DE2610303A1 - Siebdruckpaste fuer dicke, elektrisch leitende, leiterbahnen bildende schichten auf einem keramischen substrat - Google Patents
Siebdruckpaste fuer dicke, elektrisch leitende, leiterbahnen bildende schichten auf einem keramischen substratInfo
- Publication number
- DE2610303A1 DE2610303A1 DE19762610303 DE2610303A DE2610303A1 DE 2610303 A1 DE2610303 A1 DE 2610303A1 DE 19762610303 DE19762610303 DE 19762610303 DE 2610303 A DE2610303 A DE 2610303A DE 2610303 A1 DE2610303 A1 DE 2610303A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- screen printing
- glass
- printing paste
- copper
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/88—Metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5127—Cu, e.g. Cu-CuO eutectic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
PHF. 75529 Va/WR/Jelm ? 2.2.1976
... : PHF 75-529
An.-. -.·.. , -··.. 11. März 1976
Siebdruckpaste für dicke, elektrisch leitende, Leiterbahnen bildende Schichten' auf einem keramischen Substrat,
Die Erfindung bezieht sich auf eine
Siebdruckpaste für dicke, auf einem keramischen Substrat abzulagernde, elektrisch ,leitende, Leiterbahnen bildende
Schichten aus einem "aktiven" Material und aus einem "passiven" Material,; .'das- eine Verbindung des aktiven
Materials mit.dem gewählten Substrat bewirken kann, und
schliesslich aus einem zeitweilig vorhandenen, thixo-
-"tropeny zur. Anwendung beim Siebdrucken geeigneten - ':
Bindemittel^ ' . . ■
Die Erfindung bezieht sich auch auf ein
Verfahren zur Herstellung leitender dicker Schichten mit
609841/0860
ORIGINAL INSPECTED
J3IiF. 75_r'-'-'y
2.2. V)IG
Hilfe der zur Anwendung beim Siebdrucken geeigneten Paste,
und schliesslich auf ein neues leitendes Erzeugnis, bei dem eine solche Paste angewendet wird.
Unter "dicken Schichten" sind Schichten mit einer Dicke von mindestens -15yum zu verstehen.
Es ist bekannt, dass die gewöhnlich zur Bildung von Leitern verwendeten Metalle Gold, Silber,
Platin oder Süber-Palladium sind; dies sind kostspielige
Metalle, die sich ausserdem in zunehmendem Masse verknappen; dies gilt insbesondere für Silber. Das Bestreben
geht also dahin, ein Ersatzmetal zu finden, das gut leitend ist, -^eIseiner Temperatur unter 1OOO°C verwendet
werden kann, damit es mit der Technologie der dicken Schichten kompatibel ist, und das mit anderen Leitern
durch die üblichen Mittel (Ultraschallschweissen, Thernioi-nippression,
schmelzbare Legierungen, usw.) verschweisst werden kann.
Es ist bekannt, dass eine zur Anwendung
beim Siebdrucken geeignete Paste für Leiter aus "dicken
Schichten" schematisch und fest
:- ein "aktives" Material, das das leitende Metall ist - ein "passives" Material, das dazu dient, während
• der Sinterung zu bewirken, dass der .Leiter ·είη
Ganzes mit dem gewählten Substrat (aus Glas, -Keramik-usw.)—bildet;
und - ein "zeitweiliges" organisches Bindemittel, durch das das Gemisch zur Anwendung beim Siebdrücken
geeignet gemacht wird,
609841/ÜS6Ö
ORIGINAL INSPECTED
miteinander verbindet.
Dies hat zur Folge, dass, der Ersatz eines
aktiven Materials durch ein anderes aktives Material
notwendigerweise die Änderung der.Zusammensetzungen des
"passiven" Materials und des zeitweiligen organischen Bindemittels mit sich bringt.
Das "aktive" Material muss gut leitend sein, muss bei einer Temperatur unter 1OOO°C verwendet werden
können, damit es mit den Möglichkeiten der tlblichen Ofen
(Technologie der dicken Schichten) kompatibel ist, und muss schliesslich verschweissbar sein.
Daher—macht das "aktive" Material eine
JLnderung der Sinterbedingungen erforderlich; im Falle von
Kupfer ist es z.B. notwendig, Oxidation zu vermeiden und somit in einer nichtoxidierenden Atmosphäre zu arbeiten.
