DE1015542B - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten

Info

Publication number
DE1015542B
DE1015542B DES34699A DES0034699A DE1015542B DE 1015542 B DE1015542 B DE 1015542B DE S34699 A DES34699 A DE S34699A DE S0034699 A DES0034699 A DE S0034699A DE 1015542 B DE1015542 B DE 1015542B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
selenium
layer
cover electrode
porous
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES34699A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Rer Nat Hermann Strosche
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Standard Elektrik AG
Original Assignee
Standard Elektrik AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to BE509989D priority Critical patent/BE509989A/xx
Priority to BE545512D priority patent/BE545512A/xx
Priority to NL93669D priority patent/NL93669C/xx
Priority to BE534381D priority patent/BE534381A/xx
Priority to NL204119D priority patent/NL204119A/xx
Priority to BE511647D priority patent/BE511647A/xx
Priority to DE1939V0035594 priority patent/DE696361C/de
Priority to GB8561/39A priority patent/GB526482A/en
Priority to US320380A priority patent/US2314104A/en
Priority to FR864102D priority patent/FR864102A/fr
Priority to DEI3369D priority patent/DE974772C/de
Priority to CH224048D priority patent/CH224048A/fr
Priority to DES23645A priority patent/DE892193C/de
Priority to CH311961D priority patent/CH311961A/de
Priority to FR1052480D priority patent/FR1052480A/fr
Priority to US289351A priority patent/US2736672A/en
Priority to FR62920D priority patent/FR62920E/fr
Priority to FR64214D priority patent/FR64214E/fr
Priority to FR63144D priority patent/FR63144E/fr
Priority to FR65909D priority patent/FR65909E/fr
Application filed by Standard Elektrik AG filed Critical Standard Elektrik AG
Priority to DES34699A priority patent/DE1015542B/de
Priority to US411539A priority patent/US2867550A/en
Priority to FR66041D priority patent/FR66041E/fr
Priority to CH326740D priority patent/CH326740A/de
Priority to FR66229D priority patent/FR66229E/fr
Priority to GB22299/54A priority patent/GB752751A/en
Priority to CH324876D priority patent/CH324876A/de
Priority to FR66772D priority patent/FR66772E/fr
Priority to DEST9480A priority patent/DE1056746B/de
Priority to CH343031D priority patent/CH343031A/de
Priority to US558423A priority patent/US2908592A/en
Priority to GB5000/56A priority patent/GB796896A/en
Priority to FR69423D priority patent/FR69423E/fr
Priority to FR69807D priority patent/FR69807E/fr
Priority to GB14705/56A priority patent/GB806661A/en
Publication of DE1015542B publication Critical patent/DE1015542B/de
Priority to US693867A priority patent/US2934683A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • D—TEXTILES; PAPER
    • D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D06B—TREATING TEXTILE MATERIALS USING LIQUIDS, GASES OR VAPOURS
    • D06B3/00—Passing of textile materials through liquids, gases or vapours to effect treatment, e.g. washing, dyeing, bleaching, sizing, impregnating
    • D06B3/04—Passing of textile materials through liquids, gases or vapours to effect treatment, e.g. washing, dyeing, bleaching, sizing, impregnating of yarns, threads or filaments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/08—Preparation of the foundation plate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H01L21/101—Application of the selenium or tellurium to the foundation plate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H01L21/103—Conversion of the selenium or tellurium to the conductive state
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H01L21/108—Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/12—Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/074—Stacked arrangements of non-apertured devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • D—TEXTILES; PAPER
    • D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D06B—TREATING TEXTILE MATERIALS USING LIQUIDS, GASES OR VAPOURS
    • D06B2700/00—Treating of textile materials, e.g. bleaching, dyeing, mercerising, impregnating, washing; Fulling of fabrics
    • D06B2700/25—Sizing, starching or impregnating warp yarns; Making glazed yarn; Drying sized warp yarns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S62/00—Refrigeration
    • Y10S62/20—Materials used to prevent corrosion in refrigeration system
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12681—Ga-, In-, Tl- or Group VA metal-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12708—Sn-base component

