DE829766C - Selen-Wechselstromgleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Selen-Wechselstromgleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung

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DE829766C
DE829766C DEW3622A DEW0003622A DE829766C DE 829766 C DE829766 C DE 829766C DE W3622 A DEW3622 A DE W3622A DE W0003622 A DEW0003622 A DE W0003622A DE 829766 C DE829766 C DE 829766C
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alloy
rectifier
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counter electrode
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DEW3622A
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Siemens Mobility Ltd
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Westinghouse Brake and Signal Co Ltd
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/12—Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate

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Description

Die Erfindung 'bezieht sich auf Trockenplattenwechselstromgleichrichter mit einer Halbleiterschicht, auf deren Oberfläche eine Gegenelektrode aus einem Metall oder einer Legierung in beliebiger Weise aufgebracht ist, und bezweckt, einen Gleichrichter zu schaffen, dereine verl>esserte Gegenelektrode aufweist.
Die Erfindung ist insbesondere auf Selen-Gleichrichter anwendbar, aind gemäß dem Hauptmerkmal ίο der Erfindung enthält die Gegenelektrode eine verhältnismäßig kleine Menge eines oder mehrerer Alkalimetalle.
Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung wird auf die Oberfläche des Halbleiters zunächst eine aus einem Metall oder einer Legierung bestehende Schicht, die keine nennenswerte Menge eines Alkalimetalls enthält, und danach auf diese erste Schicht eine ein Alkalimetall oder eine Alkalimetallegierung enthaltende zweite Schicht aufgebracht, wobei das Alkalimetall oder die ao Legierung daraus während einer nachfolgenden Formierungs- oder sonstigen .Behandlung durch die erste Schicht hindurch zu der Grenzfläche an der Oberfläche des Halbleiters wandert.
Bei der praktischen Anwendung der Erfindung auf einen Selen-Gleichrichter kann die Gegenelektrode in der Hauptsache aus einer Zinn-Kadmium-Legierung ibestehen, die zusätzlich ungefähr 0,5 °/o Kalium oder Natrium enthält.
Eine Elektrode von dieser Zusamensetzung liefert zufriedenstellende Ergebnisse, die mit denen vergleichbar sind, welche mit einer Gegenelektrode
erhalten werden, die aus- einer Zinn-Kadmium-: Legierung besteht, welche eine kleine Menge Thallium enthält.
Das Alkalimetall kann auch in einer zweiten Schicht enthalten sein, die auf einer ersten Schicht aufgebracht wird, welche das Alkalimetall nicht enthält und welche in .beliebiger Weise auf der Oberfläche des Halbleiters aufgebracht wird, wobei das Alkalimetall während einer nachfolgenden
ίο Formierungs- oder sonstigen Behandlung durch die erste oder innere Schicht hindurchwandert.
Es ist von Vorteil, 'insbesondere in den Fällen, in welchen die Gegenelektrode ein Alkalimetall oder eine Legierung davon enthält, die Elektrodenschicht mit einer anderen Schicht aus einem verhältnismäßig schwer oxydierbaren Metall oder einer Legierung davon zu überziehen, ium die Elektrodenschicht zu schützen.

Claims (5)

  1. PATENTANSPRÜCHE:
    i. Selen-Wechselstromgleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegenelektrode aus einem Metall oder einer Aletallegierung besteht, die eine verhältnismäßig kleine Menge eines oder mehrerer Alkalimetalle enthält.
  2. 2. .Gleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Alkalimetalle Kalium und bzw. oder Natrium sind.
  3. 3. Gleichrichter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegenelektrode in der Hauptsache aus einer Legierung von Zinn und Kadmium zusammengesetzt ist.
  4. 4. Gleichrichter nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegenelektrode ungefahr 0,5% Kalium oder Xatrium enthält.
  5. 5. Verfahren zur Herstellung eines Gleichrichters nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Oberfläche des Halbleiters zunächst eine aus einem Metall oder einer Metallegierung bestehende Schicht. die keine nennenswerte Menge an Alkalimetall enthält, oind danach auf diese Schicht eine zweite, aus einem Metall oder einer Metalllegierung bestehende Schicht aufgebracht wird, die das Alkalimetall enthält.
    2939 1.52
DEW3622A 1944-03-02 1950-09-17 Selen-Wechselstromgleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung Expired DE829766C (de)

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GB3913/44A GB577616A (en) 1944-03-02 1944-03-02 Improvements relating to alternating electric current rectifiers of the dry plate type

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DE829766C true DE829766C (de) 1952-01-28

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DEW3622A Expired DE829766C (de) 1944-03-02 1950-09-17 Selen-Wechselstromgleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung

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GB (1) GB577616A (de)

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GB577616A (en) 1946-05-24
US2437336A (en) 1948-03-09

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