Dies bestimmt die Wahl des "passiven" Materials und des zeitweiligen Bindemittels.
Das "passive" Material muss ein schmelzbares Glas mit einer Viskosität sein, die bei der Sintertemperatur
der Schicht (gewöhnlich zwischen 85Ο und 1000°C]
genügend niedrig ist, damit ein wirkliches Verschmelzen des "aktiven" Materials mit dem Substrat stattfinden kann.
Schliesslich muss das zeitweilige Bindemittel in der verwendeten Atmosphäre entfernt.werden können.-
. .Leitende JKupf erschichteh. .sind_±nsbesonde"re
in der USA-Patentschrift Nr. 2.993.8I5.beschrieben; sie
sind auf feuerfesten Substraten mit Hilfe eines Bariumoxidglases
gebildet. Die Nachtelle bestehen u.a. darin, "dass
6 0 9 8 4 1 / 0 8 6 0 ORIGINAL INSPECTED
, · PHF. 755-'S>
· 2.2.G
I ü 1 Li 3 O 3
ein solches Glas kein gutes Schmelzglas ist, dass die Sinterung daher in einer säuerstoffhaltig-en Atmosphäre
stattfinden muss, wodurch das leitende Material der Gefahr einer Oxidation ausgesetzt wird, und dass schliesslich
der Ausdehnungskoeffizient des Glases nicht dem des Substrats angepasst ist, wodurch eine gute Haftung
erschwert wird.
Aufgabe der Erfindung ist, diesen Nachteilei
'entgegenzutreten, wobei die erforderliche feste Verbindung
zwischen den Bestandteilen berücksichtigt wird.
Diese Aufgabe wix^d erfindungsgemäss durch eine Siebdruckpaste gelöst, die als "aktives" Material
Kupfer und als "passives" Material ein Schmelzglas vom "kurzen" Typ enthält, wobei die Menge an Kupfer 92-°8/£ und
die Menge des "kurzen" Glases 8-2^ bildet und die als
zeitweilig/vorhandenes Bindemittel eine organische Verbindung enthält, die während ihrer Entfernung in einer
nichtoxidierenden Atmosphäre nicht verkohlt.
Unter "Thixotropie" ist die Eigenschaft eines Materials zu verstehen, durch mechanische Beanspruchung
eine isotherme reversible'Gel-Sol-Umwandlung zu
erleiden. Das bedeutet in der Praxis, dass z.B. eine Paste, die ursprünglich eine hohe Viskosität hat, unter
dem Druck einer zum .Ausbreiten dieser Paste· verwendeten
Rakel eine erheblich verminderte Viskosität zeigt, wobei die Viskosität wieder sehr hoch wird, wenn die genannte
Rakel nicht mehr auf die Paste auf dem Substrat einwirkt..
Als aktives Material wird nach der Erfindung reines Kupfer gewählt, das vorzugsweise in Form eines
6098A1/0860
— j— ■>
"J · ι J ->··
1 6
Pulvers verwendet wird, das durcli nahezu sphärische Körner
gebildet wird, deren Durchmesser .^ 10 ,um sind.
Als "passives" Material sind die üblicherweise beim Siebdrucken verwendeten Bleigläser nicht
geeignet. Nach der Erfindung wird als "passives" Material
ein Schmelzglas vom "kurzen" Typ gewählt.
Das Glas vom "kurzen" Typ ist ein entglas-
bares Glas auf Basis von Silicium, von Bor, von Aluminium
und von Zink und enthält ausserdem Oxide, die modifizierende Ionen ei-zeugen, wie Erdalkali- oder Magnesiumoxide,
wobei das Glas folgende Zusammensetzung in Mol$ aufweist; SiO "S^til-s 20$ und vorzugsweise 10 bis 15$
BO 15 bis 40$ und vorzugsweise 30 bis 35$
Al2O 0 bis 5$
ZnO 25 bis 40$ und vorzugsweise 25 bis 35$>.
Das Gemenge kann ausserdem enthalten: CaO + MgO 5 bis 30$
Li 0 0 bis 10$.
Li 0 0 bis 10$.
