DE2137948C3 - Steuerbarer Halbleitergleichrichter - Google Patents
Steuerbarer HalbleitergleichrichterInfo
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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Description
55
Die Erfindung betrifft einen steuerbaren Halbleitergleichrichter mit einem Halbleiterkörper aus mindestens
vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps, zwei Hauptelektroden an den äußeren
Zonen ütid einer Steuerelektrode an einer inneren Zone, bei dem eine der Steuerelektrode benachbarte
Teilzone der der Steuerelektrode benachbarten äußeren Zone nicht kofitaktiert ist. Solche steuerbare Halbleitergleichrichter
sind aus der »Zeitschrift für angewandte Physik«. Bd. 19 (1965), Nr. 5 (September), S. 396
bis 400, bekannt.
Die Zündung von steuerbaren Halbleitergleichrichtern wird im allgemeinen über eine nahezu punktförraige
Steuerelektrode vorgenommen, die an der Peripherie oder im Zentrum auf dem Halbleiterkörper angeordnet
ist Wenn der Zündvorgang einsetzt führt zunächst nur das Gebiet in unmittelbarer Nachbarschaft
der Steuerelektrode den Strom des Lastkreises. Die zunächst
gezündete stromführende Fläche breitet sich dann roh einer Geschwindigkeit von etwa 0,1 mm/usec
über die gesamte Stromführungsfläche des steuerbaren Halbleitergleichrichters aus. Zur Vermeidung einer
thermischen Überlastung darf dem steuerbaren Halbleitergleichrichter erst nach Beendigung des gesamten
Zündvorganges der volle Laststrom zugeführt werden. Diese Verhältnisse werden durch Einhalten einer maximalen
Stromanstiegsgeschwindigkeit, d. h. eines di/dt-Grenzwertes.
berücksichtigt
Die maximale Stromanstiegsgeschwindigkeit legt eine Frequenzgrenze für den steuerbaren Halbleitergleichrichter
fest und beschränkt auch die AnwendungsmögJiehkeiten
in impulsgesteuerten Schaltungen.
Zur Erhöhung der Stromanstiegsgeschwindigkeit ist es bekannt, die Steuerelektrode mit der Kathode linien-
oder kammförmig zu verzahnen. Bei diesen Anordnungen wird aber die notwendige Steuerleistung wesentlich
erhöht. Es ist aus dem obengenannten Aufsat? in der »Zeitschrift für angewandte Physik« auch bereits
bekannt, ohne Erhöhung der Steuerleistung die maximale Stromanstiegsgeschwindigkeit dadurch zu vergrößern,
daß eine der Steuerelektrode benachbarte Teilzone einer äußeren Zone nicht kontaktiert ist. Es ist jedoch
sehr schwierig, eine derartige Struktur mit den bekannten technologischen Mitteln herzustellen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen steuerbaren Halbleitergleichrichter mit verbessertem
Einschaltverhalten anzugeben, der bei guten elektrischen Eigenschaften eine den technischen Anforderungen
genügende Herstellung gestattet.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die der Steuerelektrode benachbarte äußere
Zone aus einer der Steuerelektrode gegenüberliegenden diffundierten Teilzone und einer an diese Teilzone
anschließenden legierten Teilzone besteht, und daß die diffundierte Teilzone sperrschichtfrei mit der legierten
Teilzone verbunden ist.
In einer bevorzugten Ausführungsform des steuerbaren Halbleitergleichrichters sind die diffundierte und
die legierte Teilzone kreisringförmig und zu einer zentralen Steuerelektrode konzentrisch angeordnet.
Die Erfindung wird an Hand eines in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels eines steuerbaren
Halbleitergleichrichters näher erläutert. Ein Halbleiterkörper 1 aus Silizium enthält drei Zonen 2, 3 und 4.
wobei üblicherweise die Zonen 3 und 4 durch Störstellendiffusionen erzeugt werden. Die vierte Zone besteht
nun bei dem steuerbaren Halbleitergleichrichter nach der Erfindung aus der diffundierten Teilzone 5' und der
legierten Teilzone 5". Die legierte Teilzone 5" grenzt vorteilhaft überlappend an die Teilzone 5' an, so daß
letztere durch das Legierungsmaterial bereits sperrschichtfrei kontaktiert ist. Beim Herstellen der legierten
Teilzone 5" wird gleichzeitig die Hauptelektrode 6 erhalten, während die zweite Hauptelektrode beispielsweise
durch sperrschichtfreies Anlegieren einer Molybdänscheibe 7 erhalten wird. Die Steuerelektrode 8 ist in
dem Ausführungsbeispiel zentralsymmetrisch angeordnet.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung soll noch auf den Zündvorgang eingegangen werden. Nach Einspei-
sung eines Steuerstromes über die Steuerelektrode 8 vird zunächst nur der Bereich 9 leitend. Es fließt dann
in Richtung des Pfeiles 10 ein Strom zum Kontakt der Hauptelektrode 6, der in Richtung des Pfeiles einen
Spannungsabfall bis zu einigen 100 V hervorruft
Der transversale Bahnwiderstand bewirkt eine in der Teilzone 5' auftretende Verlustleistung. Obwohl diese
Verlustleistung nur kurzzeitig entsteht - und zw~r in
einer Zeit von 2 bis 4 usec, die notwendig ist. damit
unterhalb des Teilzone 5' der gesamte Bereich leitend und Strom in der Teilzone 5" geführt wird — heizt sich
die Teilzone 5' mit zunehmender Schaltfolgefrequenz erheblich auf. Dadrrch treten am Rande dieser Teilzone
zum Kontakt der Hauptelektrode 6 kleine Erosionskrater auf, die zu einem Ausfall des steuerbaren Halb- 1S
leitergleichrichters führen. Bei dem steuerbaren Halbleitergleichrichter
nach der Erfindung kann die maximale Stromanstiegsgeschwindigkeit unter Vermeidung
dieser Nachteile wesentlich erhöht werden.
