DE562535C - Lichtempfindliche Zelle - Google Patents

Lichtempfindliche Zelle

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DE562535C
DE562535C DER82572D DER0082572D DE562535C DE 562535 C DE562535 C DE 562535C DE R82572 D DER82572 D DE R82572D DE R0082572 D DER0082572 D DE R0082572D DE 562535 C DE562535 C DE 562535C
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selenium
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silicon oxide
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Radiovisor Foreign & Colonial
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Description

erloschen
AUSGEGEBEN AM
2.N0VEMBER1932
REICHSPATENTAMT
PATENTSCHRIFT
JVl 562535
KLASSE 21 g GRUPPE 29
Radiovisor Foreign & Colonial Limited in London
Lichtempfindliche Zelle
Patentiert im Deutschen Reiche vom 26. August 1931 ab
Die Erfindung betrifft Verbesserungen an lichtempfindlichen Zellen und insbesondere die Änderung der charakteristischen Eigenschaften der eigentlichen lichtempfindlichen Schicht, so wie es der Gebrauch der Zellen erfordert sowie Mittel zum Aufbringen einer solchen lichtempfindlichen Schicht auf ihren Träger in einer Weise, welche praktisch unter geringen Kosten durchführbar ist, unter Berücksichtigung der Tatsache, daß die Schicht ziemlich gleichmäßig den isolierenden Träger der Zelle bedecken soll.
Man hat gefunden, daß Zellen aus reinem Selen in ihren charakteristischen Eigenschaften, wie Empfindlichkeit, Ermüdung und Trägheit, beim Übergang von Hell zu Dunkel voneinander verschieden sind. Es ist bekannt, daß diese Charakteristiken beeinflußt werden können durch Änderung der Dicke des Selen-Überzuges, .durch die Glühtemperatur und durch Beimengung fremder Substanzen zur Selenschicht. Keines der gegenwärtigen diese Richtung verfolgenden Verfahren ergibt aber eine wirkliche Gleichmäßigkeit der Zelle.
Es ist Zweck der vorliegenden. Erfindung, die für den praktischen Gebrauch wesentlichen Charakteristiken der Zelle und ihre gleichmäßige Herstellung zu verbessern.
Zur Durchführung der Erfindung wird
vorgeschlagen, daß durchsichtige, farblose, nach dem hexagonalen oder rhombischen System kristallisierende Substanzen, welche mit dem Selen bei 4000 C nicht reagieren, der lichtempfindlichen Schicht einverleibt werden, die sich auf einem isolierten Träger befindet. Substanzen dieser Art, welche sich als geeignet erwiesen haben, sind: Siliciumoxyd, Aluminiumoxyd, Aluminiumphosphat, Bariumcarbonat, Berylliumoxyd, Calciumcarbonat, Zinkoxyd und Calciumsilikat. Von diesen Substanzen sind Siliciumoxyd und Aluminiumoxyd am besten geeignet. Diese Verbindungen werden in geeigneter Weise mit dem Selen vereinigt, mit oder ohne Beimengung von Spuren anderer Substanzen, wie Silberselenid, Silbersulfid, Quecksilbersulfid, Molybdänsulfid oder bestimmte metallhaltige Erze, welche Selen, Silber, Cäsium, Blei, Tellur, Wismut, schwarzen Phosphor und Thallium enthalten. Die trägen Substanzen von hexagonal oder rhombisch' kristallinischer Form sind vorzugsweise in dem geschmolzenen Selen emulgiert.
Bei Verwendung von Siliciumoxyd wird in folgender Weise vorgegangen:
Vorzugsweise wird Gel von Siliciumoxyd mit einer Korngröße zwischen 0,7 und ό>°7 Χ ίο—4 cm verwendet, welches durch Niederschlagen, gründliches Waschen und Trocknen gewonnen wird. Die Verbindung
wird bis 250° C erhitzt und in dem flüssigen Selen bei einer Temperatur emulgiert, welche 4000 C nicht übersteigt und vorzugsweise so niedrig gehalten wird, wie es mit der Bildung einer gleichmäßigen Emulsion verträglich ist. Die Mischung wird in Gefäßen aus Staybrite-Stahl hergestellt und in Stangen gegossen. In dieser Form wird die Mischung verwendet, um den gesandstrahlten Glasträger mit einem Überzug zu versehen, in welchen vorher das die Elektrode darstellende Goldgitter nach einem bekannten Verfahren mittels eines Stempels eingeprägt worden ist. Eine sorgfältige Kontrolle der Gleichmäßigkeit des Sandstrahlens ist erforderlich, bevor das Goldgitter eingeprägt wird; denn von diesem Sandstrahlen hängen in einem bedeutenden Umfang die Eigenschaften und bis zu einem gewissen Grad auch die Menge der Selenmischung ab, welche an dem Glas haftenbleibt, nachdem der Glimmerschaber des bekannten Verfahrens verwendet worden ist. Der in allen diesen Fällen verwendete Überzug hat eine größte Dicke in der Größenordnung 2,5 X 10-3 cm und eine mittlere Dicke in der Größenordnung von 0,5 X 10-3 cm. Das Gewicht des Überzuges liegt in der Größenordnung von 0,002 g/cm2. Für besondere Zwecke kann die Dicke auf das Zweibis Dreifache gesteigert werden.
Die Haupteigenschaften von Zellen, welche mit Substanzen der beschriebenen Art hergestellt sind, verglichen mit Zellen aus reinem Selen, sind folgende:
i. Der Widerstand des Überzuges wird unbedeutend vergrößert, und die Widerstände von solchen Überzügen ändern sich weniger bei ihrer Herstellung.
2. Die Gleichmäßigkeit des lichtempfindliehen Überzuges wird verbessert.
3. Die nach dem Aufhören der Belichtung auftretende Trägheit wird beträchtlich vermindert.
4. Die Änderung des Zellenwiderstandes im Bereich der Außentemperaturen wird vermindert.
5. Die dynamische Leistung solcher Zellen wird gegenüber einer Zelle von reinem Selen bei gleicher Bauart und gleichem Stromdurchgang im allgemeinen vergrößert, und der Prozentsatz solcher Zellen, welche infolge der bei ihnen auftretenden akustischen Geräusche nicht einwandfrei sind, wird herabgesetzt.
6. Die Widerstandsänderung der Zelle beim Übergang vom stromdurchflossenen zum. stromlosen Zustand wird vermindert und die Stabilität der Zellen bei Gleichstrom vergrößert.
Die Zusammensetzung der einfacheren verwendeten Mischung ist:
a) 93,6 °/0 Selen + 6,4% Gel von Siliciumoxyd,
b) 3 °/o Tellur + 6,4 °/0 Gel von Siliciumoxyd 4- 90,6 °/0 Selen,
c) 3 °/o Tellur + 5 °/0 Aluminiumoxyd + 92 % Selen,
d) und für Brücken, welche ganz besonders für Infrarot empfindlich sein sollen, kann i2°/0 Tellur +6 °/0 Gel von Siliciumoxyd
• -f- 82 °/0 Selen verwendet werden.
Die beiliegenden Kurven zeigen das Verhalten von einigen dieser Legierungen im Vergleich zu reinem Selen bei derselben Lichtintensität, und zwar an Hand der Abfallkurven.
Fig. ι zeigt Ergebnisse, die mit reinem Selen erhalten werden.
Fig. 2 zeigt Ergebnisse, welche mit einer Mischung von 93,6 °/o Selen + 6,4 °/o Gel von Siliciumoxyd erhalten werden.
Fig. 3 zeigt der Fig. 2 ähnliche Kurven für eine Mischung von 3 % Tellur + 5 °/0 Aluminiumoxyd + 92 °/0 Selen.
Fig. 4 zeigt der Fig. 2 ähnliche Kurven für eine Mischung von 12 °/0 Tellur+ 6% Gel von Siliciumoxyd + 82 °/0 Selen.
In allen Fällen sind drei Kurven dargestellt, von denen die mittlere das Durchschnittsverhalten und die äußeren die Grenzwerte angeben.

Claims (6)

  1. Patentansprüche:
    i. Lichtempfindliche Zelle, dadurch gekennzeichnet, daß durchsichtige, farblose, nach dem hexagonalen oder rhombischen System kristallisierende Substanzen, welche mit dem Selen bei 4000 C nicht reagieren, der lichtempfindlichen Schicht einverleibt werden, die" sich auf einem isolierten Träger befindet.
  2. 2. Ausführungsform nach Anspruch ΐ, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendeten Substanzen aus Siliciumoxyd oder Aluminiumoxyd in kolloidaler Form bestehen oder aus Aluminiumphosphat, Bariumcarbonat, Berylliumoxyd, Calciumcarbonat, Zinkoxyd und Calciumsilikat und daß zur Änderung der Zellencharakteristik auch Spuren anderer Substanzen u0 hinzugefügt werden können, wie Silberselenid, Silbersulfid, Quecksilbersulfid, Quecksilberjodid, Molybdänsulfid oder metallhaltige Erze, welche Selen, Silber, Cäsium, Blei, Tellur, Wismut, schwär- n5 zen Phosphor und Thallium enthalten.
  3. 3. Ausführungsform nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mischung von 93,6 °/o Selen + 6,4 °/o Gel von Siliciumoxyd verwendet wird.
  4. 4. Ausführungsform nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine
    Mischung von 3 °/0 Tellur + 5"/o Aluminiumoxyd + 92 °/0 Selen verwendet wird.
  5. 5. Ausführungsform nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mischung von 3°/o Tellur +6,4 °/0 Gel
    von Siliciumoxyd + 90,6 °/o
    wendet wird.
    Selen
    ver-
  6. 6. Ausführungsform nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mischung von 12 °/„ Tellur + 6 °/0 Gel von Siliciumoxyd + 82 °/0 Selen verwendet wird, wobei besondere Empfindlichkeit gegenüber infraroten Strahlen erforderlich ist.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DER82572D 1930-09-03 1931-08-26 Lichtempfindliche Zelle Expired DE562535C (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1030938B (de) * 1954-12-03 1958-05-29 Rca Corp Verfahren zur Herstellung einer photoleitfaehigen Schicht
DE971526C (de) * 1951-05-05 1959-02-12 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2745327A (en) * 1952-05-12 1956-05-15 Haloid Co Electrophotographic process
US2803541A (en) * 1953-05-29 1957-08-20 Haloid Co Xerographic plate
US2698237A (en) * 1954-08-16 1954-12-28 Polaroid Corp Photographic silver halide transfer product and process
US2863768A (en) * 1955-07-05 1958-12-09 Haloid Xerox Inc Xerographic plate
US2937944A (en) * 1957-11-20 1960-05-24 Haloid Xerox Inc Xerographic light-sensitive member and process therefor
US3121007A (en) * 1958-02-12 1964-02-11 Xerox Corp Photo-active member for xerography

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE971526C (de) * 1951-05-05 1959-02-12 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE1030938B (de) * 1954-12-03 1958-05-29 Rca Corp Verfahren zur Herstellung einer photoleitfaehigen Schicht

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