DE851526C - Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydul-Trockengleichrichtern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydul-Trockengleichrichtern

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Description

Für die Herstellung hochbeattspruchter Kupferoxydul-Trockengleichrichter war bisher im wesentlichen Elektrolytkupfer, z. B. Chilekupfer (CCC-Kupfer), verwendbar. Aber auch bei diesem Kupfer ist die Erzielung bester Gleichrichterwirkung von der Auswahl besonders geeigneter Barren abhängig gewesen. Ferner mußte eine besonders sorgfältige Weiterbearbeitung beim Schmelzen, Walzen, Glühen und bei der Gleichrichterelemerrteherstellung vorgenommen werden, damit hierbei keine Verunreinigung und damit Verschlechterung der Gleichrichtereigenschaften erfolgte.
Die Erfindung vermeidet diese Nachteile und erzielt eine weitere Verbesserung der Gleichrichtereigenschaften dadurch, daß das zur Kupferoxydulbildung dienende Kupfer auf elektrischem oder chemischem Wege aus kupferhaltigen Lösungen ausgefällt und zur unmittelbaren Gleichrichterelementeherstellung ohne Umschmelzung benutzt wird. Zur klaren Unterscheidung mit dem bisher verwendeten normalen Gleichrichterkupfer wird das in der Erfindung beschriebene, aus kupferhaltigen Lösungen ausgefällte Kupfer Ausfällkupfer genannt. Durch das vorgenannte neue Verfahren ist es in einfachster Weise möglich, für die Fertigung von Kupferoxydul-Trockengleichrichterelementen von jedem beliebigen Kupfer auszugehen.
Ausfällkupfer kann nach verschiedenen Verfahren hergestellt werden. Aus kupferhaltigen Lösungen kann auf Metalle, die in der Spannungs reihe unter dem Kupfer stehen, also unedler sind, Kupfer ohne äußere Stromquelle nach den bekannten Tauch-, Ansiede- und Kontaktverfahren ausgefällt werden. Bei dem Tauchverfahren wird, wie Fig. 1 schema-
tisch zeigt, die metallische Unterlage 7 zur Abscheidung von Kupfer an dieren Oberfläche in eine kupferhaltige Lösung 8, z. B. Kupfer-Chlorid- oder Kupfer-Sulfat-Lösung, getaucht. Bei dem Ansiedeverfahren , 5 erfolgt die Kupferausfällung ähnlich wie beim Tauchverfahren, jedoch bei erhöhter bzw. Siedetemperatur.
Schließlich kann zur Erzielung größerer Kupfermengen durch Herstellung eines Kontaktes mit einem eingetauchten unedleren Metall als Kupfer im Kontaktverfahren eine weitere Metallabscheidung erfolgen. In Fig. 2 ist schematisch das Kontaktverfahren erläutert. In einer kupferhaltigen Lösung ist eine Cu-Platte 9 mit einer Fe-Platte 10 elektrisch leitend verbunden. Die Abscheidung dies Kupfers erfolgt dann auf der Platte 9.
Bei Anwendung einer äußeren Stromquelle kann auf galvanischem Wege, wie Fig. 3 zeigt, besonders wirtschaftlich Ausfällkupfer gewonnen werden. An 2o' einer mit dem negativen Pol verbundenen stromleitenden Platte 11, der Kathode, wird das Kupfer in einer kupferhaltigen Lösung aus dem Ionenzustand in den metallischen übergeführt und ausgefällt, während an der Anode, der mit dem Pluspol verbundenen stromleitenden Platte 12, eine Entladung der Anionen vor sich geht.
Es wurde nun überraschenderweise gefunden, daß sich mit diesen genannten Verfahren besonders vorteilhaft dünne Kupferschichten, wie sie zur Oxydulbildung bei der Formierung von Kupferoxydulgleichrichterelementen benötigt werden, auf geeignete, später noch beschriebene Unterlagen unmittelbar ausgefällt werden können. Geeignet sind strom leitende metallische Unterlagen odter nach bekannten Verfahren, wie z. B. Aufdampfen, stromleitend gemachte Isolierstoffunterlagen, soweit sie den Ansprüchen der nachfolgenden Behandlung bei der Gleichrichterformierung und -herstellung genügen, z. B. Porzellan u. a.
Nachstehend ist der Aufbau von bisher verwendeten Kupferoxydulgleichrichtern und der nach dem beschriebenen Verfahren hergestellten gegenübergestellt.
Der prinzipielle Aufbau der bisher üblichen Kupferoxydul-Trockengleichrichter ist in Fig. 4 dargestellt. Eine Kupferscheibe 1 dient sowohl als Unterlage als auch als Oxydlulbildner. Auf dieser Kupferscheibe 1 wird durch thermische Oxydation, d. h. durch ein Glühverfahren, die Oxydulschicht 2 nebst der Sperrschicht 3 erzeugt. Diese beiden Schichten befinden sich somit unmittelbar auf der Kupferscheibe 1. Deshalb wird bei diesem ursprünglichen Verfahren eine große Menge hochwertigsten Kupfers benötigt, das mit Hilfe eines Schmelz- und Walzprozesses in eine für den genannten Zweck brauchbare Form gebracht wird. Der Abschluß der Oxydulschicht erfolgt durch die Gegenelektrode 4. Der Aufbau eines Gleichrichters nach dem der Erfindung zugrunde liegenden Verfahren ist an Fig. 5 gezeigt. Auf einer stromleitenden metallischen Unterlage 5 befindet sich eine dünne Schicht Ausfällkupfer 6, die bei der Formierung, d. h. bei der thermischen Oxydation, zum größten Teil, a1>er micht vollständig zur Oxydulbildung verwendet wird. Zwischen dem Rest dieser Ausfällkupferschicht 9 und der Oxydulschicht 7 bildet sich dann die Sperrschicht 8. Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt also darin, daß nur eine verhältnismäßig kleine Menge hochwertigen Kupfers benötigt wird.
Für die Herstellung von Kupferoxydulgleichrichterplatten1 aus auf galvanischem Wege gewonnenem Ausfällkupfer wurde gefunden, daß sich für die Unterlage normales, handelsübliches Elektrolytkupfer besonders gut eignet, was deshalb besonderen Vorteil bietet, weil man es bei der Weit'er\-erarbeitung zu Gleichrichterplatten mit zwar unterschiedlich hergestelltem und deshalb unterschiedlich reinem, aber doch einheitlichem Werkstoff Kupfer zu tun hat. Bei der Formierung liegt bei gleicher Wärmeausdehnung und -leitfähigkeit gleiches Verhalten vor.
Als Vorbehandlung der Elektrolytkupferunterlage hat sich überraschenderweise gezeigt, daß eine normale übliche elektrolytische Entfettung nicht geeignet ist. Die Haftung der Ausfällkupferschicht ist bei dieser Vorbehandlung ungenügend. Bei der Formierung von daraus hergestellten Gleichrichterelementen tritt Blasenbildung auf. Dafür wurde gefunden, daß ein kurzes Beizen, z. B. in verdünnter g0 Salpetersäure, bei erhöhter Temperatur besonders geeignet ist und zur zusätzlichen Aufrauhung eine geringe anodische Auflösung sich nützlich erweist. Für die auf der so vorbereiteten Unterlage aufgebrachte Ausfällkupferschicht gibt es eine optimale Dicke. Für die Oxydulbildung sind einige hundertstel Millimeter Kupfer erforderlich. Als Schicht zwischen dem Oxydul und der Unterlage wurde eine Mindestdicke von 0,03 mm gefunden,, die den Vorteil bietet, daß bei der Formierung keine Diffusion von Verunreinigungen der Unterlage bis zur Oxydulschioht mehr erfolgt, die auf die Gleichrichtereigenschaften schädlich wirken würde. Andererseits findet bei zu großer Dicke der Ausfällkupferschicht Fremdelementeinbau statt, der eljenfalls die Gleichrichtereigenschaften herabdrückt. So wurde eine günstigste Dicke der Ausfällkupferschicht von 50 μ bis 150 μ entdeckt.
Wie schon erwähnt, tritt bei der Herstellung von Ausfällkupfer auf galvanischem Wege an dem Pluspol eine Entladung der Anionen auf, die zur Auflösung des Anodenmetalls führt. Damit die Bäder sich nicht frühzeitig mit Verunreinigungen aus dem aufgelösten Anodenmaterial anreichern, wird mit besonderem Vorteil reines Elektrolytkupfer verwendet. Ebenso ist es vorteilhaft, zur Vermeidung λ'οη fremden Verunreinigungen für die Herstellung der Bäder selbst, reine bzw. reinste Chemikalien, wie z. B. reinstes Kupfersulfat, reinste Schwefelsäure und in reinsten Säuren aufgelöstes Kupfer zu verwenden.
