DE1011594B - Verfahren zur Herstellung von Quarzglas - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Quarzglas

Info

Publication number
DE1011594B
DE1011594B DES47700A DES0047700A DE1011594B DE 1011594 B DE1011594 B DE 1011594B DE S47700 A DES47700 A DE S47700A DE S0047700 A DES0047700 A DE S0047700A DE 1011594 B DE1011594 B DE 1011594B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
quartz glass
quartz
production
glass
starting materials
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES47700A
Other languages
English (en)
Inventor
Henry George
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Saint Gobain Quartz SAS
Original Assignee
Quartz and Silice SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Quartz and Silice SA filed Critical Quartz and Silice SA
Publication of DE1011594B publication Critical patent/DE1011594B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B32/00Thermal after-treatment of glass products not provided for in groups C03B19/00, C03B25/00 - C03B31/00 or C03B37/00, e.g. crystallisation, eliminating gas inclusions or other impurities; Hot-pressing vitrified, non-porous, shaped glass products

Description

  • Verfahren zur Herstellung von Quarzglas Die Erfindung bezweckt die Herstellung von Quarzglas von hoher Qualität, insbesondere außerordentlich guter Lichtdurchlässigkeit im Ultraviolett und/ oder Infrarotbereich, das sich besonders zur Verwendung für optische Zwecke eignet.
  • Auch das reinste Quarzglas weist immer ein breites Absorptionsband im Ultraviolettbereich auf. Der Höchstwert dieses Bandes (Fig. 1, Kurve A) liegt im Bereich von 2450A, jedoch kann es sich in gewissen Fällen auf 2420A einstellen. Die in diesem Bereich absorbierte Energie wird in Form einer violetten Fluoreszenz wieder ausgestrahlt, die durch eine Niederdruck-Quecksilberdampflampe mit in dem Bereich von 2537A intensiver Emission sichtbar gemacht werden kann.
  • Es wurde nun gefunden, und dies stellt eins der Merkmale der Erfindung dar, daß diese Fluoreszenzerscheinung bzw. das Absorptionsband im Bereich von 2450 A völlig verschwindet, wenn ein Quarzglasgegenstand bei erhöhter Temperatur während einer hinreichend langen Zeitdauer der Einwirkung eines Gleichstromfeldes unterworfen wird(Fig.l,KurveB).
  • Die Fluoreszenz und die Absorption erscheinen wieder, wenn das behandelte Quarzglas bei einer Temperatur von mehr als 1400° C wieder geschmolzen oder erhitzt wird. Die Behandlung gemäß der Erfindung ist also auf Quarzglasgegenstände beschränkt, die bereits ihre nahezu endgültige Form besitzen und nicht noch später durch andere als rein mechanische Verfahren (wie Abdrehen oder Polieren) geformt werden sollen, d. h. die später keinen Wiederschmelz-und Erhitzungsvorgängen bei Temperaturen von mehr als 1400° C unterworfen werden.
  • Die Behandlung gemäß der Erfindung setzt voraus, daß das unterworfene Quarzglas einen hohen Reinheitsgrad besitzt, gleichgültig, welcher Art die letzten darin vorhandenen Verunreinigungen sind, d. h. gleichgültig, ob das Glas unter reduzierenden oder oxydierenden Bedingungen hergestellt worden ist. Ein Quarzglas, das einen nennenswerten Anteil an Reduktions- oder Karburationsprodukten enthält, ist für eine Behandlung gemäß der Erfindung nicht geeignet.
  • Nachstehend wird lediglich beispielsweise eine Ausführungsform des neuen Verfahrens an Hand der Fig.2 beschrieben.
  • Der zu behandelnde Quarzglasgegenstand 1, z. B. ein Zylinder, wird zwischen Metallelektroden 2, z. B. aus Platin, angeordnet, die ebenso wie die Endflächen des Zylinders sorgfältig plangeschliffen sind. Die Elektroden können auch durch eine einfache Metalllisierung der Endflächen des Zylinders ersetzt werden.
  • Die Gesamtanordnung wird in einem Ofen 3 etwa 30 Stunden lang auf eine Temperatur in der Größenordnung von 1000° C erhitzt. Zwischen den Elektroden wird ein Gleichstromfeld von einer Stärke in der Größenordnung von 1000 V/cm erzeugt.
  • Als Ergebnis dieser Behandlung bildet sich in dem Zylinder ein je nach dem Verfahren, nach welchem die Herstellung des Quarzglasgegenstandes erfolgt ist,. mehr oder weniger stark gefärbter Schleier, welcher langsam von der Anode nach der Kathode wandert. Sobald dieser Schleier die Kathode erreicht, kann die Behandlung abgebrochen werden. Sie dauert je nach der Art des Quarzglases, der Temperatur des Ofens und der Stärke des Feldes längere oder kürzere Zeit.
  • Es zeigt sich hierbei, daß die Fläche des Quarzglaszylinders, die sich in Kontakt mit der Kathode befindet, weißlich gefärbt worden ist.
  • Durch die Einwirkung des Feldes, der Temperatur und wahrscheinlich des Wanderns der alkalischen Verunreinigungen erfolgt eine allotropischeUmwandlung des Quarzglases. Dieses wird deshalb in einer sehr dünnen Kathodenschicht entweder bei weniger als 970° C in Quarz oder beim Arbeiten bei erhöhter Temperatur in Christobalit umgewandelt. Nach Entfernung dieser Schicht hat das Glas die Absorptionsbande bei 2450 A verloren.
  • Es ist ferner festzustellen, daß in dem Infrarotbereich zwischen 2 und 3 #t das Quarzglas eine beträchtliche Absorption aufweist. Die Untersuchung dieses Bereichs ergibt, daß es sich um ein schmales Band handelt, dessen Maximum bei etwa 2,75 1, liegt und wahrscheinlich auf das Vorhandensein von O H-Ionen zurückzuführen ist.
  • Unter Ausnutzung dieser Feststellungen über den Einfluß der Herstellungsbedingungen auf das Vorhandensein und die Intensität des Bandes konnten Quarzgläser hergestellt werden, die in dem obenerwähnten Bereich _ keinerlei absorbierende Eigenschaften aufweisen.
  • Bei dem Verfahren nach der Erfindung muß unbedingt darauf geachtet werden, daß während sämtlicher Phasen der Herstellungsvorgänge Wasser und Wasserdampf ferngehalten wird. Das bedeutet eine Auswahl der Ausgangsstoffe unter dem Gesichtspunkt, daß sie nicht -einmal .=Spuren von O H-Ionen enthalten dürfen und die ausschließliche Verwendung von Schmelzmitteln, die nicht mit offener Flamme arbeiten. Zum Beispiel kann als Ausgangsmaterial ein Bergkristall, der leine Flüssigkeitseinschlüsse enthält, verwendet werden.
  • Fig. 3 zeigt in- der Kurve D das Ergebnis der Behandlung eines solchen nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellten und damit verglichen in Kurve C das Verhalten eines gewöhnlichen Quarzglases. Ein Vergleich der beiden Kurven zeigt den erheblichen Gewinn an Lichtdurchlässigkeit in dem eingangs gekennzeichneten Bereich, der durch das neue Verfahren erzielt wird.
  • Bekanntlich besitzt Quarzglas den Nachteil einer Art »Gänsehaut«, die eine Folge von örtlichen Verschiedenheiten des Brechungswinkels ist. Diese Unterschiede sind größer als 10---5 (d. h. einige Einheiten der fünften Dezimale): Wie gefunden wurde, können diese Änderungen gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung dadurch ausgeschaltet werden, daß ein Quarzglas, in welchem die auftretenden Unterschiede kleiner sind als 10-s, verwendet wird. Dieses kann in beliebiger Weise aus Chargen von Ausgangsstoffen geschmolzen werden, die ausschließlich aus kleinen Teilchen (die durch das Sieb 0,053 E bis 0,090 DIN 1171 hindurchgehen), oder aus Pulver, das durch Oxydation von organischen Siliziumverbindungen erzeugt worden ist, bestehen.
  • Die Gläser, die durch Schmelzen und gleichzeitige Oxydation von Silizium oder seiner organischen Verbindungen durch Flammeneinwirkung erzeugt worden sind, haben, falls sie eine gewisse Homogenität besitzen, den Nachteil, daß sie ein breites Absorptionsband in der Größenordnung von 2,75 #t besitzen.
  • Diese Absorption stellt einen schwerwiegenden Nachteil für die Herstellung von Quarzglas, das für Quecksilberdampflampen verwendet werden soll, dar, denn sie verringert die Leistung solcher Lampen erheblich. Die Kombination der beiden vorstehend beschriebenen Behandlungsarten ermöglicht es, ein Quarzglas zu erzeugen, daß eine praktisch vernachlässigbare Obsorption in dem Bereich zwischen dem äußersten Ultraviolett unterhalb von 2000 A und dem Infrarot bis etwa 3,5 #t besitzt. Dieses Glas stellt ein ganz besonders lichtdurchlässiges Glas dar. Durch seine Homogenität wird seine Verwendung für optische Zwecke ermöglicht.

Claims (4)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Herstellung von Quarzglas, dadurch gekennzeichnet, daß sehr reines Quä,,-glas bei erhöhter, zum Schmelzen nicht ausreichexlder Temperatur der Einwirkung eines Gleichstromfeldes unterworfen wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet. durch die Anwendung von Temperaturen in der Größenordnung von 1000°.C..
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Ausgangsmaterial für die Herstellung des Quarzglases - solche Quarzgläser dienen, zu deren Erschmelzen von O H-Ionen freie Ausgangsstoffe und- andere als Flammen entwickelnde Vorrichtungen verwendet wurden.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Ausgangsmaterial für die ,Her-Stellung des Quarzglases solche Quarzgläser dienen, die aus in feinsterForm vorliegendenAusgangsstoffen, insbesondere durch Oxydation °von Siliziumverbindungen hergestellten Pulvern, erschmolzen wurden.
DES47700A 1955-03-05 1956-02-28 Verfahren zur Herstellung von Quarzglas Pending DE1011594B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1011594X 1955-03-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1011594B true DE1011594B (de) 1957-07-04

Family

ID=9570057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES47700A Pending DE1011594B (de) 1955-03-05 1956-02-28 Verfahren zur Herstellung von Quarzglas

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1011594B (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1217514B (de) * 1959-06-03 1966-05-26 Philips Nv Brennstoffelement fuer Kernreaktoren
DE2313276A1 (de) * 1972-03-30 1973-10-18 Corning Glass Works Verfahren zur herstellung von optischem glas
DE2415506A1 (de) * 1974-03-30 1975-10-16 Licentia Gmbh Verfahren zur entfernung von absorptionsverluste verursachenden verunreinigungen aus glas
DE3815974C1 (de) * 1988-05-10 1989-08-24 Heraeus Quarzschmelze
DE3900593A1 (de) * 1989-01-12 1990-07-12 Toshiba Ceramics Co Elektrolysevorrichtung

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1217514B (de) * 1959-06-03 1966-05-26 Philips Nv Brennstoffelement fuer Kernreaktoren
DE2313276A1 (de) * 1972-03-30 1973-10-18 Corning Glass Works Verfahren zur herstellung von optischem glas
DE2415506A1 (de) * 1974-03-30 1975-10-16 Licentia Gmbh Verfahren zur entfernung von absorptionsverluste verursachenden verunreinigungen aus glas
DE3815974C1 (de) * 1988-05-10 1989-08-24 Heraeus Quarzschmelze
DE3900593A1 (de) * 1989-01-12 1990-07-12 Toshiba Ceramics Co Elektrolysevorrichtung
DE3900593C3 (de) * 1989-01-12 1998-11-12 Toshiba Ceramics Co Elektrolysevorrichtung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE442975C (de) Herstellung geschmolzener Stuecke von Uran
DE1123019B (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1011594B (de) Verfahren zur Herstellung von Quarzglas
DE2252904A1 (de) Verfahren zum vermindern der loeslichkeit von blei in bleihaltigen glasuren und fritten
DE2203598A1 (de) Verfahren zur Oberflächenhärtung von Titan und dessen Legierungen und auf diese Weise erhaltene Produkte
DE1097533B (de) Elektrischer Schichtwiderstand, insbesondere fuer Potentiometer, und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2305728A1 (de) Vanadiumoxid und borsilicid enthaltende massen, die sich an der luft brennen lassen, sowie daraus hergestellte vorrichtungen
DE2557938C2 (de) Verfahren zum Mahlen von Alkalimetallboratgläsern
DE855606C (de) Elektrische Entladungsroehre und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1909869A1 (de) Verfahren zur Herstellung leitender Metalloxidueberzuege
DE1007689B (de) Verglasbares Flussmittel sowie keramischer Gegenstand
DE2031701A1 (de) Thermistor, insbesondere für hohe Temperaturen
DE1640561B2 (de) Widerstandsmasse
AT120212B (de) Elektronen emittierender Körper und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE1464393B2 (de) Verfahren zur herstellung eines lumineszenzschirmes
DE2041401C (de) Festkörperbauelement
DE1496396C (de) Verfahren zum Schmelzen von Glas, das leicht fluchtige Bestandteile ent halt
DE2221530A1 (de) Glas zur verwendung in elektrisch leitenden anordnungen und verfahren zu dessen herstellung
DE347531C (de) Verfahren zur Erzielung starker lichtelektrischer Stroeme
DE733864C (de) Verfahren zum Herstellen von Verbundkoerpern aus hoch- und niedrigerschmelzenden Metallen
DE397641C (de) Reinigen von Tantalmetall
DE1261437B (de) Verfahren zum Herstellen eines halbleitenden Widerstandsmaterials und aus diesem Material hergestellter Halbleiterwiderstand
DE758242C (de) Verfahren zur Herstellung von Glimmentladungsroehren fuer Zwecke der Spannungskonstanthaltung
DE1132633B (de) Widerstandselement fuer hohe Betriebstemperaturen
DE843754C (de) Verfahren zur Aufbereitung von Altweissmetallen