AT155712B

AT155712B - Verfahren zur Herstellung von Halbleiterüberzügen.

Info

Publication number: AT155712B
Authority: AT
Inventors: Fritz Dr Brunke
Original assignee: Aeg
Priority date: 1936-06-20
Filing date: 1937-06-18
Publication date: 1939-03-10

Description

Verfahren zur Herstellung von Halbleiteriiberzügen.

Es wurde bereits vorgeschlagen, durch Aufdampfen eines Halbleiters, z. B. Selen, im Hoch- vakuum auf eine Trägerelektrode Halbleiterschichten für Trockenplattengleichrichter oder licht- empfindliche Zellen herzustellen. Nach diesem Verfahren hergestellte halbleiterschichten zeichnen sich durch gleichmässigeren Aufbau und grösseren Wirkungsgrad gegenüber solchen aus, die durch ! mechanisches Aufbringen, z. B. Aufschmelzen des Halbleiters auf eine Trägerelektrode, hergestellt sind. Als besonders vorteilhafte und brauchbare Materialien für die Trägerelektrode bei dem Auf- dampfverfahren haben sich die Leichtmetall, z.. B Aluminium, erwiesen.

Das beschriebene Verfahren hat den Nachteil, dass die Trägerelektrode nur eine Temperatur haben darf, bei der der Halbleiter einen geringen Dampfdruck hat. Es stellt sich nämlich ein nicht gut übersichtlicher Gleichgewichtszustand zwischen Kondensation und Wiederverdampfung des Halb- leiters ein und die Dicke und Struktur der erzielbaren Halbleiterschicht sind so stark abhängig von der Temperatur der Trägerelektrode und von dem Dampfdruck des aus der Verdampfungsappaiatur kommenden Halbleiters, dass sie nicht gut willkürlich beeinflusst werden können. Ausserdem ergeben sich
Schwierigkeiten und ein gewisser Materialverlust dadurch, dass die Pumpen, die zur Erhaltung des
Vakuums dienen, einen Teil des Halbleiterdampfes absaugen.

Die geschilderten Nachteile werden gemäss der Erfindung dadurch vermieden, dass die Ver- dampfung des Halbleiters und das Aufdampfen in der Atmosphäre eines chemischen neutialen Gases oder Dampfes vollzogen wild. Als biauehbare neutrale Gase haben sich die Edelgase oder Stickstoff erwiesen. Nach diesem Verfahren kann man die Struktur und die Dicke der Halbleiterschicht besser beeinflussen, da man durch die Variation des Druckes des neutralen Dampfes oder Gases und die
Variation der Temperatur der Trägerelektrode in weiten Grenzen jeden geeigneten Zustand der Wieder- vei dampfung einstellen kann.

Das Verfahren gemäss der Erfindung kann noch dadurch verbessert werden, dass man eine ge- richtet Strömung des neutialen Dampfes oder Gases anwendet und so die Wiederverdampfung des
Halbleiters behindert. Dieser Gasstrom wird zweckdienlich genau gegen die Trägerelektrode gerichtet, so dass auch die 1\faterialverIuste gering werden. Als vorteilhaft hat es sich erwiesen, den Gasstrom vorzuwärmen.

Das Verfahren ermöglicht ferner, mehrere Substanzen gleichzeitig und vermischt aufzudampfen.

Die so eihaltenen Halbleiterschichten haben sich in vielen Fällen als sehr günstig erwiesen. Ihre Her- stellung gestaltete sich jedoch wegen des verschiedenen Gasdruckes der Komponenten beim Aufdampfen im Hochvakuum schwierig, während die Gegenwart eines neutralen Gases das Herstellungsverfahren bedeutend vereinfacht und verbessert. Durch das neutrale Gas und durch eine zweckmässige Strömung8führung wird eine gute Durchmischung der Komponenten gewährleistet. Als besonders vorteilhaft haben Versuche eine Mischung von Selen und Jod ergeben.
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auf einer Temperatur von über 210 C gehalten werden kann.

PATENT-ANSPRÜCHE :
1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterüberzügen für Troekenplattengleichriehter oder lichtempfindliche Zellen, vorzugsweise für solche mit Trägerelektrode aus Leichtmetall, z. B. Aluminium, durch Aufdampfen einer Halbleitersubstanz, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdampfung und das
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chemisch neutralen Gases (wie Stickstoff-Edelgase) vorgenommen wird.

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Claims

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Halbleitersubstanz ein Gemisch von Selen-und Joddampf verwendet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Dampf der Halbleitersubstanz (en) mittels eines vorgewärmten chemisch inaktiven Gasstromes gegen die Trägerelektrode geblasen wird. EMI1.3 auf einer Temperatur gehalten wird, bei der die für die Wirksamkeit der Halbleiterschicht nötige hindi- fikation des Halbleiters auf der Trägerelektrode kondensiert.

5. Verfahren nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, dass bei einem Druck des neutralen Gases gearbeitet wird, der höher als der Aussendruck ist. **WARNUNG** Ende CLMS Feld Kannt Anfang DESC uberlappen**.