Die Zinkoxidgläser sind insbesondere aus der französischen Patentschrift Nr. 1.590.777 bekannt;
sie wurden,in diesem -"EaIIe zum Verschmelzen von Keramik
und Metall., verwendest.
""ie nach der Erfindung verwendeten zeitweilig
vorhandenen Bindemittel sind Bindemittel mit thixotropen
Eigenschaften, die sich während der Bildung der dicken Kupferschicht nach der Erfindung durch einen Prozess
6098Λ1/0860
-6- PiIF. 733^y
ι 2.2.197^
entfernen lassen, bei dem keine Verbrennung des genannten Bindemittels in der Luft stattfindet , z.B. Destillation.
Daher werden vorzugsweise einfache Gemische, wie z.B. eine Lösung von iLthylcellulose in Terpineol mit einer Reinheit
V °-8$, verwendet. Ein derartiges Bindemittel verschwindet,
wenn es auf eine Temperatur unter 8OO°C in einer Atmosphäre von Stickstoff oder wasserstoffhaltigem
Stickstoff erhitzt wird, aus den Siebdruckpasten nach der Erfindung durch Destillation, ohne dass sich ein
kohlartiger Niederschlag bildet (d.h. ohne dass irgendein Rest in der Schicht verbleibt).
In der Siebdruckpaste nach der Erfindung
bildet die Kupfermenge etwa 92 bis 98 Gew.^ für 10Og eine:
aus Kupfer und Schmelzglas bestehenden Gemisches.
Die Mengen des zeitweilig vorhandenen
Bindemittels können dagege; iinerhalb sehr weiter Grenzen
geändert werden. Der Fachmann kann ausserdem durch die ¥ahl des polymeren Materials, des Lösungsmittels und
gegebenenfalls von Zusatzstoffen die rheologischen Eigenschaften des Bindemittels und damit auch der
Siebdruckpaste beliebig anpassen. Als Zusatzstoff kommt But3rlcarbitolaceta't. in Betracht, das bereits in sehr
geringer.Dosierung'(einige Tropfen) den Lösungsvorgang
erleichtert..
Im allgemeinen wird davon ausgegangen, dass*
das zeitweilig vorhandene Bindemittel in bezug auf das
Gemenge aus Kupfer und Schmelzglas 2 5 bis 35 Gew. ^ bildet.
609841/0860
Die crfindun^sgemässe Siebdruckpaste wix*d
mittels bekannter Verfahren zur Mischung- der verschiedenen
Bestandteile hergestellt.
Die elektrisch leitenden, Leiterbahnen
bildenden dicken Schichten werden durch Aufbringen der erfindungsgemässen Siebdruckpasten auf einen geeigneten
Träger (z.B. ein keramisches Substrat) und anschliessende
Erhitzung auf eine genügend hohe Temperatur hergestellt. Dabei kann so verfahren werden, dass die Paste auf ein
keramisches Substrat durch eine geeignete Siebdruckschablone hindurch aufgetragen, ggf. getrocknet und
anschliessend in-rteTüfc^aler oder schwach reduzierender
Atmosphäre bei einer Temperatur zwischen 800 und 1000°C gesintert wird.
Die neutrale oder schwach reduzierende
Atmosphäre kann durch reinen Stickstoff oder durch Stickstoff mit 10 Vol.$>
Wasserstoff gebildet werden.
Die Siebdruckpaste kann vorher einer
Trocknungsbehandlung bei einer Temperatur zwischen 80
und i40°C unterworfen worden sein. ·
Die als passives Material für die Siebdruckpaste gewählten kurzen Gläser weisen folgende Vorteile
auf:
■ Ein erster"Vorteil ist ihr anpassbarer
linearer Ausdehnungskoeffizient, wodurch sie unter gex-inger Druckspannung auf dem Aluminiumoxid angebracht
werden können (somit-M <^ 7-5 χ 10"'); Trotzdem ist dieser
Koeffizient gerade noch gross genug damit der Unterschied
6 09841/0860
2.2.1976
zum Ausdehnungskoeffizienten des Kupfers (ei= I67 χ TO ')
nicht zu gross wird. Die Erfahrung hat gezeigt, dass mit Gläsern mit einem Ausdehnungskoeffizienten zwischen 6O
und 75 χ 10 , vorzugsweise zwischen 6k und 70 χ 10
gearbeitet werden muss.
