AT138317B - Verfahren zur Herstellung von Vorderelektroden an Sperrschicht-Photozellen. - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Vorderelektroden an Sperrschicht-Photozellen.

Info

Publication number
AT138317B
AT138317B AT138317DA AT138317B AT 138317 B AT138317 B AT 138317B AT 138317D A AT138317D A AT 138317DA AT 138317 B AT138317 B AT 138317B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
front electrodes
metal
making front
photocells
barrier
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Original Assignee
Ver Gluehlampen & Elec Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ver Gluehlampen & Elec Ag filed Critical Ver Gluehlampen & Elec Ag
Application granted granted Critical
Publication of AT138317B publication Critical patent/AT138317B/de

Links

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Verfahren zur Herstellung von Vorderelektroden an Sperrschicht-Photozellen. 



   Die Erfindung bezieht sich auf photoelektrische Einrichtungen, welche aus einem metallischen   Leiter, einem unmittelbar darauf befindlichen Halbleiter (Metallverbindungen, Selen usw. ) und einer   wiederum unmittelbar darauf befindlichen   lichtdurchlässigen   Metallschicht bestehen. Solche Enrichtungen zeigen bei Belichtung eine elektromotorische Kraft und liefern ohne Anlegung einer Hilfsspannung elektrischen Strom. Sie werden im allgemeinen Sprachgebrauch als Sperrschichtphotozellen oder Lichtelemente bezeichnet. 



   Die Erfindung bezieht sich auf ein neues Verfahren. zur Herstellung der strahlungsdurchlässigen Metallelektrode. Es wurde schon versucht, diese äusserst dünne Metallschicht durch kathodische Zerstäubung, durch Aufspritzen, durch elektrolytische Reduktion usw. herzustellen. Es ist allen bisherigen Verfahren gemeinsam, die dünne   strahlungsdurchlässige   Schicht primär herzustellen. Diesen verschiedenen Herstellungsverfahren haftet immer der Nachteil an, dass sie sehr umständlich auszuführen sind. 



   Vorliegende Erfindung besteht darin, vorerst keine strahlungsdurchlässige, sondern eine etwas dickere Metallschicht   aufzuprägen   und diese dann z. B. auf mechanischem Wege so zu verdünnen, dass sie den Anforderungen entspricht. 



   Das Verfahren soll an folgendem Beispiel näher erörtert werden : Auf eine mit Selen überzogene Eisenplatte wird eine niedrig. schmelzende Metallegierung, z. B. Woodsches Metall aufgetragen. Dies kann z. B. durch Aufspritzen erfolgen. Dann wird die Eisenplatte auf eine solche Temperatur erhitzt, dass das aufgetragene Metall schmilzt, der aus Selen bestehende Halbleiter aber keine Formveränderung erleidet. Das Verfahren lässt sich auch zweckmässig mit dem üblichen Temperieren (Anlassen) des Selens verbinden. Zu diesem Zwecke wird die mit Selen überzogene Platte in ein Bad aus geschmolzenem Woodmetall getaucht und dieses auch auf eine Temperatur erhitzt, welche tiefer ist als der Schmelzpunkt des Selens. Beim Herausnehmen der Platte ist diese mit einer Schicht des geschmolzenen Metalles bedeckt. 



  Mit einem weichen Gegenstand kann nun die Oberfläche abgerieben werden, wobei eine dünne lichtdurchlässige Metallschicht zurückbleibt. Die so hergestellten Sperrschichtphotozellen zeichnen'sich durch hohe Gleichmässigkeit aus. 



   PATENT-ANSPRÜCHE :
1. Verfahren zur Herstellung der Vorderelektroden an Sperrschiehtphotozellen, dadurch gekennzeichnet, dass eine in bekannter Weise auf die ebene   photoaktive Schichte gleichmässig aufgetragene   Metallschicht zum Zwecke der Verringerung der Stärke dieser Schichte teilweise abgetragen wird. 

**WARNUNG** Ende DESC Feld kannt Anfang CLMS uberlappen**.

Claims (1)

  1. 2. Ausführungsform des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht mechanisch abgetragen wird.
    3. Ausführungsform des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Abtragung bei erhöhter Temperatur erfolgt.
    4. Ausführungsform des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine niedrig schmelzende Metallegierung, z. B. Woodsches Metall verwendet wird. **WARNUNG** Ende CLMS Feld Kannt Anfang DESC uberlappen**.
AT138317D 1931-12-15 1932-11-24 Verfahren zur Herstellung von Vorderelektroden an Sperrschicht-Photozellen. AT138317B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE138317T 1931-12-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT138317B true AT138317B (de) 1934-07-25

Family

ID=34257073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT138317D AT138317B (de) 1931-12-15 1932-11-24 Verfahren zur Herstellung von Vorderelektroden an Sperrschicht-Photozellen.

Country Status (1)

Country Link
AT (1) AT138317B (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1807862A1 (de) Elektrisch heizbares Glaserzeugnis und Verfahren zu seiner Herstellung
DE600046C (de) Verfahren zur Herstellung korrosionsbestaendiger Schutzueberzuege auf Aluminium oder Aluminiumlegierungen
DE846753C (de) Verfahren zur Herstellung von Mosaikelektroden
DE2326920C3 (de)
AT138317B (de) Verfahren zur Herstellung von Vorderelektroden an Sperrschicht-Photozellen.
DE915593C (de) Verfahren zum Anbringen einer Sperrschicht und mit einer solchen Sperrschicht versehene Zelle
DE898468C (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstaenden
DE876121C (de) Verfahren zur Herstellung von Selen als Ausgangsmaterial fuer die Herstellung von Trockengleichrichtern
DE501228C (de) Verfahren zur Herstellung von Gleichrichterelementen zu Trockengleichrichtern mit Selenschicht
DE525664C (de) Verfahren zur Herstellung elektrischer Gleichrichterventile
DE734887C (de) Elektrische Entladungsroehre mit einer oder mehreren nicht beheizten Elektroden oder sonstigen Innenteilen, welche wenigstens teilweise mit einer Kohlenstoffschicht ueberzogen sind, und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE725286C (de) Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschicht von Selentrockengleichrichtern oder -photozellen
DE879581C (de) Photoelement mit Traegerelektrode aus Aluminium
DE528600C (de) Verfahren zur Herstellung elektrischer Schmelzsicherungen fuer sehr geringe Stroeme, bei dem eine duenne Metallschicht auf einer Ioeslichen Elektrode niedergeschlagen und die Elektrode sodann von dem Niederschlag geloest wird
DE625174C (de) Elektroden, insbesondere Kathoden, fuer elektrolytische Zellen zur Wasserzersetzung
DE951694C (de) Verfahren zur anodischen Herstellung eines schwarzen Oxydueberzugs auf Kupferdraehten
DE971697C (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE342978C (de)
DE2356958A1 (de) Verfahren zum herstellen eines aus einer wolfram-thorium-legierung bestehenden films
DE892945C (de) Verfahren zur Herstellung von Selenphotoelementen
DE765253C (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE624779C (de) Auf dem aeusseren lichtelektrischen Effekt beruhende lichtelektrische Zelle
DE674232C (de) Elektrische Oxydierung von Feindraehten
DE573811C (de) Verfahren zur Herstellung von Selenzellen
DE595325C (de) Traegerelektrode mit Ventilmetallueberzug, insbesondere fuer elektrolytische Kondensatoren und Gleichrichter