DE883476C - Verfahren zur Verringerung der Alterung von Selengleichrichtern mit auf die Selenschicht aufgebrachter, beispielsweise aus einer Zinn-Kadmium-Legierung bestehender Deckelektrode - Google Patents
Verfahren zur Verringerung der Alterung von Selengleichrichtern mit auf die Selenschicht aufgebrachter, beispielsweise aus einer Zinn-Kadmium-Legierung bestehender DeckelektrodeInfo
- Publication number
- DE883476C DE883476C DES13924D DES0013924D DE883476C DE 883476 C DE883476 C DE 883476C DE S13924 D DES13924 D DE S13924D DE S0013924 D DES0013924 D DE S0013924D DE 883476 C DE883476 C DE 883476C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- selenium
- aging
- temperature
- tin
- rectifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 19
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 19
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 18
- 230000032683 aging Effects 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 229910000925 Cd alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 4
- CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N [Cd].[Sn] Chemical compound [Cd].[Sn] CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 238000003303 reheating Methods 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 claims 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/14—Treatment of the complete device, e.g. by electroforming to form a barrier
- H01L21/145—Ageing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Gerontology & Geriatric Medicine (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Description
- Verfahren zur Verringerung der Alterung von Selengleichrichtern mit auf die Selenschicht aufgebrachter, beispielsweise aus einer Zinn-Kadmium-Legierung bestehender Deckelektrode Es ist den Selen,-leichrichtern eigen, #daß sie im Laufe der Zeit ebenso wie andere Trockengleiehr,cliter altern. Die Alterung besteht im wesentliehen. in einer Vergrößerung des Widerstandr#-s in der Durchlaßrichtung. Diese 'kann, sich zusammensetzen: aus einer Erhöhung des Übergangswiderstandes zwischen Trägertlektrode unid: Hialbleite.r, einer Erhöhung des Bahnwiderstandes der Halbkeiterschicht, einer Änderung -des Widerstandes der Sperrschicht und. einer Echöhung des Überggangswiderstandes zur Geggen- oder Deckelektrode. je nach ider Herste-Ilun,-s-,v-eise der Gleichrichter wird ,die eine oder andere Ursache überwiegen. Die erwähnten Widerstandsänderunggen werden dadurch hervorgerufen, daß beim Betriebe des Gleichrichters Bestandteile der Baustoffe einzelner Gleichrichterschichten in die benachbarten Schichten hineindiffundieren oder aus den SchicIten, heraustreten und damit die Eigenschaften dieser Schichten veränderm 'Da z. B. Beimengungen gewisser Halogene oder Halo-Inverbin#d'ungen zum Sel-en d-iie Leitfähigkeit des Selens b.-trächtlich erhöhen, wäre eine im Betrieb eintretend-,- Halogerliverarmung einerWiderstandserhöhunggleichzusetzen. Andererseits können Beimengungen, die in den Baustoffen, ,der Trägerelektrode oder der meistens auf die Selenschicht auf gespritzten- Deckelektrode enthalten sind, in die Selenschicht hineintreten und dadurch deren Leitahigkeit 'herabsetzen; insbesondere besteIht diese Möglichkeit an den Grenzschichten und der Sperrschicht. So kan-n beispielsweise schon eine geringe Menge Thallium im Selen die Leitfähigkeit erheblich ve.rschlechtern.
- Alle solche Vorgänge wirken widerstandserhöhend, und zwar um so mehr, mit je höherer Temperatur der Gleichrichter betrieben, wird. Sie werden beschleunigt und verstärkt dfurch die Einwirkung von Wärme. Tatsächlich zeigt sich auch bei Dauerbetrie?oen-, daß diie Alterung mit zunehmendex Temperatur (Betriebswärme) beschlen-#nigt -Wird. Dauerversuche haben gezeigt, daß die Wi(derstandser#höhung asymptotisch einem Endwert zustrebt. Der Einfluß der Wärme ist also beim gealterten GleieIhrichter wesentlich kleiner als beim neuen Gleichrichter, ja manchmal sogar vernachlässigbar klein.
