DE3136794C2 - Lötfähiges Schichtensystem, seine Verwendung und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Lötfähiges Schichtensystem, seine Verwendung und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Abstract
Lötfähiges Schichtensystem, seine Verwendung und Verfahren zu seiner Herstellung. Um auf transparenten Dünnschichtelektroden, die selbst nicht lötfähig sind, haltbare Lötverbindungen zustandezubringen, wird vorgeschlagen, die Leitschicht folgendermaßen zu behandeln: Zunächst bringt man im Vakuum die Leitschicht auf, und zwar im durchoxidierten Zustand, und erzeugt dann im gleichen Vakuum auf der Leitschicht eine lötfähige Schicht. Vorzugsweise besteht die Elektrode aus einem Indium-Zinn-Oxid und die Lötschicht aus Kupfer. Die vorgeschlagene Beschichtungstechnik ist besonders einfach, da die Lötschicht weder einen Haftvermittler noch eine Korrosionsschutzschicht benötigt. Besteht sie aus Kupfer, so kann sie bei ausreichender Dicke sogar kleinere thermische Belastungen, wie sie beispielsweise bei der Herstellung von Flüssigkristallanzeigen mit Kleberahmen auftreten, ohne weiteres vertragen. Das vorgeschlagene Schichtensystem eignet sich vor allem für die Elektrodenanschlüsse von elektrooptischen Displays wie Flüssigkristallanzeigen.
Description
Die Erfindung betrifft eine Fertigungsmethode gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Eine solche
Beschichtungstechnik gehört zum Gegenstand des älteren Patents 30 28 044.
Transparente Dünnschichtelektroden bestehen gewöhnlich aus einem Material, das von Loten üblicher
Zusammensetzung nicht benetzt wird. Sie müssen deshalb besonders präpariert werden, wenn man zu
ihnen einen brauchbaren Lötkontakt herstellen will. Die dabei auftretenden technologischen Probleme sind an
sich grundsätzlich gelöst. So hat sich beispielsweise ein Vorgehen sehr bewährt, bei dem die Leitschicht
zunächst mit eina- Haftvermittlerschicht, dann mit einer Lötschicht und schließlich mit einer Schutzschicht
überzogen wird. Der Haftvermittler sorgt für einen festen Halt der Lötschicht, und die Schutzschicht
verhindert eine Korrosion des lötfähigen Materials; eine typische Schichtenfolge ist CrCuAu (vgi. hierzu auch die
DE-AS 23 33 206 oder die DE-OS 23 50 000).
Ein solcher Schichtenaufbau sorgt für eine feste, niederohmige Lötverbindung, ist allerdings relativ
aufwendig und teuer. Diese Nacteeile fallen vor allem
dann ins Gewicht, wenn, wie beispielsweise bei Flüssigkristallanzeigen, Wirtschaftlichkeitsüberlegungen
eine zentrale Rolle spielen.
Ein einfacheres Beschichtungsschema wird in dem zitierten Patent 30 28 044 vorgeschlagen. Dort erhält
das Substrat eine zunächst teiloxidierte Elektrode, die dann mit Kupfer oder Eisen beschichtet wird, das
seinerseits mit einer Schutzschicht aus einem korrosiven Metall wie Silicium, Zinn oder Indium umgeben wird;
anschließend wird die Elektrode bei Temperaturen über 400° C durchoxidiert, um sie ausreichend transparent
und leitfähig zu machen. Die Hochtemperaturbehandiung bewirkt außerdem, daß auch die Schutzschicht
vollständig oxidiert und daß die Lötschicht durch Diffusionsprozesse eine feste Verbindung mit der
Elektrode eingeht. Auf diese Weise kommt man ohne Haftvermittler und Edelmetalle zu guten Ergebnissen.
Es zeigt sich aber, daß die leitfähige Schicht bei einer ausgeprägten Kupfer- oder Eisen-Diffusion ein nicht
einfach zu beherrschendes Ätzverhalten annimmt. Überdies ist noch immer ein spezieller Schutzfilm
erforderlich, der seine Funktion nur dann zuverlässig erfüllen kann, wenn er so dick ist, daß er das Lot nicht
mehr zur darunter liegenden Schicht gelangen läßt und deshalb weggeätzt werden muß.
Die Herstellung läßt sich noch weiter rationalisieren, wenn man, wie in dem älteren Patent 31 10 978
beschrieben, folgendermaßen arbeitet: Man überzieht
die Elektrode mit einer Lötschicht, die bereits einen
Anteil an korrosivem Metall enthält, und überführt dann die Leitschicht in ihre Oxide. Bei der dazu erforderlichen
Temperaturbehandlung oxidiert auch der korrosionsfähige Zusatz an der Oberfläche der Lötschicht, so daß
sich von selbst eine schützende Haut bildet Diese Variante bietet erhebliche Fertigungserleichterungen,
ist aber in der Praxis nicht unproblematisch. Die oxidreichen Außenbereiche der Lötschicht haben
mitunter eine zu schwache Sperrwirkung, und der to Lötkontakt ist in einigen Fallen mechanisch zu wenig
belastbar, selbst dann, wenn man die stark oxidhaltigen
Lötschichtzonen entfernt Davon abgesehen besteht auch hier die Gefahr, daß sich die Leitschicht nicht
definiert ätzen läßt i>
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Herstellungstechnik der eingangs genannten Art so
abzuwandeln, daß die Leitschicht ein reproduzierbares Ätzverhalten zeigt und die Lötschicht einfach geschützt
werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Fertigungsmethode mit den Merkmalen des Anspruchs
1 gelöst
Bei dem vorgeschlagenen Verfahren ist die !ötfähige Schicht keinen hohen Temperaturen mehr ausgesetzt,
da sie auf eine Leitschicht aufgetragen wird, die bereits über den erforderlichen Oxidationsgrad verfügt Das
bedeutet, daß die Lötschicht grundsätzlich keinen Korrosionsschutz mehr braucht Besteht die Schicht aus
Kupfer, so kann sie sogar - bei ausreichender Dicke kleinere thermische Belastungen vertragen. Dies ist
besonders wertvoll, da die gesamte Einheit häufig aus anderen Gründen auf höhere Temperaturen gebracht
werden muß und das Schichtensystem dabei unvermeidlich erwärmt wird. So erhalten beispielsweise moderne
Flüssigkristallanzeigen einen Kunststoff-KIeberahmen, der bei Temperaturen zwischen 1200C und 1700C
aushärtet Unter diesen Bedingungen behält eine mindestens 2 μπι starke Kupferschicht ihre Lötfähigkeit.
Da das lötfähige Material allenfalls nur noch mäßig erhitzt wird, kann es auch praktisch nicht mehr in die
Elektrode einlegieren. So sind keine Ätzfehler mehr zu befürchten. Bemerkenswerterweise ist dabei die Verbindung
zwischen der Löt- und der Leitschicht ausreichend fest Es hat sich nämlich herausgestellt, daß die
beobachteten Haftungsprobleme nur dann auftreten, wenn die Elektrode zuvor mit Luft in Berührung
gekommen ist Wird dies, wie erfindungsgemäß vorgesehen, verhindert, so sind keine zusätzlichen
Verfestigungsmittel mehr erforderlich. >"
Darüber hinaus bietet der Lösungsvorschlag die Möglichkeit, in Fallen, in denen die Lötschicht auch bei
stärkerer Hitzeeinwirkung und/oder bei relativ geringer Schichtdicke keine sprürbaren Korrosionsschäden erleiden
soll, einfache Schutzmaßnahmen zu ergreifen. So brauchen Schichten, wie sie in den Ansprüchen 7 bis )2
charakterisiert sind, vor dem eigentlichen Lötprozeß nicht abgelöst zu werden. Die Schutzschicht des
Anspruchs 14 wird von einem Fotolackentwickler gelöst und ist resistent gegenüber dem Fotolackentferner. Sie 6"
empfiehlt sich daher speziell bei Flüssigkristallanzeigen, deren Elektroden auf fotolithographischem Wege
strukturiert werden und deren Orientierungsschichten mit einer Lauge behandelt werden. In einzelnen Fällen
bietet sich auch eine Schutzschicht gemäß dem b°>
Anspruch 15 an, die sich mit Wasser mühelos wegspülen läßt. Die Schichten der Ansprüche 7 bis 10 können
aufgedampft, gesputtert jder galvanisch erzeugt werden,
die der Ansprüche 11 und 12 sind galvanisch
aufzubringen. Wolframoxid (Anspruch 14} und Boroxid
(Anspruch 15) lassen sich aufdampfen oder in einer Schleuder- bzw. Tauchtechnik auftragen.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand zusätzlicher
Ansprüche.
Der Lösungsvorschlag soll nun anhand eines Ausführungsbeispiels
in Verbindung mh der beigefügten Figur näher erläutert werden.
Die Figur zeigt in einem leicht schematisierten Seitenschnitt eine Flüssigkristallanzeige, die nach dem
Prinzip der sogenannten »Drehzeöe« (DE-AS 21 58 563) arbeitet Die Anzeigevorrichtung enthält im
einzelnen einen vorderen linearpolarisator 1, eine vordere Trägerplatte (Vorderplatte) 2, eine hintere
Trägerplatte (Rückplatte) 3, einen hinteren, zum vorderen gekreuzten Linearpolarisator 4 und einen
Reflektor 6. Die beiden Substrate sind über einen Rahmen 7 in einem vorgegebenen Abstand dicht
miteinander verbunden. Der vom Kannten und den beiden Platten umschlossene Raum ist mit einer
Flüssigkristallschicht 8 gefüllt Die Platten sind auf ihren einander zugewandten Flächen jeweils mit Elektroden
(durchgehende Elektrode 9 mit Zuleitungen 11, getrennt
ansteuefbare Segmentelektroden 12) sowie mit einer Orientierungsschicht 13,14 versehen. Die Rückplatte 3
ragt seitlich über die Vorderplatte 2 hinaus und trägt in
ihrem überstehenden Bereich eine Ansteuereinheit, die eine Reihe von elektronischen Bauelementen enthält
und durch einen mit 16 bezeichneten Block angedeutet ist Die Bauelemente, die beispielsweise mikropackverpackte
Treiber-ICs sein können, ruhen auf Lotstützen 17, die sowohl zur Fixierung als auch zur elektrischen
Kontaktierung mit den Elektrodenzuleitungen dienen.
Die Lötkontakte werden folgendermaßen hergestellt: Zunächst bringt man auf die Trägerplatte durch ein
reaktives HF-Sputtern, das beispielsweise in RCA Review 32 (1971), S. 289 näher beschriebei. wird, eine
Indiumzinnoxid-(»ITO«)-Schicht auf. Im vorliegenden Fall hat die ITO-Schicht eine Dicke von 25 nm und einen
In2(5j-Anteil von 90 Gew.-%. Dann sputtert man - in
der gleichen Anlage und ohne Unterbrechung des Vakuums - eine mindestens 1 μπι dicke Kupferschicht
18 auf. Wahlweise kann anschließend eine 03 μΐη starke
Nickelschicht 19 aufgebracht werden. Hiernach wird die Trägerplatte fertiggestellt und mit einer weiteren Platte
verklebt, wobei der Rahmen 7 circa 20 min lang auf einer Temperatur von etwa 1800C gehalten wird.
Danach belotet man die Dreifachschicht in üblicher Weise, etwa durch Eintauchen in ein Lotbad. Das Lot
besteht dabei aus einer Legierung auf Zinnbasis.
Die Kupferschicht ist ?-o dick, daß sie mindestens drei
Lotungen verträgt. Man hat also die Möglichkeit, fehlerhafte Bauelemente auszutauschen. Die Nickelschicht
wird durch den Aushärteprozeß nichi angegriffen;
sie ist selbst lötfähig und kann auf der Kupferunterlage verbleiben. Im übrigen verbessert der
Nickelüberzug auch den Korrosionsschutz in den unverzinnt gebliebenen Bereichen des Schichtensystems.
Will man die Elektrode auf möglichst einfache Weise konfigurieren, so sollte die Lötschicht vakbumtechnisch
zunächst lediglich in einer Dicke zwischen 100 nm und
400 nm aufgebracht werden, dann das gewünschte Muster erzeugt unci anschließend galvanisch oder
chemisch verstärkt werden.
Die Erfindung ist nicht auf das dargestellte Ausfüh-
rungsbeispiel beschränkt. So bleibt es dem Fachmann überlassen, eine andere Leit'/Lotschicht-Kombination
zu wählen, die den Erfordernissen im Einzelfall besser gerecht wird. So könnte man anstelle von Kupfer Eisen
verwenden oder statt einer ITO-Schicht ein (dotiertes) Indium- oder Zinnoxid verwenden. Dabei spielt es auch
keine Rolle, ob die Schichten aufgestäubt oder aufgedampft werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (16)
1. Verfahren zur Herstellung eines lötfähigen Schichtensystems mit einer elektrisch leitenden,
durchoxidierten Schicht (Leitschicht) auf Indhim- und/oder Zinn-Basis und einer lötfähigen Schicht
(Lötschicht), wobei zunächst im Vakuum die Leitschicht in einem wenigstens teilweise oxidierten
Zustand auf einen Träger aufgebracht wird und dann, ebenfalls im Vakuum, auf die Leitschicht die
Lötschicht aufgetragen wird, dadurch gekennzeichnet,
daß dier Leitschicht bereits durchoxidiert aufgebracht wird und daß das Vakuum
zwischen beiden Beschichtungsschritten aufrechterhalten wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine In^sSnOrLeitschicht aufgebracht,
vorzugsweise aufgesputtert wird
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Kupfer-Lötschicht
aufgetragen, vorzugsweise aufgesputtert wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die im Vakuum
aufgetragene Lötschicht galvanisch oder chemisch verstärkt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Lötschicht eine
Mindestdicke von 1 μπι, vorzugsweise eine Dicke jo
von 2 μΐη bis 3 μηι erhält.
6. Verfahi en nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dJJ die Lötschicht mit
einer die Lötschicht vor Korrosion schützenden Schicht (persistente Schutzschicht) überzogen wird
und daß das so erhaltene Schichtensystem verlötet wird.
7. Nach Anspruch 6 hergestelltes Schichtensystem, dadurch gekennzeichnet, daß die persistente Schutzschicht
eine 10 nm bis 100 nm, insbesondere 25 nm
bis 35 nm dicke Nickel-Schicht ist.
8. Nach Anspruch 6 hergestelltes Schichtensystem, dadurch gekennzeichnet, daß die persistente Schu-.zschicht
eine 6 nm bis 100 nm, insbesondere 8 nm bis 20 nm dicke Zinn-Schicht mit einem Zusatz von
4 Gew.-°/o Silber ist.
9. Nach Anspruch 6 hergestelltes Schichtensystem, dadurch gekennzeichnet, daß die persistente Schutzschicht
eine 10 nm bis 100 nm dicke Indium-Zinn-Schicht ist.
10. Nach Anspruch 6 hergestelltes Schichtensystem, dadurch gekennzeichnet, daß die persistente
Schutzschicht eine 10 nm bis 100 nm dicke Zinn-Antimon-Schicht
ist.
11. Nach Anspruch 6, hergestelltes Schichtensystern,
dadurch gekennzeichnet, daß die persistente Schutzschicht aus einem Platin-Metall, insbesondere
aus Palladium besteht.
