DE501228C - Verfahren zur Herstellung von Gleichrichterelementen zu Trockengleichrichtern mit Selenschicht - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Gleichrichterelementen zu Trockengleichrichtern mit SelenschichtInfo
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- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
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Description
- Verfahren zur Herstellung von Gleichrichterelementen zu Trockengleichrichtern mit Selenschicht Es -sind Wechselstromgleichrichter bekannt geworden, .bei welchen zwischen zwei plattenförmigen Elektroden eine dünne, in festem Zustande befindliche Zwischenschicht angeordnet ist. Diese Zwischenschicht kann z. B. aus lWetalloxyden, Metallsulfiden, Selen, Selenverhinclungen usw. bestehen. Selen bietet dabei den Vorteil, daß es ein chemischer Grundstoff ist und daher bei dem Stromdurchgang keine elektrolytischen Vorgänge auftreten können, während z. B. die Oxyde oder Sulfide der Schwermetalle als feste Elektrolyte aufgefaßt werden können.
- Die bekannten Gleichrichter dieser Art zeigen besonders istark ausgeprägte Gleichrichterwirkun:g, wenn die dünne Zwischenschicht mit einer der Elektroden auf einer Fläche derselben innig verbunden ist und von einer Fläche der anderen Elektrode nur mit mehr oder weniger Druck berührt wird.
- Die innige Verbindung der Zwischenschicht mit der Fläche einer Elektrode kann z. B. herbeigeführt werden durch Zusammenschmelzen, durch elektrolytischen Niederschlag eines Materials .auf das andere, durch chemische Erzeugung einer Schicht aus dem Material einer Elektrode.
- Bei der Verwendung von Selen zur Bildung der dünnen Zwischenschicht ist zu beachten, daß dieser Grundstoff ebenso wie z. B. das Zinn als Metall und als Metalloi.d auftreten kann. Als Metallord in amorpher Form hat es große Ähnlichkeit mit Schwefel. Als Metall kann es in mehreren Modifikationen auftreten, die gewöhnlich miteinander vermischt sind. In diesem Metallzustand ist es silberglän.zend, läßt sich feilen und unter Umständen .auch auf der Drehbank bearbeiten, ohne zu bröckeln.
- Bei Selen ist ferner bekannt, dieses zwecks Herstellung lichtempfindlicher Zellen fest mit Elektroden zu verbinden: und idann durch Erhitzung in den :beschriebenen metallischen Zustand überzuführen. Das Erhitzungsverfahren ist ,dabei sowohl hinsichtlich der angewendeten Temperatur ,als ,auch der Dauer der Erhitzung einanderes, je nachdem man große Lichtempfindlichkeit oder geringe Trägheit usw. erzielen, will.
- Bei der Herstellung von Trockengleichrichtern mit Hilfe von Selen ;sind ganz andere Gesichtspunkte maßgebend. Es kommt hier in erster Linie auf Erzielung großer elektrischer Leistung pro Flächeneinheit und guter Gleiahrichterwirkung an, wobei im Gegensatze zu den anderen Verwendungszwecken des .Selens die Oberflächenbeschaffenheit von großer Bedeutung ist.
- Um Selen in den für die vorliegenden Zwecke geeigneten Zustand zu bringen, wird erfindungsgemäß das Selen, nachdem es mit nur einer oder ?beiden plattenförmigen Eilektroden z. B. durch Aufschmelzen innig verbunden ist und dabei in den amorphen metalloiden Zustand übergegangen ist, sofern es nicht schon -beim Eintritt des Schmelzens in diesem Zustand war, nach Beendigung des Aufschmelzens zusamanen mitder mit ihm verbundenen Elektrode einer Temperatur ausgesetzt, welche zwischen So' C und dem Schmelzpunkt,des Selens liegt. Hierbei geht das Selen langsam in :den Metallzustand über, ohne daß die innige Verbindung zwischen Elektrode und Selen .aufgehoben wird. Auf diese ,dann auf gewöhnliche Temperatur abgekühlten Teile wind die zweite Elektrode auf die Selenschicht aufgelegt und an @diese so angedrückt, @daß eine flächenförmige Berührung entsteht.
