DE1123019B - Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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DE1123019B DEN17089A DEN0017089A DE1123019B DE 1123019 B DE1123019 B DE 1123019B DE N17089 A DEN17089 A DE N17089A DE N0017089 A DEN0017089 A DE N0017089A DE 1123019 B DE1123019 B DE 1123019B
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Description

Donatoren-Halbleiter mit einer Leitfähigkeit, die durch die Anwesenheit von Überschußelektronen im Kristallgitter gekennzeichnet ist, werden für die Herstellung von Transistoren, Heißleitern, Gleichrichtern u. dgl. verwendet und sind als η-leitende Halbleiter bekannt, da ihre Leitfähigkeit durch negative Stromträger hervorgerufen wird.
Typische η-leitende Halbleiter sind z. B. Rutileinkristalle, wie sie von Zerfoss in »The Journal of Chemical Physics«, Bd. 16, Nr. 12, 1166, Dezember 1948, sowie Erdalkalititanate, wie Bariumtitanat- und Strontiumtitanateinkristalle, wie sie von Arthur Linz jr. in »The Physical Review«, Bd. 91, Nr. 3, S. 753 und 754, 1. August 1953, beschrieben sind.
Obwohl die wirtschaftliche Bedeutung von n-leitenden Halbleitern außerordentlich groß ist, wurde ihre Verwendung durch ihren hohen und veränderlichen Widerstand stark eingeschränkt, der durch den außerordentlich großen Kontaktwiderstand an derZwischenfläche von Halbleiter und Elektrode bedingt ist. Solche häufig verwendete Kontakte sind z. B. Platin- und Silberpasten, jedoch auch Gold-, Platinfilme u. dgl. In einer unter dem Titel »New Low Contact Resistance Elektrode« in »The Journal of Applied Physics«, Bd. 27, S. 190, 1956, erschienenen Veröffentlichung von S. S. Flaschen und anderen ist die Verwendung von eingeriebenen Indiumamalgam- und Indium-Gallium-Kontakten beschrieben, die beide über einen weiten Spannungsbereich einen geringen und konstanten Widerstand haben. Diese Indiumamalgam- und Indium-Gallium-Kontakte haben jedoch die Charakteristik eines Gleichrichters, d.h. eine nicht ohmsche Charakteristik. Darüber hinaus sind sie oberhalb der Zimmertemperatur bei wiederholtem Temperaturwechsel instabil.
Für metallische Halbleiterkörper, ζ. Β. Germanium und Silicium, sind Kontaktierungsverfahren bekannt, die eine sperrfreie Kontaktschicht zwischen dem Halbleiterkörper und den anzubringenden Stromzuführungen ergeben. Bei einem Verfahren werden die Stromzuführungen mit einem mit dem Halbleitermaterial bei möglichst niedriger Temperatur sperrfrei legierenden Überzug versehen und darauf in den metallischen Halbleiterkörper einlegiert.
Es ist weiter bekannt, eine Glasur, die eine ein Donatorelement enthaltende Verbindung, wie z. B. P2O3, enthält, in die Oberfläche metallischer Halbleiter bei hoher Temperatur einzubrennen, um das Donatorelement P auszureduzieren und zur Diffusion in das Halbleitermaterial zu bringen. An der Glasuroberfläche wird dann eine Kupfer- oder Zinnschicht Halbleiteranordnung und Verfahren
zu ihrer Herstellung
Anmelder:
National Lead Company,
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dr. F. Zumstein,
Dipl.-Chem. Dr. rer. nat. E. Assmann
und Dipl.-Chem. Dr. R. Koenigsberger,
Patentanwälte, München 2, Bräuhausstr. 4
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 11. August 1958 (Nr. 754 474)
Arthur Linz jun., Plainfield, N. J. (V. St. A.),
ist als Erfinder genannt worden
aufgebracht, an die dann die Stromzuführungen befestigt werden.
Bei oxydischen Halbleitern ist es bekannt, durch Aufdampfen eines Metalls, das im Halbleiter als Kation vorkommt, eine sperrfreie Kontaktschicht auf die Oberfläche des Halbleiters aufzubringen. Es ist aber schwierig oder manchmal unmöglich, an einer solchen Kontaktschicht weitere Verbindungen anzubringen.