Ein zweiter Vorteil ist, dass auch Glaser mit einem ZnO-Gehalt bis zu 4θ$ in einem reduzierenden
Milieu eine gute Haftung an dem Substrat aufweisen. Tatsächlich wird durch die etwaige Reduktion des Zirioxids
Zinkmetall erhalten, das die Benetzung des Metalls durch das Glas nichi^Jhßrabsetzt. (Das Zink ist mit dem Kupfer
kompatibel) .
Ein dritter Vorteil ergibt sich aus dem
auf 5 Mol.5t>
beschränkten Aluminiumoxidgehalt; im allgemeinen führt- das gleichzeitige Vorhandensein von ZnO und
AIpO zur Entglasung des Glases (Bildung von Gahnit = ', .
ZnAl_0, , wodurch die Sintertemperatur erhöht wird; in
diesem speziellen Fall dagegen bildet sich durch Reaktion des Glases und des Aluminiumoxidsubstrats eine gahnit—
reiche glasig-kristalline Grenzfläche während der Behandlung der Schicht, die mit einem Grund für die
Festigkeit der Schmelzverbindung zwischen der Schicht und dem Substrat ist.
Unter den " Schmelzgläsern vom "kurzen1" Typ werden
also gewisse Verbindungen bevorzugt:
60984 1/0860
| ZUSAMMENSE | TZUNG DETi | GLASIiH IN MOL <£ | ' - 4 | 5 ■ | |
| molare Verbindung |
1 | 2 | 3 | 9,5 | 10 |
| : SiO2 | 15 | 10 | 10 | 37,5 | 35 |
| B2°3 | 30 | 35 | 35 | 0 | 0 |
| Al2O3 | 5 | 0 | 0 | 5 | 20 |
| CaO | 22,5 | 25 | 20 | 0 | 5 |
| MgO | 0 | 0 | 0 | 9,5 | 0 |
| • Li2° | 0 | 0 | 0 | 38,5 | 30 |
| ZnO | 27,5 | 30 | 35 | 66,5 | 67 |
| fct.. 1θ"7.°Ο~ | 66_ | :6g | ."64 | 485 | 590 |
| ' OKP | 565 | 575 | 575 |
OKP bezeichnet den oberen Kühlpunkt des Materials.
— 7—1
Die Formel C^0IO .0C bezeichnet den linearen Ausdehnungskoeffizienten
der Gläser pro 0C.
Durch Experimente wurde festgestellt, dass
die Zusammensetzung 1 in einer reduzierenden Atmosphäre besonders stabil ist, und dass die Zusammensetzungen 2
und 3 einen guten Kompromiss zwischen dem Schmelzpunkt,~
dem Ausdehnungskoeffizienten und dem ZnO-Gehalt darstellen Das Glas der Verbindung 4 ist schliesslich ein Glas mit
einem·niedrigen Schmelzpunkt, aber mit einem hohen ZnO-Gehaltv
während das Glas der Verbindung 5 ein Beispiel eines Glases ist, bei dem MgO teilweise durch GaO ersetzt
wird; durch Vergleich mit der Verbindung 2 zeigt sich, dass der OKP und somit die Schmelztemperatur zugenommen
haben.
Es sei noch bemerkt, das.·? durch die Anwendung eines Glases vom "kurzen" Typ , das ein reelles
60984 1/0S60
ORIGINAL INSPECTED
- τ υ- j ή j . (j j.yi
2.^.1976
Schmelzglas ist, die Haftung an einem Substrat aus
Aluminiumoxid hoher Reinheit begünstigt wird. Bauteile
dieser Art sind mit Vorteil für Hochfrequenzbetrieb
einzusetzen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend beschrieben.
Durch die üblichen Glasschmelztechniken
wird z.B.' das Glas der Zusammensetzung 3 verarbeitet,
wobei von folgenden Materialien ausgegangen wird:
- Boraiihydrid 33 Gew. ^o
- reines Siliciumoxid 7,^ Gew.$
- Calciumeäribonat 2h, 6 Gew.^
- Zinkoxid 35 Gew.#
Das Glas wird durch Schmelzen während Stunden bei einer Temperatur von i400°C verarbeitet,
ausgegossen, gemahlen und dann zur Homogenisierung 1 Stunde lang bei der gleichen Temperatur abermals geschmolzen.
Dann folgt eine Umwandlung in eine Fritte, derart, dass das Glas in Wasser ausgegossen und in einer
Kugelmühle gemäien wird, bis ein Pulver entstanden ist mit einer Körnung kleiner als oder höchstens gleich
10 ,um;
Ans chli,es send werden 97 S metallisches
Kupferpulver aus nahezu sphärischen Körnern mit Durch-
.'
messern von etwa 1 ,um und 3 S- der oben beschriebenen
messern von etwa 1 ,um und 3 S- der oben beschriebenen
Glasfritte in trockenem Zustand gemischt. Danach werden
30 g eines Bindemittels der oben beschriebenen Art (z;.B. eine Lösung von JLthylccllulose in reinem Terpineol)
609841/0860
-η- I1JiF. Ί:>\>'·-\)
zugesetzt. Das Ganze wird in einem Mispher oder auf ähnliche Weise (z.B. in einer rotierenden Kugelmühle)
gemischt, bis eine homogene Paste vox-liegt.
Die dicke elektrisch, leitende Schicht wird
durch ein Siebdruckverfahren auf ein keramisches Substrat geinäss dem gewünschten Muster mit Hilfe einer Siebdruckschablone
aufgebracht, an der Luft oder in einem Trockenschrank bei z.B. 8O°C vorgestrocknet und dann in
einem üblichen Durchführungsofen in einer neutralen
oder vorzugsweise schwach reduzierenden Atmosphäre aus z.B. Stickstoff mit 10$ Wasserstoff bei einer Temperatur
zwischen 950 und 1000°C während 7 bis 10 Minuten
gesintert.
Die Temperatur und die Dauer sind nicht
kritisch und können gegenseitig derart eingestellt werden, dass eine leitende Kupferschicht entsteht, die an dem
keramischen Substrat gut haftet.
6 G 9 8 I 1 / 0 £ C C;
Claims (6)
1. Siebdruckpaste für di-dke, auf einem
keramischen Substrat abzulagernde, elektrisch leitende, Leiterbahnen bildende Schichten aus einen "aktiven"
Material und aus einem "passiven" Material, das eine Verbindung des aktiven Materials mit dem gewählten Substrat
bewirken kann und schliesslich aus einem zeitweilig vorhandenen, thixotropen, zur Anwendung beim Siebdrucken
geeigneten Bindemittel, dadurch gekennzeichnet, dass das
"aktive" Material Kupfer und das "passive" Material ein Schmelzglas vom "kurzen" Typ ist, wobei die Menge an
Kupfer 92 - 9856-ttnd die Menge des "kurzen" Glases 8 - 2^
bildet und dass das zeitweilig vorhandene Bindemittel eine organische Verbindung ist, die während ihrer Entfernung
"in einer nicht oxidierenden Atmosphäre nicht verkohlt.
2. ' Siebdruckpaste nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sie Kupfer in Form eines Pulvers aus
nahezu sphärischen Körnern mit Durchmessern von .£ 10 ,um
enthält,
3. Siebdruckpaste nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das "kurze" Schnielzglas ein entglasbares
Glas auf Basis von Siliciumoxid, Boroxid, Aluminiumoxid und -Zinkoxid ist, das-ausserdem modifizierende'
Ionen erzeugende"-Oxide, -wie- Erdalkali=- oder"Magnesiumoxide"
enthält, wobei das genannte Glas folgende Zusammensetzung in Mo1$ aufweist:
ORIGINAL INSPECTED 609841/0860
-.13- P]IF. 75529
. 2.2.1976
SiO2 5 bis 20$
B2O3 15 bis
Al2O3 O bis
ZnO 25 bis
CaO + MgO 5 bis 30$
Li2O O bis
4. Siebdruclcpaste nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, dass das zeitweilig vorhandene Bindemittel eine Lösung mit 2 bis 6 g Äthylcellulose für eine Menge
von 98 bis 9h g Terpineol ist, ggf. unter Zusatz einiger
Tropfen Butylcarbitolacetat.
5. "" Verfahren zur Herstellung dicker elektrisch
leitender Schichten mit Hilfe einer Siebdruckpaste nach
einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
dass ein keramisches Substrat durch eine geeignete Siebdruckschablone hindurch mit der Siebdru -'-.-.äste
bedeckt wird, und dass das Substrat, ggf. nach Vortrocknung der Siebdruckpaste, in einer inerten oder schwachreduzierenden
Atmosphäre bei einer Temperatur zwischen 800 und 1000°C gesintert wird.
6. Verfahren, nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet,
dass die,-Votrtrocknung bei einer Temperatur
zwischen 80 .'und 14O.°C ,'durchgeführt wird...
7* ..Verfahren nach einem der" Ansprüche 5 oder
6, dadurch' gekennzeichnet,-dass die neutrale oder schwachreduzierende
Atmosphäre durch reinen Stickstoff oder durch Stickstoff mit 10 Vol.$ Wasserstoff gebildet wird.
6G9841/08S0
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7509288A FR2305478A1 (fr) | 1975-03-25 | 1975-03-25 | Pate serigraphiable pour conducteurs en couches epaisses a deposer sur un substrat ceramique et procede de preparation de couches conductrices utilisant une telle pate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2610303A1 true DE2610303A1 (de) | 1976-10-07 |
| DE2610303C2 DE2610303C2 (de) | 1983-04-21 |
Family
ID=9153042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19762610303 Expired DE2610303C2 (de) | 1975-03-25 | 1976-03-12 | Siebdruckpaste für dicke, elektrisch leitende, Leiterbahnen bildende Schichten auf einem keramischen Substrat |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830759B2 (de) |
| DE (1) | DE2610303C2 (de) |
| FR (1) | FR2305478A1 (de) |
| GB (1) | GB1489031A (de) |
| IT (1) | IT1066171B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005007933A1 (de) * | 2005-02-10 | 2006-08-17 | Schott Ag | Verfahren zum Herstellen einer Heizleiterschicht auf einem Substrat und damit hergestellte Kochplatte |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2397469A1 (fr) * | 1977-02-22 | 1979-02-09 | Panoduz Anstalt | Procede pour deposer une couche de metal conducteur sur un support isolant |
| FR2490210A1 (fr) | 1980-09-15 | 1982-03-19 | Labo Electronique Physique | Melange de depart pour une composition fortement resistante, encre serigraphiable constituee avec et circuits electriques ainsi realises |
| JPS5811565A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 導電塗料 |
| FR2513751B1 (fr) * | 1981-09-28 | 1986-04-11 | France Etat | Initiateur pyrotechnique electrique a effet joule |
| JPS5879837A (ja) * | 1981-10-31 | 1983-05-13 | Tdk Corp | 磁器コンデンサ |
| FR2564455B1 (fr) * | 1984-05-18 | 1986-09-19 | Labo Electronique Physique | Melange de depart pour une composition isolante, encre serigraphiable comportant un tel melange et utilisation de cette encre pour la realisation de microcircuits hybrides sur substrat colamine |
| FR2566386A1 (fr) * | 1984-06-22 | 1985-12-27 | Labo Electronique Physique | Melange de depart pour une composition isolante comprenant un verre au plomb, encre serigraphiable comportant un tel melange et utilisation de cette encre pour la protection de microcircuits hybrides sur substrat ceramique |
| FR2575331B1 (fr) * | 1984-12-21 | 1987-06-05 | Labo Electronique Physique | Boitier pour composant electronique |
| JPS6248097A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-02 | 日本特殊陶業株式会社 | 多層回路基板の製造法 |
| JPS62211994A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-17 | 三井金属鉱業株式会社 | 多層回路基板およびその製造法 |
| US4808770A (en) * | 1986-10-02 | 1989-02-28 | General Electric Company | Thick-film copper conductor inks |
| US6399230B1 (en) * | 1997-03-06 | 2002-06-04 | Sarnoff Corporation | Multilayer ceramic circuit boards with embedded resistors |
| JP2006107776A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Toshiba Corp | 画像表示装置の製造方法 |