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biotechnology (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Treatment Of Fiber Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Adjustable Resistors (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichterplatten durch Aufpressen von pulverförmigem Selen unter Druck- und Wärmeeinwirkung auf eine metallische Grundplatte.
Selentrockengleichrichterplatten bestehen bekanntlich aus einer metallischen Grundplatte, auf welcher sich eine Selenschicht befindet. Auf diese Selenschicht wird eine weitere Metallschicht entweder in Form einer dünnen aufgespritzten oder aufgedampften Metallschicht oder einer Metallplatte aufgebracht. Diese sogenannte Deckelektrode dient neben der Grundplatte als Elektrode des Gleichrichters. Es ist weiter bekannt, daß sich zwischen einer der Elektroden, vornehmlich der Deckelektrode, und der Selenschicht 1S eine sogenannte Sperrschicht ausbildet, die wesentlich für die gleichrichtenden Eigenschaften des Trockengleichrichters ist. Bei den bisher bekannten Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichterplatten bildet sich diese Sperrschicht, je nach dem zur Herstellung angewandten Verfahren, mehr oder weniger gut aus. Zur Verstärkung bzw. Ergänzung dieser sich bildenden Sperrschicht hat man auch schon weitere isolierende Schichten als künstliche Sperrschicht zwischen Selen und Deckelektrode angebracht.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichterplatten, bei dem eine besonders gut ausgeprägte, natürliche Sperrschicht erhalten wird.
Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, daß sich die natürliche Sperrschicht hauptsächlich durch chemische Reaktion der Selenschicht bzw. der darin enthaltenen Zusatzstoffe mit dem Metall bzw. den Zusatzstoffen der Deckelektrode bildet. Wenn die Deckelektrode in Form einer dünnen Metallfolie aufgepreßt oder in Form eines leicht schmelzbaren Metalls oder einer Legierung durch Aufspritzen aufgebracht wird, so befindet sich diese Deckelektrode nicht überall in innigem Kontakt mit der darunter befindlichen Selenschicht. Dies ist beispielsweise dadurch bedingt, daß die Oberfläche der Selenschicht vor und bei dem Aufbringen der Deckelektrode nie vollkommen eben ist und die aufgepreßte bzw. aufgespritzte Metallschicht ebenfalls an der die Selenoberfläche berührenden Oberfläche rauh bzw. uneben ist. Dadurch wird die Selenoberfläche von der Deckelektrode nur in statistisch verteilten Kontaktpunkten berührt. Demgemäß bildet sich nur dort eine gute Sperrschicht bzw. Reaktionsschicht zwischen Selen und Deckelelektrode aus, wo sich die beiden Schichten innig berühren. Man kann dies bei den bekannten Selentrockengleichrichterplatten dadurch nachweisen, daß man die Deckelelektrode von der Selenschicht abzieht. Es zeigt sich, daß die darunter befindliche Selenoberfläche ein fleckiges Verfahren zur Herstellung
von Selengleidirichterplatten
Anmelder:
Standard Elektrik Aktiengesellschaft,
Stuttgart-Zuffenhausen,
Hellmuth-Hirth-Str. 42
Dr. rer. nat. Hermann Strosche, Nürnberg,
ist als Erfinder genannt worden
Aussehen hat, was von der unterschiedlichen Dicke und Ausbildung der Reaktionsschicht herrührt.
Weiter geht die Erfindung von der Erkenntnis aus, daß sich bereits beim Auspressen des Selens zu einer Selenschicht, wie dies beim sogenannten Preßverfahren stattfindet, eine dünne Oberflächenschicht auf dem Selen bildet, die der Bildung einer Reaktionsschicht zwischen Selen und Deckelektrode hinderlich ist.
Es wird daher ein Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichterplatten vorgeschlagen, bei dem die obengenannten Mängel vermieden und Gleichrichterplatten erhalten werden, die einen besonders geringen Widerstand in Durchgangsrichtung aufweisen.
Das Verfahren gemäß der Erfindung zur Herstellung von Selentrockengleichrichterplatten ist dadurch gekennzeichnet, daß auf eine Grundplatte aus Metall Selenpulver aufgestreut wird und auf dieses Selenpulver, welches amorph ist, eine dünne poröse Metallfolie, welche die Deckelektrode bildet, aufgelegt wird. Die poröse Folie ist, gemäß der Erfindung, auf der Seite, die auf das Selen zu liegen kommt, mit Stoffen überzogen, die eine Erhöhung der Sperrspannung und/oder eine Erniedrigung der Schleusenspannung bewirken. Das Ganze wird danach nach dem üblichen Preßverfahren weiterbearbeitet, d. h., die Grundplatte mit Selenpulver und poröser Metallfolie wird einer Wärmebehandlung bei ungefähr 130° C und gleichzeitig einem Druck von ISO bis 250 kg/cm2 unterworfen. Bei diesem Verfahrensschritt wird die Deckelektrode auf die sich bildende Selenschicht gepreßt, und zwar derart, daß die dünne poröse Metallfolie in die Oberfläche der Selenschicht eingepreßt wird. Da das Selen bei diesem Verfahren plastisch wird, entsteht ein inniger Kontakt zwischen der Selenschicht und der aufgelegten porösen Deckelektrode.
709 696,790 a
Durch das gleichzeitige 'Anpressen des amorphen Selens und Aufpressen der Deckelektrode wird aber jede unerwünschte Schichtenbildung auf der Selenoberfläche vor Aufbringen der Deckelektrode vermieden. Es ist wichtig, daß die Deckelektrode Poren enthält, damit insbesondere bei den anschließenden Verfährensschritten frei werdende Gase entweichen können. . · . ■ ■
Es ist zwar an sich.bekannt, bei Trockengleichrich-
Die eingepreßte Deckelektrode kann mit einer weiteren Selenschicht versehen werden, die an ihrer Oberseite mit einer Grundelektrode bedeckt wird. Auf diese Weise kann man Dreielektrodenanordnungen erhalten, d. h. steuerbare Selengleichrichter, bei welchen die zwischen den beiden Selenschichten befindliche Metallfolie die Steuerelektrode bildet.
Zur näheren Erläuterung des Erfindungsgedankens wird nachfolgend ein Beispiel für die Ausführung des
tern poröse Deckelektroden zu verwenden. Bei den be- 10 erfindungsgemäßen Verfahrens beschrieben.
kannten Verfahren wurden jedoch keine porösen -Folien auf das Selen aufgepreßt. Auch hat man die Poren mit Lack ausgefüllt. Zur Herstellung von Selengleichrichtern ist auch ein Verfahren bekannt-
Auf eine Grundelektrode, die aus einer aufgerauhten und mit einer Nickelschicht überzogenen Eisenplatte besteht, wird Selenpulver, das entsprechende Zusätze an Halogen oder Halogenverbindungen, beispiels
geworden, bei dem pulverförmiges Selen auf eine 15 weise Jod, enthält, aufgesiebt. Auf das Selenpulver Grundplatte aufgebracht, mit pulverförmigem Deck- wird eine dünne poröse Metallfolie, beispielsweise aus elektrodenmaterial überschichtet und beide Pulverschichten gemeinsam durch Pressen verdichtet werden.
Es war jedoch bisher nicht bekannt, daß beim Auf
einer Legierung von Zinn und Cadmium mit einem Schmelzpunkt von 178° C aufgelegt, die auf einer Seite mit einer dünnen Schicht von Thallium überpressen einer porösen Deckelektrodenfolie auf amor- ao zogen ist. Das ganze Gebilde wird nun in eine Presse phes, pulverförmiges Selen eine besonders gute Aus- geschoben, deren Stempel geheizt werden können, bildung der Reaktionsschicht zwischen Selen und In der Presse wird ein Druck von beispielsweise Deckelektrode erzielt wird. Wenn als Deckelektrode 250 Atmosphären ausgeübt und die Stempel der Presse eine nicht poröse Folie verwendet wird, was an sich auf 130° C geheizt. Nach einigen Minuten wird die bekannt ist, treten die genannten Vorteile auch nicht 25 gepreßte Gleichrichterplatte der Presse entnommen ein. Außerdem wird bei der Erfindung durch die und in einem Durchlaufofen bei ungefähr 210° C eine gleichzeitige Anwendung von Stoffen zur Erhöhung weitere Formierbehandlung ohne Druck vorgenomder Sperrspannung und/oder Erniedrigung der men. Nach dem Abkühlen wird die Gleichrichterplatte Schleusenspannung eine weitere Verbesserung erzielt. der üblichen elektrischen Formierung unterworfen, Für die dünne poröse Deckelektrode kann ein 30 indem an die Gleichrichterplatte in Sperrichtung eine Metall oder eine Legierung der bisher bekannten und Spannung angelegt wird, die im Verlauf des Formierüblichen Deckelektrodenmetalle, insbesondere Wismut, Verfahrens gesteigert wird.
Cadmium, Zinn und Blei, verwendet werden. Das ver- Die dünne poröse Deckelektrode kann auf verschie-
wendete Metall bzw. die Legierung darf jedoch keinen dene Weise erhalten werden. Beispielsweise wird das Schmelzpunkt haben, der unterhalb der Temperatur 35 Deckelektrodenmetall durch Aufspritzen, Aufdampfen für die erste Wärmebehandlung liegt, d. h. also, der oder auf eine andere Weise auf eine inerte Unterlage Schmelzpunkt des Deckelektrodenmetalls muß über aufgebracht und nach Abkühlung von derselben ab-130° C liegen. gezogen.
Nach dieser ersten Verfahrensstufe wird die so Besonders vorteilhaft hat sich das Aufspritzen des
erhaltene Gleichrichterplatte einer zweiten Wärme- 4° Deckelektrodenmetalls auf Glasplatten erwiesen, da
hierbei die Porosität der entstehenden Metallschicht in der Durchsicht leicht kontrolliert werden kann und sich die Metallschicht von der Glasplatte leicht ablösen läßt. Es können aber auch andere Verfahren zur Herstellung dünner poröser Folien verwendet werden, um geeignete Deckelektroden für das erfindungsgemäße Verfahren zu erhalten.
Die beschriebenen Ausführungsformen des Erfindungsgedankens sollen jedoch nur Beispiele darstellen
behandlung, wie üblich, bei Temperaturen etwa zwischen 200° C und dem Schmelzpunkt des Selens unterworfen. Hierbei kommt die dünne Deckelektrodenmetallschicht zum Schmelzen, und die Reaktion mit der Selenschicht ist vollkommen.
Die erhaltene Selengleichrichterplatte wird weiter der üblichen Behandlung, z. B. einem elektrischen Formiervorgang, unterworfen. Nach Fertigstellung kann die Deckelektrode durch Aufbringen von weiteren
Metallschichten verstärkt werden. Die nach dem er- 5° und keine Begrenzung der Erfindung bedeuten,
fmdungsgemäßen Verfahren erhaltenen Gleichrichterplatten weisen besonders niedrige Widerstände in
Durchgangsrichtung auf. Gleichzeitig wird eine Vereinfachung der Herstellung erreicht, da der ganze
Schichtenaufbau des Gleichrichters in einem einzigen 55
Verfahrensschritt erhalten, wird.
Es ist ein besonderer Vorteil des Verfahrens gemäß der Erfindung, daß die Einwirkung von geeigneten Stoffen zur Erzeugung einer hohen Sperrspannung und/oder einer niedrigen Schleusenspannung ohne Störung der Selenoberfläche dadurch vorgenommen wird, daß die als Deckelektrode zu verwendende dünne-Metallfolie mit.entsprechenden Stoffen an der Oberfläche versehen wird, mit der sie auf das Selen zu liegen kommt. Beispielsweise kann die Oberfläche der Deckelektrode mit einer dünnen isolierenden Schicht versehen werden, oder es können Wismut-, Thallium-, Alkalisalze oder andere Stoffe auf der Folie niedergeschlagen werden und beim Pressen zur Einwirkung auf die Grenzschicht des Selens gelangen.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichterplatten durch Aufpressen von pulverförmigem Selen unter Druck- und Wärmeeinwirkung auf eine metallische Grundplatte, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Druck- und Wärmeeinwirkung eine als Deckelektrode dienende poröse Metallfolie, die auf der dem Selen zugewandten Seite mit einer Schicht von Stoffen zur Erhöhung der Sperrspannung und/oder zur Erniedrigung der Schleusenspannung überzogen ist, auf das amorphe Selenpulver aufgelegt und während der Behandlung in die Selenschicht eingepreßt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die dünne poröse Metallfolie ein Metall oder eine Legierung der Metalle Wismut, Cadmium, Zinn und Blei mit einem Schmelzpunkt über 130° C verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichrichterplatte nach dem Aufpressen der porösen Deckelektrode einer zweiten Wärmebehandlung in an sich bekannter Weise bei Temperaturen über 200° C unterworfen wird.
4. Verfahren zur Herstellung einer porösen Metallfolie zur Verwendung als Deckelektrode bei der Herstellung von Selentrockengleichrichterplatten nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekenn- zeichnet, daß das Metall bzw. die Legierung mittels einer Spritzpistole unter Druck auf eine ebene inerte Fläche, insbesondere auf eine Glasplatte aufgespritzt wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 600 410, 665 416;
deutsche Patentanmeldungen ρ 50556 VIIIc/21g, L1503VIIIc/21g;
schweizerische Patentschrift Nr. 247 861;
Joos, O., »Physik der festen Körper«, Dtsche FIAT-Ausgabe, Bd. 9, Tl. II, Wiesbaden, 1948, S. 108.
© 709 695/29Oa 9.57
DES34699A 1939-01-22 1953-08-06 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten Pending DE1015542B (de)