- In vielen, Fällend werden; Selengleichrichter gebraucht, die im Btt#rieb selbst bei verhältnismäßig hohen Temperature ' n. nicht oder nur sehr wenig altern. dürfen. Ferner braucht man auch Gleichrichter, die beihöheren Temperaturen nicht stärker altern. als bei tieferen Temperaturen.
- Man kann nun derartigen normal hergestellten Selengleichrichtern diie Eigenschaften nicht alternder Gleichrichter durch künstlich vorweggenommene Alterung vefleihen, indem man den fertigen Gleichrichter während einer längeren, mindestens einige Stunden umfassenden Zeitdauer einer Nacherwärmung auf einer über der Betriebstemperatur des Gleiährichters, höchstens aber beim Schmelzpunkt der Deckelektrode liegende Temperatur aussetzt. Dieser Nacherwärmungsvorgang, den- man auch als Temperung bezeichnen kann, bedeutet praktisch eine künstlich vor-weggenommene Alterung oder auch eine Beschleunigung der Alterung, des Selengleichrichters zur Erreichung höherer Konstanz seiner elektrischen Werte. Er muß unter Umständen über eine beträchtliche Zeit ausgedehnt %verden, da die Änderungen, welche die künstliche Aliterung herbeiführen, nur langsam vor sich gehen. Mit zunehmender Behandlungsteinperatur tritt allerdings eine Beschleunigung der Alterung ein. Die 'hierbei zulässigen oberen Temperaturgrenzen .sind pra:ktisch iduirch,die, Schmelzpunkte der an. der Erwärmung teilnehmenden Baustoffe gegeben, zu-,nächst n#atürlich durch den Schmelzpunkt des Selens, .dann aber durch den meist erheblich tiefer liegenden Schtnelzpunkt-der Gegen- oder DeckelektTode. Eine aus einer Zinn-Kadmium-Legierung bestehende, auf .die Selenschicht aufgespritzte Deckelektrode schmilzt beispielsweise bei etwa iSo' C. Als untere Grenze der Temperaturerhöhung ergibt sich eine Temperatur, bei welcher der Widerstand des Gleichilchters in der Durchlaßrichtung nur wenig zunimmt. Würde man für die künstliche Alterung eine uniter der voraussichtlichen Betriebstempeeratur liegende Temperatur der Nacherwärmung wählen, so würde '%die Temperting allzulange ausgedehnt werden müssen. Begrenzt man die Nacherwärmung auf einen Temperaturbereich von, etwa iSo his 8o' C, so ergibt sich als notwendige Temperatur-,dauer eine Zeit von einigen Stunden bis zu einigen Monaten,. Die 'kurze Zeit entspricht dabei einer Temperatur, die dicht unter dem Schmelzpunkt der Deckelekarode liegt. Wählt man für die Ternperung eine- nur wen-g über der B-,tr""-ebstemp,-ratur des Gleichrichters liegende Temperatur, so empfiehlt es sich, ihre Dauer über mindestens i5oo Stunden. zu erstrecken.
- Der Hauptvorteil der nach dem geschilderten Vexfahren helhandelten Selengleichrichter besteht .darin, d!aß die Gleichrichter, ohne erhebliche Alterungserscheinungen zu zeigen, auch bei merklich 'höheren Temperaturen als bisher betrieben werden können.
Claims (2)
- PATENTANSPRÜCHF: i. Verfahren zur Herstellung nicht alternder Selengleichrichter mit auf die Selenschicht aufgehrachter, beispielsweise aus einer Zinn,-Kadmium-Legierung bestehender Deckelektrode, dadurch gekenneeichnet, daß man die mit der Selenschicht und der Deckelektrode verschenen Gleich,richterscheiben nach der thermischen Umwandlung und Wjederabkühlung der Selenschicht vor ihrer Inbetriebnahme während einer längeren, mindestens einige Stunden umfassenden Zeitdauer einer Nacherwärmung auf eine über der voraussichtlichen Betriebstemperatur des fertigen Gleichrichters, höchstens. aber beim Schmelzpunkt der Deckelektrode liegende Temperatur aussetzt.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, dad-urch ge- kennzeichnet, daß die Nacherwärmung bei. einer nur wenig über der Betriebstemperatur des Sdlengle-ichrich#ters liegenden Temperatur vor sich geht und si,dh über mindestens i 5oo Stunden erstreckt.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES13924D DE883476C (de) | 1943-02-03 | 1943-02-04 | Verfahren zur Verringerung der Alterung von Selengleichrichtern mit auf die Selenschicht aufgebrachter, beispielsweise aus einer Zinn-Kadmium-Legierung bestehender Deckelektrode |
| DES9915D DE898627C (de) | 1943-02-03 | 1944-06-10 | Verfahren zur Verringerung der Alterung von Selengleichrichtern |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES0013924 | 1943-02-03 | ||
| DES13924D DE883476C (de) | 1943-02-03 | 1943-02-04 | Verfahren zur Verringerung der Alterung von Selengleichrichtern mit auf die Selenschicht aufgebrachter, beispielsweise aus einer Zinn-Kadmium-Legierung bestehender Deckelektrode |
| DES0009915 | 1944-06-09 | ||
| DES9915D DE898627C (de) | 1943-02-03 | 1944-06-10 | Verfahren zur Verringerung der Alterung von Selengleichrichtern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE883476C true DE883476C (de) | 1953-07-16 |
Family
ID=34812118
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES13924D Expired DE883476C (de) | 1943-02-03 | 1943-02-04 | Verfahren zur Verringerung der Alterung von Selengleichrichtern mit auf die Selenschicht aufgebrachter, beispielsweise aus einer Zinn-Kadmium-Legierung bestehender Deckelektrode |
| DES9915D Expired DE898627C (de) | 1943-02-03 | 1944-06-10 | Verfahren zur Verringerung der Alterung von Selengleichrichtern |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES9915D Expired DE898627C (de) | 1943-02-03 | 1944-06-10 | Verfahren zur Verringerung der Alterung von Selengleichrichtern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (2) | DE883476C (de) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1015543B (de) * | 1954-09-18 | 1957-09-12 | Standard Elektrik Ag | Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichtern |
-
1943
- 1943-02-04 DE DES13924D patent/DE883476C/de not_active Expired
-
1944
- 1944-06-10 DE DES9915D patent/DE898627C/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE898627C (de) | 1953-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2453065C2 (de) | Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE883476C (de) | Verfahren zur Verringerung der Alterung von Selengleichrichtern mit auf die Selenschicht aufgebrachter, beispielsweise aus einer Zinn-Kadmium-Legierung bestehender Deckelektrode | |
| DE2521504A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer elektrode fuer vakuumschalter oder vakuumfunkenstrecken | |
| DE3151212A1 (de) | Halbleiterelement | |
| DE2653287A1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleiterelementen | |
| DE550710C (de) | Aus mehreren in Reihe geschalteten Gleichrichterelementen bestehende Trockengleichrichteranordnung | |
| DE892945C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selenphotoelementen | |
| DE1257527B (de) | Verfahren zum Aufbringen einer aus einer Legierung bestehenden Schicht auf ein Traegermaterial | |
| DE851227C (de) | Selengleichrichter | |
| DE1011594B (de) | Verfahren zur Herstellung von Quarzglas | |
| DE908043C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern, vorzugsweise solcher mit Leichtmetall-Traegerelektroden | |
| DE833228C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters | |
| DE974886C (de) | UEberstromtraeger oder flinker Schmelzeinsatz | |
| DE1060053B (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einem mehrschichtigen Halbleiter mit verschiedenem Gehalt an Halogen und elektropositiven Zusaetzen in den einzelnen Schichten | |
| DE878533C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterventilscheiben | |
| DE975679C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern | |
| DE851981C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydul-Trockengleichrichtern | |
| AT226779B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Transistors, insbesondere für Schaltzwecke | |
| DE974580C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten | |
| AT149299B (de) | Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfähigkeit. | |
| DE1913136B2 (de) | Verfahren zur erhoehung der mechanischen festigkeit von alkalihaltigem glas von duenner abmessung durch ionenaustausch | |
| DE905281C (de) | Trockengleichrichtereinheit | |
| DE509826C (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Ventilen | |
| DE808258C (de) | Elektrischer Widerstand | |
| DE898325C (de) | Verfahren zur Herstellung eines zwischen den Elektroden einer Zuendkerze verwendbaren Widerstandskoerpers |