| CN112259279B (zh) * | 2020-10-19 | 2022-03-18 | 厦门翰森达电子科技有限公司 | 一种汽车玻璃环保水性导电银浆 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2993815A (en) * | 1959-05-25 | 1961-07-25 | Bell Telephone Labor Inc | Metallizing refractory substrates |
-
1975
- 1975-03-25 FR FR7509288A patent/FR2305478A1/fr active Granted
-
1976
- 1976-03-12 DE DE19762610303 patent/DE2610303C2/de not_active Expired
- 1976-03-22 IT IT2143276A patent/IT1066171B/it active
- 1976-03-22 GB GB1141276A patent/GB1489031A/en not_active Expired
- 1976-03-24 JP JP3239576A patent/JPS5830759B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2993815A (en) * | 1959-05-25 | 1961-07-25 | Bell Telephone Labor Inc | Metallizing refractory substrates |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005007933A1 (de) * | 2005-02-10 | 2006-08-17 | Schott Ag | Verfahren zum Herstellen einer Heizleiterschicht auf einem Substrat und damit hergestellte Kochplatte |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1066171B (it) | 1985-03-04 |
| JPS5830759B2 (ja) | 1983-07-01 |
| JPS51119973A (en) | 1976-10-20 |
| FR2305478A1 (fr) | 1976-10-22 |
| GB1489031A (en) | 1977-10-19 |
| DE2610303C2 (de) | 1983-04-21 |
| FR2305478B1 (de) | 1981-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE602004006951T2 (de) | Leitfähige paste | |
| DE69204571T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Mehrschichtschaltungen. | |
| DE68912932T2 (de) | Glas-Keramik-Gegenstand und Verfahren zu dessen Herstellung. | |
| DE3111808C2 (de) | Elektrisch leitende Paste, ihr Herstellungsverfahren und ihre Verwendung | |
| DE2746320C2 (de) | Kupfer-Glas-Stoffzusammensetzung und ihre Verwendung | |
| DE2617226C2 (de) | Paste und Verfahren zur Bildung eines elektrischen Dickfilmleiters | |
| DE10157443B4 (de) | Glas-Keramikzusammensetzung für ein elektronisches Keramikbauteil, Verwendung der Glas-Keramikzusammensetzung für ein elektronisches Keramikbauteil und Vefahren zur Herstellung eines elektronischen Vielschicht-Keramikbauteils | |
| DE3650210T2 (de) | Leitfähige Dickschichtzusammensetzung. | |
| DE2610303A1 (de) | Siebdruckpaste fuer dicke, elektrisch leitende, leiterbahnen bildende schichten auf einem keramischen substrat | |
| DE1646904B2 (de) | Metallisierungsmasse | |
| DE3046334A1 (de) | Aufsinterbare grundmasse zur herstellung einer zwischenschicht zwischen einer hochschmelzenden dentalmetall-legierung und zahnporzellan | |
| DE3151206A1 (de) | Glasiertes, keramisches traegermaterial | |
| DE60212439T2 (de) | Silberleiterzusammensetzung für Solarzellelektroden | |
| DE2333318C3 (de) | Metallisierungsmasse | |
| DE2234461A1 (de) | Metallisierungsmasse und verfahren zum metallisieren einer vertiefung in halbleiterpackungen sowie das dabei erhaltene produkt | |
| DE1596851A1 (de) | Widerstandsmaterial und aus diesem Widerstandsmaterial hergestellter Widerstand | |
| DE69803910T2 (de) | Gesinterter Aluminiumnitridkörper und daraus hergestelltes metallisiertes Substrat | |
| DE2946753A1 (de) | Widerstandsmaterial, elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung desselben | |
| DE1011348B (de) | Verglasbares Flussmittel sowie keramischer Gegenstand | |
| DE3886802T2 (de) | Verfahren zum beschleunigten Ausbrennen von organischen Materialien. | |
| EP0124943B1 (de) | Dielektrisches Glas für Mehrschichtschaltungen und damit versehene Dickfilmschaltungen | |
| DE60212950T2 (de) | Verwendung von leiterzusammensetzungen in elektronischen schaltungen | |
| DE60213628T2 (de) | Dickfilm-leiterzusammensetzungen zur verwendung auf alumniumnitridsubstraten | |
| DE1471415A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Metallueberzugs auf einem Keramikkoerper | |
| DE3732696A1 (de) | Leitende durchgangsfuellfarbe sowie mehrschichtschaltkreis auf kupferbasis |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: NEHMZOW-DAVID, F., PAT.-ASS., 2000 HAMBURG |
|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |