535
KLASSE 21 g GRUPPE 29
KLASSE 21 g GRUPPE 29
Radiovisor Foreign & Colonial Limited in London
Lichtempfindliche Zelle
Lichtempfindliche Zelle
Patentiert im Deutschen Reiche vom 26. August 1931 ab
Die Erfindung betrifft Verbesserungen an lichtempfindlichen Zellen und insbesondere
die Änderung der charakteristischen Eigenschaften der eigentlichen lichtempfindlichen
Schicht, so wie es der Gebrauch der Zellen erfordert sowie Mittel zum Aufbringen einer
solchen lichtempfindlichen Schicht auf ihren Träger in einer Weise, welche praktisch unter
geringen Kosten durchführbar ist, unter Berücksichtigung der Tatsache, daß die Schicht
ziemlich gleichmäßig den isolierenden Träger der Zelle bedecken soll.
Man hat gefunden, daß Zellen aus reinem Selen in ihren charakteristischen Eigenschaften,
wie Empfindlichkeit, Ermüdung und Trägheit, beim Übergang von Hell zu Dunkel voneinander verschieden sind. Es ist bekannt,
daß diese Charakteristiken beeinflußt werden können durch Änderung der Dicke des Selen-Überzuges,
.durch die Glühtemperatur und durch Beimengung fremder Substanzen zur
Selenschicht. Keines der gegenwärtigen diese Richtung verfolgenden Verfahren ergibt
aber eine wirkliche Gleichmäßigkeit der Zelle.
Es ist Zweck der vorliegenden. Erfindung, die für den praktischen Gebrauch wesentlichen
Charakteristiken der Zelle und ihre gleichmäßige Herstellung zu verbessern.
Zur Durchführung der Erfindung wird
vorgeschlagen, daß durchsichtige, farblose, nach dem hexagonalen oder rhombischen
System kristallisierende Substanzen, welche mit dem Selen bei 4000 C nicht reagieren, der
lichtempfindlichen Schicht einverleibt werden, die sich auf einem isolierten Träger befindet.
Substanzen dieser Art, welche sich als geeignet erwiesen haben, sind: Siliciumoxyd,
Aluminiumoxyd, Aluminiumphosphat, Bariumcarbonat, Berylliumoxyd, Calciumcarbonat,
Zinkoxyd und Calciumsilikat. Von diesen Substanzen sind Siliciumoxyd und Aluminiumoxyd am besten geeignet. Diese
Verbindungen werden in geeigneter Weise mit dem Selen vereinigt, mit oder ohne Beimengung von Spuren anderer Substanzen,
wie Silberselenid, Silbersulfid, Quecksilbersulfid, Molybdänsulfid oder bestimmte metallhaltige
Erze, welche Selen, Silber, Cäsium, Blei, Tellur, Wismut, schwarzen Phosphor
und Thallium enthalten. Die trägen Substanzen von hexagonal oder rhombisch' kristallinischer
Form sind vorzugsweise in dem geschmolzenen Selen emulgiert.
Bei Verwendung von Siliciumoxyd wird in folgender Weise vorgegangen:
Vorzugsweise wird Gel von Siliciumoxyd mit einer Korngröße zwischen 0,7 und
ό>°7 Χ ίο—4 cm verwendet, welches durch
Niederschlagen, gründliches Waschen und Trocknen gewonnen wird. Die Verbindung
wird bis 250° C erhitzt und in dem flüssigen Selen bei einer Temperatur emulgiert, welche
4000 C nicht übersteigt und vorzugsweise so niedrig gehalten wird, wie es mit der Bildung
einer gleichmäßigen Emulsion verträglich ist. Die Mischung wird in Gefäßen aus Staybrite-Stahl
hergestellt und in Stangen gegossen. In dieser Form wird die Mischung verwendet,
um den gesandstrahlten Glasträger mit einem Überzug zu versehen, in welchen vorher
das die Elektrode darstellende Goldgitter nach einem bekannten Verfahren mittels eines
Stempels eingeprägt worden ist. Eine sorgfältige Kontrolle der Gleichmäßigkeit des
Sandstrahlens ist erforderlich, bevor das Goldgitter eingeprägt wird; denn von diesem
Sandstrahlen hängen in einem bedeutenden Umfang die Eigenschaften und bis zu einem
gewissen Grad auch die Menge der Selenmischung ab, welche an dem Glas haftenbleibt,
nachdem der Glimmerschaber des bekannten Verfahrens verwendet worden ist. Der in allen diesen Fällen verwendete Überzug
hat eine größte Dicke in der Größenordnung 2,5 X 10-3 cm und eine mittlere Dicke
in der Größenordnung von 0,5 X 10-3 cm. Das Gewicht des Überzuges liegt in der
Größenordnung von 0,002 g/cm2. Für besondere Zwecke kann die Dicke auf das Zweibis
Dreifache gesteigert werden.
