DE2137948B2 - Steuerbarer halbleitergleichrichter - Google Patents
Steuerbarer halbleitergleichrichterInfo
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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Description
sung eines Steuerstromes Ober die Steuerelektrode 8 wird zunächst nur der Bereich 9 leitend. Es fließt dann
in Richtung des Pfeile.'» 10 ein Strom zum Kontakt der Hauptelektrode 6, der in Richtung des Pfeiles einen
Spannungsabfall bis zu einigen 100 V hervorruft.
Dej transversale Bahnwiderstand bewirkt eine in der Teilzone 5' auftretende Verlustleistung. Obwohl diese
Verlustleistung nur kurzzeitig entsteht — und zwar in
einer Zeit von 2 bis 4 usec, die notwendig ist, damit
unterhalb der Teilzone 5' der gesamte Bereich leitend und Strom in der Teilzone 5" geführt wird — heizt sich
die Teilzone 5' mit zunehmender Schaltfolgefrequenz erheblich auf. Dadurch treten am Rande dieser Teilzone
zum Kontakt der Hauptelektrode 6 kleine Erosionskrater auf, die zu einem Ausfall des steuerbaren Halb- '5
leitergleichrichters führen. Bei dem steuerbaren Halbleitergleichrichter
nach der Erfindung kann die maximale Stromanstiegsgeschwindigkeit unter Vermeidung
dieser Nachteile wesentlich erhöht werden.
Der transversale Bahnwiderstand der Teilzone 5' wird durch deren Tiefe und Breite bestimmt und ist
vorteilhaft so zu wählen, daß er in der Größenordnung des Lastwiderstandes liegt Andererseits mr. 3 der Abstand
zwischen dem von der Zone 4 und den Teilzonen 5' und 5" gebildeten pn-Obergang und dem von den 2S
Zonen 3 und 4 gebildeten pn-übergang zur Erzielung günstiger Zündeigenschaften optimiert werden. Die
günstigsten Werte lassen sich durch einfache und wenige Vorversuche nach bekannten Methoden ermitteln.
Eine vorteilhafte Weiterbildung des steuerbaren Halbleitergleichrichiers nach der Erfindung besteht
darin, daß die legierte Teilzone 5" aus mehreren miteinander verbundenen Teilen besteht und der Emitterpn-Übergang
zwischen der legierten Teilzone 5" und der benachbarten Zone 4 örtlich kurzgeschlossen ist.
Die Herstellung einer solchen Zonenanordnung kann beispielsweise durch Einlegieren einer perforierten Folie
mit anschließender metallischer Bedampfung erfolgen. Durch diese Maßnahme wird die Spannungsattstiegsgeschwindigkeit
des steuerbaren Halbleitergleichrichters wesentlich erhöht. Die Ausführung eines
steuerbaren Haibleitergleichrichters nach der Weiterbildung der Erfindung weist ein außerordentlich günstiges
Einschaltverhalten auf.
Steuerbare Halbleitergleichrichter, bei denen die der Steuerelektrode benachbarte äußere Zone durch Einlegieren
einer perforierten Folie hergestellt und anschließend eine metallische Bedampfung vorgenommen wird
und somit die legierte äußere Zone aus mehreren miteinander verbundenen Teilen besieht und der Emiiterpn-Übergang
zwischen der legierten äußeren Zone und der ihr benachbarten Zone örtli<.--; kurzgeschlossen ist,
sind aus der OE-PS 275 666 bekannt.
Die Maßnahmen gemäß der Erfindung lassen sich mit gleichem Erfolg auch bei steuerbaren Halbleitergleichrichtern
mit mehreren Steuerelektroden oder beispielsweise bei einem in zwei Richtungen steuerbaren
Halbleitergleichrichter mit fünf Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps und zwei Steuerelektroden an zwei inneren Zonen anwenden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Steuerbarer Halbleitergleichrichter mit einem Halbleiterkörper aus mindestens vier Zonen abwechselnd
entgegengesetzten Leitungstyps, zwei Hauptelektroden an den beiden äußeren Zonen und
einem Steuerkontakt an einer inneren Zone, bei dem eine der Steuerelektrode benachbarte Teilzone
der der Steuerelektrode benachbarten äußeren Zone nicht kontaktiert ist, dadurch gekennzeichnet,
daß die der Steuerelektrode (8) benachbarte äußere Zone aus einer der Steuerelektrode
(8) gegenüberliegenden diffundierten Teilzone (S') und einer an diese Teilzone anschließenden Iegierten
Teilzone (5") besteht, und daß die diffundierte Teilzone (5') sperrschichtfrei mit der legierten
Teilzone (5") verbunden ist.
2. Steuerbarer Halbleitergleichrichter nach Anipruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß die diffundiene (5') und die legierte (5") Teilzone kreisringförmig
und zu einer zentralen Steuerelektrode (8) konzentrisch angeordnet sind.
3. Steuerbarer Halbleitergleichrichter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
legierte Teilzone (5") die diffundierte Teilzone (5')
überlappt, wobei der sperrfreie Kontakt der Hauptelektrode (6) an der diffundierten Teilzone (5')
durch den Legierungsvorgang bewirkt wird.
4. Steuerbarer Halbleitergleichrichter nach Anipruch
3, dadurch gekennzeichnet, daß die diffundierte Teilzone (5') n-leitend ist und die legierte
Teilzone (5") durch Legies-unt mit Gold-Antimon
erzeugt ist.
5. Steuerbarer Halbleitergleichrichter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
mehrere Steuerelektroden vorgesehen sind.
6. Steuerbarer Halbleitergleichrichter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
der Halbleiterkörper aus fünf Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps besteht und dt>ß
die beiden den äußeren Zonen benachbarten inneren Zonen jeweils mindestens eine Steuerelektrode
aufweisen.
7. Steuerbarer Halbleitergleichrichter nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die legierte Teilzone (S") aus mehreren miteinander verbundenen Teilen besteht und der Emitter-pn-Übergang
zwischen der legierten Teilzone (S") und der benachbarten Zone (4) örtlich kurzgeschlossen
ist.
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Die Erfindung betrifft einen steuerbaren Halbleitergleichrichter mit einem Halbleiterkörper aus mindestens
vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps, zwei Hauptelektroden an den äußeren
Zonen und einer Steuerelektrode an einer inneren Zone, bei dem eine der Steuerelektrode benachbarte
Teilzone der der Steuerelektrode benachbarten äußeren Zone nicht kontaktiert ist. Solche steuerbare Halbleitergleichrichter
sind aus der »Zeitschrift für angewandte Physik«, Bd. 19 (1965), Nr. 5 (September), S. 396
bis 400, bekannt.
Die Zündung von steuerbaren Halbleitergleichrichtem wird im allgemeinen über eine nahezu punktförm,-
«Steuerelektrode vorgenommen, die an der Periphere
oder im Zentrum auf dem Halbleiterkörper angeordnet ist. Wenn der Zündvorgang einsetzt fuhrt zunächst
nur das Gebiet in unmittelbarer Nachbarschaft αΤγ Steuerelektrode den Strom des Lastkreises. Die zunSchst^gezündete
stromführende Fläche breitet sich dann mifeiner Geschwindigkeit von etwa 0.1 mm^sec
Sr dTe gesamte Stromführungsfläche des steuerbaren
Halbleitergleichrichters aus. Zur Vermeidung e.ner thermi chen Überlastung darf dem steuerbaren HaIbeHergleichrichter
erst nach Beend.gung des gesamten Zündvorganges der volle Laststrom zugeführt werden.
Diese Verhältnisse werden durch Einhalten einer maximalen
Stromanstiegsgeschwindigkeit, d.h. eines di/dt-G renzwertes. berücksichtigt.
Die maximale Stromanstiegsgeschw.ndigke.t legt
eine Frequenzgrenze für den steuerbaren Halble.tergleichrichter fest und beschränkt „uc.i d:e Anwendungsmöglichkeiten
in impulsgesteuerten Schaltungen. Zur Erhöhung der Stromanstiegsgeschw.ndigkeit .st
es bekannt die Steuerelektrode mit der Kathode l.n.en- oder kammförmig zu verzahnen. Bei d.esen Anordnun
sen wird aber die notwendige Steuerle.stung wesent-Hch
erhöht Es ist aus dem obengenannten Aufsat/ in der »Zeitschrift für angewandte Physik« auch bere.ts
bekannt ohne Erhöhung der Steuerleistung die maximale Stromanstiegsgeschwindigkeit dadurch zu vergrößern
daß eine der Steuerelektrode benachbarte Teilzone einer äußeren Zone nicht kontaktiert ist. Es .st jedoch
sehr schwierig, eine derartige Struktur mit den bekannten technologischen Mitteln herzustellen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen steuerbaren Halbleitergleichrichter mit verbessertem
Einschaltverhalten anzugeben, der bei guten elektrischen Eigenschaften eine den technischen Anforderungen
genügende Herstellung gestattet " Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch
gelöst daß die der Steuerelektrode benachbarte äußere Zone aus einer der Steuerelektrode gegenüberliegenden
diffundierten Teilzone und einer an diese Teilzone anschließenden legierten Teilzone besteht, und daß die
diffundierte Teilzone sperrschichtfrei mit der legierten Teilzone verbunden ist.
In einer bevorzugten Ausführungsform des steuerbaren Halbleitergleichrichters sind die diffundierte und
die legierte Teilzone kreisringförmig und zu einer zentralen Steuerelektrode konzentrisch angeordnet.
Die Erfindung wird an Hand eines in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels eines steuerbaren
Halbleitergleichrichters näher erläutert. Ein Halbleiterkörper 1 aus Silizium enthält drei Zonen 2, 3 und 4,
wobei üblicherweise die Zonen 3 und 4 durch Störstellendiffusionen erzeugt werden. Die vierte Zone besteht
nun bei dem steuerbaren Halbleitergleichrichter nach der Erfindung aus der diffundierten Teilzone 5' und der
legierten Teilzone 5". Die legierte Teilzone 5" grenzt
vorteilhaft überlappend an die Teilzone 5' an, so daß letztere dureh das Legierungsmaterial bereits sperrsehiehlfrei
kontaktiert ist. Beim Herstellen der legierten Teilzone 5" wird gleichzeitig die Hauptelektrode
erhalten, während die zweite Hauptelektrode beispielsweise durch sperrschichtfreies Anlegieren einer Molybdänscheibe
7 erhalten wird. Die Steuerelektrode 8 ist in dem Ausführungsbeispiel zentralsymmetrisch angeord-
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung soll noch auf
den Zündvorgang eingegangen werden. Nach Einspei-
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19712137948 DE2137948C3 (de) | 1971-07-29 | 1971-07-29 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19712137948 DE2137948C3 (de) | 1971-07-29 | 1971-07-29 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2137948A1 DE2137948A1 (de) | 1973-02-08 |
DE2137948B2 true DE2137948B2 (de) | 1975-01-09 |
DE2137948C3 DE2137948C3 (de) | 1975-09-18 |
Family
ID=5815188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19712137948 Expired DE2137948C3 (de) | 1971-07-29 | 1971-07-29 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2137948C3 (de) |
-
1971
- 1971-07-29 DE DE19712137948 patent/DE2137948C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2137948A1 (de) | 1973-02-08 |
DE2137948C3 (de) | 1975-09-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |