DE1564146A1 - Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen - Google Patents
Halbleiterbauelement und Verfahren zum HerstellenInfo
- Publication number
- DE1564146A1 DE1564146A1 DE1966I0030760 DEI0030760A DE1564146A1 DE 1564146 A1 DE1564146 A1 DE 1564146A1 DE 1966I0030760 DE1966I0030760 DE 1966I0030760 DE I0030760 A DEI0030760 A DE I0030760A DE 1564146 A1 DE1564146 A1 DE 1564146A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- conductivity type
- junction
- disc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
- H01L29/0661—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body specially adapted for altering the breakdown voltage by removing semiconductor material at, or in the neighbourhood of, a reverse biased junction, e.g. by bevelling, moat etching, depletion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
Description
7 Stuttgart-1 Pat.Dr.St/3.
Rotebuhlstr. 70 '
ISE/Reg. 5358 - Pl
INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION, NEW YORK
Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen
Die Priorität der Anmeldung in Großbritannien vom 11. Mai I965 Nr. I98O6/65 ist in Anspruch genommen,
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, insbesondere einen Thyristor, mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper,
der mindestens einen auf der Scheibenseite an die Körperoberfläche tretenden PN-Übergang enthält, der von einer ersten
Halbleiterschicht "eines Leitfähigkeitstyps und einer zweiten,
an die erste anstossenden Halbleiterschicht des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps gebildet wird, und bei dem der
spezifische Widerstand der ersten Schicht größer als der der
zweiten Schicht ist· Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß in der Seite eine derartige Vertiefung in Form einer
ringförmigen Einkerbung angebracht ist, daß die Oberfläche der hochohmigen Schicht einen spitzen Winkel mit dem PN-Übergang
an der Stelle seines Austritts an die Oberfläche bildet.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend
anhand der beigefügten Zeichnungen beschrieben,und zwar zeigt
Figur 1 einen Querschnitt durch einen Silicium-Thyristor und Figur 2-12 aufeinanderfolgende Fertigungsstufen des Thyristors
nach Figur 1.
- 2 009809/0671
28. April 1966 Pat .Dr.St7 B.
1564H6
Der Thyristor nach Figur 1 besteht aus einem scheibenförmigen
Körper mit P-N-P-N-förmigem ürundaufbau, einer Anoden-Elektrode 1 in ohmschem Kontakt mit einer p+-leitenden Silioiumsohioht 2 auf
einer p-leitenden Siliciumachicht 3, die auf einer Seite einer
η-leitenden Siliciumsohlcht von hohem spezifischem Widerstand«
z.B. 20 - 40 Ohm/cm, angeordnet ist. Ferner 1st eine Steuerelektrode
5 in ohmschem Kontakt mit einer Schicht 6 angebracht« die aus ρ-leitendem Silicium von niedrigerem spezifischem Widerstand
als die Schicht 4 besteht und auf der anderen Seite dieser Schicht liegt. Eine Kathodenelektrode 7 befindet sich in
ohmschem Kontakt mit einer innerhalb der p-leitenden Schicht 6 gebildeten, ringförmigen und η-leitenden Siliciumechioht 8. Der
PN-Übergang 9 zwischen der p-leitendenSchioht 6 und der n-leitenden
Schicht 4 bildet die Durchlass-Sperrschicht des Thyristors, während der PN-Übergang 10 «wischen der p-leitenden Schicht 3 und
der η-leitenden Schicht 4 die Sperrschicht in Sperriohtung des
Thyristors bildet. Di· Übergänge 9 und 10 verlaufen parallel zueinander und treten an der Seitenfläche der Scheibe an die
Oberfläche des Körpers·
Di· Seitenfläche der Scheibe 1st so vertieft« dass an den Stellen,
an denen die übergänge 9 und 10 sum Vorschein können, ein
spitzer Winkel von vorzugsweise ca· 30° zwischen jedem der übergänge
9 und 10 und der Seitenfläche der Silioiumscheibe mit der
an den jeweiligen übergang angrenzenden Schicht höheren spezifischen
Wideretand·· gebildet wird.