Priority Applications (36)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE509989D BE509989A (de) 1939-01-22
BE545512D BE545512A (de) 1939-01-22
NL93669D NL93669C (de) 1939-01-22
BE534381D BE534381A (de) 1939-01-22
NL204119D NL204119A (de) 1939-01-22
BE511647D BE511647A (de) 1939-01-22
DE1939V0035594 DE696361C (de) 1939-01-22 1939-01-22 Vorrichtung zum OElen und Avivieren von laufenden Textilfaeden
GB8561/39A GB526482A (en) 1939-01-22 1939-03-17 Improvements in or relating to selenium rectifiers
US320380A US2314104A (en) 1939-01-22 1940-02-23 Selenium rectifier
FR864102D FR864102A (fr) 1939-01-22 1940-03-15 Redresseurs au sélénium et analogues
DEI3369D DE974772C (de) 1939-01-22 1940-03-17 Selengleichrichter, bei dem eine Druckbeanspruchung der Sperrschicht vermieden ist
CH224048D CH224048A (fr) 1939-01-22 1940-03-20 Redresseur métallique.
DES23645A DE892193C (de) 1939-01-22 1951-06-22 Selengleichrichter
CH311961D CH311961A (de) 1939-01-22 1952-03-12 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern.
FR1052480D FR1052480A (fr) 1939-01-22 1952-03-15 Méthode de fabrication de redresseurs au sélénium
US289351A US2736672A (en) 1939-01-22 1952-05-22 Selenium rectifier of increased blocking properties
FR62920D FR62920E (fr) 1939-01-22 1952-05-23 Méthode de fabrication de redresseurs au sélénium
FR64214D FR64214E (fr) 1939-01-22 1952-06-20 Méthode de fabrication de redresseurs au sélénium
FR63144D FR63144E (fr) 1939-01-22 1952-06-20 Méthode de fabrication de redresseurs au sélénium
FR65909D FR65909E (de) 1939-01-22 1953-02-19
DES34699A DE1015542B (de) 1939-01-22 1953-08-06 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten
US411539A US2867550A (en) 1939-01-22 1954-02-19 Method of making selenium rectifiers and article produced thereby
FR66041D FR66041E (fr) 1939-01-22 1954-02-24 Méthode de fabrication de redresseurs au sélénium
CH326740D CH326740A (de) 1939-01-22 1954-02-27 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
FR66229D FR66229E (fr) 1939-01-22 1954-04-02 Méthode de fabrication de redresseurs au sélénium
GB22299/54A GB752751A (en) 1939-01-22 1954-07-30 Method of producing selenium rectifier plates
FR66772D FR66772E (fr) 1939-01-22 1954-08-03 Méthode de fabrication de redresseurs au sélénium
CH324876D CH324876A (de) 1939-01-22 1954-08-03 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten
DEST9480A DE1056746B (de) 1939-01-22 1955-02-24 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
CH343031D CH343031A (de) 1939-01-22 1955-11-17 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
US558423A US2908592A (en) 1939-01-22 1956-01-11 Method of producing a selenium rectifier
GB5000/56A GB796896A (en) 1939-01-22 1956-02-17 Method of producing selenium rectifiers
FR69423D FR69423E (fr) 1939-01-22 1956-02-22 Méthode de fabrication de redresseurs au sélénium
FR69807D FR69807E (fr) 1939-01-22 1956-05-11 Méthode de fabrication de redresseurs au sélénium
GB14705/56A GB806661A (en) 1939-01-22 1956-05-11 Improvements in or relating to selenium rectifiers
US693867A US2934683A (en) 1939-01-22 1957-11-01 Pressure resistant insulators for selenium rectifiers

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1939V0035594 DE696361C (de) 1939-01-22 1939-01-22 Vorrichtung zum OElen und Avivieren von laufenden Textilfaeden
GB224048X 1939-03-17
DE2736672X 1951-05-25
DES23645A DE892193C (de) 1939-01-22 1951-06-22 Selengleichrichter
DE2867550X 1953-02-27
DES34699A DE1015542B (de) 1939-01-22 1953-08-06 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten
DEST9480A DE1056746B (de) 1939-01-22 1955-02-24 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1015542B true DE1015542B (de) 1957-09-12

Family

ID=32330213

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1939V0035594 Expired DE696361C (de) 1939-01-22 1939-01-22 Vorrichtung zum OElen und Avivieren von laufenden Textilfaeden
DEI3369D Expired DE974772C (de) 1939-01-22 1940-03-17 Selengleichrichter, bei dem eine Druckbeanspruchung der Sperrschicht vermieden ist
DES23645A Expired DE892193C (de) 1939-01-22 1951-06-22 Selengleichrichter
DES34699A Pending DE1015542B (de) 1939-01-22 1953-08-06 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten
DEST9480A Pending DE1056746B (de) 1939-01-22 1955-02-24 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1939V0035594 Expired DE696361C (de) 1939-01-22 1939-01-22 Vorrichtung zum OElen und Avivieren von laufenden Textilfaeden
DEI3369D Expired DE974772C (de) 1939-01-22 1940-03-17 Selengleichrichter, bei dem eine Druckbeanspruchung der Sperrschicht vermieden ist
DES23645A Expired DE892193C (de) 1939-01-22 1951-06-22 Selengleichrichter

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEST9480A Pending DE1056746B (de) 1939-01-22 1955-02-24 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

Country Status (7)