- Die Dauer dies Erhitzungsprozesses kann einige Minuten oder Stunden oder auch Tage dauern. Die erforderliche Dauer des Erhitz.enis ist abhängig von der Reinheit @d@es Selens, von der Art etwaiger Beimischungen, von der Größe des gewünschten elektrischen Widerstandes usw.
- Es hat sich gezeigt, idaß eine besonders gute Gleichriohterwirkung erzielt wird, wenn während des Erhitzungsprozesses eine Temperatur von mindestens r75° C erreicht wird. Zweckmäßig erwärmt man bis nahe an den Schmelzpunkt .des Selens, der bei 215 bis 22o° C liegt. Es ist zu beachten, daß die Schmelztemperatur bis zu einem gewissen Grade von der Reinheit des Selens abhängig ist.
- Derselbe Erhitzunigsprozeß findet Anwen-,diung, wenn ,die innige Verbindung des Selens mit :der Elektrodenfläche auf andere Weise als durch Aufschmelzen herbeigeführt worden ist, z. B. durch elektrolytischen Niederschlag des Selens auf die Elektrode oder durch elektrolytischen Niederschlag ;des Elektroidenmaterials auf .eine Selenpl:atte.
- Bei der Verwendung einiger Metalle zu .der Elektrode, mit welcher das Selen innig verbunden wird, kann es vorkommen, daß das Selen sich bei dem Erhitzungsprozeß von der Elektrode ablöst. Um diesen Übelstand zu vermeiden, wird nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung die Elektrode vor ihrer Vereinigung mit ,dem .Selen aufgerauht. Dies kann geschehen durch Einkratzen feiner Rillen mit einer Stahlspitze, durch Abreiben mit grobkörnigem Schmirgel oder durch Bearbeitung mit Sandstrahl.
- Es ist zwar schon bekannt, bei Trockenplattengleichrichtern eine Elektrode aufzurauhen, jedoch geschah dies bisher nicht bei Gleichrichtern mit S.elenschicht und nur zu ,dem Zwecke, die Elektroden zu reinigen. Bei Gleichrichtern mit Selenschicht tritt :die neue Wirkung ein, daB das Abbröckeln der Schicht von der Elektrode :durch die Aufrauhung verhindert wird. Bei Selen als Schichtmaterial war diese Gefahr des Abbröckelns deshalb besonders groß, weil das Selen bei dem Erhitzungsprozeß aus einer Modifikation in eine andere übergeht und dabei sein Volumen erheblich zu ändern bestrebt ist.
- Gleichzuachten mit Selen sind Stoffe, die in der Hauptsache aus Selen bestehen.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Gle ichr ichterelementen zu Trockenplattengleichrichtern mit Selenschicht, dadurch gekennzeichnet, daß das Selen mit einer Elektrode innig verbunden und dann das so erhaltene Element einer zwischen So' C und dem Schmelzpunkt :des Selens liegenden Temperatur ausgesetzt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß während des Erhitzungsprozesses eine Temperatur von mindestens 175° C erreicht wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch. i oder 2, Üadurch gekennzeichnet, daß vor der innigen Verbindung .des Selens mit einer Elektrode diese aufgerauht wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP56710D DE501228C (de) | 1927-12-10 | 1927-12-11 | Verfahren zur Herstellung von Gleichrichterelementen zu Trockengleichrichtern mit Selenschicht |
Applications Claiming Priority (2)
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DEP0056710 | 1927-12-10 | ||
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Publications (1)
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DE501228C true DE501228C (de) | 1930-06-30 |
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ID=25990854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DEP56710D Expired DE501228C (de) | 1927-12-10 | 1927-12-11 | Verfahren zur Herstellung von Gleichrichterelementen zu Trockengleichrichtern mit Selenschicht |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE501228C (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE754795C (de) * | 1936-10-19 | 1952-10-13 | Siemens Schuckertwerke A G | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
DE970124C (de) * | 1944-01-17 | 1958-09-04 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
-
1927
- 1927-12-11 DE DEP56710D patent/DE501228C/de not_active Expired
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DE754795C (de) * | 1936-10-19 | 1952-10-13 | Siemens Schuckertwerke A G | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
DE970124C (de) * | 1944-01-17 | 1958-09-04 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
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