DE757222C - Selentrockengleichrichter mit Schwermetall-Traegerelektrode - Google Patents

Selentrockengleichrichter mit Schwermetall-Traegerelektrode

Info

Publication number
DE757222C
DE757222C DEN42906D DEN0042906D DE757222C DE 757222 C DE757222 C DE 757222C DE N42906 D DEN42906 D DE N42906D DE N0042906 D DEN0042906 D DE N0042906D DE 757222 C DE757222 C DE 757222C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
selenium
heavy metal
carrier electrode
metal carrier
dry rectifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEN42906D
Other languages
English (en)
Inventor
Conradin Dr Kreutzer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NSF NUERNBERGER SCHRAUBENFABRI
ELEKTROWERK GmbH
Original Assignee
NSF NUERNBERGER SCHRAUBENFABRI
ELEKTROWERK GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NSF NUERNBERGER SCHRAUBENFABRI, ELEKTROWERK GmbH filed Critical NSF NUERNBERGER SCHRAUBENFABRI
Priority to DEN42906D priority Critical patent/DE757222C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE757222C publication Critical patent/DE757222C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/08—Preparation of the foundation plate

Description

  • Selentrockengleichrichter mit Schwermetall-Trägerelektrode Es sind Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern bekannbgieworden, bei welchen das Selen auf eine metallische Trägerplatte aufgeschmolzen wurde. Diese Trägerplatte dient gleichzeitig als die eine Stromzuführungselektrode. Dieses Verfahren hat verschiedene Nachteile. Beim Aufschmelzprozeß entstehen Verbindungen des Selens mit der Grundplatte, welche als unerwünschte Beimengungen im Selen auftreten und den Gleichrichtereffekt verschlechtern.
  • Es sind schon verschiedene Verfahren bekannt, die diesen Mißstand beseitigen. Danach soll das. Selen z. B. bei möglichst niedrigerTemperatur aufgeschmolzen werden; denn es bilden sich um so weniger Selenide, je niedriger die Temperatur der beiden Reaktionspartner ist. Ein anderes Verfahren, durch das die Selenidbildung verhindert wird, besteht darin:, daß das Selen zuerst auf eine andere Platte aufgeschmolzen wird, die mit dem Selen keine Verbindung eingeht. Das so erhaltene Element wird dann im halbplastischen Zustand von dieser zweiten Trägerplatte aus auf die endgültige Elektrode übertragen. Diese bekannten Verfahren sind kompliziert und vermeiden die Selenidbildung nicht vollständig; sie setzen sie nur auf ein erträgliches Maß herunter.
  • Weiterhin ist bereits, bekannt, daß Selen auf Graphit oder Hartkohle aufgebracht oder irgendein Metall mit Graphit überzogen wird. Dabei treten die Nachteile auf, daß selbsttragende Isohleschichten zu hohen Widerstand haben und dünne Graphitschichten auf den Metallen schlecht haften.
  • Die Erfindung schließt die Selenidbildung vollständig aus und besteht darin, daß bei einem Selentrockengleichrichter mit Schwermetall-Trägerelektrode zwischen Selenschicht und Trägerelektrode eine hauchdünne, praktisch keinenWiderstand in Durchflußrichtung zeigende Oxyd- oder Sulfidschi.cht, die auf dem Trägermetall nach beliebigem. Verfahren niedergeschlagen und. auf der die Selenschicht fest aufgeschmolzen ist, zur Vermeidung der Selenidbildung angeordnet ist. Die Wirkung dieser Schicht besteht darin, daß der Sauerstoff eine größere Verbindungstendenz zum Schwermetall hat als das Selen. Infolge des anwesenden reaktionsfähigeren Sauerstoffs wird beim Auftragen eine Reaktion des Selens mit dem Schwermetall vollständig vermieden.
  • Die Oxydschicht soll möglichst dünn sein, um zu verhindern, daß dadurch ein Widerstand in Durchflußrichtung in den Gleichrichter eingebracht wird. Versuche haben gezeigt, daß eine Oxydschicht, die so dünn ist, d.aß sie Farben dünner Plättchen zeigt, schon dafür genügt, d@aß der gewünschte Effekt eintritt.
  • Derselbe Effekt kann auch erreicht werden, wenn statt einer Oxydhaut eine Sulfidhavt auf der Trägerplatte niedergeschlagen wird

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Selentrockengleichrichter mit Schwermetall-Trägerelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Selenschicht und Trägerelektrode eine hauchdünne, praktisch keinen Widerstand in Durchflußrichtung zeigende Oxyd- oder Sulfidschicht, die auf dem Trägermetall nach beliebigem Verfahren niedergeschlagen und auf der die Selenschicht fest aufgeschmolzen ist, zur Vermeidung der Selenidbildung angeordnet ist. Zur Abgrenzung des Erfindungsgegenstands vom Stand der Technik sind im Erteilungsverfahren folgende Druckschriften in Betracht gezogen worden: Österreichische Patentschriften Nr. r4,t 4311, 150 558; schweizerische Patentschrift Nr. 193 745; französische Patentschriften Nr. 3 i 23 t Zusatz zu 6 0 7 570, 774 3-44.
DEN42906D 1939-02-04 1939-02-05 Selentrockengleichrichter mit Schwermetall-Traegerelektrode Expired DE757222C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEN42906D DE757222C (de) 1939-02-04 1939-02-05 Selentrockengleichrichter mit Schwermetall-Traegerelektrode