Während man aus wirtschaftlichen Gründen zur Ausfällung möglichst hohen Kupfer- und Säuregehalt anstrebt, hat es sich gerade bei dem vorliegendem Verwendungszweck ergeben·, daß beste Gleichrichtereigenschaften des Ausfällkupfers bei mittleren
Kupfer- und Säuregehalten erreicht werden, z. B. t>ei 200 bis 300 g Kupfersulfat und 30 bis. 50 g Schwefelsäure je Liter.
Nach den bisherigen Erkenntnissen treten günstigste Gleichrichtereigenschaften bei einem Kupfer, das möglichst rein ist, auf. Gewisse Beimengungen in bestimmter Menge bringen jedoch sehr erwünschte Effekte, zur Geltung. Ein weiterer Vorteil des erfundenen Verfahrens zur Gleichrichterelementeherstellung mit Verwendung· von Ausfällkupfer liegt darin, daß die Mitabscheidung von Beimengungen zum Kupfer durch Zusätze zu den, Bädern durchgeführt und diese außerdem mengenmäßig genau dosiert werden kann durch z. B. genau eingewogene Zusätze oder Einhaltung bestimmter Abscheidungsbedingungen, wie Stromdichte und Badtemperatur. Die Anwendung des Ausfällverfahrens' ermöglichte auch die Auffindung der Beimengungszugabe zum Kupfer auf die Unterlage und als Zwischenschicht oder auch auf die Außenschicht, wol>ei verschiedene Ix'kannte Verfahren, wie z. B. mechanische Aufbringung oder elektrolytische Abscheidung erfolgreich sind.
Außer der erwähnten, aus wirtschaftlichen Gründen anzustrebenden hohen Badkonzentration bei der Herstellung von Ausfällkupfer wäre gleichfalls hohe Badtemperatur anzustreben. Es hat sich nun gezeigt, daß für die Verwendung zu Gleichrichterzwecken auch hierbei ein optimaler Bereich der Badtemperatur von 20 bis 300 Schichten mit besten Eigenschaften ergibt, was auf das in diesem Bereich erzielte l>esonders gleichmäßige Gefüge zurückgeführt werden kann.
Ganz überraschenderweise wurde auch gefunden, daß nicht niedrigste Stromdichten, die reinstes Kupfer ausfällen, weshalb man daraus schließen müßte, daß es beste Gleichrichtereigenschaften liefert, sondern höhere Stromdichten als 0,5 A/dm2 l>esonders günstiges Gleichrichterverhalten der so hergestellten Ausfällkupferschichten ergeben.
Ferner wird gefunden, daß bei Ausfällkupferschichten feinste Verteilung der immer in gewissem Maße vorhandenen ISadeinschlüsse für die Erzielung guter Gleichrichtereigenschaften besonders günstig ist. Dies wird bei einer Korngröße des Kupfers von 50 μ und darunter, insbesondere bei einer Korngröße von 10 // erzielt. Entsprechend ist auch geringe Oberflächenrauhigkeit vorteilhaft, die 25 μ nicht übersteigen darf. Als besonders vorteilhaft hat sich eine Oberflächenrauhigkeit von 5 μ ergeben.
Auch hat sich bei der Ausfällung des Kupfers auf Unterlagen gezeigt, daß an den Rändern der Unterlagen die Schichten infolge der ungleichen Stromdichteverteilung im Bad ungünstige Eigenschaften l>esitzen. Mit besonderem Vorteil werden deshalb Unterlagen mit größeren Flächen als 5 cm2 verwendet. Sofern für die Gleiohrichterelementeherstellung kleinere Scheiben und Tabletten benötigt werden, können diese nach den üblichen Verfahren, z. B.
durch Ausstanzen, daraus hergestellt werden.
Für das aus kupferhaltigen Losgingen gewonnene Ausfällkupfer wurde schließlich gefunden, daß beste Gleichrichtereigenschaften bei einem Kupfergehalt von mindestens 99,995 °/o erzielt wurden und nicht, wie es bei dem bisher üblichen besten Gleichrichterkupfer angestrebt wurde, den Kupfergehalt von 99,97 °/o beizubehalten. Dabei dürfen die Verunreinigungen zweckmäßig folgende Höchstgehalte nicht überschreiten: Blei, Wismuth, Arsen und Nickel naßanalytisch nicht mehr nachweisbar, Antimon und Zinn 0,5 · io"30/o, Eisen, Schwefel und Sauerstoff zusammen 2 · io"30/o, Silber 3 g/t.

Claims (18)

Patentansprüche.·
1. Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydul-Trockengleichrichtern, dadurch gekennzeichnet, daß Ausfällkupfer, d. h. aus kupferhaltigen Lösungen auf elektrischem und chemischem Wege ausgefälltes Kupfer, unmittelbar, also ohne Umschmelzung, als Kupferoxydul· bildner benutzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Ausfällkupfer derjenigen Art verwendet wird, die aus kupferhaltigeniLösungen ohne äußere Stromquelle im Tauch-, Ansiede- oder Kontaktverfahren hergestellt ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Ausfällkupfer derjenigen Art verwendet wird, die aus kupferhaltigen Lösungen mit äußerer Stromquelle auf galvanischem Wege hergestellt ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine dünne Schicht aus Ausfällkupfer auf eine Unterlage, insbesondere auf galvanischem Wege, aufgebracht wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausfällkupferschicht auf eine stromleitende metallische Unterlage oder eine nach l>ekannten Verfahren stromleitend gemachte Isolierstoffunterlage aufgebracht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausfällkupferschicht auf Elektrolytkupfer als Unterlage aufgebracht wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage durch Beizen (Ätzen) oder durch Beizen und geringe anodische Auflösung vorbehandelt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Ausfällkupfer in einer Schichtstärke von 60 bis 150 11 verwendet wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1
bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß l>eim Herstellen des Ausfällkupfers als Anodenmaterial Elektrolytkupfer verwendet wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß beim Herstellen des Ausfällkupfers Bäder aus reinstem Kupfersulfat, aus reinstem Kupfersulfat und reinster Schwefelsäure oder in reinsten Säuren aufgelöstes reinstes Kupfer, z. B. Elektrolytkupfer, verwendet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Bad 200 bis 300g Kupfer-
sulfat und 30 bis 50 g Schwefelsäure je Liter enthält.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß den Bädern noch Zusätze beigegeben werden, welche die Mitabscheidung von Beimengungen zum Kupfer bewirken, wie z. B. Thiosulfat, Kochsalz, Salpetersäure, Atakamit, Antimonoxyd, Bleisulfat u. a.
13. Verfahreonach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß außerdem Beimengungen, z. B. Blei, Zinn, zum Kupfer nach bekanntem Verfahren, z. B. auf mechanischem oder elektrolytischem Wege, auf die Unterlage und als Zwischenschichten aufgebracht und eingebaut oder auch auf die Außenschicht aufgebracht werden.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß Badtemperaturen von 20 bis 300 angewendet werden.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß Stromdichten größer als 0,5 A/dm2 angewendet werden.
16. Verfahren nach Anspruch 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß Ausfällkupfer mit einer Korngröße von 50 μ und kleiner hergestellt bzw. angewendet wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß als Ausfällkupferschicht eine solche mit einer Oberflächenrauhigkeit kleiner als 25 μ hergestellt bzw. angewendet wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß Ausfällkupfer auf Unterlagskörpern mit größerer Fläche als 5 cm2 aufgebracht wird und aus diesen Körpern die Gleichrichtersoheiben durch Stanzen od. dgl. hergestellt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 5395 9.52
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2774728A (en) * 1955-09-29 1956-12-18 Du Pont Addition agent for copper plating
KR0139509B1 (ko) * 1992-02-27 1998-07-01 후지무라 마사야 밀봉전극 및 이것을 사용한 서어지 흡수기

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1919988A (en) * 1933-07-25 Rectifier
FR444013A (fr) * 1912-05-20 1912-10-08 Hille & Mueller Soc Procédé pour appliquer des dessins sur des objets en fer, en cuivre et cuivrés, par le nickelage galvanique en réservant le dessin
US1797587A (en) * 1926-05-10 1931-03-24 Union Switch & Signal Co Current rectifying apparatus
US1749549A (en) * 1927-01-19 1930-03-04 Westinghouse Electric & Mfg Co Rectifier
US1749995A (en) * 1927-10-28 1930-03-11 Hanovia Chemical & Mfg Co Process for securing good electrical contact with crystalline cuprous oxide
US1776217A (en) * 1928-09-12 1930-09-16 William D Dooley Rectifying device and method of making the same
US1873363A (en) * 1929-04-22 1932-08-23 Parker Rust Proof Co Coated iron or steel article and method of making the same
US2081051A (en) * 1935-02-02 1937-05-18 Gen Electric Electric cut-out
US2097298A (en) * 1935-10-24 1937-10-26 Gen Electric Method of manufacturing electrical cut-outs
US2482178A (en) * 1944-02-29 1949-09-20 Western Electric Co Composite structure for forming a seal with glass
NL69965C (de) * 1945-08-10

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CH283898A (de) 1952-06-30

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