Die Haupteigenschaften von Zellen, welche mit Substanzen der beschriebenen Art hergestellt
sind, verglichen mit Zellen aus reinem Selen, sind folgende:
i. Der Widerstand des Überzuges wird unbedeutend vergrößert, und die Widerstände
von solchen Überzügen ändern sich weniger bei ihrer Herstellung.
2. Die Gleichmäßigkeit des lichtempfindliehen
Überzuges wird verbessert.
3. Die nach dem Aufhören der Belichtung auftretende Trägheit wird beträchtlich vermindert.
4. Die Änderung des Zellenwiderstandes im Bereich der Außentemperaturen wird vermindert.
5. Die dynamische Leistung solcher Zellen wird gegenüber einer Zelle von reinem Selen
bei gleicher Bauart und gleichem Stromdurchgang im allgemeinen vergrößert, und
der Prozentsatz solcher Zellen, welche infolge der bei ihnen auftretenden akustischen Geräusche
nicht einwandfrei sind, wird herabgesetzt.
6. Die Widerstandsänderung der Zelle beim Übergang vom stromdurchflossenen zum.
stromlosen Zustand wird vermindert und die Stabilität der Zellen bei Gleichstrom vergrößert.
Die Zusammensetzung der einfacheren verwendeten Mischung ist:
a) 93,6 °/0 Selen + 6,4% Gel von Siliciumoxyd,
b) 3 °/o Tellur + 6,4 °/0 Gel von Siliciumoxyd
4- 90,6 °/0 Selen,
c) 3 °/o Tellur + 5 °/0 Aluminiumoxyd
+ 92 % Selen,
d) und für Brücken, welche ganz besonders für Infrarot empfindlich sein sollen, kann
i2°/0 Tellur +6 °/0 Gel von Siliciumoxyd
• -f- 82 °/0 Selen verwendet werden.
Die beiliegenden Kurven zeigen das Verhalten von einigen dieser Legierungen im
Vergleich zu reinem Selen bei derselben Lichtintensität, und zwar an Hand der Abfallkurven.
Fig. ι zeigt Ergebnisse, die mit reinem Selen erhalten werden.
Fig. 2 zeigt Ergebnisse, welche mit einer Mischung von 93,6 °/o Selen + 6,4 °/o Gel von
Siliciumoxyd erhalten werden.
Fig. 3 zeigt der Fig. 2 ähnliche Kurven für eine Mischung von 3 % Tellur + 5 °/0 Aluminiumoxyd
+ 92 °/0 Selen.
Fig. 4 zeigt der Fig. 2 ähnliche Kurven für eine Mischung von 12 °/0 Tellur+ 6% Gel
von Siliciumoxyd + 82 °/0 Selen.
In allen Fällen sind drei Kurven dargestellt, von denen die mittlere das Durchschnittsverhalten
und die äußeren die Grenzwerte angeben.
Claims (6)
- Patentansprüche:i. Lichtempfindliche Zelle, dadurch gekennzeichnet, daß durchsichtige, farblose, nach dem hexagonalen oder rhombischen System kristallisierende Substanzen, welche mit dem Selen bei 4000 C nicht reagieren, der lichtempfindlichen Schicht einverleibt werden, die" sich auf einem isolierten Träger befindet.
- 2. Ausführungsform nach Anspruch ΐ, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendeten Substanzen aus Siliciumoxyd oder Aluminiumoxyd in kolloidaler Form bestehen oder aus Aluminiumphosphat, Bariumcarbonat, Berylliumoxyd, Calciumcarbonat, Zinkoxyd und Calciumsilikat und daß zur Änderung der Zellencharakteristik auch Spuren anderer Substanzen u0 hinzugefügt werden können, wie Silberselenid, Silbersulfid, Quecksilbersulfid, Quecksilberjodid, Molybdänsulfid oder metallhaltige Erze, welche Selen, Silber, Cäsium, Blei, Tellur, Wismut, schwär- n5 zen Phosphor und Thallium enthalten.
- 3. Ausführungsform nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mischung von 93,6 °/o Selen + 6,4 °/o Gel von Siliciumoxyd verwendet wird.
- 4. Ausführungsform nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß eineMischung von 3 °/0 Tellur + 5"/o Aluminiumoxyd + 92 °/0 Selen verwendet wird.
- 5. Ausführungsform nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mischung von 3°/o Tellur +6,4 °/0 Gelvon Siliciumoxyd + 90,6 °/o
wendet wird.Selenver- - 6. Ausführungsform nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mischung von 12 °/„ Tellur + 6 °/0 Gel von Siliciumoxyd + 82 °/0 Selen verwendet wird, wobei besondere Empfindlichkeit gegenüber infraroten Strahlen erforderlich ist.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB26350/30A GB358672A (en) | 1930-09-03 | 1930-09-03 | Improvements relating to the control of the characteristics of light-sensitive materials |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE562535C true DE562535C (de) | 1932-11-02 |
Family
ID=10242294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DER82572D Expired DE562535C (de) | 1930-09-03 | 1931-08-26 | Lichtempfindliche Zelle |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE562535C (de) |
GB (1) | GB358672A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1030938B (de) * | 1954-12-03 | 1958-05-29 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung einer photoleitfaehigen Schicht |
DE971526C (de) * | 1951-05-05 | 1959-02-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2745327A (en) * | 1952-05-12 | 1956-05-15 | Haloid Co | Electrophotographic process |
US2803541A (en) * | 1953-05-29 | 1957-08-20 | Haloid Co | Xerographic plate |
US2698237A (en) * | 1954-08-16 | 1954-12-28 | Polaroid Corp | Photographic silver halide transfer product and process |
US2863768A (en) * | 1955-07-05 | 1958-12-09 | Haloid Xerox Inc | Xerographic plate |
US2937944A (en) * | 1957-11-20 | 1960-05-24 | Haloid Xerox Inc | Xerographic light-sensitive member and process therefor |
US3121007A (en) * | 1958-02-12 | 1964-02-11 | Xerox Corp | Photo-active member for xerography |
-
1930
- 1930-09-03 GB GB26350/30A patent/GB358672A/en not_active Expired
-
1931
- 1931-08-26 DE DER82572D patent/DE562535C/de not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE971526C (de) * | 1951-05-05 | 1959-02-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
DE1030938B (de) * | 1954-12-03 | 1958-05-29 | Rca Corp | Verfahren zur Herstellung einer photoleitfaehigen Schicht |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB358672A (en) | 1931-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE562535C (de) | Lichtempfindliche Zelle | |
DE2642161C2 (de) | Stromleitender Film für elektrische Heizgeräte | |
DE747964C (de) | Herstellung von Elektrodengittern fuer Bleisammler mit verbessertem Modul Bruchbelastung/Einheitsdehnung | |
DE2364403A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer dunkelstrahlenden isolierschicht fuer heizkoerper indirekt geheizter kathoden | |
DE1671790C3 (de) | Elektrolytträger für Brennstoffzellen und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE683330C (de) | Verfahren zur Herstellung von als lichtelektrisch empfindliches Organ bei Sperrschichtzellen dienenden Metallverbindungen | |
DE1514072B2 (de) | Ohmsche Kontaktierung für Halbleiterbauelemente | |
DE447043C (de) | Fluoreszenzschirm | |
DE544401C (de) | Negativ geladene und getrocknete, luftbestaendige Bleisammlerelektrode | |
DE690965C (de) | Verfahren zur Umsetzung von Strahlungsenergie in elektrische Energie | |
DE1125090B (de) | Bildwandlerroehre mit Leuchtschirm | |
DE431313C (de) | Umhuellte Elektrode fuer elektrische Lichtbogenschweissung von Gusseisen | |
AT129019B (de) | Elektrische Entladungsröhre. | |
DE1908101C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1597840A1 (de) | Verfahren zur Verbesserung der Photoleitfaehigkeit duenner,im Vakuum auf einem Traeger abgelagerter Cadmiumsulfidschichten | |
DE1939794A1 (de) | Elektrische Batterie | |
DE2651397A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer elektrisch leitenden schicht auf einem inneren wandteil einer kathodenstrahlroehre und eine durch dieses verfahren hergestellte kathodenstrahlroehre | |
AT131785B (de) | Photoelektrische Zelle. | |
AT138317B (de) | Verfahren zur Herstellung von Vorderelektroden an Sperrschicht-Photozellen. | |
DE922726C (de) | Photozelle zum Umsetzen von Licht in Strom- oder Spannungsaenderungen aus einem Halbleiter | |
DE276717C (de) | ||
DE606512C (de) | Elektrische Entladungsroehre mit Metalldampffuellung, insbesondere fuer Lichtausstrahlung | |
AT149299B (de) | Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfähigkeit. | |
AT120212B (de) | Elektronen emittierender Körper und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
AT143290B (de) | Glasshülle für Alkalimetalldampflampen. |