DE937190C - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

Info

Publication number
DE937190C
DE937190C DES12852D DES0012852D DE937190C DE 937190 C DE937190 C DE 937190C DE S12852 D DES12852 D DE S12852D DE S0012852 D DES0012852 D DE S0012852D DE 937190 C DE937190 C DE 937190C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
selenium
manufacture
metal tube
layer
heated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DES12852D
Other languages
English (en)
Inventor
Ernst Dipl-Ing Siebert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES12852D priority Critical patent/DE937190C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE937190C publication Critical patent/DE937190C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/08Preparation of the foundation plate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern Es ist bekannt, Trockengleichrichter im Gegensatz zu der üblichen Bauart nicht mit scheibenförmiger Trägerelektrode, sondern mit rohrförmiger Trägerelektrode auszubilden. Gemäß der Erfindung wird ein rohrförmiger Trockengleichrichter mit einer Halbleiterschicht aus Selen dadurch hergestellt, daß ein als Trägerelektrode dienendes Metallrohr um seine Achse über einem Selenverdampfer von mindestens gleicher oder größerer Länge in Drehungen versetzt wird. Die Erfindung hat den Vorteil, daß es gelingt, eine gleichmäßige und gut haftende Halbleiterschicht auf der rohrförmigen Trägerelektrode aufzubringen. Die Schwierigkeiten, welche bei dem üblichen Verfahren des Aufstreichens einer Selenschicht in Verbindung mit einer rohrförmigen Trägerelektrode aufgetreten sind, werden bei der Erfindung vermieden. Vorteilhaft wird dabei das Verdampfen im Vakuum durchgeführt.
  • Um eine gut haftende Selenschicht zu erhalten, wird das als Trägerelektrode dienende Metallrohr zweckmäßig während des Aufdampfens des Selens geheizt. Das Metallrohr kann zu dem Zweck über einen elektrisch geheizten Heizkörper geschoben werden. Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß das Selen sich bereits in der gewünschten Modifikation auf dem Metallrohr niederschlägt bzw. beim Niederschlagen sich in die gewünschte Modifikation umwandelt. Das als Trägerelektrode dienende Metallrohr kann von vornherein so stark aufgeheizt werden, daß sich das Selen schon beim Aufdampfen verflüssigt oder in halbleitender Modifikation niederschlägt. .
  • Wenn die Selenschicht auf ein nicht beheiztes Metallrohr aufgedampft wird, so wird das Rohr zweckmäßig nach dem Aufdampfen so stark erwärmt, daß das Selen sich verflüssigt und in die glasige amorphe Modifikation übergeht, bevor die thermischen Behandlungen zur Überleitung in den Halbleiterzustand angewandt werden.
  • Nach dem Aufdampfen der Selenschicht wird der rohrförmige Trockengleichrichter dem bei plattenförmigen Trägerelektroden üblichen Behandlungsverfahren der thermischen Umwandlung der Selenschicht unterworfen, und es wird auf die Selenschicht die für die Stromabnahme erforderliche Gegenelektrode aufgebracht. Wie für plattenförmige Selengleichrichter vorgeschlagen wurde, kann die. Gegenelektrode auch vor oder während der thermischen Umwandlung aufgebracht werden.

Claims (3)

  1. PATENTANSPRÜCHE: I. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einer schnell und gleichmäßig erzeugten Halbleiterschicht, dadurchgekennzeichnet, daß ein Metallrohr als Trägerelektrode um seine Achse über einem Selenverdampfer von mindestens gleicher oder größerer Länge in Umlauf gesetzt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Selenschicht im Vakuum aufgebracht wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Metallrohr während des Aufdampfens geheizt wird. q.. Anordnung zur Ausübung des Verfahrens nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß im Innern des Metallrohres ein Heizkörper angeordnet ist. Angezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 689 io5; österreichische Patentschrift Nr: 155 7i2.
DES12852D 1944-11-22 1944-11-23 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern Expired DE937190C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES12852D DE937190C (de) 1944-11-22 1944-11-23 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0012852 1944-11-22
DES12852D DE937190C (de) 1944-11-22 1944-11-23 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE937190C true DE937190C (de) 1955-12-29

Family

ID=25994846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES12852D Expired DE937190C (de) 1944-11-22 1944-11-23 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE937190C (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT155712B (de) * 1936-06-20 1939-03-10 Aeg Verfahren zur Herstellung von Halbleiterüberzügen.
DE689105C (de) * 1937-11-03 1940-03-11 Siemens Schuckertwerke Akt Ges Trockengleichrichteranordnung mit rohrfoermigen Gleichrichterelementen

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT155712B (de) * 1936-06-20 1939-03-10 Aeg Verfahren zur Herstellung von Halbleiterüberzügen.
DE689105C (de) * 1937-11-03 1940-03-11 Siemens Schuckertwerke Akt Ges Trockengleichrichteranordnung mit rohrfoermigen Gleichrichterelementen

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE937190C (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE919360C (de) Selen-Gleichrichter mit Tellur und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0025946A1 (de) Heizelement für eine indirekt geheizte Kathode
DE925847C (de) Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern
DE970900C (de) Verfahren zur Herstellung unipolarer Leiter mit Selen oder Selenverbindungen als Halbleiter
DE961733C (de) Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie Selen
DE1040135B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen aus Silicium od. dgl. durch Anwendung eines chemischen AEtzvorganges an der Stelle des p-n-UEberganges
DE812805C (de) Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern
DE757222C (de) Selentrockengleichrichter mit Schwermetall-Traegerelektrode
DE902051C (de) Indirekt geheizte Kathode
DE833228C (de) Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters
DE680512C (de) Einrichtung zur Lichtbehandlung des menschlichen Koerpers
AT149299B (de) Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfähigkeit.
DE749662C (de) Stabfoermig ausgebildete, mittelbar geheizte Kathode fuer Braunsche Roehren
DE1521060B1 (de) Verfahren zur Herstellung von mattiertem Zinnblech auf galvanischem Wege
DE812806C (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE509826C (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Ventilen
DE892946C (de) Korrosionsschutz fuer elektrische Heizstaebe
DE821089C (de) Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern
DE967745C (de) Nachbehandlung von eingeschmolzenen, oxydierten Stromzufuehrungen waehrend des Verfahrens zur Herstellung von Elektronenroehren
DE739182C (de) Verfahren zur Herstellung einer indirekt beheizten Kathode fuer elektrische Entladungsroehren
Waldmeier Das Verhalten der monochromatischen Korona im 11 jährigen Zyklus. Mit 4 Textabbildungen
DE977513C (de) Verfahren zur Beseitigung eines Sperreffektes von flaechenhaften Kontaktelektroden an Halbleiterkoerpern aus Germanium oder Silizium
DE935383C (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE481597C (de) Verfahren zum elektrischen Widerstandsschweissen von Aluminium