Zur Erzielung sperrfreier Kontakte auf oxydischen Halbleitern ist es auch bekannt, eine Metallmasse zu verwenden, die sowohl das Metall enthält, das im Halbleiter über die stöchiometrische Menge hinaus im Überschuß vorhanden ist, als auch ein hiervon unterschiedliches Metall, aus dem die anzubringende Stromzuführung besteht oder mit dem diese überzogen ist. Das Metallgemisch wird mit einem Kunstharz und einem flüchtigen organischen Träger zu einem Brei verarbeitet. Aus dieser Paste wird eine Schicht auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht und die Stromzuführung überschoben. Danach wird die Metallmasse getrocknet und in reduzierender oder inerter Atmosphäre gesintert oder geschmolzen. Das Verfahren fordert eine verhältnismäßig hohe Brenntemperatur und eine Schutzatmosphäre und ist ferner auf eine gewisse Metallzusammensetzung der Metallmasse beschränkt.
Die erfindungsgemäßen Halbleiteranordnungen mit oxydischen η-leitenden Halbleiterkörpern weisen verbesserte Kontakte auf, die wirklich sperrfrei sind,
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d. h. die nicht die Charakteristik eines Gleichrichters haben und die über einen weiten Spannungsbereich einen geringen und konstanten Widerstand haben, und die außerdem bei Zimmertemperatur und bei höherer Temperatur bei wiederholtem Temperaturwechsel stabil sind.
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung, z.B. Heißleiter,Transistor od.dgl., mit einem n-leitenden Halbleiterkörper aus Rutil oder Barium- und/oder Strontiomtitanat, der gemäß der Erfindung mit mindestens einem niederohmigen, stabilen, sperrfreien Kontakt ausgestattet ist, der aus einer eingebrannten Mischung von feingepulvertem Metall und einer niedrigschmelzenden Glasfritte oder aus einem eingeriebenen Metallüberzug besteht, wobei jeweils ein Metall verwendet ist, das in den Halbleiterkörper mit dem gleichen oder einem höheren Valenzzustand als demjenigen des zu verdrängenden Kations des Halbleiterkörpers diffundiert oder in Lücken des Halbleiterkörpers abwandert.
Typische Beispiele sind Zinn-Glas-Kontakte und Titankontakte, wie sie in Ausbildung der Erfindung vorgeschlagen werden. Andere Kontakte könnten z. B. durch Metalle wie Beryllium, Zirkonium, Niobium, Wolfram oder Tantal dargestellt werden.
In Ausführung der Erfindung wird auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers eine Paste aus gepulvertem Zinn, einer niedrigschmelzenden Glasfritte und einem flüchtigen organischen Träger aufgebracht und so stark erwärmt, bis sich der organische Träger verflüchtigt und die Glasbildung eintritt, wodurch an dem Halbleiterkörper ein Kontakt entsteht, der gegebenenfalls poliert und an den dann eine Stromzuleitung angelötet wird.
Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird eine Titanschicht auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers durch Einreiben aufgebracht und mit einer Silberpaste überzogen, die aus gepulvertem Silber, niedrigschmelzendem Glas und einem flüchtigen organischen Träger besteht, wobei diese Silberpaste so stark erwärmt wird, daß der organische Träger verdampft und eine Glasbildung eintritt, wodurch an dem Halbleiterkörper ein Kontakt entsteht, der gegebenenfalls poliert und an den dann eine Stromzuleitung angelötet wird.
Beispielsweise Ausführungsformen von gemäß der Erfindung ausgebildeten Halbleiteranordnungen werden im folgenden an Hand der Zeichnung beschrieben, in der
Fig. 1 eine Vorderansicht einer Halbleiteranordnung zeigt, die mit gemäß der Erfindung ausgebildeten verbesserten Kontakten ausgestattet ist;
Fig. 2 ist ein Schnitt längs der Linie 2-2 der Fig. 1; Fig. 3 ist eine Vorderansicht einer anderen Ausführungsform einer Halbleiteranordnung mit gemäß der Erfindung verbesserten Kontakten;
ίο Fig. 4 ist ein Schnitt längs der Linie 4-4 der Fig. 3. Die in Fig. 1 dargestellte Halbleiteranordnung besteht aus einem η-leitenden Körper 10 z. B. aus Barium- oderStrontiumtitanat einschließlich von Oxyden des Tantals, Wolframs, Niobiums, Lanthans oder anderer seltener Erden. Auf gegenüberliegende Oberflächen des Körpers 10 sind ohmsche, stabile Kontakte 11-11 mit geringem und konstantem Widerstand aufgebracht, die bei dieser Ausführungsform der Erfindung aus einer eingebrannten Mischung von pulverisiertem Zinn und einer niedrigschmelzenden Glasfritte bestehen. Die Stromzuleitungen 12-12 der Halbleiteranordnung sind vermittels eines weichen Lotes, z. B. eines Silber-Blei-Lotes od. dgl., an den entsprechenden Kontakten 11-11 befestigt.
Der η-leitende Halbleiterkörper 10 kann aus Rutil in Form eines Einkristalls oder aus einem Erdalkalititanat bestehen, das Oxyde seltener Erden enthält. Besonders vorteilhaft sind Rutil-Halbleiterkörper, die Oxyde von Niobium, Wolfram, Tantal u. dgl. enthalten, ferner Bariumtitanat-Halbleiterkörper, die kleine Mengen der Oxyde von Wolfram, Tantal, Niobium, Antimon, Lanthan oder anderer seltener Erden enthalten. N-leitende Halbleiterkörper dieser Art sind an sich bekannt.
Wenn das Halbleitermaterial geformt und/oder gesintert ist, dann werden die erfindungsgemäßen Kontakte in Form einer Paste auf die Oberflächen des Halbleiterkörpers aufgebracht, wobei die Paste bereitet wird, indem gepulvertes Zinn mit einer bei niedriger Temperatur schmelzenden Glasfritte und mit einem flüchtigen organischen Mittel vermischt wird.
Das metallische Zinn soll fein gepulvert und sehr
rein sein. Die Glasfritte sollte in einem Bereich von 400 bis 500° C in den Glaszustand übergehen. Solche Gläser sind unter anderem Bleiborate, Bleisilikate und Bleiborosilikate, von denen im folgenden typische Zusammensetzungen angegeben sind.
Glasfrittenzusammensetzungen
A B C D
Gewichtsprozent
PbO 		85
15
0
42,5
7,5		 85
0
15
42,5
0		 80
10
10
40
5		 80
0
20
40
0
SiO2 0
>800		 13,3
<800
glänzend		 8,9
<800
halbglänzend		 17,7
<800
glänzend
B., O,
Charge, Gewicht in g
PbO
SiO2
Η,ΒΟ,
ο Α
Schmelztemperatur, ° C
Gebrannt (zu Glas), 450° C
Das Verhältnis von Zinn zu Glas kann in den obenerwähnten Mischungen beachtlich schwanken. Als wünschenswert erwies sich ein Verhältnis von Zinn zu Glas im Verhältnis von 3 :1 bis 10 :1 Gewichtsteilen.
Es stellte sich heraus, daß die Kontakte 11-11 bei höherem Glasanteil eine größere mechanische Festigkeit bei höheren Temperaturen haben, was jedoch auf Kosten der elektrischen Leitfähigkeit geht.
Das gepulverte Zinn und die Glasfritte werden gemischt, indem sie z. B. trocken vermischt und zu dieser Mischung so viel Träger in Form eines flüchtigen organischen Mediums gegeben wird, daß eine glatte Paste oder eine Flüssigkeit von einer Konsistenz entsteht, daß sie auf den Halbleiterkörper aufgepinselt oder aufgesprüht werden kann. Der obenerwähnte Träger, der zur Bereitung der Flüssigkeitsmischung verwendet wird, kann aus einer beliebigen Mischung einer Flüssigkeit bestehen, die als Träger für die Glasfritte und für das Zinn verwendet werden kann, so daß diese mit dem Pinsel od. dgl. auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht werden können. Die Flüssigkeitsmischung muß, wenn sie auf Temperaturen erwärmt wird, die so hoch sind, daß die Glasfritte einbrennt, vollständig verdampfen, ohne daß ein Kohlenstoffrückstand oder derlei Verunreinigungen in dem Glas zurückbleiben. Ein typischer Träger enthält Kiefernöl, hydriertes Kolophonium, Methylabietat und Äthylcellulose.
Nach dem Aufbringen der den Kontakt bildenden Paste wird auf 400 bis 500° C erwärmt, um den Träger zu verflüchtigen und die Zinn-Glas-Zusammensetzung einzubrennen. Die Stromzuleitungen 12-12 werden dann nach dem Einbrennen und Polieren der Kontakte 11-11 an diese angelötet.
Zur Erläuterung dieser Ausführungsform der Erfindung wird das folgende Beispiel gebracht.
Beispiel I
Ein η-leitender Halbleiterkörper aus gesintertem Bariumtitanat mit Zinn-Glas-Kontakten wurde wie folgt bereitet:
Der Bariumtitanat-Halbleiterkörper wurde hergestellt, indem feingepulvertes Bariumtitanat, das 0,2% Lantan enthielt, 20 Stunden lang auf 1350 0C erwärmt wurde. Die Zinn-Glas-Paste, die zum Überziehen des Halbleiterkörpers verwendet wurde, wurde hergestellt, indem eine Bleiborat-Glasfritte mit sehr fein gepulvertem, praktisch reinem Zinnpulver und einem organischen Träger vermischt wurde.
Die Bleiboratglasfritte wurde hergestellt, indem 42,5 g PbO mit 13,3 g H3BO3 vermischt und die Mischung 1 Stunde lang in einem feuerfesten Tonschmelztiegel auf 800° C erwärmt wurde. Das geschmolzene Glas wurde dann zu einer Fritte verarbeitet, indem es in kaltes Wasser gegossen wurde, worauf sie dann bei 150° C über Nacht getrocknet, 16 Stunden in einer Kugelmühle in Äthylalkohol gemahlen und nochmals getrocknet wurde. 10 g Zinnpulver wurden mit 2 g Glasfritte zur Bildung eines Gewichtsverhältnis von 5:1 gemischt. Die Mischung aus Glas und Zinn wurde mit 2 g eines Trägers vermischt, der im Handel unter der Bezeichnung »dope« bekannt ist und im wesentlichen aus Kiefernöl, hydriertem Kolophonium, Methylabietat und Äthylcellulose besteht, wobei eine glatte Paste entstand, die auf die Oberfläche des Bariumtitanat-Halbleiterkörpers aufgepinselt werden konnte.
Die Paste wurde als etwa 0,2 mm dicker Überzug auf das Bariumtitanat aufgebracht, und das überzogene Bariumtitanat wurde dann in Luft bei 125° C 1 Stunde lang getrocknet und 30 Minuten bei 450° C gebrannt. Die Stromzuleitungen wurden dann unter Verwendung eines weichen Lotes auf die eingebrannten Zinn-Glas-Kontakte gelötet.
Um die Brauchbarkeit einer erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung mit Zinn-Glas-Kontakten mit einer Halbleiteranordnung mit η-leitendem Halbleiterkörper von ähnlicher keramischer Zusammensetzung, jedoch mit Indium-Gallium-Legierungskontakten versehen, zu vergleichen, wurden die Widerstände dieser
ίο Halbleiteranordnungen zunächst bei Zimmertemperatur und dann bei 175° C gemessen. Darauf wurden die Halbleiteranordnungen auf Zimmertemperatur abgekühlt und die Widerstände erneut gemessen. Bei Halbleiteranordnungen mit Kontakten aus einer Indium-Gallium-Legierung betrug der Widerstand bei Zimmertemperatur 20 Ohm und bei 175° C 2000 Ohm. Nach dem Abkühlen hatte sich der Widerstand bei Zimmertemperatur von 20 auf 100 Ohm erhöht. Im Gegensatz hierzu fiel der Widerstand bei der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung, der bei Zimmertemperatur 20 Ohm betrug, nach dem Abkühlen von 175° C auf Zimmertemperatur wiederum auf 20 Ohm, und dieser verhältnismäßig stabile Zustand hielt über mehrere Temperaturwechsel an.
Beispiel II
Eine zweite Halbleiteranordnung wurde unter Verwendung eines gesinterten Barium-Strontium-Titanats mit 0,2% Lanthan und mit Zinn-Glas-Kontakten der gleichen Zusammensetzung hergestellt, wobei diese Kontakte ebenso aufgebracht wurden, wie dies im Beispiel I beschrieben ist. An diese Kontakte wurden zwei Stromzuleitungen angelötet.
Diese Halbleiteranordnung wurde ebenso geprüft wie die Halbleiteranordnung gemäß Beispiel I, und es wurde festgestellt, daß sie den gleichen Anfangswiderstand hatte wie eine Halbleiteranordnung mit einem η-leitenden Halbleiterkörper der gleichen Zusammensetzung, jedoch mit Indium-Gallium-Kontakten. Während jedoch der Widerstand dieser letzteren beim Abkühlen der Halbleiteranordnung auf Zimmertemperatur auf 100 Ohm angestiegen war, blieb die Halbleiteranordnung mit den verbesserten, gemäß der Erfindung bereiteten Kontakten stabil, d. h., sie behielt ihren ursprünglichen Widerstand bei Zimmertemperatur über mehrere Temperaturwechsel.
In den Fig. 3 und 4 ist eine Ausführungsform der Erfindung dargestellt, bei der ein η-leitender HaIbleiterkörper 10 an gegenüberliegenden Oberflächen mit Kontakten ausgestattet ist, die aus Titanüberzügen 13-13 bestehen.
Auf die freie Oberfläche dieser Titanüberzüge ist eine bei niedriger Temperatur einbrennbare Silber- oder Platinpaste 14-14 aufgebracht, wie sie häufig verwendet wird. Nach dem Einbrennen der Paste wird sie poliert, und dann werden die Stromzuleitungen 15-15 an der eingebrannten Paste durch ein übliches Verfahren, z. B. durch Verwendung eines weichen Lots od. dgl. angelötet.
Das Aufbringen der Titanüberzüge 13-13 auf die entsprechenden Oberflächen des Halbleiterkörpers wird vorgenommen, indem diese Oberflächen zunächst abgeschliffen und dann gegen eine mit hoher Geschwindigkeit umlaufende Titanscheibe gepreßt werden. Dabei überträgt sich Titan vom Umfang der Scheibe auf die Oberflächen des Halbleiterkörpers und bildet darauf einen Überzug 13-13.
Die bei niedriger Temperatur einbrennbare Silberoder Platinpaste 14-14 wird dann auf die freien Oberflächen der Titanüberzüge 13-13 aufgepinselt, in Luft getrocknet und dann eingebrannt, worauf die Stromleitungen 15-15 durch Löten oder vermittels entsprechender Verfahren an den polierten Oberflächen der erhitzten Paste 14-14 befestigt werden.
Zur Erläuterung dieser Ausführungsform der Erfindung wird das folgende Beispiel gebracht.
10
Beispiel III
Ein η-leitender Halbleiterkörper aus gesinterem Bariumtitanat mit 0,2 % Lanthan wurde wie folgt mit Titankontakten ausgestattet. Eine 6,4 mm dicke Scheibe mit 9,5 mm Durchmesser wurde aus Titan hergestellt und hatte eine Vickers-Härte 75. Diese Scheibe wurde an einem 3,2 mm Dorn einer hochtourigen Handschleifmaschine befestigt. Der Halbleiterkörper 10 wurde zunächst an beiden Oberflächen mit ao Siliciumkarbid, das eine Körnung von 240 (240 grit) hatte, abgeschliffen, und die abgeschliffenen Oberflächen des Halbleiterkörpers wurden an die Titanscheibe gepreßt, die mit etwa 20 000 Umdrehungen pro Minute rotierte.
Auf diese Weise wurde an jeder Oberfläche des Halbleiterkörpers ein etwa 0,02 mm dicker Überzug aus Titan gebildet.
Eine im Handel erhältliche Silberpaste, die pulverisiertes Silber, ein niedrigschmelzendes Glas und einen flüssigen Träger enthielt, wurde dann auf die Titanüberzüge gepinselt, so daß ein etwa 0,2 mm dicker Film entstand. Nach der Lufttrocknung wurde die Silberpaste 10 Minuten bei 425° C gebrannt. Anschließend wurde die gebrannte Silberpaste poliert, und die Stromzuleitungen wurden unter Verwendung eines Weichlotes daran angelötet.
Um die Brauchbarkeit einer erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung mit Titankontakten mit einer Halbleiteranordnung mit einem η-leitenden Halbleiterkörper einer ähnlichen keramischen Zusammensetzung, jedoch mit Indium-Gallium-Kontakten versehen, zu vergleichen, wurden die Widerstände dieser Halbleiteranordnungen zuerst bei Zimmertemperatur und dann bei 175° C gemessen. Anschließend wurden die Halbleiteranordnungen auf Zimmertemperatur abgekühlt und die Widerstände erneut gemessen. Bei der Halbleiteranordnung mit Indium-Gallium-Kontakten betrug der Widerstand bei Zimmertemperatur 60 Ohm, während er bei 175° C zu 100 000 Ohm gemessen wurde. Beim Abkühlen nahm der Widerstand bei Zimmertemperatur auf 510 Ohm zu. Im Gegensatz hierzu fiel der Widerstand der Halbleiteranordnung mit Titankontakten, der bei Zimmertemperatur ursprünglich 100 Ohm betrug, nach dem Abkühlen von 175° C auf Zimmertemperatur, wiederum auf 100 Ohm ab, und dieser verhältnismäßig stabile Widerstand blieb über mehrere Temperaturwechsel.
Aus der obigen Beschreibung geht hervor, daß die erfindungsgemäßen, verbesserten Kontakte nicht nur echt ohmisch sind, sondern auch einen geringsten Widerstand haben, der auch nach wiederholtem Temperatunvechsel konstant bleibt. Obwohl Indium-Gallium-Kontakte und Kontakte aus eingeriebenem Indiumamalgam niedrige Kontaktwiderstände haben, so sind diese doch nicht echt ohmisch und oberhalb Zimmertemperatur bei wiederholtem Temperaturwechsel instabil. Obwohl es hierfür keine ausreichende Erklärung gibt, nimmt man an, daß die Instabilität und infolgedessen die hohen Kontaktwiderstände der Indium-Gallium- und Indiumamalgamkontakte auf der Diffusion des Kontaktmetalls in den Halbleiterkörper beruhen, wo die n-Typ-Leitfähigkeit aufgehoben wird, indem ein niedrigervalentes Ion für das Titan oder ein anderes Kation eingesetzt wird, wodurch sich eine Schicht mit hohem Widerstand neben dem Kontakt in dem Halbleiterkörper ausbildet. Diese Annahme scheint durch die Feststellung gestützt zu werden, daß, wenn für den Kontakt ein Metall gewählt wird, das in dem Halbleiterkörper diffundiert und den gleichen oder einen höheren Valenzzustand hat als das Kation des Halbleiterkörpers, das es verdrängt oder das in eine Lücke abwandert, die Kontakte einen geringen Widerstand und eine ausgezeichnete Stabilität über zahlreiche Temperaturwechsel aufweisen.

Claims (6)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Halbleiteranordnung, z. B. Heißleiter, Transistor od. dgl., mit einem η-leitenden Halbleiterkörper aus Rutil oder Barium- und/oder Strontiumtitanat, dadurch gekennzeichnet, daß dei Halbleiterkörper mit mindestens einem niederohmigen, stabilen, sperrfreien Kontakt ausgestattet ist, der aus einer eingebrannten Mischung von feingepulvertem Metall und einer niedrigschmelzenden Glasfritte oder aus einem eingeriebenen Metallüberzug besteht, wobei jeweils ein Metall verwendet ist, das in den Halbleiterkörper mit dem gleichen oder einem höheren Valenzzustand als demjenigen des zu verdrängenden Kations des Halbleiterkörpers diffundiert oder in Lücken des Halbleiterkörpers abwandert.
2. Halbleiteranordnung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der oder die sperrfreien Kontakte aus einer eingebrannten Mischung von feingepulvertem Zinn und einer niedrigschmelzenden Glasfritte bestehen.
3. Halbleiteranordnung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der oder die sperrfreien Kontakte aus einem eingeriebenen Überzug von Titan bestehen.
4. Halbleiteranordnung gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß an dem Titanüberzug eine Schicht aus einer eingebrannten Silberpaste angeordnet ist.
5. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ausbildung von mindestens einem Kontakt auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers eine Paste aus gepulvertem Zinn, einer niedrigschmelzenden Glasfritte und einem flüchtigen organischen Träger aufgebracht und so stark erwärmt wird, bis sich der organische Träger verflüchtigt und die Glasbildung eintritt, wodurch an dem Halbleiterkörper ein Kontakt entsteht, der gegebenenfalls poliert und an den dann eine Stromzuleitung angelötet wird.
6. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung gemäß Anspruch 1, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ausbildung von mindestens einem Kontakt auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers eine Titanschicht durch Einreiben aufgebracht und mit einer Silberpaste überzogen wird, die aus gepulvertem Silber, niedrigschmelzendem Glas und einem flüchtigen organischen Träger besteht, und daß diese Silberpaste so stark
9 10
erwärmt wird, daß der organische Träger ver- Jn Betracht gezogene Druckschriften: dampft und eine Glasbildung eintritt, wodurch an
dem Halbleiterkörper ein Kontakt entsteht, der Deutsche Patentschrift Nr. 921757;
gegebenenfalls poliert und an den dann eine deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1746091;
Stromzuleitung angelötet wird. 5 USA.-Patentschrift Nr. 2 794 846.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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