DE961733C - Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie Selen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie Selen

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DE961733C
DE961733C DEA10696D DEA0010696D DE961733C DE 961733 C DE961733 C DE 961733C DE A10696 D DEA10696 D DE A10696D DE A0010696 D DEA0010696 D DE A0010696D DE 961733 C DE961733 C DE 961733C
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Germany
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semiconductor
counter electrode
counter
selenium
conductive elements
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DEA10696D
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Willi Scholz
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AEG AG
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AEG AG
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/12—Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate

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Description

  • Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie Selen Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Elementen mit einem Halbleiter wie Selen, bei denen der Halbleiter an seiner Oberfläche eine Sperrschicht aufweist, und einer aus leicht schmelzbarem Metall bestehenden Gegenelektrode, die mit dem Halbleiter fest verbunden ist. Es ist bereits bekannt, derartige Elemente nach dem Aufbringen der Gegenelektrode in ihrer Gesamtheit bis über den Schmelzpunkt der Gegenelektrode zu erhitzen. Dies geschieht zu dem Zweck, die Halbleitersubstanz in die für Gleichrichterzwecke geeignete Modifikation zu überführen.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren unterscheidet sich von den bisher bekannten dadurch, daß die Erhitzung der Gegenelektrode nach ihrer Aufbringung auf mindestens ihre unter der Umwandlungstemperatur des Halbleiters gelegene Schmelztemperatur mittels einer nur der Gegenelektrode zugewandten Wärmequelle durchgeführt wird. Dadurch bleibt der Halbleiter im Gegensatz zu den bekannten Verfahren in seinem Inneren unverändert, und lediglich an der Oberfläche ändert sich die Konzentration der Störstellen durch die beim Schmelzen der Gegenelektrode auftretende Wärme. Überraschenderweise zeigt es sich, daß der innere Widerstand eines gemäß der Erfindung hergestellten Elementes in der Flußrichtung eine erhebliche Abnahme erfährt.
  • Die nachträgliche Erhitzung der Gegenelektrode kann auf verschiedenartige Weise vorgenommen werden, zweckmäßigerweise jedoch mittels Wärmestrahlung, weil auf diese Weise am einfachsten eine Erhitzung nur der dem Wärmestrahler zugewandten Gegenelektrode durchführbar ist.
  • Von besonderem Vorteil ist es, wenn die Erhitzung der Gegenelektrode in einem Ofen vorgenommen wird.
  • Für die Gegenelektrode wird mit Vorteil. ein leicht schmelzendes Metall, wie z. B. Wood-Metalllegierung, gewählt, und durch Aufspritzen, Aufdampfen oder auch Aufschmelzen auf den Halbleiter aufgebracht.
  • Ein weiterer überraschender Vorzug einer derartigen Nachbehandlung besteht darin, daß zu Kurzschlüssen führende Löcher in dem Halbleiter unschädlich gemacht werden, so daß auch zunächst unbrauchbare Elemente ordnungsgemäß arbeiten. Die Erklärung für diese Wirkung der nachträglichen Erhitzung der Gegenelektrode kann noch nicht eindeutig gegeben werden. Möglicherweise zieht sich das schmelzende Metall unter der Wir= kung der Oberflächenspannung zusammen, so daß die die Löcher im Halbleiter ausfüllenden Metallbrücken aus denselben herausgezogen werden, oder aber es entsteht an diesen Stellen eine nichtleitende Metallverbindung.

Claims (4)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie Selen, einer auf seiner Oberfläche befindlichen Sperrschicht und einer aus leicht schmelzendem Metall bestehenden, fest mit dem Halbleiter verbundenen Gegenelektrode, bei dem die Gegenelektrode nach ihrer Aufbringung auf mindestens ihre unter der Umwandlungstemperatur des Halbleiters gelegene Schmelztemperatur gebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzung mittels einer nur der Gegenelektrode zugewandten Wärmequelle durchgeführt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzung der Gegenelektrode mittels Wärmestrahlung erfolgt.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzung der Gegenelektrode in einem Ofen vorgenommen wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch i oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegenelektrode aus einem leicht schmelzbaren Metall, wie z. B. einer Wood-Metallegierung, besteht und durch Aufspritzen, Aufdampfen oder auch Aufschmelzen auf den Halbleiter aufgebracht wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Britische Patentschriften Nr. 464 268, 471390, 472 961; USA.-Patentschrift Nr. 2 124 3o6; österreichische Patentschrift Nr: 131 78o; Buch von B. Lange, »Photoelemente und ihre Anwendung«, I. Teil, 1936, Abschnitt »Halbleiterphotozelle«, S. io ff.
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