DE4130772A1 - Kaltleiter-kontaktmetallisierung - Google Patents

Kaltleiter-kontaktmetallisierung

Info

Publication number
DE4130772A1
DE4130772A1 DE19914130772 DE4130772A DE4130772A1 DE 4130772 A1 DE4130772 A1 DE 4130772A1 DE 19914130772 DE19914130772 DE 19914130772 DE 4130772 A DE4130772 A DE 4130772A DE 4130772 A1 DE4130772 A1 DE 4130772A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
titanium
protective layer
protective
stop
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19914130772
Other languages
English (en)
Inventor
Robert Karner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Siemens Matsushita Components GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Matsushita Components GmbH and Co KG filed Critical Siemens Matsushita Components GmbH and Co KG
Priority to DE19914130772 priority Critical patent/DE4130772A1/de
Publication of DE4130772A1 publication Critical patent/DE4130772A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/023Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/1406Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/02Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine sperrschichtabbauende und schützende Kontaktmetallisierung für Kaltleiter.
Gegenwärtig werden bei der Kaltleiter-Herstellung folgende Ver­ fahren und Kontaktmetallisierungen für den Schutz und den Sperr­ schichtabbau bei Kaltleitern verwendet:
Wird die Metallisierung im Siebdruck aufgebracht, so werden als Stoffe bzw. Stoffzusammensetzungen Indium/Gallium/Silber, Alu­ minium oder Zink/Silber verwendet. Beim Aufbringen der Kontakt­ metallisierungen durch Sputtern werden Aluminium, Chrom oder Zink verwendet.
Wird die Kontaktmetallisierung durch Galvanisieren aufgebracht, so wird Nickel verwendet.
Schließlich wird beim Aufbringen der Kontaktmetallisierung durch Aufreiben Indium/Gallium verwendet.
Der Erfindung zugrundeliegende Untersuchungen haben gezeigt, daß bei Verwendung von Titan bei der Kontaktmetallisierung von Kaltleitern nicht nur ein vollständiger Abbau von Sperrschich­ ten sondern auch darüber hinaus noch ein Schutz etwa gegen Oxidation erreicht werden kann.
Erfindungsgemäß wird daher Titan als Schutzschicht oder Schicht zum Sperrschichtabbau bei der Kontaktmetallisierung von Kalt­ leitern verwendet.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprü­ chen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispie­ len gemäß den Figuren der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Kaltleiters mit ei­ ner Titan-Kontaktmetallisierung;
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Kaltleiters mit ei­ ner Dreifach-Kontaktmetallisierung und
Fig. 3 eine schematische Darstellung eines Kaltleiters mit ei­ ner Doppelschicht-Kontaktmetallisierung.
Bei der Ausführungsform nach Fig. 1 eines Kaltleiters sind auf sich gegenüberliegenden Seiten eines Kaltleiter-Keramikkörpers 1 Kontaktmetallisierungen 2 aus Titan aufgebracht, wodurch Sperrschichten an der Oberfläche des Kaltleiter-Keramikkörpers 1 eliminiert werden.
Werden Kaltleiter durch Löten in eine Schaltung eingebracht, so empfiehlt sich eine Dreifach-Kontaktmetallisierung gemäß Fig. 2, bei der auf sich gegenüberliegenden Seiten eines Kaltleiter- Keramikkörpers 1 zunächst eine Grundschicht 10 aus Titan aufge­ bracht ist, die wiederum der Eliminierung von Sperrschichten dient. Auf diesen Titan-Schichten 10 sind Nickel-Schichten 11 vorgesehen, welche lötbar sind und eine Diffusionssperre bil­ den. Schließlich sind auf den Nickel-Schichten 11 Silber- Schichten 12 vorgesehen, welche als Schutzschicht dienen und eine Oxidation verhindern.
Bei Einbringen von Kaltleitern in Schaltungen durch Klemmen em­ pfiehlt sich eine Doppelschicht-Kontaktmetallisierung nach Fig. 3. Dabei wird auf sich gegenüberliegenden Seiten eines Kaltleiter-Keramikkörpers 1 zunächst eine Aluminium-Schicht 20 aufgebracht, welche dem Sperrschichtabbau dient. Auf diese Alu­ minium-Schicht 20 wird eine Titan-Schicht 21 aufgebracht, wel­ che bei diesem Ausführungsbeispiel als Schutz- und Deckschicht dient.
Erfindungsgemäß vorgesehene Titan-Schichten zeichnen sich durch eine sehr gute Haftung auf Kaltleiter-Keramik aus. Die erreich­ te Haftfestigkeit ist mit der mit einer Chrom-Schicht erzielba­ ren Haftfestigkeit mindestens ebenbürtig.
Ein weiterer Vorteil von Titan-Schichten ist die Beständigkeit gegen Säuren bei Raumtemperatur sowie die gute Korrosionsbe­ ständigkeit durch Bildung von schützenden oxidischen Deckschich­ ten.
Schließlich weist Titan auch eine sehr gute Beständigkeit gegen Feuchtigkeit und Schadgase, z. B. SO2 oder H2S auf.

Claims (5)

1. Verwendung von Titan als Schutzschicht oder Schicht zum Sperrschichtabbau bei der Kontaktmetallisierung (2; 10, 11, 12; 20, 21) von Kaltleitern (1).
2. Verwendung von Titan nach Anspruch 1 als Sperrschichtabbau- Kontaktmetallisierung (2).
3. Verwendung von Titan nach Anspruch 1 als Sperrschichtabbau- Kontaktmetallisierung (10) mit einer darauf befindlichen Nic­ kel-Schicht (11) als lötbare Diffusionssperre und einer auf der Nickel-Schicht (11) befindlichen Schutzschicht (12) aus Silber.
4. Verwendung von Titan nach Anspruch 1 als Schutzschicht (20) und einer zwischen Kaltleiter (1) und Titan-Schutzschicht (20) befindlichen Aluminium-Schicht (21) zum Sperrschichtabbau.
5. Verwendung einer Titan-Schicht (2; 10; 20) in einer Dicke im Bereich von einigen 10-tel µm.
DE19914130772 1991-09-16 1991-09-16 Kaltleiter-kontaktmetallisierung Withdrawn DE4130772A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19914130772 DE4130772A1 (de) 1991-09-16 1991-09-16 Kaltleiter-kontaktmetallisierung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19914130772 DE4130772A1 (de) 1991-09-16 1991-09-16 Kaltleiter-kontaktmetallisierung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4130772A1 true DE4130772A1 (de) 1993-04-29

Family

ID=6440724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19914130772 Withdrawn DE4130772A1 (de) 1991-09-16 1991-09-16 Kaltleiter-kontaktmetallisierung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE4130772A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19635276A1 (de) * 1996-08-30 1998-03-12 Siemens Matsushita Components Elektro-keramisches Vielschichtbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0939410A2 (de) * 1998-02-26 1999-09-01 Abb Research Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Kaltleiteranordnung sowie Verwendung der Kaltleiteranordnung als Strombegrenzer