Country Link
US (4) US2314104A (de)
BE (4) BE545512A (de)
CH (5) CH224048A (de)
DE (5) DE696361C (de)
FR (7) FR864102A (de)
GB (4) GB526482A (de)
NL (2) NL93669C (de)

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE976574C (de) * 1939-10-17 1963-11-21 Standard Elek K Lorenz Ag Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterplatten
US2449420A (en) * 1942-03-28 1948-09-14 Hartford Nat Bank & Trust Co Electrode system
DE966415C (de) * 1943-06-19 1957-08-01 Siemens Ag Selengleichrichter in Saeulenform
US2444430A (en) * 1943-07-13 1948-07-06 Fed Telephone & Radio Corp Metal rectifier element
US2419602A (en) * 1943-08-14 1947-04-29 Standard Telephones Cables Ltd Rectifier and method of making the same
BE475135A (de) * 1943-10-26 1900-01-01
GB570722A (en) * 1944-01-15 1945-07-19 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to metal rectifiers of the selenium type
US2493643A (en) * 1944-01-15 1950-01-03 Int Standard Electric Corp Metal rectifier of the selenium type
US2444255A (en) * 1944-11-10 1948-06-29 Gen Electric Fabrication of rectifier cells
US2517602A (en) * 1945-01-17 1950-08-08 Int Standard Electric Corp Metal contact rectifier and photoelectric cell
US2454846A (en) * 1945-03-22 1948-11-30 Standard Telephones Cables Ltd Rectifier stack
NL132958C (de) * 1945-04-07 1900-01-01
US2482817A (en) * 1945-05-17 1949-09-27 Standard Telephones Cables Ltd Rectifier
US2539894A (en) * 1947-07-18 1951-01-30 Union Switch & Signal Co Dry surface contact rectifier assembly
US2647226A (en) * 1947-09-20 1953-07-28 Asea Ab Dry rectifier valve plate
DE975319C (de) * 1947-09-20 1961-11-09 Asea Ab Trockengleichrichterplatte
US2680220A (en) * 1950-06-09 1954-06-01 Int Standard Electric Corp Crystal diode and triode
US2752542A (en) * 1950-09-23 1956-06-26 Siemens Ag Dry-plate rectifier
DE972120C (de) * 1950-09-24 1959-05-27 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters der Freiflaechenbauart
DE972128C (de) * 1951-06-29 1959-05-27 Siemens Ag Anordnung zur Stromabnahme bei Trockengleichrichtern
NL94441C (de) * 1951-09-15
US2716207A (en) * 1951-10-06 1955-08-23 Fansteel Metallurgical Corp Electrical apparatus
DE1046192B (de) * 1952-07-29 1958-12-11 Licentia Gmbh Trockengleichrichterplatte
DE976249C (de) * 1952-08-18 1963-06-12 Licentia Gmbh Verfahren zum Aufkleben einer Abnahmeelektrode
DE1008415B (de) * 1952-11-17 1957-05-16 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterscheiben, insbesondere fuer Selengleichrichter
US2933661A (en) * 1953-08-05 1960-04-19 Fansteel Metallurgical Corp Rectifier and method of making same
US2853656A (en) * 1953-08-07 1958-09-23 Burroughs Corp Printed circuit panel assembly
US2981872A (en) * 1953-08-20 1961-04-25 Fansteel Metallurgical Corp Selenium rectifier
US2788474A (en) * 1953-09-10 1957-04-09 Westinghouse Electric Corp Rectifier assembly
US2817797A (en) * 1953-11-23 1957-12-24 United Carr Fastener Corp Rectifier
DE1121734B (de) * 1953-12-11 1962-01-11 Siemens Ag Trockengleichrichterelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE975284C (de) * 1954-02-19 1961-11-02 Licentia Gmbh Selengleichrichter mit einem auf der Selenschicht oder auf der Traegerelektrode aufgebrachten ringfoermigen Isolierstueck
DE977210C (de) * 1955-03-29 1965-06-10 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern mit einer bei Erwaermung Gas abgebenden Isolierschicht an den auf Druck beanspruchten Stellen
DE1116828B (de) * 1955-09-15 1961-11-09 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichters, insbesondere Selengleichrichters, bei welchem an den druckbeanspruchten Stellen eine isolierende Schicht ueber dem Selen angeordnet ist
US2858239A (en) * 1956-03-13 1958-10-28 Siemens Ag Method for producing selenium rectifiers
US3077386A (en) * 1958-01-02 1963-02-12 Xerox Corp Process for treating selenium
US3077421A (en) * 1961-03-13 1963-02-12 Gen Am Transport Processes of producing tin-nickelphosphorus coatings
GB937151A (en) * 1961-03-14 1963-09-18 Westinghouse Brake & Signal Method of manufacturing selenium rectifiers and rectifiers manufactured thereby
DE1141386B (de) * 1961-04-26 1962-12-20 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
US3077285A (en) * 1961-09-15 1963-02-12 Gen Am Transport Tin-nickel-phosphorus alloy coatings
DE1208822B (de) * 1961-10-31 1966-01-13 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtertabletten mit einer im Verhaeltnis zu ihrer Gesamtflaeche kleinen aktiven Flaeche
DE1209210B (de) * 1961-10-31 1966-01-20 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichter-tabletten mit einer im Verhaeltnis zu ihrer Gesamtflaeche kleinen aktiven Flaeche
NL287468A (de) * 1962-01-29
DE1185727B (de) * 1962-03-15 1965-01-21 Licentia Gmbh Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
US3238426A (en) * 1962-06-08 1966-03-01 Gen Instrument Corp Casing for series connected rectifier assembly
DE1176282B (de) * 1962-07-23 1964-08-20 Ckd Modrany Narodni Podnik Selengleichrichter
US3361591A (en) * 1964-04-15 1968-01-02 Hughes Aircraft Co Production of thin films of cadmium sulfide, cadmium telluride or cadmium selenide
DE1279856B (de) * 1965-07-13 1968-10-10 Licentia Gmbh Verfahren zur Herstellung von Selengleichriehtern mit kleiner effektiver Gleichrichterflaeche
US3437479A (en) * 1967-04-07 1969-04-08 Mitsubishi Electric Corp Contact materials for vacuum switches
US3622712A (en) * 1969-08-29 1971-11-23 Rca Corp Device employing selenium-semiconductor heterojunction
US4518469A (en) * 1984-08-31 1985-05-21 At&T Technologies, Inc. Method of making non-precious metal electrical contacts by electroplating
US4566953A (en) * 1984-12-24 1986-01-28 At&T Technologies, Inc. Pulse plating of nickel-antimony films
US5501154A (en) * 1993-07-06 1996-03-26 Teledyne Industries, Inc. Substantially lead-free tin alloy sheath material for explosive-pyrotechnic linear products
US5333550A (en) * 1993-07-06 1994-08-02 Teledyne Mccormick Selph Tin alloy sheath material for explosive-pyrotechnic linear products
US20040055495A1 (en) * 2002-04-23 2004-03-25 Hannagan Harold W. Tin alloy sheathed explosive device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE600410C (de) * 1930-12-02 1934-07-26 Siemens & Halske Akt Ges Kontaktgleichrichterelement
DE665416C (de) * 1930-08-13 1938-09-24 Erwin Falkenthal Verfahren zur Herstellung einer Photozelle, die bei Belichtung selbst eine Spannung erzeugt
CH247861A (de) * 1943-05-01 1947-03-31 Standard Telephon & Radio Ag Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterscheiben und nach diesem Verfahren hergestellte Gleichrichterscheibe.

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL30044C (de) *
US1869017A (en) * 1928-05-04 1932-07-26 Union Switch & Signal Co Electrical rectifier
DE561548C (de) * 1929-11-10 1932-10-15 Siemens Schuckertwerke Akt Ges Plattenfoermiges Trockengleichrichter-Element
GB440369A (en) * 1934-06-29 1935-12-30 Gen Electric Co Ltd Improvements in dry plate rectifiers
NL45637C (de) * 1935-06-07 1900-01-01
NL49864C (de) * 1935-06-22
DE658362C (de) * 1935-12-24 1938-04-01 Ernst Presser Lichtelektrische Zelle mit Halbleiterschicht
DE655648C (de) * 1936-04-09 1938-01-20 Ernst Presser Verfahren zur Herstellung von lichtempfindlichen Zellen der Schichtenbauart
AT153134B (de) * 1936-06-13 1938-04-11 Aeg Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern.
AT155712B (de) * 1936-06-20 1939-03-10 Aeg Verfahren zur Herstellung von Halbleiterüberzügen.
NL96218C (de) * 1939-01-11
NL62048C (de) * 1939-10-13
US2412692A (en) * 1941-06-25 1946-12-17 B L Electric Mfg Company Method of forming selenium coated base plates
GB556152A (en) * 1942-03-17 1943-09-22 Westinghouse Brake & Signal Improvements relating to alternating electric current rectifiers of the selenium type
US2334554A (en) * 1942-06-22 1943-11-16 Gen Electric Method of producing blocking layer devices
US2356094A (en) * 1943-02-11 1944-08-15 Fed Telephone & Radio Corp Method of treating selenium elements
BE463668A (de) * 1943-03-15 1900-01-01
BE463819A (de) * 1943-05-01
GB565323A (en) * 1943-11-22 1944-11-06 Otto Kurt Kolb Improvements relating to alternating electric current rectifiers of the selenium type
BE464435A (de) * 1944-03-02
GB577585A (en) * 1944-03-02 1946-05-23 Westinghouse Brake & Signal Improvements relating to alternating electric current rectifiers of the selenium type
US2453763A (en) * 1945-07-07 1948-11-16 Ruben Samuel Selenium rectifier and process for making same
US2554237A (en) * 1945-10-29 1951-05-22 Westinghouse Electric Corp Rectifier
FR949640A (fr) * 1946-04-19 1949-09-05 Int Standard Electric Corp Redresseurs de courant au sélénium et leurs procédés de fabrication
FR961847A (de) * 1946-12-26 1950-05-23
BE485774A (de) * 1947-11-29 1900-01-01
DE926987C (de) * 1952-06-10 1955-04-28 Falkenthal Verfahren zur Herstellung von duennen, zusammenhaengenden, homogenen, hexagonalen Selenschichten auf glatter, lichtdurch-laessiger Unterlage, z. B. auf Glas oder Quarzglas

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE665416C (de) * 1930-08-13 1938-09-24 Erwin Falkenthal Verfahren zur Herstellung einer Photozelle, die bei Belichtung selbst eine Spannung erzeugt
DE600410C (de) * 1930-12-02 1934-07-26 Siemens & Halske Akt Ges Kontaktgleichrichterelement
CH247861A (de) * 1943-05-01 1947-03-31 Standard Telephon & Radio Ag Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterscheiben und nach diesem Verfahren hergestellte Gleichrichterscheibe.

Also Published As

Publication number Publication date
GB752751A (en) 1956-07-11
FR62920E (fr) 1955-06-30
DE1056746B (de) 1959-05-06
FR63144E (fr) 1955-08-24
NL93669C (de)
FR69423E (fr) 1958-11-06
FR66772E (fr) 1957-08-19
US2867550A (en) 1959-01-06
NL204119A (de)
GB796896A (en) 1958-06-18
BE509989A (de)
US2908592A (en) 1959-10-13
DE696361C (de) 1940-09-19
BE534381A (de)
CH224048A (fr) 1942-10-31
DE892193C (de) 1953-10-05
BE545512A (de)
CH326740A (de) 1957-12-31
GB806661A (en) 1958-12-31
CH324876A (de) 1957-10-15
US2314104A (en) 1943-03-16
CH311961A (de) 1955-12-15
BE511647A (de)
FR864102A (fr) 1941-04-19
FR66041E (fr) 1956-04-24
DE974772C (de) 1961-04-20
CH343031A (de) 1959-12-15
US2736672A (en) 1956-02-28
GB526482A (en) 1940-09-19
FR69807E (fr) 1958-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1015542B (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten
DE2334164A1 (de) Sonnenbatterieelement und verfahren zu seiner herstellung
DE971697C (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE968966C (de) Trockengleichrichter, insbesondere Selengleichrichter, und Verfahren zu seiner Herstellung
DE908043C (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern, vorzugsweise solcher mit Leichtmetall-Traegerelektroden
DE932812C (de) Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern, insbesondere Selengleichrichtern
AT150558B (de) Trockengleichrichter.
DE2256739A1 (de) Verfahren zur herstellung eines elektrolytkondensators
DE1060053B (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einem mehrschichtigen Halbleiter mit verschiedenem Gehalt an Halogen und elektropositiven Zusaetzen in den einzelnen Schichten
DE2052855C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE739904C (de) Verfahren zur Herstellung der Sperrschicht eines Selengleichrichters
DE501228C (de) Verfahren zur Herstellung von Gleichrichterelementen zu Trockengleichrichtern mit Selenschicht
DE862198C (de) Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichters
DE1101625B (de) Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern
DE911049C (de) Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichters
DE826175C (de) Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern, insbesondere Selengleichrichtern
DE875968C (de) Elektrisch unsymmetrisch leitendes System
DE895809C (de) Hochbelastbare Anode fuer elektrische Entladungsgefaesse
DE565502C (de) Verfahren zur Herstellung von unipolaren Leitern
EP0160290A2 (de) Kontaktwerkstoff
DE708895C (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrolytischen Kondensators, bei dem mindestens eine Elektrode ganz oder zum wesentlichen Teil aus gefrittetem oder gesintertem Material besteht, und nach diesem Verfahren hergestellter elektrolytischer Kondensator
AT246295B (de) Trockenelektrolytkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
DE890102C (de) Zuendeinrichtung fuer elektrische Entladungsgefaesse
AT138317B (de) Verfahren zur Herstellung von Vorderelektroden an Sperrschicht-Photozellen.
DE1097573B (de) Selenhalbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung