DE895039C - Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern

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DE895039C
DE895039C DES17133D DES0017133D DE895039C DE 895039 C DE895039 C DE 895039C DE S17133 D DES17133 D DE S17133D DE S0017133 D DES0017133 D DE S0017133D DE 895039 C DE895039 C DE 895039C
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Hans Dr Rer Nat Neldel
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Sueddeutsche Telefon Apparate Kabel und Drahtwerke AG TEKADE
Original Assignee
Sueddeutsche Telefon Apparate Kabel und Drahtwerke AG TEKADE
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/08Preparation of the foundation plate

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Description

  • Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern Im Patent 868 318 ist ein Verfahren zur, Herstellung von Trockengleichrichtern, bei denen die Sperrschicht zwischen Träger und Halbleiter liegt, beschrieben, wobei Idas, Trägermetall mit einer Karrosionsschutzachieht versehen wird und auf diese die Sperrschicht und der Halbleiter.aufgebracht werden. Für die Sperrschicht wird dabei eine Verbindung gewählt, deren Wärmetönung diejenige der Halbleiterschicht, übertrifft.
  • Bei der Herstellung eines Gleichrichterelementes, dessen Trägerelektrode z. B. aus Eisen besteht, und die auf elektrolytischem Wege mittels einer Chromschicht korrosionsfest gemacht ist, tritt bei der thermischen Behandlung der Gleichrichter der Nachteil auf, daß aus der Chromschicht Chromatome in das Eisen hinein diffundieren, und umgekehrt, so daß sich also ein Mischkristall an den Berührungsflächen in stärkerer atomarer Schichtdicke bildet. Dies hat den Nachteil, daß die bis an die Chromoberfläche vordringenden Eisenatome auch die Leitfähigkeit der Sperrschicht heraufsetzen, so daß das Gl.eichrichterverhältnis für beide Richtungen sich verschlechtert. Außerdem wird die Sperrspannung ,des Gleichrichters herabgesetzt und durch den größeren Rückstrom die Erwärmung erhöht. Dies führt zu frühzeitigen Durchschlägen des Gleichrichters.
  • DieErfindungstellt sichdieAufgabe, die'Diffusion der Atome der Korrosionsschicht in das Trägermetall und umgekehrt zu verhindern, um auf diesem Wege eine Sperrschicht zu erhalten, deren Sperrwirkung von Lxitfähigkeitseinflüssen der Korrosionsschutzschicht frei ist. Dies wird nach der Erfindung dadurch erreicht, daß die Trägerelektrode elektrolytisch oder nach einem sonst bekannten Verfahren mit einer Diffusionsschutzschicht, einer Kupferschicht, überzogen wird. Auf diese Kupferschicht wird sodann die Korrosionsschutzschicht aufgetragen. Dadurch, daß Träger und Ko@rrosionsschutzschicht durch eine Diffüsionsschutzschicht getrennt sind, in die eine gegenseitige Diffusion der beiden Metalle bei der thermischen Herstellung des Gleichrichters nicht stattfindet, ist erreicht, daß die Leitfähigkeiten des Gleichrichters in beiden Richtungen keine Störung besitzt und die Sperrschicht infolgedessen in voller Wirksamkeit zur Auswirkung kommt.
  • Der Gleichrichter nach der Erfindung besitzt also folgenden Aufbau: i. Trägerelektrode, z. B. aus 25 Eisen, 2. Diffusionsschutzschicht, z. B. aus Kupfer, 3. Korrosionsschutzschicht, z. B. aus Chrom, q.. Sperrschicht, 5. Halbleiter, 6. Abnahmeelektrode.

Claims (2)

  1. hATENTANSPRUGI3E: i. Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern, bei denen die Sperrschicht zwischen Träger und Halbleiter liegt, nach Patent 868 318, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Oberfläche der Trägerelektrode und die KorrosionsschutzschiohteineDiffusionsschutzschicht aufgebracht wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusionsschutzschicht aus Kupfer besteht.
DES17133D 1943-07-21 1943-07-22 Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern Expired DE895039C (de)

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