DE937190C - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SelengleichrichternInfo
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- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 18
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 18
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/08—Preparation of the foundation plate
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern Es ist bekannt, Trockengleichrichter im Gegensatz zu der üblichen Bauart nicht mit scheibenförmiger Trägerelektrode, sondern mit rohrförmiger Trägerelektrode auszubilden. Gemäß der Erfindung wird ein rohrförmiger Trockengleichrichter mit einer Halbleiterschicht aus Selen dadurch hergestellt, daß ein als Trägerelektrode dienendes Metallrohr um seine Achse über einem Selenverdampfer von mindestens gleicher oder größerer Länge in Drehungen versetzt wird. Die Erfindung hat den Vorteil, daß es gelingt, eine gleichmäßige und gut haftende Halbleiterschicht auf der rohrförmigen Trägerelektrode aufzubringen. Die Schwierigkeiten, welche bei dem üblichen Verfahren des Aufstreichens einer Selenschicht in Verbindung mit einer rohrförmigen Trägerelektrode aufgetreten sind, werden bei der Erfindung vermieden. Vorteilhaft wird dabei das Verdampfen im Vakuum durchgeführt.
- Um eine gut haftende Selenschicht zu erhalten, wird das als Trägerelektrode dienende Metallrohr zweckmäßig während des Aufdampfens des Selens geheizt. Das Metallrohr kann zu dem Zweck über einen elektrisch geheizten Heizkörper geschoben werden. Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß das Selen sich bereits in der gewünschten Modifikation auf dem Metallrohr niederschlägt bzw. beim Niederschlagen sich in die gewünschte Modifikation umwandelt. Das als Trägerelektrode dienende Metallrohr kann von vornherein so stark aufgeheizt werden, daß sich das Selen schon beim Aufdampfen verflüssigt oder in halbleitender Modifikation niederschlägt. .
- Wenn die Selenschicht auf ein nicht beheiztes Metallrohr aufgedampft wird, so wird das Rohr zweckmäßig nach dem Aufdampfen so stark erwärmt, daß das Selen sich verflüssigt und in die glasige amorphe Modifikation übergeht, bevor die thermischen Behandlungen zur Überleitung in den Halbleiterzustand angewandt werden.
- Nach dem Aufdampfen der Selenschicht wird der rohrförmige Trockengleichrichter dem bei plattenförmigen Trägerelektroden üblichen Behandlungsverfahren der thermischen Umwandlung der Selenschicht unterworfen, und es wird auf die Selenschicht die für die Stromabnahme erforderliche Gegenelektrode aufgebracht. Wie für plattenförmige Selengleichrichter vorgeschlagen wurde, kann die. Gegenelektrode auch vor oder während der thermischen Umwandlung aufgebracht werden.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE: I. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einer schnell und gleichmäßig erzeugten Halbleiterschicht, dadurchgekennzeichnet, daß ein Metallrohr als Trägerelektrode um seine Achse über einem Selenverdampfer von mindestens gleicher oder größerer Länge in Umlauf gesetzt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Selenschicht im Vakuum aufgebracht wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Metallrohr während des Aufdampfens geheizt wird. q.. Anordnung zur Ausübung des Verfahrens nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß im Innern des Metallrohres ein Heizkörper angeordnet ist. Angezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 689 io5; österreichische Patentschrift Nr: 155 7i2.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES12852D DE937190C (de) | 1944-11-22 | 1944-11-23 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0012852 | 1944-11-22 | ||
DES12852D DE937190C (de) | 1944-11-22 | 1944-11-23 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE937190C true DE937190C (de) | 1955-12-29 |
Family
ID=25994846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES12852D Expired DE937190C (de) | 1944-11-22 | 1944-11-23 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE937190C (de) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT155712B (de) * | 1936-06-20 | 1939-03-10 | Aeg | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterüberzügen. |
DE689105C (de) * | 1937-11-03 | 1940-03-11 | Siemens Schuckertwerke Akt Ges | Trockengleichrichteranordnung mit rohrfoermigen Gleichrichterelementen |
-
1944
- 1944-11-23 DE DES12852D patent/DE937190C/de not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT155712B (de) * | 1936-06-20 | 1939-03-10 | Aeg | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterüberzügen. |
DE689105C (de) * | 1937-11-03 | 1940-03-11 | Siemens Schuckertwerke Akt Ges | Trockengleichrichteranordnung mit rohrfoermigen Gleichrichterelementen |
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