12. Nach Anspruch 6 hergestelltes Schichtensystem, dadurch gekennzeichnet, daß die persistente
Schutzschicht aus Gold besteht.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Lötschicht mit
einer die Lötschicht vor Korrosion schützenden Schicht (temporäre Schutzschicht) überzogen wird f>5
und daß die temporäre Schutzschicht vor dem Verlöten wieder entfernt wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch
gekennzeichnet, daß die Lötschicht mit einer 50 nm bis 300 nm dicken WOarSchutzschicht überzogen
wird und. daß diese Schicht durch ein alkalisches Ätzmedium wieder entfernt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Lötscbicht mit einer 50 nm
bis 250 nm dicken B2O3-Schutzschicht überzogen wird und daß diese Schicht mit Wasser wieder
entfernt wird.
16. Verwendung eines Schichtensystems gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche in einer
elektrooptischen Anzeigevorrichtung, insbesondere in einer Flüssigkristallanzeige mit miteinander
verklebten Trägerplatten.
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US06/410,467 US4385976A (en) | 1981-09-16 | 1982-08-23 | Solderable layer system, its use and method for manufacturing same |
JP57160760A JPS5882409A (ja) | 1981-09-16 | 1982-09-14 | ろう付け可能の積層系の製造方法 |
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Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57161882A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Hitachi Ltd | Display body panel |
DE3227898C2 (de) * | 1982-07-26 | 1986-11-20 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schichtsystem für optoelektronische Anzeigen |
DE3306154A1 (de) * | 1983-02-22 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Loetfaehiges schichtensystem, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung |
JPS63160352A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の実装方法 |
DE3710190A1 (de) * | 1987-03-27 | 1988-10-13 | Licentia Gmbh | Verfahren zum aufbringen eines loetfaehigen leiterbahnenmusters |
DE3710189C2 (de) * | 1987-03-27 | 1995-08-31 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Aufbringen einer lötfähigen Leitschicht und deren Verwendung zum Herstellen einer Lötverbindung zwischen dieser Leitschicht und einem metallischen Leiterbändchen |
US4859036A (en) * | 1987-05-15 | 1989-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Device plate having conductive films selected to prevent pin-holes |
DE4033430A1 (de) * | 1990-10-20 | 1992-04-23 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen eines lotmittelauftrags |
DE4035362A1 (de) * | 1990-11-07 | 1992-05-14 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen einer fluessigkristall-anzeigevorrichtung |
WO2001028726A1 (fr) * | 1998-04-20 | 2001-04-26 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Materiau de revetement a brasure et procede de production correspondant |
US6347175B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-02-12 | Corning Incorporated | Solderable thin film |
US8163205B2 (en) * | 2008-08-12 | 2012-04-24 | The Boeing Company | Durable transparent conductors on polymeric substrates |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3749658A (en) * | 1970-01-02 | 1973-07-31 | Rca Corp | Method of fabricating transparent conductors |
US4106860A (en) * | 1973-09-07 | 1978-08-15 | Bbc Brown Boveri & Company Limited | Liquid-crystal cell |
US4269919A (en) * | 1976-07-13 | 1981-05-26 | Coulter Systems Corporation | Inorganic photoconductive coating, electrophotographic member and sputtering method of making the same |
JPS5536950A (en) * | 1978-09-05 | 1980-03-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Manufacturing of thin film photocell |
US4248687A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of forming transparent heat mirrors on polymeric substrates |
-
1981
- 1981-09-16 DE DE3136794A patent/DE3136794C2/de not_active Expired
-
1982
- 1982-08-23 US US06/410,467 patent/US4385976A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-09-14 JP JP57160760A patent/JPS5882409A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5882409A (ja) | 1983-05-18 |
DE3136794A1 (de) | 1983-04-07 |
US4385976A (en) | 1983-05-31 |
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