DE1185727B - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

Info

Publication number
DE1185727B
DE1185727B DEL41479A DEL0041479A DE1185727B DE 1185727 B DE1185727 B DE 1185727B DE L41479 A DEL41479 A DE L41479A DE L0041479 A DEL0041479 A DE L0041479A DE 1185727 B DE1185727 B DE 1185727B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
nickel
selenium
carrier electrode
selenide
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEL41479A
Other languages
English (en)
Inventor
Wolfgang Bruckhoff
Dr Phil Nat Josef Muschaweck
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DEL41479A priority Critical patent/DE1185727B/de
Publication of DE1185727B publication Critical patent/DE1185727B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/12—Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02485—Other chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02491—Conductive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02614—Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02658—Pretreatments

Description

  • Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern Die Erfindung beschreibt ein Verfahren, mit dessen Hilfe auf der aus Eisen oder Aluminium bestehenden Trägerelektrode auf chemischem Wege eine Nickelselenidschicht aufgebracht wird.
  • Eine auf die Trägerelektrode aufgebrachte Selenidschicht bringt nicht nur den Vorteil einer guten Haftung der im weiteren Gleichrichteraufbau aufzubringenden Selenschicht mit sich, sondern bewirkt auch einen besonders guten Stromübergang in der Flußrichtung.
  • Diese Erzeugung einer Selenidschicht auf der metallischen Trägerelektrode wird - in bekannter Weise beispielsweise dadurch erzielt, daß eine geringe Menge Selen in Staubform in einer Lösung oder im Vakuum durch Aufdampfen auf die als Trägerelektrode dienende Aluminium- oder Eisenplatte aufgebracht und zur Selenidbildung auf etwa 300° C erhitzt wird.
  • Ferner läßt sich in bekannter Weise eine Selenidschicht durch Aufdampfen eines bereits gebildeten Selenids im Vakuum auf die Trägerelektrode erhalten. Bekannt ist auch das Verfahren zur Selenidschichtbildung, bei dem die vernickelte Aluminium-bzw. Eisenträgerelektrode mit einer säurehaltigen Selenverbindung, beispielsweise selenige Säure, in Berührung gebracht und auf diese Weise das Selen niedergeschlagen wird. Bei einer nachfolgenden Temperaturbehandlung bildet sich dann das Selenid. Eine weitere Möglichkeit zur Selenidbildung besteht darin, daß auf die vernickelte Trägerelektrode Diselenidbromid aufgetragen und so Nickelselenid gebildet wird.
  • Diese aufgeführten bekannten Verfahren zeigen alle den Nachteil, daß sie, bedingt durch die Temperprozesse, sehr zeitraubend und großteils im Vakuum und damit umständlich auszuführen sind.
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einer Nickelselenidschicht zwischen der metallischen Trägerelektrode und der Selenschicht und besteht darin, daß eine ammonzyankalische Lösung von Nickel und Selen auf die metallische Trägerelektrode gespritzt oder durch Tauchen aufgebracht wird.
  • Die aus Eisen oder Aluminium bestehende Trägerelektrode wird nach einem Aufrauhen der Oberfläche gründlich gereinigt und dann mit einer nickel- oder selenhaltigen Lösung bespritzt. Die Trägerelektrode ist bei diesem Prozeß gut vorgewärmt. Die auf die heiße Trägerplatte aufgespritzte Nickelverbindung wird so weit zersetzt und verdampft, daß nur Nickelselenid auf der Platte festhaftend zurückbleibt.
  • Mit diesem Verfahren kann die Nickelselenid-Bildung auf der Trägerelektrode kontinuierlich am laufenden Band durchgeführt werden. Außerdem wird mit dem vorliegenden Verfahren die galvanische Vernickelung gesperrt und die anschließende Selenbedampfung bzw. Selenidschichtbildung durch Temperaturbehandlung ebenfalls vereinfacht.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren bietet gegenüber bekannten Verfahren nicht nur bereits erwähnte Vorteile, sondern ermöglicht auch eine einwandfreie Reproduzierbarkeit der Schichtdicke und gewährleistet eine gute Kontrolle und Wiedereinstellbarkeit der stöchiometrischen Zusammensetzung der Verbindung. Für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens eignet sich eine Mischung von lmolar Nickelzyanid (Ni(CN)2) und 1,15molar Selen in 12molar Ammoniaklösung (NHs+H20). In diese Mischung wird Blausäure (HCN) eingeleitet, wodurch die Chemikalien gelöst und spritzfertig werden.
  • An Stelle von lmolarem Nickelzyanid (Ni(CN)2) kann auch lmolares Nickelkarbonat (NC03) oder Nickeloxyd (Ni0) oder Nickel-Hydroxyd (Ni(OH)2) zusammen mit 1,15 Mol Selen in 12molar Arnmoniaklösung (NH3 + H20) genommen werden.
  • Eine weitere erfindungsgemäße Möglichkeit besteht darin, lmolares NiSe mit einem Überschuß von Selen in 12molarem Ammoniak (NH3) zu mischen und durch Einheiten von Blausäure (HCN) spritzfertig zu machen.

Claims (6)

  1. Patentansprüche: 1. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einer Nickelselenidschicht zwischen der metallischen Trägerelektrode und der Selenschicht, dadurch gekennzeichnet, daß eine ammonzyankalische Lösung von Nickel und Selen auf die metallische Trägerelektrode gespritzt oder durch Tauchen aufgebracht wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ammonzyankalische Lösung von Nickel und Selen einen Ammoniakgehalt und einen Zyankaligehalt von. jeweils 1 bis 12 Mol/1 sowie einen Nickelgehalt von jeweils 0,2 bis 2 Mol/1 aufweist.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2; dadurch gekennzeichnet, daß eine Nickelverbindung, ',beispielsweise Nickelzyanid (Ni(CN)2), Nickelcarbonat (NiC03), Nickeloxyd (MO), Nickel-Hydroxyd (Ni(OH)2) zum Herstellen der ammonzyankalischen Lösung benutzt wird.
  4. 4. Verfahren-nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte des Träger= elektrodenmaterials beim Spritzvorgang aufgeheizt wird.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte des Trägerelektrodenmaterials nach dem Tauchvorgang aufgeheizt wird, In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 973 445; belgische Patentschrift Nr. 509 989; Gmelins Hdb. »Selen«, Teil A,
  6. 6. Auflage, 1953, S.445/446.
DEL41479A 1962-03-15 1962-03-15 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern Pending DE1185727B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL41479A DE1185727B (de) 1962-03-15 1962-03-15 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL41479A DE1185727B (de) 1962-03-15 1962-03-15 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1185727B true DE1185727B (de) 1965-01-21

Family

ID=7269466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEL41479A Pending DE1185727B (de) 1962-03-15 1962-03-15 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1185727B (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE509989A (de) * 1939-01-22
DE973445C (de) * 1941-07-12 1960-02-18 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von mit Selen bedeckten Platten aus Metall fuer Gleichrichter, Fotoelemente u. dgl.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE509989A (de) * 1939-01-22
DE973445C (de) * 1941-07-12 1960-02-18 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von mit Selen bedeckten Platten aus Metall fuer Gleichrichter, Fotoelemente u. dgl.

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2630151C2 (de)
DE889099C (de) Verfahren und Bad zum UEberziehen von Gegenstaenden aus Aluminium und Aluminiumlegierungen
CH647269A5 (de) Plattierungsloesung fuer die ablagerung einer palladium/nickel-legierung.
DE959242C (de) Bad zur galvanischen Abscheidung von Antimon oder Antimonlegierungen
DE1800049B2 (de) Verfahren zum galvanischen Abscheiden einer -Nickelschicht mit wildlederartiger Struktur zur Verbesserung der Haftfestigkeit von Nickel- oder Kupferfolien auf Kunstharzen, insbesondere Epoyyharzen
DE1185727B (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE2254857C3 (de) Verfahren zur Herstellung von abnutzungsfesten Nickeldispersionsüberzügen
DE1213921B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
EP0356756B1 (de) Verfahren zur Erzeugung schwarzer Überzüge auf Zink oder Zinklegierungen
DE2211439A1 (de) Goldbad
DE2412135B2 (de) Wässriges, alkalisches Beizmittel und Verfahren zum selektiven Abbeizen von Nickel-, Cadmium- und Zink-Überzugen
DE2149808C2 (de) Verfahren und Bad zur Vorbe handlung von Bandern und Blechen aus Stahl fur die Einschichtemailherung
DE2256739B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators
DE2600699C3 (de) Verfahren zur Herstellung von chromatisierten, galvanisch verzinkten Stahlblechen
DE939720C (de) Galvanisches Versilberungsbad
DE3143225A1 (de) "stabiles waessriges galvanisches bad zur schnellabscheidung von silberueberzuegen mit spiegelglanz"
DE2647023B2 (de) Überzugsmittel und Verfahren zum stromlosen Herstellen von Überzügen aus Platinmetallen oder deren Legierungen
DE1118887B (de) Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichtern
DE1904319B2 (de) Saures galvanisches zinkbad
DE913459C (de) Anstrichmittel
DE1904319C (de) Saures galvanisches Zinkbad
DE1446254C (de) Verfahren zur chemischen Vernickelung
DE1621292C (de) Verfahren zum Abscheiden von Nickel auf p-n-Grenzschichten aufweisenden Ober flächen von Halbleiterbauelementen
DE2054001B2 (de) Verfahren zum Einschichtemaillieren von Bändern und Blechen. Ausscheidung aus: 2016989
DE1621170A1 (de) Elektrolyt zur Abscheidung von Silber