DE525664C - Verfahren zur Herstellung elektrischer Gleichrichterventile - Google Patents

Verfahren zur Herstellung elektrischer Gleichrichterventile

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DE525664C DES86939D DES0086939D DE525664C DE 525664 C DE525664 C DE 525664C DE S86939 D DES86939 D DE S86939D DE S0086939 D DES0086939 D DE S0086939D DE 525664 C DE525664 C DE 525664C
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf elektrische Ventile, bei welchen eine dünne Zwischenschicht zwischen plattenförmigen Elektroden angeordnet ist. Solche Ventile haben die Eigenschaft, den Strom in einer Richtung besser zu leiten als in der anderen. Sie können daher z. B. als Wechselstromgleichrichter Verwendung finden. Es hat sich gezeigt, daß bei solchen Ventilen eine sehr große Leistung pro Flächeneinheit und eine verhältnismäßig sehr gute Gleichrichterwirkung erzielt werden kann, wenn als Material für die Zwischenschicht chemische Verbindungen des Selens Verwendung finden.
Diese Selenverbindungen können in verschiedener Weise als dünne Schicht zwischen zwei Ventilelektroden gebracht werden. Als besonders wirksam erwies sich die Anordnung, wenn die Zwischenschicht aus Selenverbindungen mit einer Elektrode fest verbunden ist, wobei sie aus dem Material der Elektrode selbst an deren Oberfläche gebildet sein kann.
Erfindungsgemäß wird sowohl die Herstellung der Schicht aus Selenverbindungen als auch ihre feste Verbindung mit einer Elektrode sowie ihre Bildung aus dem Material der Elektrode selbst dadurch bewirkt, daß man Selenverbindungen auf eine Elektrodenoberfläche einwirken läßt.
Nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung wird die Wirkung der Selenverbindungen auf eine Elektrodenoberfläche zwecks Bildung der wirksamen Zwischenschicht durch Elektrolyse erhöht. Zu diesem Zwecke wird beispielsweise die betreffende Elektrode in eine Lösung von Selenverbindungen getaucht und als Kathode in einen Gleichstromkreis gelegt.
Geeignete Selenverbindungen, welche zur Einwirkung auf eine Elektrodenoberfläche gebracht werden, sind beispielsweise Selenwasserstoff und Selenammonium.
Es ist zwar schon bekannt, Schichten aus Selenverbindungen durch die Einwirkung von Selen auf Metalle herzustellen. Der Ersatz des Selens durch Selenverbindungen bei diesem Verfahren bietet jedoch den großen Vorteil, daß bei niedrigeren Temperaturen gearbeitet werden kann, während die Einwirkung von Selen auf die in Frage kommenden Metalle nur bei hohen Temperaturen in genügendem Maße erfolgt, wodurch das Herstellungsverfahren erheblich erschwert ist. Außerdem bietet das Verfahren gemäß der Erfindung den Vorteil, daß sehr gleichmäßige Schichten aus Selenverbindungen erhalten werden können. Bei dem elektrolytischen Verfahren ist es sogar möglich, durch Abmessung der verwendeten Gleichstrommengen die Bildung der Selenverbindungen genau zu dosieren, so daß sehr gleichmäßig ausfallende Fabrikate erhalten werden können.

Claims (2)

  1. Patentansprüche:
    i. Verfahren zur Herstellung elektrischer Gleichrichterventile mit zwischen zwei Elek-
    troden angeordneter Schicht aus Selenverbindungen, dadurch gekennzeichnet, daß diese durch chemische -Einwirkung von Selenverbindungen auf eine Elektrodenoberfläche gebildet werden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Bildung der aus Selenverbindungen bestehenden Ventilschicht durch Elektrolyse einer Selenverbindung herbeigeführt wird.
    Er g änzungsblat t zur Patentschrift 525 664 Klasse 21g Gruppe 11V
    Das Patent 525 664 ist durch, rechtskräftige Entscheidung des Reichspatentamts vom 15.Oktober 1936 dadurch teilweise für nichtig erklärt, daß der Anspruch 1 gestrichen worden ist.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2522474A (en) * 1942-07-02 1950-09-12 Battelle Memorial Institute Treatment of zinc surfaces
US2572079A (en) * 1947-03-13 1951-10-23 Standard Telephones Cables Ltd Radiation-sensitive cells and method of making same
US2649409A (en) * 1943-07-30 1953-08-18 Standard Telephones Cables Ltd Electrodeposition of selenium

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2522474A (en) * 1942-07-02 1950-09-12 Battelle Memorial Institute Treatment of zinc surfaces
US2649409A (en) * 1943-07-30 1953-08-18 Standard Telephones Cables Ltd Electrodeposition of selenium
US2572079A (en) * 1947-03-13 1951-10-23 Standard Telephones Cables Ltd Radiation-sensitive cells and method of making same

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