Der Winkel α 1st somit der zwischen der Durchlass-Sperrschicht 9
und der eingekerbten Oberfläche der η-leitenden Schicht 4 gebildet· spitze Winkel, während der Winkel β zwischen den in Sperrrichtung
liegenden übergang 10 und der abgeschrägten Fläche der n-leltenden Schicht 4 gebildet wird. Es handelt sich also
jeweils um die an der Entstehungestelle der übergang· gebildeten
spitzen Winkel·
009809/0671 BAD ORIGINAL
28. April 1966 Pat.Dr.St/B.
156AH6
Um sicherzustellen, dass der Lawinendurchbruch entweder im Ausschau»
zweig des Flussbereichs oder im Sperrbereich der Thyristor-Kennlinie
entsteht, muss der Durchbruch im Thyristorkörper selbst und darf nicht an seiner Oberfläche einsetzen. Die erfindungsgemässe
Einstellung der Oberflächengeometrie ordnet sowohl dem Durchlassals
auch dem Sperr-Ubergang des Thyristors Lawinendurohbruoh-Merkmale
zu.
Zweokmässige Abmessungen eines Thyristors mit einer in Figur 1
dargestellten Formgebung für 1 Amp. bzw. 200 Amp. sind für den
Soheibendurohmeeser 2,55 bzw* 38,25 mm (0,1 bzw. 1,5 Zoll);
0,026 mm bzw. 0,076 mm Dicke jeder der p-leitenden Schichten 3
und 6, und eine Dicke von 0,076 bzw. 0,153 mm (0,003 bzw.
0,006 Zoll) der η-leitenden Schioht 4.
Der Thyristor kann auch einen N-P-N-P-leitenden Grundaufbau
haben. In diesem Fall besteht die Sohioht 4 aus p-leitendem Silicium mit hohem spezifischen Widerstand, das zwischen n-leitende
Schienten 3 und 6 von niedrigerem spezifischem Widerstand angeordnet ist mit einer in der n-leltenden Sohlcht 6 gebildeten
p-leitenden Schioht 8. Wegen der für den Betrieb eines Thyristors
mit N-P-N-P-Aufbau erforderlichen Spannungsurakehr bildet die Elektrode
1 nunmehr die Kathode und die Elektrode 7 die Anode.
Obwohl Silicium wegen seiner guten Eigenschaften für hohe Leistungen
vorzugsweise als Halbleitermaterial für ein Hoohspannungsbauelement
gewählt wird, können Je nach Ausführung des Bauelements auch andere Halbleitermaterialien, z.B. Germanium, verwendet werden.
Die Vertiefung in Form einer Einkerbung an der Seitenfläche der Scheibe kann symmetrisch, wie in der Zeichnung, oder asymmetrisch
ausgeführt werden, so dass verschiedene Winkel zwischen der Oberfläche der Schioht 4 und den Übergängen 9 und 10 gebildet werden..
009809/0671
28. April 1966 Pat.Dr.St/B.
1564H6
Andere Halbleiteranordnungen mit scheibenförmigen an den Seiten Einkerbungen aufweisenden Halbleiterkörpern können Transistoren
und Dioden sein. Eine Diode enthält natürlich nur einen PN-Übergang. Wird dabei die Vertiefung so angeordnet, dass an der Austrittstelle
des PN-Übergangs an die Oberfläche der Scheibe mit der Schicht höheren spezifischen Widerstandes ein spitzer
Winkel gebildet wird, dann erhält die Diode Lawlnendurohbruchselgensohaften
und hat Oberflächen der Scheibe, die praktisch gleich gross sind. Damit erhält die Diode optimale Leistungseigenschaften, da die Wärmeübertragungsfläohe beiderseits des
Überganges eine maximale Grosse hat und somit keine Verringerung der WärmeUbertragungsmenge eintritt, wenn die Diode mit umgekehrter
Polarität betrieben wird.
Zur Herstellung des Thyristors nach Figur 1 geht man von einer zweckmässig bemessenen Scheibe 11 aus η-leitendem Silicium von
hohem spezifischen Widerstand aus (Figur 1).
Eine geeignete Verunreinigung, etwa fallium, wird dann in Jede
Oberfläche der Scheibe eindiffundiert, um die p-leitenden Schichten
j5 und 6 mit dazwischen liegender η-leitender Schicht 4 zu erzeugen.
Die diffundierte Scheibe wird dann in oxidierender Atmosphäre erwärmt, wobei ein allseitiger Slliclumoxld-Überzug
(Figur 4) entsteht. Der Oxidüberzug wird nach Figur 5 über einer ringförmigen Fläche 13 entfernt, in welcher die n-leitende
Schicht 8 erzeugt werden soll. Es wird eine geeignete, beispielsweise phosphorhaltige Verunreinigung in die demaskierte
Fläche 12 zum Herstellen der η-leitenden Schicht 8 (Figur 6)
eindiffundiert. Der Oxidbelag wird von der Grundfläche 14
(Figur 7) entfernt, wo die p^-leitende Schicht durch Eindiffundieren
einer geeigneten Verunreinigung, z.B. Bor, entstehen soll (Figur 8).
0 09809/0671
BAD ORlGfNAl
28. April 1966 Pat.Dr.St/B.
1564U6
wird der zuvor entfernte Oxidüberzug auf der Fläche der η-leitenden Schicht 8 neu gebildet. Tatsächlich nimmt der
vorher gebildete Oxidüberzug fortschreitend an Stärke zu. Wie aus Figur 9 ersichtlich ist, wird eine ringförmige Fläche I5
zusammen mit einem mittleren Teil 16 des auf der p-leitenden
Schicht 6 befindlichen OxidUberzuges entfernt und die Steuer- und Kathoden-Elektrode 5 bzw. 7 (Figur 10) innerhalb der demaskierten
Flächen 15 und l6 angebracht. Die Anoden-Elektrode 1 wird auf der p+-leitenden Schicht 2 hergestellt. Die Elektroden
werden beispielsweise durch selektiven elektrolytischen Niederschlag
von Nickel gebildet, auf dem danach Sold aufgedampft wird, um die folgenden Lötvorgänge zu erleichtern. Um die Vertiefung
in der Seitenfläche der Scheibe einzuarbeiten, wird letztere in einer nicht eingezeichneten Vakuum-Einspannvorrichtung festgeklemmt
und mit einigen hundert U/min, in Drehung versetzt. Dann wird ein Strahl im Luftstrom mitgerissener Schleifmittelteilchen
aus einer Düse 17 (Figur 11) mit rechteckiger Ausströmöffnung 18, deren längere Seiten mit den Oberflächen der Scheibe parallel
verlaufen, auf die Seite der Scheibe gerichtet. Der Vorgang läuft in 2 bis 10 Sekunden ab. Die Düse kann, wie gezeichnet,
senkrecht auf die Seite der Scheibe gerichtet oder schräg gehalten werden, um ein« etwa auf der Seitenfläche der Scheibe vorhandene
geringe Neigung auszugleichen*
Es wird beispielsweise Druckluft unter einem Druck von 5»3-5»6at
(75 - 80 pbs. p.sq. in.) eingesetzt, um einen Strom von Aluminiumteilchen
einer die Maschenweite (mesh) 600 passierenden Korngrösse durch eine Düse zu treiben, die in einer Entfernung
von 0,8 mm (1/32 ) von der Seite der Scheibe gehalten wird und eine Ausströmöffnung von 0,06" χ 0,005" (■ 1»5 x 0,13 mn) aufweist.
Die Drehzahl der Scheibe ist nicht ausschlaggebend, wird jedoch vorzugsweise auf 1000 U/min, eingestellt, um Schäden
in Form von Aushöhlungen oder Rissen zu vermeiden.
0 0 9 8 0 9/0671 BAD ORIGINAL
28 . April 1966 Pat.Dr.3t/B.
Nicht dargestellte abschliessende Verfahrensscnritte xfei der
Herstellung des entstehenden Thyristors nach Figur 12 erstrekken sich auf das Übliche Spülen und Schutzlackieren, Einlegen
zwischen Molybdän- oder dergl. Pass-Scheiben, Anbringen des Anodenkontaktes an einem geeigneten Sockel oder einer Stiftschraube,
Ansohliessen einer Kathoden- und einer Steuerelektrodenzuleitung
mit pasβender Betriebskenngrösse und Verkapseln
in einem geeigneten Gehäuse.
Die vorstehende Erläuterung betrifft lediglich AusfUhrungsbeispiele
der Erfindung ohne Irgendwelche Einschränkung ihres Anwendungsbereiches.
009809/0671 BAD ORIGINAL
Claims (13)
1. Halbleiter-Bauelement, insbesondere Thyristor, mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper, der mindestens
einen auf der Scheibenseite an die Körperoberfläche tretenden
PN-Übergang enthält, weloher von einer ersten Halbleiterschicht eines Leitfähigkeitetyps und einer
zweiten, an die erste anstossenden Halbleiterschicht des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps gebildet wird
und bei dem der spezifische Widerstand der ersten Schicht grosser als der der zweiten Schicht ist, dadurch gekennzeichnet,
dass in der Seitenfläche der Scheibe eine derartige Vertiefung in Form einer ringförmigen Einkerbung
angebracht ist, dass die Oberfläche der hochohmigen Schicht einen spitzen Winkel mit dem PN-Übergang an der
Stelle seines Austritte an die Oberfläche bildet.
2. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper einen zweiten auf
der Scheibenseite an die Körperoberfläche tretenden PN-Übergang enthält, der zwischen der ersten und einer
anstossenden dritten Schicht von Halbleitermaterial des gleichen Leitfähigkeitstyps wie die zweite Schicht
gebildet wird, wobei der spezifische Widerstand der ersten Schicht grosser 1st als der spezifische Widerstand
der dritten Schicht und die Einkerbung derart angebracht ist, dass die Oberfläche der ersten Schiebt
einen spitzen Winkel mit dem erwähnten weiteren übergang
an der Stelle seines Austretens an die Oberfläche
bildet.
BAD ORIGINAL 009809/06 71
ISE/Reg.3358 - Pl 312 - 8 - L.T.A .Beckett - 2
28. April 1966 Pat.Dr.St/B.
156AU6
3. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
dass die Übergänge parallel zueinander verlaufen
.
4. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine vierte Schicht aus Halbleitermaterial
des Leitfähigkeitstyps der ersten Schicht in der Oberfläche der dritten Schicht angeordnet ist.
5. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
dass die vierte Schicht ringförmig ausgebildet 1st und zu der Mittellinie des scheibenförmigen
Halbleiterkörpers koaxial verlauft.
6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5»
dadurch
beträgt
beträgt
dadurch gekennzeichnet, dass der spitze Winkel etwa
7. Halbleiter-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht aus
η-leitendem Material besteht.
8. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 1J,
dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermaterial Silicium ist.
9· Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
nach Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass auf einer Oberfläche eines scheibenförmigen Halbleiterkörpers
von hohem spezifischem Widerstand eines bestimmten Leitfähigkeitstyps eine Schicht aus Halbleitermaterial
des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps
• o. -
009809/0671
ISE/Reg.3358 - Pl 312 -
9 . L.T.A.Beckett -
28. April 1966 Pat.Dr.St/B.
1564H6
gebildet wird, wobei der dazwischen gebildete PN-Übergang an die Körperoberfläche auf der Scheibenseite austritt,
und dass die Seitenfläche der Scheibe derart vertieft wird, dass durch die dabei neu entstehende
Oberfläche des Halbleitermaterials hohen spezifischen Widerstandes mit dem PN-Übergang an der Stelle seines
Austritts ein spitzer Winkel gebildet wird,
10. Verfahren nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, dass vor Ausbildung der Vertiefung auf der anderen
Oberfläche des Halbleiterkörpers aus Material hohen spezifischen Widerstandes eine zweite Schicht von
Halbleitermaterial entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps
gebildet wird, derart, dass der dazwischen gebildete weitere PN-Übergang ebenfalls an der Seitenfläche
des Halbleiterkörpers an die Oberfläche tritt, und dass durch die Vertiefung in der Scheibenseite ebenfalls
ein spitzer Winkel zwischen der neugebildeten Oberfläche des Halbleitermaterials von hohem spezifischem
Widerstand und dem erwähnten weiteren übergang an der Stelle seines Austritts gebildet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, daduroh gekennzeichnet,
dass in einem weiteren Verfahrensschritt eine dritte Schicht des Leitfähigkeitstyps des Halbleiterkörpers
in der Oberfläche der zweiten Schicht gebildet wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, dass die Vertiefung in der Seite des Halbleiterkörpers durch einen auf die Seitenfläche
der rotierenden Scheibe gerichteten Strom von^ßruckluft
mitgerissenen Schleifmittelteilchen erzeugt wird.
0098 09/0671
ISE/Reg.3358 - Pl 312 - 10 - L.T.A.Beckett -
28. April 1966
Pat.Dr.St/B.
Pat.Dr.St/B.
156AH6
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet,
dass der Strom der Schleifmittelteilchen
auf die Seitenfläche der Scheibe durch eine Düse mit rechteckiger Ausströmöffnung gerichtet wird.
auf die Seitenfläche der Scheibe durch eine Düse mit rechteckiger Ausströmöffnung gerichtet wird.
009809/0671
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB1980665A GB1057214A (en) | 1965-05-11 | 1965-05-11 | Improvements in or relating to semiconductor devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1564146A1 true DE1564146A1 (de) | 1970-02-26 |
Family
ID=10135540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1966I0030760 Pending DE1564146A1 (de) | 1965-05-11 | 1966-05-06 | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1564146A1 (de) |
| ES (1) | ES326615A1 (de) |
| GB (1) | GB1057214A (de) |
| NL (1) | NL6606326A (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2354854A1 (de) * | 1973-10-11 | 1975-04-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines halbleiterkoerpers |
| DE2358937B2 (de) * | 1973-11-27 | 1975-12-11 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Thyristor fuer hochspannung im kilovoltbereich |
| EP0075102A2 (de) * | 1981-09-22 | 1983-03-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Thyristor mit einem Mehrschichten-Halbleiterkörper mit pnpn-Schichtfolge und Verfahren zu seiner Herstellung |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE7328984U (de) * | 1973-07-06 | 1975-05-15 | Bbc Ag Brown Boveri & Cie | Leistungshalbleiterbauelement |
-
1965
- 1965-05-11 GB GB1980665A patent/GB1057214A/en not_active Expired
-
1966
- 1966-05-06 DE DE1966I0030760 patent/DE1564146A1/de active Pending
- 1966-05-10 NL NL6606326A patent/NL6606326A/xx unknown
- 1966-05-11 ES ES0326615A patent/ES326615A1/es not_active Expired
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2354854A1 (de) * | 1973-10-11 | 1975-04-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines halbleiterkoerpers |
| DE2358937B2 (de) * | 1973-11-27 | 1975-12-11 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Thyristor fuer hochspannung im kilovoltbereich |
| DE2358937C3 (de) * | 1973-11-27 | 1976-07-15 | Licentia Gmbh | Thyristor fuer hochspannung im kilovoltbereich |
| EP0075102A2 (de) * | 1981-09-22 | 1983-03-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Thyristor mit einem Mehrschichten-Halbleiterkörper mit pnpn-Schichtfolge und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE3137695A1 (de) * | 1981-09-22 | 1983-04-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Thyristor mit einem mehrschichten-halbleiterkoerper mit pnpn-schichtfolge und verfahren zu seiner herstellung |
| EP0075102A3 (en) * | 1981-09-22 | 1983-09-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Thyristor with a multi-layer pnpn semiconductor body and process for its manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1057214A (en) | 1967-02-01 |
| ES326615A1 (es) | 1967-03-01 |
| NL6606326A (de) | 1966-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1282196B (de) | Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge | |
| DE1639019B2 (de) | Steuerbarer halbleitergleichrichter | |
| DE1564420B2 (de) | Symmetrisch schaltendes Halbleiterbauelement | |
| DE2500235C2 (de) | Ein-PN-Übergang-Planartransistor | |
| DE1216435B (de) | Schaltbares Halbleiterbauelement mit vier Zonen | |
| DE19853743C2 (de) | Halbleiter-Bauelement mit wenigstens einer Zenerdiode und wenigstens einer dazu parallel geschalteten Schottky-Diode sowie Verfahren zum Herstellen der Halbleiter-Bauelemente | |
| DE2329398C3 (de) | In Rückwärtsrichtung leitendes Thyristorbauelement | |
| DE2628273A1 (de) | Halbleiterbauteil | |
| DE2320579A1 (de) | Halbleiterelement | |
| DE1194500B (de) | Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von eingesetzten streifenfoermigen Zonen eines Leitfaehigkeitstyps und Verfahren zum Herstellen | |
| DE2016738A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE1539070A1 (de) | Halbleiteranordnungen mit kleinen Oberflaechenstroemen | |
| DE3103785C2 (de) | ||
| DE1564146A1 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen | |
| DE10300949B4 (de) | Halbleitervorrichtung mit Herstellungsverfahren dafür | |
| DE1764171A1 (de) | Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE2535864A1 (de) | Halbleiterbauelemente | |
| DE2844283A1 (de) | Thyristor | |
| DE3542166A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE1639177B2 (de) | Monolithisch integrierte gleichrichterschaltung | |
| DE10048165B4 (de) | Leistungshalbleiterbauelement mit einer beabstandet zu einer Emitterzone angeordneten Stoppzone | |
| DE3029836C2 (de) | Thyristor | |
| DE1066283B (de) | ||
| DE1564545C3 (de) | Asymmetrische Halbleiter-Kippdiode | |
| EP0308667B1 (de) | Absaugelektrode zur Verkürzung der Ausschaltzeit bei einem Halbleiterbauelement |