DE973817C - Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichters - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines TrockengleichrichtersInfo
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Description
- Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichters Die Güte eines Trockengleichrichters wird bezeichnet durch das Verhältnis von Flußstrom zu Rückstrom. Bestimmend für diese Daten ist die Existenz einer Sperrschicht zwischen der Gegenelektrode und dem Halbleiter und die in der Sperrschicht enthaltenen Störstellenatome. Vermindert wird die Güte eines Gleichrichters durch die Alterung, welche durch Einwandern von Substanzen in den Halbleiter verursacht wird, die den Aufbau einer Sperrschicht fördern. Es sind bereits Trockengleichrichter bekanntgeworden, bei denen sich zwischen der defektleitenden Halbleitersubstanz und der Gegenelektrode eine überschußleitende Zwischenschicht befindet, deren Störstellen aus der Gegenelektrode stammen. Damit ist der Nachteil verbunden, daß sich die Störstellenkonzentration durch Diffusion aus der Gegenelektrode ständig ändert und damit eine Veränderung der Gleichrichterkennlinie eintritt. Diesen Vorgang bezeichnet man auch als Alterung.
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichters mit einer auf einer Trägerelektrode, insbesondere aus Leichtmetall, aufgebrachten Halbleitersubstanz, bei dem die Halbleitersubstanz defektleitend und zwischen der Halbleitersubstanz und der Gegenelektrode eine überschußhalbleitende Zwischenschicht angeordnet ist, die als Störstelilen Atome der Elemente der Gruppe I und/oder III b des Periodischen Systems enthält. Das erfindungsgemäße Verfahren unterscheidet sich von den bisher bekannten dadurch, daß die überschußhalbleitende Zwischenschicht Zwischenschichtsubstanzen mit den als Störstellen vorgesehenen Atomen der Elemente der Gruppe I und/oder III b des Periodischen Systems aus zwei oder mehreren getrennten Vorräten der einzelnen Stoffe gleichzeitig aufgebracht wird.
- Das vorliegende Verfahren gestattet es, nicht nur die Dicke der überschußleitenden Zwischenschicht zu bestimmen, sondern auch die Störstellenkonzentration insgesamt und in ihrer räumlichen Verteilung festzulegen. Damit werden in dem Gleichrichter stabile Verhältnisse geschaffen und die Alterung unterbunden.
- Besonders gut ist die Wirkung, wenn der Defekthalbleiter zwischen I014 und 1017 Halogenatome pro cm3 enthält.
- Mit Vorteil wird man als Defekthalbleiter Selen wählen.
- Eine besonders gute Zwischenschicht besteht aus mindestens einer Verbindung von Cadmium mit einem der Elemente der Gruppe VIb (Sauerstoffgruppe) des Periodischen Systems.
- Der günstigste Gehalt der Zwischenschicht an Elementen der Gruppe I und/oder III b des Periodischen Systems, vorzugsweise an Thallium, liegt zwischen IO15 und IO19 Atome pro cm3.
- Besonders günstig ist es, eine Gegenelektrode zu wählen, die aus Cadmium oder einer cadiniumhaltigen Legierung besteht.
- Es ist erwünscht, daß die Gegenelektrode höchstens IO-1 Gewichtsprozent, vorzugsweise aber weniger als IO-3 Gewichtsprozent, an Elementen der Gruppe IIIb des Periodischen Systems enthält.
Claims (6)
- PATENTANSPRÜCHE: I. Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichters mit einer auf einer Trägerelektrode, insbesondere aus Leichtmetall, aufgebrachten Halbleitersubstanz, bei dem die Halbleitersubstanz defektleitend und zwischen der Halbleitersubstanz und der Gegenelektrode eine überschußhalbleitende Zwischenschicht angeordnet ist, die als Störstellen Atome der Elemente der Gruppe I und/oder IIIb des Periodischen Systems enthält, dadurch gekennzeichnet, daß die überschußhalbleitende Zwischenschichtsubstanz mit den als Störstellen vorgesehenen Atomen der Elemente der Gruppe 1 und/oder III b des Periodischen Systems aus zwei oder mehreren getrennten Vorräten der einzelnen Stoffe gleichzeitig aufgebracht wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß für den auf die Trägerelektrode aufzutragenden Defekthalbleiter ein solcher mit einem Gehalt von Halogenatomen zwischen I014 und IO17 pro cm3 verwendet wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß für den auf die Trägerelektrode aufzubringenden Defekthalbleiter Selen verwendet wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch I oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die überschußhalbleitende Zwischenschicht aus mindestens einer Verbindung von Cadmium mit einem der Elemente der Gruppe Vlb hergestellt wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch I oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Herstellung der überschußleitenden Zwischenschicht derart vorgenommen wird, daß die Zwischenschicht zwischen IO15 und IO19 Atomen pro cm3 der Elemente der Gruppe I und/oder IIIIi des Periodischen Systems, vorzugsweise Thallium, enthält.
- 6. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Gegenelektrode an Elementen der Gruppe III 1i des Periodischen Systems auf höchstens io-1 Gewichtsprozent, vorzugsweise weniger als io-3 Gewichtsprozent, bemessen wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 623 488, 689 o62, 713 401, 742 935, 747 040; österreichische Patentschrift Nr. 155 712 schweizerische Patentschriften Nr. 248 334, 258 123; USA.-Patentschriften Nr. 2 479 301, 2 .I98 240, 2 496 432; holländische Patentschrift Nr. 57 629; holländische Patentanmeldung N r. 97 133; Zeitschrift »Elektrotechnik«, Beilage »Der Radiomarkt« vom g. 1I. 51, S. I 4/I5 ; »Die Naturwissenschaften«, 1941, H. 38, S. 575.
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1951
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