DE2628273A1 - Halbleiterbauteil - Google Patents

Halbleiterbauteil

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DE2628273A1 DE19762628273 DE2628273A DE2628273A1 DE 2628273 A1 DE2628273 A1 DE 2628273A1 DE 19762628273 DE19762628273 DE 19762628273 DE 2628273 A DE2628273 A DE 2628273A DE 2628273 A1 DE2628273 A1 DE 2628273A1
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Description

Dipl.-lng. H. Sauenland · Dn.-lng. R. König · Dipl.-lng. K. Bergen Patentanwälte · 4odo Düsseldorf so · Cecilienallee 75 ■ Telefon
23. Juni 1976 30 807 B
RCA Corporation, 30 Rockefeiler Plaza, New York, N. Y. 10020 (V.St.A.)
"Halbleiterbauteil"
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil mit einem Kollektorbereich eines Leitfähigkeitstyps, einem mit dem Kollektorbereich einen Basis-Kollektor-pn-Übergang bildenden Basisbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, einem Emitterbereich des erstgenannten Leitfähigkeitstyps und einem an den Basisbereich angrenzenden und einen mit dem Basisbereich einen zweiten pn-übergang bildenden Schutzbereich des erstgenannten Leitfähigkeitstyps, insbesondere Transistoren.
Transistoren können durch das Anlegen einer übermäßig hohen Sperrspannung an den Basis-Kollektor-Übergang schwer beschädigt, wenn nicht sogar gänzlich zerstört werden. Dies trifft insbesondere zu, wenn der Transistor bei induktiver Last geschaltet wird, d.h. wenn die Spannung an der Last gegen Null geht und der darin gespeicherte Strom in den Transistor hineinfließt. Dieser gespeicherte Strom kann relativ hohe Sperrspannungen an dem Basis-Kollektor-Übergang hervorrufen.
Zur Überwindung dieses Nachteils wurde bereits vorgeschlagen, daß der Transistor zur Vermeidung des zerstörenden Lawinendurchbruchs mit einem Hilfsemitter versehen wird, der zum Basisbereich durch einen Basiskontakt kurzgeschlos-
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sen wird. Unter Sperrspannungsbedingungen entleert sich der Basis-Kollektor-Übergang in den Hilfsemitterbereich, um auf diese Weise eine Durchgreifbedingung entstehen zu lassen, in der ein Strom vom Kollektorbereich über den Hilfsemitter und über den Basiskontakt in den Basisbereich fließt. Der Hilfsemitter ist dabei so ausgelegt, daß ein Durchgreifen vor einem etwaigen Lawinendurchbruch des Kollektor-Basis-Übergangs eintritt, um auf diese Weise eine Beschädigung dieses Übergangs zu verhindern.
Ein besonderer Nachteil der beschriebenen Lösung besteht darin, daß der Übergang zwischen dem Hilfsemitter und dem Basisbereich dazu neigt, etwas instabil zu werden. Während der Herstellung des Basiskontakts besteht eine bestimmte Möglichkeit, daß die Metallelektrode durch den Übergang in einen Teil des darunterliegenden Basisbereichs hineinstechen kann. Ein derartiges Hineinragen kann ebenfalls während des Betriebs einer fertigen Vorrichtung eintreten und zum Versagen führen. Die Wahrscheinlichkeit dafür wird mit zunehmender Arbeitstemperatur größer. Bei Eintritt dieses Defektes arbeitet der Teil des Basisbereichs, der dadurch unterbrochen wird, nicht vorhersehbar und somit ist der Transistor unzuverlässig.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, ein Halbleiterbauteil zu schaffen, das auch bei hohen Sperrspannungen zuverlässig arbeitet und trotzdem einfach und wirtschaftlich herzustellen ist. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Schutzbereich mit keiner der Elektroden des Bauteils unmittelbar verbunden und hinsichtlich an das Bauteil angelegter Spannungen "floatet".
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Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung sind nachstehend anhand eines in der beigefügten Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine nicht maßstabsgerechte Schnittansicht des erfindungsgemäßen Bauteils im Querschnitt; und
Fig. 2 das in Fig. 1 gezeigte Bauteil entlang der Linie 2-2 geschnitten.
Ein erfindungsgemäßes Bauteil 10 besteht aus einem Halbleiterkörper 12, z.B. aus Silizium, in dem ein Transistor mit einem Schutz seines Basis-Kollektor-Übergangs 14 gegen durch relativ hohe Sperrspannungen hervorgerufene Beschädigung angeordnet ist.
Der Transistor weist einen Kollektorbereich 16, z.B. nleitend, einen p-leitenden Basisbereich 18 und einen nleitenden Emitterbereich 20 auf. Aus noch zu erläuternden Gründen enthält der Basisbereich 18 eine erste Schicht 22 vergleichsweise niedrigen mittleren spezifischen Widerstands, z.B. 0,03 Ohm-cm, und eine zweite Schicht 24 vergleichsweise hohen mittleren spezifischen Widerstands, z. B. 30 0hm-cm. Die erste Schicht 22 schließt den Emitterbereich 20 ein. Der Kollektorbereich 16 enthält ebenfalls aus in der Transistortechnik bekannten Gründen eine erste Schicht 26 vergleichsweise hohen mittleren spezifischen Widerstands, z.B. 30 0hm-cm, und eine zweite Schicht 28 vergleichsweise niedrigen mittleren spezifischen Widerstands, z.B. 0,01 0hm-cm. Aufgrund der relativ hohen mittleren spezifischen Widerstände der zwei an den Übergang 14 zwischen dem Kollektorbereich 16 und dem Basisbereich 18 angrenzenden Schichten ist die Lawinendurchbruchsspannung des Übergangs 14 relativ hoch, z.B. in der Größenordnung von ungefähr 700 Volt.
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Der Basis-Kollektor-Übergangs-Schutz besteht aus einem Schutzbereich 30 aus einem η-Werkstoff vergleichsweise niedrigen mittleren spezifischen Widerstands, z.B. o,oo3 Ohm-cm, der die erste Schicht 22 des Basisbereichs 18, mit der der Schutzbereich 30 einen pn-übergang 32 bildet, berührt und im wesentlichen umgibt. Aus Gründen einfacher Herstellung können das Leitfähigkeitsprofil und die Tiefe des Schutzbereichs 30 genauso wie beim Emitterbereich 20 gewählt werden, wodurch diese beiden Bereiche gleichzeitig in einem einzigen Diffusionsschritt gebildet werden können. Das Leitfähjgceitsprofil und die Tiefe des Schutzbereichs 30 sind jedoch nicht kritisch.
Elektroden für das Bauteil 10 sind eine den Emitterbereich 20 berührende Emitterelektrode 34, eine die erste Schbht 22 niedrigen mittleren spezifischen Widerstands des Basisbereichs 18 berührende Basiselektrode 36 und eine den Kollektorbereich 16 berührende Kollektorelektrode 38. Der Schutzbereich 30 wird durch keine Elektrode unmittelbar berührt und kann "floaten", d.h. der Schutzbereich 30 nimmt die Spannung des ihn umgebenden Bereichs an. Wie dargestellt, ist in bekannter Weise eine isolierende Schicht 40, z.B. Siliziumdioxid oder dergleichen auf einer Oberfläche 42 des Grundkörpers 12 vorgesehen, um sie zu schützen und ein Kurzschließen der verschiedenen pn-Übergänge durch die Elektroden dort zu verhindern, wo die pn-Übergänge die Oberfläche 42 schneiden.
Das Bauteil 10 kann nach bekannten Verfahren hergestellt werden und arbeitet wie folgt:
Der Basis-Kollektor-Übergang 14 bildet unter Sperrspannungsbedingungen eine Sperrschicht, die sich in die zweite Schicht 24 des Basisbereichs 18 und in die erste Schbht des Kollektorbereichs 16 ausdehnt. Wenn das elektrische
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Feld an dem Übergang 14 übermäßig hoch wird, kann ein zerstörender Lawinendurchbruch eintreten. Aus in der Halbleitertechnik bekannten Gründen verarmt ein mit einer gegebenen Sperrspannung betriebener pn-übergang eher zu einem Halbleiter mit einem vergleichsweise höheren spezifischen Widerstand als zu einem Halbleiter mit einem vergleichweise niedrigeren spezifischen Widerstand. Im erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel ist die zweite Schicht 24 mit einem geeignet hohen spezifischen Widerstand so ausgelegt, daß die Sperrschicht bis zum Schutzbereich 30 vor dem Lawinendurchbruch des Übergangs 14 reicht, d.h. durchreicht. Die Sperrspannung an dem Basis-Kollektor-Übergang 14 ist auf diese Weise über den pnübergang 32 zwischen dem Schutzbereich 30 und der ersten Schicht 22 des Basisbereichs 18 eingeprägt. Da der Übergang 32 wegen der vergleichsweise niedrigen spezifischen Widerstände der ersten Schicht 22 und des Schutzbereichs 30 eine relativ niedrige Durchbruchsspannung aufweist, die beträchtlich niedriger als die Kollektorspannung ausgelegt ist, die auf diese Weise an den Übergang angelegt wird, bricht dieser Übergang im wesentlichen sofort lawinenartig durch, sobald die Sperrschicht den Schutzbereich 30 erreicht hat. Darüber hinaus bricht der pnübergang 32 wegen der umgebenden Anordnung des Schutzbereichs 30 mit dem Basisbereich 18 im wesentlichen gleichzeitig am gesamten Umfang der ersten Schicht 22 des Basisbereichs 18 durch. Daraufhin fließt ein im wesentlichen gMchmäßig verteilter Strom in den Emitterbereich 20, wodurch eine hohe örtliche Materialbeanspruchung infolge sich sammelnder Ströme und sich daraus ergebender Zerstörung des Bauteils 10 verhindert wird. Aufgrund der relativ niedrigen Durchbruchsspannung des Übergangs 32 und der umgebenden Anordnung mit dem Basisbereich 18 ist der Lawinendurchbruch des Bauteils 10 zerstörungsfrei. Verschiedene Parameter, wie z.B. das Leitfähigkeitsprofil und die Tiefe des Schutzbereichs 30, das Leitfähigkeitsprofil und die
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Tiefe der ersten Schicht 22 des Basisbereichs 18, können unter Verwendung bekannter Verfahrenstechniken eingestellt werden, um sicherzustellen, daß ein Durchgreifen zum Schutzbereich 30 und ein Lawinendurchbruch des pn-Übergangs 32 vor dem des Basis-Kollektor-Übergangs 14 eintritt.
Das beschriebene Bauteil 10 vermeidet die bekannte nachteilige Anwendung eines Kurzschließens zwischen der ersten Schicht 22 des Basisbereichs 18 und dem Schutzbereich 30, so daß der dazwischenliegende pn-übergang 32 selbst bei ausgedehnten Arbeitsperioden unter den damit verbundenen hohen Temperaturbelastungen sehr zuverlässig arbeitet. Die Tatsache, daß der Strom bei Durchbruch des Übergangs 32 im wesentlichen gleichmäßig in den Emitterbereich verteilt wird, trägt zur Zuverlässigkeit des Bauteils bei. Daher ist das Bauteil 10 in der Lage, Schaltvorgänge hoher Energie auszuhalten, wie sie z.B. in Kraftfahrzeugzündsystemen vorkommen, wodurch außen angeschlossene Dioden entfallen, wie sie in herkömmlichen Systemen notwendig sind.
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Claims (6)

  1. RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza, New York. N. Y. 10020 (V.St.A.)
    Patentansprüche;
    Halbleiterbauteil mit einem Kollektorbereich eines Leitfähigkeitstyps, einem mit dem Kollektorbereich einen Basis-Kollektor-pn-Übergang bildenden Basisbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, einem Emitterbereich des erstgenannten Leitfähigkeitstyps und einem an den Basisbereich angrenzenden und mit diesen einen zweiten pnübergang bildenden Schutzbereich des erstgenannten Leitfähigkeitstyps, dadurch gekennzeichnet , daß der Schutzbereich (30) mit keiner der Elektroden (34, 36, 38) des Bauteils (10) unmittelbar verbunden und hinszhtlich an das Bauteil angelegter Spannungen "floatet".
  2. 2. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Schutzbereich (30) den Basisbereich (18) im wesentlichen umgibt.
  3. 3. Bauteil nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß der Basisbereich (18) aus einer ersten Schicht (22) vergleichsweise niedrigen mittleren spezifischen Widerstands und einer zweiten Schicht (24) vergleichsweise hohen mittleren spezifischen Widerstands besteht und der Schutzbereich (30) an die erste Schicht (22) angrenzt.
  4. 4. Bauteil nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß der Schutzbereich (30) die erste Schicht (22) im wesentlichen umgibt.
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  5. 5. Bauteil nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß der zweite pn-übergang (32) eine vergleichsweise niedrigere Lawinendr.r chbruchs spannung als der Basis-Kollektor-pn-Übergang: (14) aufweist.
  6. 6. Bauteil nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß der Emitterbereich (20) und der Schutzbereich (30) im wesentlichen dieselben Leitfähigkeitsprofile und dieselbe Tiefe aufweisen.
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IT (1) IT1061511B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0310836A2 (de) * 1987-10-08 1989-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelement mit einem planaren pn-Übergang

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4167748A (en) * 1978-07-03 1979-09-11 Bell Telephone Laboratories, Incorporated High voltage monolithic transistor circuit
JPS56152261A (en) * 1980-04-28 1981-11-25 Toshiba Corp I2l element withstanding high surge
US4398206A (en) * 1981-02-11 1983-08-09 Rca Corporation Transistor with integrated diode and resistor
US4797720A (en) * 1981-07-29 1989-01-10 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Controlled breakover bidirectional semiconductor switch
JPS61158177A (ja) * 1984-12-28 1986-07-17 Toshiba Corp 半導体装置
JPH0766975B2 (ja) * 1988-12-09 1995-07-19 サンケン電気株式会社 複合型ダイオード装置
US4999683A (en) * 1988-12-30 1991-03-12 Sanken Electric Co., Ltd. Avalanche breakdown semiconductor device
US5027165A (en) * 1990-05-22 1991-06-25 Maxim Integrated Products Buried zener diode
US5479031A (en) * 1993-09-10 1995-12-26 Teccor Electronics, Inc. Four layer overvoltage protection device having buried regions aligned with shorting dots to increase the accuracy of overshoot voltage value
KR100263912B1 (ko) * 1998-05-20 2000-09-01 김덕중 반도체 소자의 다이오드 및 그 제조방법
JP2001352079A (ja) * 2000-06-07 2001-12-21 Nec Corp ダイオードおよびその製造方法
JP5228123B1 (ja) * 2011-11-28 2013-07-03 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1453086A (fr) * 1964-11-06 1966-04-15 Telefunken Patent Dispositif semiconducteur et procédé de fabrication d'un tel dispositif
US3338758A (en) * 1964-12-31 1967-08-29 Fairchild Camera Instr Co Surface gradient protected high breakdown junctions
US3551760A (en) * 1966-03-28 1970-12-29 Hitachi Ltd Semiconductor device with an inversion preventing layer formed in a diffused region
US3714526A (en) * 1971-02-19 1973-01-30 Nasa Phototransistor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0310836A2 (de) * 1987-10-08 1989-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelement mit einem planaren pn-Übergang
EP0310836A3 (de) * 1987-10-08 1989-06-14 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelement mit einem planaren pn-Übergang

Also Published As

Publication number Publication date
JPS529380A (en) 1977-01-24
IT1061511B (it) 1983-04-30
US4071852A (en) 1978-01-31
GB1507115A (en) 1978-04-12
JPS5634105B2 (de) 1981-08-07

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