Der transversale Bahnwiderstand der Teilzone 5' wird durch deren Tiefe und Breite bestimmt und ist
vorteilhaft so zu wählen, daß er in der Größenordnung des Lastwiderstandes liegt Andererseits muß der Abstand
zwischen dem von der Zone 4 und den Teilzonen 5' und 5" gebildeten pn-übergang und dem von den
Zonen 3 und 4 gebildeten pn-übergang zur Erzielung günstiger Zündeigenschaften optimiert werden. Die
günstigsten Werte lassen sich durch einfache und wenige Vorversuche nach bekannten Methoden ermittein.
Eine vorteilhafte Weiterbildung des steuerbaren Halbleitergleichrichters nach der Erfindung besteht
darin, daß die legierte Teilzone 5" aus mehreren miteinander verbundenen Teilen besteht und der Emitterpn-Obergang
zwischen der legierten Teilzone 5" und der benachbarten Zone 4 örtlich kurzgeschlossen ist
Die Herstellung einer solchen Zonenanordnung kann beispielsweise durch Einlegieren einer perforierten Folie
mit anschließender metallischer Bedampfung erfolgen. Durch diese Maßnahme wird die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit
des steuerbaren Halbleitergleichrichters wesentlich erhöht Die Ausführung eines steuerbaren Halbleitergleichrichters nach der Weiterbildung
der Erfindung weist ein außerordentlich günstiges Einschaltverhalten auf.
Steuerbare Halbleitergleichrichter, bei denen die der
Steuerelektrode benachbarte äußere Zone durch Einlegieren einer perforierten Folie hergestellt und anschließend
eine metallische Bedampfung vorgenommen wird und somit die legierte äußere Zone aus mehreren miteinander
verbundenen Teilen besteht und der Emitterpn-Übergang zwischen der legierten äußeren Zone und
der ihr benachbarten Zone örtlich kurzgeschlossen ist, sind aus der OE-PS 275 666 bekannt
Die Maßnahmen gemäß der Erfindung lassen sich mit gleichem Erfolg auch bei steuerbaren Halbleitergleichrichtern
mit mehreren Steuerelektroden oder beispielsweise bei einem in zwei Richtungen steuerbaren
Halbleitergleichrichter mit fünf Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps und zwei Steuerelektroden
an zwei inneren Zonen anwenden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Steuerbarer Halbleitergleichrichter mit einem Halbleiterkörper ans mindestens vier Zonen ab- S
wechselnd entgegengesetzten Leitungstyps, zwei Hauptelektroden an den beiden äußeren Zonen und
einem Steuerkontakt an einer inneren Zone, bei dem eine der Steuerelektrode benachbarte Teilzone
der der Steuerelektrode benachbarten äußeren Zone nicht kontaktiert ist dadurch gekennzeichnet,
daß die der Steuerelektrode (8) benachbarte äußere Zone aus einer der Steuerelektrode
(8) gegenüberliegenden diffundierten Teilzone (5*) und einer an diese Teilzone anschließenden Iegierten
Teilzone (5M) besteht, und daß die diffundierte
Teilzone (5') sperrschichtf.^ei mit der bgierten
TeiJzone (5") verbunden ist
2. Steuerbarer Halbleitergleichrichter nach Anspruch
J, dadurch gekennzeichnet daß die diffundiene (5') und die legierte (5") Teilzone kreisringförmig
und zu einer zentralen Steuerelektrode (8) konzentrisch angeordnet sind.
3. Steuerbarer Halbleitergleichrichter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
legierte Teilzone (5") die diffundierte Teilzone (5') überlappt, wobei der sperrfreie Kontakt der Hauptelektrode
(6) an der diffundierten Teilzone (5') durch den Legierungsvorgang bewirkt wird.
4. Steuerbarer Halbleitergleichrichter nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die diffundierte
Teilzone (5') η-leitend ist und die legierte Teilzone (5") durch Legierung mit Gold-Antimon
erzeugt ist.
5. Steuerbarer Halbleitergleichrichter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet daß
mehrere Steuerelektroden vorgesehen sind.
6. Steuerbarer Halbleitergleichrichter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
der Halbleiterkörper aus fünf Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps besteht und daß
die beiden den äußeren Zonen benachbarten inneren Zonen jeweils mindestens eine Steuerelektrode
aufweisen.
7. Steuerbarer Halbleitergleichrichter nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die legierte Teilzone (5") aus mehreren miteinander verbundenen Teilen besteht und der Emitter-pn-Übergang
zwischen der legierten Teilzone (5") und der benachbarten Zone (4) örtlich kurzgeschlossen
ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19712137948 DE2137948C3 (de) | 1971-07-29 | 1971-07-29 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19712137948 DE2137948C3 (de) | 1971-07-29 | 1971-07-29 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2137948A1 DE2137948A1 (de) | 1973-02-08 |
DE2137948B2 DE2137948B2 (de) | 1975-01-09 |
DE2137948C3 true DE2137948C3 (de) | 1975-09-18 |
Family
ID=5815188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19712137948 Expired DE2137948C3 (de) | 1971-07-29 | 1971-07-29 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2137948C3 (de) |
-
1971
- 1971-07-29 DE DE19712137948 patent/DE2137948C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2137948B2 (de) | 1975-01-09 |
DE2137948A1 (de) | 1973-02-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |