DE1079744B - Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern

Info

Publication number
DE1079744B
DE1079744B DES35318A DES0035318A DE1079744B DE 1079744 B DE1079744 B DE 1079744B DE S35318 A DES35318 A DE S35318A DE S0035318 A DES0035318 A DE S0035318A DE 1079744 B DE1079744 B DE 1079744B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
dry
manufacture
formation
selenium rectifiers
rectifiers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES35318A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Ing Erich Nitsche
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to DES32123A priority Critical patent/DE1060053B/de
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES35318A priority patent/DE1079744B/de
Priority claimed from DES35317A external-priority patent/DE1079743B/de
Publication of DE1079744B publication Critical patent/DE1079744B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/12—Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern Das Hauptpatent 1060053 betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern mit einem mehrschichtigen Halbleiter aus Selen, bei dem auf die Trägerelektrode zunächst eine oder mehrere Schichten aus Selen mit Halogenzusatz und auf diese eine oder mehrere weitere Schichten aus Selen aufgebracht werden, die außer Halogen einen weiteren Zusatz eines die Sperrschichtbildung fördernden. Metalls oder anderen Stoffes in solcher Menge erhalten haben, daß dadurch deren Leitfähigkeit bis auf die der von der Sperrschicht entfernt liegenden Schichten oder darunter herabgesetzt wird.
  • Für das Aufbringen der Gegenelektrode und die weitere Behandlung des Trockengleichrichterelementes im Verlauf der Fertigung sind zahlreiche Verfahren. bekannt. Man hat die Gegenelektrode beispielsweise durch Aufdampfen, Aufstäuben oder nach dem Verfahren von Schoop durch Aufspritzen, des Elektrodenmaterials auf die Halbleiterschicht aufgebracht. Es ist auch bekannt, die Gegenelektrode durch Eintauchen des unfertigen Gleichrichterelements in flüssiges Elektrodenmaterial zu erzeugen oder in. Form einer fertigen Folie oder Scheibe auf die Halbleiterschicht aufzulegen. Es ist ferner bekannt, die Gegenelektrode erst nach den thermischen Formierungsprozessen aufzulegen bzw. aufzuspritzen. Bei Gleichrichtern mit mehrschichtiger Halbleiterschicht nach, dem Hauptpatent kann es bei den hohen Temperaturen, denen das Gleichrichterelement während seiner thermischen und gegebenenfalls seiner elektrischen Formierung ausgesetzt ist, zu Diffusionsvorgängen kommen, durch die der Zusatzstoffgehalt der einzelnen Schichten nachteilig verändert wird. Erfindungsgemäß wird daher bei einem Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit mehrschichtigem Halbleiter und Zusatzstoffgehalt für die Förderung der Sperrschichtbildung die Deckelektrode entweder schmelzflüssig aufgebracht oder nach einem beliebigen, Aufbringen in schmelzflüssigen Zustand' gebracht, und zwar vor oder während der thermischen und gegebenenfalls der elektrischen Formierungsbehandlung des Trockengleichrichters. Dadurch, daß die Deckelektrode von vornherein flüssig aufgebracht wird oder im Verlauf des Behandlungsverfahrens flüssig wird, kommt es in der der Deckelektrode nahen Zone der Halbleiterschicht mit ihrem die Sperrschichtbildung fördernden Zusatzstoffgehalt zu einer schnellen und wirksamen Bildung des Doppelrandschichtsystems aus der Halbleiterschicht einerseits und der chemischen Verbindung aus dem Deckelektrodenmetall und dem Halbleiterstoff andererseits. Diese Sperrschichtbildung ist bei dem Verfahren nach der Erfindung bereits. abgeschlossen, bevor durch Diffusionsvorgänge im Laufe der Formierungsbehandlung der Zusatzstoffgehalt der einzelnen Schichten sich wesentlich verändern, kann. Außerdem wird eine ungleichmäßige Ausbildung der Sperrschicht vermieden. Befindet sich nämlich. vor oder während der thermischen und gegebenenfalls der elektrischen Formierung die Gegenelektrode niemals im flüssigen Zustand, so ist die Berührung zwischen Gegenelektrode und Halbleiter bei der Sperrschichtbildung im wesentlichen auf einzelne Punkte beschränkt. An diese Berührungspunkte wandert dann während der Formierung der Zusatzstoff, so daß an diesen Stellen ein Überschuß, an den übrigen Stellen der Grenzfläche ein Mangel an Zusatzstoff auftritt und somit die Sperrschicht ungleichmäßig ausgebildet wird. Für den Fertigungsprozeß gemäß der Erfindung kann die Gegenelektrode nicht nur unmittelbar in flüssiger Form aufgebracht werden, sondern auch z. B. aufgedampft oder aufgestäubt werden. In diesem Falle wird im Anschluß daran das Gegenelektrodenmaterial schmelzflüssig gemacht, so daß auf diese Weise eine innige Verbindung mit der Oberfläche der Halbleiterschicht oder gegebenenfalls einer auf dieser vorher angebrachten Zwischenschicht hergestellt wird. Das Schmelzen des Gegenelektrodenmaterials kann entweder ein selbständiger Verfahrensschritt sein oder am Anfang oder während der Endumwandlung der Halbleiterschicht durchgeführt werden.; es kann auf rein thermischem Wege, elektrischem Wege oder durch kombinierte Maßnahmen vorgenommen werden.. Es wird in diesem Falle, z. B. zu Beginn der Endumwandlung zunächst eine derart hohe Temperatur an der Gleichrichteranordnung erzeugt, daß die Deckelektrode auf jeden Fall schmelzflüssig wird. Anschließend wird mit geringeren Temperaturen gearbeitet, so daß die Deckelektrode in den festen Zustand übergeht und, eine weitere Behandlung des Gleichrichterelementenaufbaues bei fester Deckelektrode stattfindet.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern mit mehrschichtiger Halbleiteranordnung, bei denen in dem Halbleiter die Sperrschichtbildung fördernde Mittel vorgesehen sind, nach Patent. 1060 053, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckelektrode schmelzflüssig aufgebracht wird oder nach einem beliebigen Aufbringen vor oder während der thermischen und gegebenenfalls der elektrischen Behandlung des Trockengleichrichters in schmelzflüssigen Zustand gebracht wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 812 806; britische Patentschrift Nr. 562 848; »Der Radio-Markt«, Beilage in der »Elektro-Technik«, Coburg, 9. 2.1951, S.14 bis 16.
DES35318A 1953-02-10 1953-09-19 Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern Pending DE1079744B (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES32123A DE1060053B (de) 1953-02-10 1953-02-10 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einem mehrschichtigen Halbleiter mit verschiedenem Gehalt an Halogen und elektropositiven Zusaetzen in den einzelnen Schichten
DES35318A DE1079744B (de) 1953-02-10 1953-09-19 Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES32123A DE1060053B (de) 1953-02-10 1953-02-10 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einem mehrschichtigen Halbleiter mit verschiedenem Gehalt an Halogen und elektropositiven Zusaetzen in den einzelnen Schichten
DES35318A DE1079744B (de) 1953-02-10 1953-09-19 Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern
DES35317A DE1079743B (de) 1953-02-10 1953-09-19 Verfahren zur Herstellung von Selen-Gleichrichtern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1079744B true DE1079744B (de) 1960-04-14

Family

ID=34811571

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES32123A Pending DE1060053B (de) 1953-02-10 1953-02-10 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einem mehrschichtigen Halbleiter mit verschiedenem Gehalt an Halogen und elektropositiven Zusaetzen in den einzelnen Schichten
DES35318A Pending DE1079744B (de) 1953-02-10 1953-09-19 Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES32123A Pending DE1060053B (de) 1953-02-10 1953-02-10 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einem mehrschichtigen Halbleiter mit verschiedenem Gehalt an Halogen und elektropositiven Zusaetzen in den einzelnen Schichten

Country Status (1)

Country Link
DE (2) DE1060053B (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1149461B (de) * 1961-08-28 1963-05-30 Elektronik M B H Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE1208822B (de) * 1961-10-31 1966-01-13 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtertabletten mit einer im Verhaeltnis zu ihrer Gesamtflaeche kleinen aktiven Flaeche
DE1209210B (de) * 1961-10-31 1966-01-20 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichter-tabletten mit einer im Verhaeltnis zu ihrer Gesamtflaeche kleinen aktiven Flaeche
DE1260030B (de) * 1962-03-16 1968-02-01 Gen Electric Halbleiterdiode mit einem PN-UEbergang von kleinem Querschnitt

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1963738A1 (de) * 1969-12-19 1971-06-24 Semikron Gleichrichterbau Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB562848A (en) * 1942-07-10 1944-07-19 Gen Electric Co Ltd Improvements in dry-plate rectifiers
DE812806C (de) * 1949-07-31 1951-09-06 Siemens Schuckertwerke A G Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL49864C (de) * 1935-06-22
AT155590B (de) * 1936-06-22 1939-02-25 Aeg Trockenplattengleichrichter.
DE742935C (de) * 1939-07-01 1943-12-15 Siemens Ag Elektrischer Halbleiter aus Selen, insbesondere fuer Trockengleichrichter
BE463668A (de) * 1943-03-15 1900-01-01
CH255233A (de) * 1943-07-13 1948-06-15 Standard Telephon & Radio Ag Selengleichrichterelement und Verfahren zu seiner Herstellung.
CH244461A (de) * 1944-04-13 1946-09-15 Hermes Patentverwertungs Gmbh Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten.
DE820318C (de) * 1948-10-02 1951-11-08 Siemens & Halske A G Selenkoerper, insbesondere fuer Trockengleichrichter, Fotoelemente und lichtempfindliche Widerstandszellen

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB562848A (en) * 1942-07-10 1944-07-19 Gen Electric Co Ltd Improvements in dry-plate rectifiers
DE812806C (de) * 1949-07-31 1951-09-06 Siemens Schuckertwerke A G Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1149461B (de) * 1961-08-28 1963-05-30 Elektronik M B H Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE1208822B (de) * 1961-10-31 1966-01-13 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtertabletten mit einer im Verhaeltnis zu ihrer Gesamtflaeche kleinen aktiven Flaeche
DE1209210B (de) * 1961-10-31 1966-01-20 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichter-tabletten mit einer im Verhaeltnis zu ihrer Gesamtflaeche kleinen aktiven Flaeche
DE1260030B (de) * 1962-03-16 1968-02-01 Gen Electric Halbleiterdiode mit einem PN-UEbergang von kleinem Querschnitt

Also Published As

Publication number Publication date
DE1060053B (de) 1959-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1446161C3 (de) Supraleitendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69205193T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper mit einer vergrabenen Silicidschicht.
DE2360030C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Schottky-Diode
DE1079744B (de) Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern
DE2261877B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Supraleiters
DE829766C (de) Selen-Wechselstromgleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2653287A1 (de) Verfahren zum herstellen von halbleiterelementen
DE1170082B (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE1546014A1 (de) Verfahren zum AEtzen von Metallschichten mit laengs der Schichtdicke unterschiedlicher Zusammensetzung
DE1130931B (de) Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters
DE812805C (de) Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern
DE1101625B (de) Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern
DE833228C (de) Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters
DE826175C (de) Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern, insbesondere Selengleichrichtern
DE961733C (de) Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie Selen
DE1186950C2 (de) Verfahren zum entfernen von unerwuenschten metallen aus einem einen pn-uebergang aufweisenden silicium-halbleiterkoerper
DE895039C (de) Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern
DE950664C (de) Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern, insbesondere Selengleichrichtern
DE932812C (de) Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern, insbesondere Selengleichrichtern
DE1809550A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements mit Emitterableitung
EP0160290A2 (de) Kontaktwerkstoff
DE2028632A1 (de) Halbleiterbauelement
DE977513C (de) Verfahren zur Beseitigung eines Sperreffektes von flaechenhaften Kontaktelektroden an Halbleiterkoerpern aus Germanium oder Silizium
DE676127C (de) Verfahren zur Herstellung von Alkali- oder Erdalkaliphotozellen
DE497426C (de) Trockener fester Gleichrichter, der aus Schichten verschiedener Stoffe besteht