CH495631A - Steuerbarer Halbleitergleichrichter - Google Patents
Steuerbarer HalbleitergleichrichterInfo
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- CH495631A CH495631A CH1619465A CH1619465A CH495631A CH 495631 A CH495631 A CH 495631A CH 1619465 A CH1619465 A CH 1619465A CH 1619465 A CH1619465 A CH 1619465A CH 495631 A CH495631 A CH 495631A
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- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07554—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in dispositions
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Description
Steuerbarer Halbleitergleichrichter Die Erfindung betrifft einen steuerbaren Halbleitergleichrichter mit mindestens vier aufeinanderfolgenden Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps. Steuerbare EIalblleitergleicllrichter werden in immer stärkerem Masse in der Technik in Schaltungsanordnungen emgesetzt, die bei kurzer Einschaltzeit eine hohe Einschaltbelastbarkeit erforderlich machen, beispielsweise bei Hochleistungswechselrichtern. Der steuerbare Halbleitergleichrichter besteht beispielsweise aus einer Siliziumscheibe, die vier aufeinan derfolgende Schichten mit abwechselnd entgegengesetztem Leitungstyp enthält. Er ist an den beiden äusseren Schichten mit zwei Elektroden versehen, nämlich der Anode und Kathode. Eine dritte Elektrode, die eine der inneren beiden Schichten kontaktiert, dient zur Binlei- tung der Zündung und wird als Steuerelektrode bezeichnet. Die Steuerelektrode befindet sich üblicherweise auf der gleichen Seite der Halbleitenscheile wie die Kathode. Durch seinen technologischen Aufbau ist jeder steuerbare Haibleitergleichrichter in seiner thermischen Belastbarkeit begrenzt. Seine Steuerelektrode ist übli cherweise nahezu punktförmig ausgebildet und ist an der Peripherie oder im Zentrum der Kathoden- oder Anodenfläche in der benachbarten Basiszone eines oder der beiden Teiltransistoren, in die Ider steuerbare Halbleitergleichrichter ge!danklich zerlegt wenden kann, und durch deren Kopplung sich seine Wirkungsweise lerklänen lässt, angeordnet Mit dem Anlegen eines Steuerimpulses an die Steuerelektrode wird jedoch nicht sofort die gesamte Kathoden- bzw. Anodenfläche gezündet und damit am Stromtransport beteiligt, sondern nur ein leng begrenzter Bereich der Kathoden- bzw. Anodenfläche, nämlich derjenige Bereich, der der Steuerelektrode am nächsten liegt. In diesem durchgezündeten, eng begrenzten Bereich tritt bei sehr steil ansteigendem Anodenstrom eine sehr grosse Energiedichte auf, die nach Überschreiten eines kritischen Wertes zum lokalen Aufschrnelzen des Halbleiterelements und damit zu seiner Zerstörung füh ren kann. Es wurden bereits Anordnungen bekannt, die solche Zerstörungen dadurch verhindern sollten, dass die Steuerelektrode eine Vielzahl einzelner Steuerkontakte und/oder bestimmte Ausbildungsformen aufweist und dadurch eine grössere Fläche bereits im ersten Momeint gezündet werden sollte. Eine Verbesserung der Einschaltbelastbarkeit lässt sich jedoch durch mehrere Steuerelektroden oder eine beispielsweise ringförmig die Kathode oder Anode umschiiessende Steuerelektrode nur dann erzielen, wenn die Einschaltverzugszeit für alle Steuereiektrodenkontakte die gleiche ist. Dies ist aber nur daun der Fall, wenn sowohl die Zonendicken als auch die Lebensdauer der Ladungsträger für alle Stellen gleich sind, was besonders bei grossflächigen Isteuerba- ren Halbleitergleichrichteru praktisch nicht zu realisienen ist. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die oben aufgeführten Nachteile zu beseitigen. Dies kann dadurch geschehen, indem dafür gesorgt wird, dass bei der Zündung eine Strombegrenzung des Zündstromes erfolgt und indem gleichzeitig eine relativ grosse Kathodenfläche während des Einschaltvorganges zur Verfügung gestellt wird. Die Lösung dieser gestellten Aufgabe besteht darin, dass bei einem steuerbaren Halbleitengleichrichter die kathoden- oder/und die anodenseitige äussere Zone aus einem Hauptbereich, ,gebildet aus einer halbleitenden Schicht mit einem Kontakt und einem oder mehreren davon getrennten Nebenbereichen, gebildet aus einer oder je einer weiteren halbleitenden Schicht mit einem weiteren Kontakt besteht, dass der oder die Nebenbereiche einer oder jeweils einer Steuerelektrode räumlich näher angeordnet sind als der Hauptbereich, und dass der oder die Nebenbereiche über einen oder jeweils einen Widerstand mit dem Hauptbereich verbunden sind. Anhand der Zeichnung wird die Erfindung beispielsweise erläutert. Die Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch einen Halbleitergleichrichter mit 4 Leitungszonen, während die Fig. ja die entsprechende Draufsicht dieses Halbleitergleichrichters wiedergibt. Fig. 1 und 1a zeigen einen steuerbaren Halbleitergleichrichter mit den Schichten 1, 2, 3 und 4 als pnpn System. An der p-leitienden Schicht 1 ist eine Metallschicht 13 mit dem Anodenanschiuss 14 angebracht, während die n-leitende Schicht 4 mit dem metallischen Kathodnkontakt 5 versehen ist. In der p-leitenden Ba sisschicht 3 befindet sich aussler der n-leitenden, mit dem Kathodenkontakt 5 versehenen Schicht 4 eine weitere n-leitende Schicht 6 mit einem metallischen Kontakt 7. Sie enthält in der Nachbarschaft dieser n-leitenden Schicht 6 den Slteuelnelektrodenlkontakt 10 und den Steu- erelektrodenansohluss 15. Der Kontakt 7 der n-leitenden Schicht 6 ist über einen Widerstand 8 mit dem Kathodenkontakt 5 verbunden. Der Lastwiderstand 9 liegt im Hauptstromkreis und bestimmt die Höhle des Stromes. Der Widerstand 8 soll mindestens von gleicher Grössenordnung wie der Lastwiderstand 9 sein. Mit dem Anlegen des Zündimpulses wird der Teil des steuerbaren Halbleitergleichrichters, der aus den Schichten 1, 2, 3 und 6 besteht, gezündet. Der infolgedessen von der Anode über die Schichten 1, 2, 3 und 6 sowie über den Widerstand 8 zur Kathode und dem Lastwiderstand 9 fliessende Strom ruft an dem Widerstand 8 einen Spannungsabfall hervor, der in der Schicht 3 zwischen den n-leitenden Schichten 6 und 4 ein elektrisches Feld erzeugt, das die von der p-leitenden Anodenschicht 1 in die p-leitende Schicht 3 injizierten Ladungsträger zur n-leitenden Schicht 4 treibt. Damit wird die mit dieser n-leitenden Schicht 4 gebil dete Vierschichtenstruktur aus den Schichten 1, 2, 3 und 4 in dem der n-leitenden bereits gezündeten Schicht 6 benachbarten Bereich gezündet. Der von der Schicht 6 zur Schicht 4 durch das elektrische Feld bedingte Strom bewirkt durch seine parallel zu den pn-Ubergangsflächen erfolgende Auffächerung die Zündung eines grösseren Bereichs der n-leitenden Schicht 4. Hierdurch wird die Stromdichte im Gleichrichter während des Einschaltvorganges reduziert, so dass der für den Gleich di richter zulässige dt-Wert, die sogenannte Stromanstiegsgeschwindigkeit, beträchtlich gesteigert werden kann. i ist hierbei der Strom, der zwischen Anode und Kathode fliesst. Mit der vorlizagenden Erfindung wird ein steuerbarer Halbleitergleichrichter geschaffen, der eine gegen über den bisher bekannten Anordnungen wesentlich grössene Einschaltbelastbark,eit und damit eine entspnechend grössere Stromanstiegsgeschwindigkeit di nach dt zulässt, wobei die Nachteile vermieden werden, die bei den bekannten Anordnungen, beispielsweise in der starken Vergrösserung des notwendigen Zündsteuerstromes, gegeben sind.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCHSteuerbarer Halbieiterglieichrichter mit mindestens vier aufeinanderfolgenden Zonen abwechselnd entgegen gesetzten Leitungstyps, Idadurch gekennzeichnet, dass die kathoden- oder/und die anodenseitige äussere Zone aus einem Hauptbereich, gebildet aus einer halbleitenden Schicht (4) mit einem Kontakt (5) und einem oder mehreren davon getrennten Nebenbereichen, gebildet aus einer oder je einer weiteren halbleitenden Schicht (6) mit einem weiteren Kontakt (7) besteht,dass der oder die Nebenbereiche einer oder jeweils einer Steuerelektrode (10) räumlich näher angeordnet sind Qals der Hauptbereich, und dass der oder die Nebenbereiche über einen oder jeweils einen Widerstand (8) mit dem Hauptbereich verbunden sind.UNTERANSPRUCH Steuerbarer Halbleitergleichrichter nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl anodenseitig als auch kathodenseitig eine oder mehrene Steu- ereiektroden angeordnet sind.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH1303267A CH472119A (de) | 1964-11-28 | 1965-11-24 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEL0049404 | 1964-11-28 | ||
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH495631A true CH495631A (de) | 1970-08-31 |
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Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CH1303267A CH472119A (de) | 1964-11-28 | 1965-11-24 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
| CH1619465A CH495631A (de) | 1964-11-28 | 1965-11-24 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
Family Applications Before (1)
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|---|---|---|---|
| CH1303267A CH472119A (de) | 1964-11-28 | 1965-11-24 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
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Also Published As
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PL | Patent ceased |