DE1046192B - Trockengleichrichterplatte - Google Patents

Trockengleichrichterplatte

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Publication number
DE1046192B
DE1046192B DEL12994A DEL0012994A DE1046192B DE 1046192 B DE1046192 B DE 1046192B DE L12994 A DEL12994 A DE L12994A DE L0012994 A DEL0012994 A DE L0012994A DE 1046192 B DE1046192 B DE 1046192B
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DE
Germany
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electrode
rectifier plate
ring
dry rectifier
insulating material
Prior art date
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Pending
Application number
DEL12994A
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English (en)
Inventor
Heinrich Hesse
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
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Description

  • Trockengleichrichterplatte Es sind bereits mehrfach Anordnungen vorgeschlagen worden, die darauf abzielen, an den Stellen von Trockengleichrichterplatten beim Zusammenbau in Säulenform, die beispielsweise auf einem gemeinsamen Bolzen dem Anpreßdruck ausgesetzt sind, besonders günstige elektrische und mechanische Verhältnisse zu schaffen. Der hohe Anpreßdruck ist erforderlich, um den Übergangswiderstand zwischen den einzelnen Gleichrichterelementen möglichst klein zu halten, was insbesondere bei großflächigen Platten, die oft sehr hohe Stromstärken führen, von großer Bedeutung ist. Andererseits führt der hohe Anpreßdruck an den Stellen, wo er ausgeübt wird, häufig zu Beschädigungen der beim Gleichrichteraufbau verwendeten Materialien, bei deren Auswahl man durch ihre elektrischen Qualitäten gebunden ist, während Forderungen in mechanischer Hinsicht in den Hintergrund treten müssen. Besonders leicht treten diese Beschädigungen an den Stellen auf, an denen die Gleichrichterelemente auf den Bolzen aufgereiht sind, und zwar in der Form, daß der verhältnismäßig kurze Weg über die Halbleiterschicht dort kurzgeschlossen wird. Es sind nun bereits mehrfach Trockengleichrichterplatten beschrieben worden, bei denen zwischen der Halbleiterschicht und der Gegenelektrode eineAbnahmeelektrode angeordnet ist. Diese ist aus einem gegen Druck widerstandsfähigeren Material als die Gegenelektrode hergestellt. Die Gegenelektrode bedeckt diese Abnahmeelektrode zum mindesten teilweise. Es ist auch bereits bekannt, die Differenz zwischen der Auflagefläche der Gegenelektrode und der Oberfläche der Halbleiterschicht durch eine Isolierschicht zu ergänzen oder zwischen der Gegenelektrode und einem weiteren metallisch leitenden Körper Schichten unterschiedlicher Art vorzusehen.
  • Es hat sich jedoch herausgestellt, daß es bei den bekannten Ausführungsformen häufig zu Durchschlägen zwischen dem inneren Rand der Abnahmeelektrode und der Trägerelektrode kam. Dem konnte nur durch eine sehr sorgfältige Verarbeitung unter Vermeidung von Graten und scharfen Kanten entgegengetreten werden.
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Trockengleichrichterplatte, die zur Montage auf einem Spannbolzen bestimmt ist, mit zwischen der Halbleiterschicht und der Gegenelektrode angeordneter Abnahmeelektrode, die aus einer flachen Scheibe aus einem gegen Druck widerstandsfähigeren Material als die Gegenelektrode hergestellt ist, und unterscheidet sich von den bisher bekannten dadurch, daß zwischen der Abnahmeelektrode und dem Spannbolzen ein Ring aus Isoliermaterial angeordnet ist.
  • hei der üblichen Ausführung der Abnahmeelektrode in Form eines Kreisringes wird erfindungsgemäß in den Kreisring ein passender weiterer Kreisring aus Isoliermaterial eingelegt. Weiterhin ist es von Vorteil, wenigstens die Kanten des äußeren Kreisringes abzurunden oder abzuschrägen, die an der Innenseite dieses Kreisringes der Halbleiterschicht am nächsten liegt. Auf diese Art wird erreicht, daß der elektrische Weg zwischen Trägerelektrode und Gegenelektrode, der sich bislang nur über die Stärke der Selenschicht erstreckte, wesentlich vergrößert wird und dadurch selbst bei sehr groben Montageverfahren die Gefahr einer Beschädigung und damit eines Durchschlagens der Platte wesentlich herabgesetzt ist. Die Abschrägung der Kanten hat den Zweck, Grate zu entfernen, die evtl. durch die Halbleiterschicht hindurchgedrückt werden können und dabei ebenfalls Kurzschlüsse hervorrufen.
  • Der aus Isoliermaterial bestehende Ring kann in die Abnahmeelektrode bei deren Herstellung gleich mit eingeformt werden.
  • Mit Vorteil wird man den Aufbau einer Trockengleichrichtersäule mit Platten der beschriebenen Art derart durchführen, daß der Ring aus Isolierstoff nicht dem Anpreßdruck ausgesetzt ist. Weiterhin ist es zur Erzielung eines möglichst großen elektrischen Weges von Vorteil, den Ring aus Isolierstoff nicht mit dem Material der Gegenelektrode zu bedecken.
  • Die Figuren zeigen in z. T. schematischer Darstellung ein Ausführungsbeispiel einer Trockengleichrichterplatte gemäß der Lehre der Erfindung.
  • Fig. 1 stellt eine Trägerplatte 1 dar, auf die eine Halbleiterschicht 2 aufgebracht ist. In der Umgebung der Bohrung 3, durch die der Bolzen zum Aufbau der Gleichrichtersäule hindurchgeführt wird, ist eine Abnahmeelektrode 4 vermittels eines Klebemittels 5 aufgebracht, in der ein Isolierring 6 angeordnet ist. Die Gegenelektrode 7 deckt zwar die Abnahmeelektrode 4 gänzlich, läßt jedoch den Isolierring 6 frei. In der Fig. 2 ist die Umgebung des Isolierringes nochmals in größerem Maßstab dargestellt, und zwar bedeutet 2 wiederum die Selenschicht, 4 die Abnahmeelektrode, 5 das Klebemittel und 6 den Isolierring, der wiederum von der Gegenelektrode 7 nicht bedeckt wird. Bemerkenswert ist die Abschrägung 8, die den obenbeschriebenen Zweck verfolgt, einen Kurzschluß an dieser Stelle zu verhindern.

Claims (6)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Trockengleichrichterplatte, die zur Montage auf einem Spannbolzen bestimmt ist, mit zwischen der Halbleiterschicht und der Gegenelektrode angeordneter Abnahmeelektrode, die aus einer flachen Scheibe aus einem gegen Druck widerstandsfähigeren Material als die Gegenelektrode hergestellt ist, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Abnahmeelektrode und dem Spannbolzen ein Ring aus Isoliermaterial angeordnet ist.
  2. 2. Trockengleichrichterplatte nach Anspruch 1 mit einer Abnahmeelektrode in Form eines Kreisringes, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Kreisring ein in diesen passender weiterer Kreisring aus Isoliermaterial angeordnet ist.
  3. 3. Trockengleichrichterplatte nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß an dem äußeren Kreisring mindestens die Kante abgerundet oder abgeschrägt ist, die an der Innenseite des Kreisringes der Halbleiterschicht am nächsten liegt.
  4. 4. Trockengleichrichterplatte nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der aus Isoliermaterial bestehende Ring in die Abnahmeelektrode bei deren Herstellung mit eingeformt ist.
  5. 5. Trockengleichrichterplatte nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der Ring aus Isolierstoff nicht dem Anpreßdruck ausgesetzt ist.
  6. 6. Trockengleichrichterplatte nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der Ring aus Isolierstoff nicht mit dem Material der Gegenelektrode bedeckt ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentanmcldurng A 14661 VIII c/21 g (bekanntgemacht am 26. Juni 1952) ; schweizerische Patentschrift Nr. 2241348; französische Patentschrift Nr. 844 081; britische Patentschriften Nr. 562 848, 595 536; USA.-Patentschrift Nr. 2 473 884.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR844081A (fr) * 1937-10-04 1939-07-18 Westinghouse Freins & Signaux Perfectionnements aux dispositifs à conductibilité asymétrique à surface sèche
CH224048A (fr) * 1939-01-22 1942-10-31 Bell Telephone Mfg Redresseur métallique.
GB562848A (en) * 1942-07-10 1944-07-19 Gen Electric Co Ltd Improvements in dry-plate rectifiers
GB595536A (en) * 1945-07-06 1947-12-08 Westinghouse Brake & Signal Improvements relating to alternating electric current rectifiers of the dry surface contact type
US2473884A (en) * 1946-05-07 1949-06-21 Westinghouse Electric Corp Contact means

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