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEN0042906 1939-02-04
DEN42906D DE757222C (de) 1939-02-04 1939-02-05 Selentrockengleichrichter mit Schwermetall-Traegerelektrode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE757222C true DE757222C (de) 1954-02-08

Family

ID=25989228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN42906D Expired DE757222C (de) 1939-02-04 1939-02-05 Selentrockengleichrichter mit Schwermetall-Traegerelektrode

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE757222C (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE971697C (de) * 1948-10-01 1959-03-12 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE1086822B (de) * 1952-07-31 1960-08-11 Anna Luise Falkenthal Geb Broe Fotoelement mit Vorderwandeffekt
DE1161998B (de) * 1961-07-29 1964-01-30 Semikron Gleichrichterbau Verfahren zur Herstellung von Selen-Gleichrichterplatten

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR607570A (fr) * 1925-06-22 1926-07-05 P R Mallory And Company Inc Redresseur de courants électriques
FR774344A (fr) * 1934-03-15 1934-12-05 Suddeutsche App Fabrik G M B H Perfectionnements aux redresseurs avec métal redresseur disposé entre deux électrodes
AT141431B (de) * 1933-09-25 1935-04-25 Philips Nv Photoelektrische Vorrichtung.
AT150558B (de) * 1935-06-01 1937-09-10 Philips Nv Trockengleichrichter.
CH193745A (de) * 1935-02-06 1937-10-31 Philips Nv Elektrodensystem mit unsymmetricher Leitfähigkeit.

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR607570A (fr) * 1925-06-22 1926-07-05 P R Mallory And Company Inc Redresseur de courants électriques
FR31231E (fr) * 1925-06-22 1927-01-26 P R Mallory And Company Inc Redresseur de courants électriques
AT141431B (de) * 1933-09-25 1935-04-25 Philips Nv Photoelektrische Vorrichtung.
FR774344A (fr) * 1934-03-15 1934-12-05 Suddeutsche App Fabrik G M B H Perfectionnements aux redresseurs avec métal redresseur disposé entre deux électrodes
CH193745A (de) * 1935-02-06 1937-10-31 Philips Nv Elektrodensystem mit unsymmetricher Leitfähigkeit.
AT150558B (de) * 1935-06-01 1937-09-10 Philips Nv Trockengleichrichter.

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE971697C (de) * 1948-10-01 1959-03-12 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE1086822B (de) * 1952-07-31 1960-08-11 Anna Luise Falkenthal Geb Broe Fotoelement mit Vorderwandeffekt
DE1161998B (de) * 1961-07-29 1964-01-30 Semikron Gleichrichterbau Verfahren zur Herstellung von Selen-Gleichrichterplatten

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE892193C (de) Selengleichrichter
DE757222C (de) Selentrockengleichrichter mit Schwermetall-Traegerelektrode
DE880529C (de) Vorrichtung zum Verdampfen von Materialien
DE720445C (de) Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial und nach diesem Verfahren hergestellter Trockenplattengleichrichter
DE527789C (de) Gleichrichter fuer Wechselstrom
DE898468C (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstaenden
DE909863C (de) Verfahren und Vorrichtung zur Scheidung metallischen Eisens aus zinkhaltigen Stoffen
DE970900C (de) Verfahren zur Herstellung unipolarer Leiter mit Selen oder Selenverbindungen als Halbleiter
DE933578C (de) Verfahren zur Herstellung elektrischer Trockengleichrichter
DE582750C (de) Vakuumdichte und quecksilberbestaendige Elektrodeneinfuehrung in Quecksilberdampf-Glasgleichrichter
DE525664C (de) Verfahren zur Herstellung elektrischer Gleichrichterventile
DE915594C (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern und Selenphotozellen
DE1263233B (de) Verfahren zur Herstellung einer Dichtung zwischen einem Kernreaktorkessel und einem drehbaren Deckel
DE1060053B (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einem mehrschichtigen Halbleiter mit verschiedenem Gehalt an Halogen und elektropositiven Zusaetzen in den einzelnen Schichten
DE756025C (de) Verfahren zur Herstellung einer Sperrschicht auf der Halbleiterschicht von Trockengleichrichtern
DE754795C (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE878418C (de) Verfahren zur Herstellung von Selen-Gleichrichterscheiben
DE1924620A1 (de) Feldeffekttransistor
DE878248C (de) Verfahren zur Herstellung von Selen-Gleichrichterplatten und -Photozellen
DE899237C (de) Verfahren zur Herstellung von Glasmetallverschmelzungen
AT138317B (de) Verfahren zur Herstellung von Vorderelektroden an Sperrschicht-Photozellen.
DE1621001C (de) Verfahren zur Herstellung von Festkörperbauelementen mit einer dünnen Glasschicht und an dieser angebrachten Elektroden
AT155923B (de) Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial.
DE883476C (de) Verfahren zur Verringerung der Alterung von Selengleichrichtern mit auf die Selenschicht aufgebrachter, beispielsweise aus einer Zinn-Kadmium-Legierung bestehender Deckelektrode
DE2047458A1 (de) Selbstjustierender Kontaktierungs rahmen