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1123019B (de) * 1958-08-11 1962-02-01 Nat Lead Co Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2040929A1 (de) * 1969-08-21 1971-03-04 Texas Instruments Inc Ohmsche Kontaktanordnung fuer Halbleitervorrichtungen
DE7507461U (de) * 1975-02-11 1976-12-09 Bbc Ag Brown, Boveri & Cie, Baden (Schweiz) Kaltleiter-bauelement
DE2930779A1 (de) * 1978-07-28 1980-02-07 Tokyo Shibaura Electric Co Halbleitervorrichtung
DE3638286A1 (de) * 1986-11-10 1988-05-11 Siemens Ag Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1123019B (de) * 1958-08-11 1962-02-01 Nat Lead Co Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2040929A1 (de) * 1969-08-21 1971-03-04 Texas Instruments Inc Ohmsche Kontaktanordnung fuer Halbleitervorrichtungen
DE7507461U (de) * 1975-02-11 1976-12-09 Bbc Ag Brown, Boveri & Cie, Baden (Schweiz) Kaltleiter-bauelement
DE2930779A1 (de) * 1978-07-28 1980-02-07 Tokyo Shibaura Electric Co Halbleitervorrichtung
DE3638286A1 (de) * 1986-11-10 1988-05-11 Siemens Ag Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19635276A1 (de) * 1996-08-30 1998-03-12 Siemens Matsushita Components Elektro-keramisches Vielschichtbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19635276C2 (de) * 1996-08-30 2003-04-24 Epcos Ag Elektro-keramisches Vielschichtbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0939410A2 (de) * 1998-02-26 1999-09-01 Abb Research Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Kaltleiteranordnung sowie Verwendung der Kaltleiteranordnung als Strombegrenzer
DE19808025A1 (de) * 1998-02-26 1999-09-02 Abb Research Ltd Verfahren zur Herstellung einer Kaltleiteranordnung sowie Verwendung der Kaltleiteranordnung als Strombegrenzer
EP0939410A3 (de) * 1998-02-26 2000-07-26 DaimlerChrysler AG Verfahren zur Herstellung einer Kaltleiteranordnung sowie Verwendung der Kaltleiteranordnung als Strombegrenzer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0090403B1 (de) Hochtransparenter, in Durch- und in Aussenansicht neutral wirkender, wärmedämmender Belag für ein Substrat aus transparentem Material
DE3027256C2 (de)
DE3028044C1 (de) Lötfähiges Schichtensystem
DE3543694A1 (de) Verfahren zum herstellen von kontaktbahnen auf substraten, insbesondere auf scheiben, und durch das verfahren hergestellte scheiben
EP0102452B1 (de) Multiplexbare Flüssigkristallzelle
DE2703636C3 (de) Regenerierfähiger elektrischer Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0593883B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Fensterscheiben mit hoher Strahlungstransmission im sichtbaren Spektralbereich und hoher Strahlungsreflexion im Wärmestrahlungsbereich
DE3638286A1 (de) Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung
DE3823347A1 (de) Leistungs-halbleiterelement
DE3136794C2 (de) Lötfähiges Schichtensystem, seine Verwendung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3148778C2 (de)
DE1614668B2 (de) Halbleiter-Anordnung mit Großflächigen, gut lötbaren Kontaktelektroden und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3601439C1 (de) Schichtverbundwerkstoff,insbesondere fuer Gleit- und Reibelemente,sowie Verfahren zu seiner Herstellung
DE3503851A1 (de) Hochtransparenter in durch- und aussenansicht neutral wirkender und waermedaemmender belag
DE3118342C2 (de) Wärmeaufzeichnungskopf und Verfahren zu seiner Herstellung
DE4130772A1 (de) Kaltleiter-kontaktmetallisierung
DE10315478A1 (de) Elektrochromischer Spiegel und Reflektionsschicht für diesen
DE3807600A1 (de) Niederreflektierender, hochtransparenter in durch- als auch in aussenansicht neutral wirkender sonnenschutz- und/oder waermedaemmender belag fuer ein substrat aus transparentem material
EP0334991B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Scheiben aus Mineralglas mit hohem Transmissionsverhalten im sichtbaren Spektralbereich und mit niedriger Sonnenenergietransmission sowie durch das Verfahren hergestellte Scheiben
DE4030479C2 (de) Elektrischer Widerstand in Chip-Bauform
EP1560797B1 (de) Mit einer wärmeschutzschicht beschichtetes substrat und verfahren zum aufbringen der wärmeschutzchicht
DE3227898C2 (de) Schichtsystem für optoelektronische Anzeigen
EP0279030B1 (de) Lötfähiges Schichtsystem
DE3146020A1 (de) "temperaturabhaengiger widerstand"
DE19858226C1 (de) Wärmereflektierendes Schichtsystem für transparente Substrate

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8130 Withdrawal