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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zur mehrschrittigen Bearbeitung
eines dünnen
und unter den Bearbeitungsschritten bruchgefährdeten Halbleiter-Waferprodukts.
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Waferprodukte
erhalten herkömmlich
auf der Rückseite
des elektrisch aktiven Gebietes Strukturen, die zu ihrer Erzeugung
mit einer Hochtemperaturbehandlung verbunden sind. Um dabei die
Handhabbarkeit des Waferprodukts zu ermöglichen, muss an dessen aktiver
Vorderseite mittels einer Bondingschicht ein vorderseitiges Trägersubstrat
angebracht werden. Hochtemperaturbehandlung bedeutet in diesem Zusammenhang,
dass die Temperaturen bei dem betreffenden Arbeitsschritt bei 450 °C oder darüber liegen.
Die Hochtemperaturschritte sind dabei meist sogar mit Temperaturen
verbunden, die den Schmelzpunkt von Aluminium (etwa 650 °C) wesentlich überschreiten.
Daher können
Metallisierungs- und Passivierungslagen erst danach aufgebracht werden.
Dies erfordert, dass wechselweise sowohl auf der Vorderseite als
auch auf der Rückseite
des Waferprodukts Hochtemperaturträger angebracht und wieder entfernt
werden. Bei einer solchen Anbringung von Trägern bzw. der Hochtemperaturbehandlung
ist das Waferprodukt in höchstem
Maße bruchgefährdet. Dadurch
entsteht bei der Produktion ein unerwünscht hoher Ausschussanteil.
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Aus
der Druckschrift
DE
196 03 654 C1 ist ein Verfahren zum Löten eines Halbleiterkörpers auf eine
Trägerplatte
bekannt. Dabei wird eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen, insbe sondere
Leistungs-Halbleiterbauelementen, bei der Montage auf metallene
Trägerplatten
bei üblichen
Löttemperaturen
(250°C bis
400°C) gelötet.
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Aus
der
US 5 380 598 ist
ein vergleichbares Verfahren zum Herstellen einer Lötverbindung
bekannt, bei der eine Siliziumscheibe und eine Molybdänscheibe
mit Hilfe einer Lötzinnscheibe
bei Temperaturen um etwa 690°C
verlötet
werden. Die Molybdänscheibe
dient insbesondere bei Leistungshalbleiterbauelementen als Zwischenschicht
zwischen dem Bauelement und einer Wärmesenke, die z.B. aus Kupfer
besteht.
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Ferner
ist aus der Druckschrift
US 60
62 461 ein Verfahren zum Bonden eines Kappenwafers mit einem
Bauelementwafer mittels Lot bekannt, wobei das Lot als in Lösung befindliches
Pulver aufgedruckt werden kann.
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Aus
der Druckschrift
DE
34 14 065 C2 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Befestigung
für ein elektronisches
Bauelement auf einem Substrat bekannt. Das elektronische Bauelement
hat eine Fläche
von 4 × 4
mm und wird mit Hilfe einer Silberpulverschicht auf ein Substrat
aufgesintert. Weitere derartige Sinterverbindungen sind aus den
Druckschriften
EP 02
42 626 B1 und
DE
39 17 765 C2 bekannt.
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Die
Druckschrift
EP 09
81 159 A1 offenbart ein Verfahren zur Herstellung einer
Mikroverbindung, wobei das Verbinden mittels „isothermer Erstarrung" von niedrig schmelzenden
Metallschichten zwischen hochschmelzenden Metallschichten erfolgt.
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Endprodukte,
die auf einem ultradünnen
Waferprodukt (meist ein dünner
Siliziumwafer mit einer Dicke von weniger als 100 Mikrometern) basieren, sind
beispielsweise dünne
Feldstopp-IGBT's oder -Dioden, die
schon vor der ersten Metallisierung eine Rückseiten-Hochtemperaturbearbeitung
benötigen. Danach
erst können
sie mit einer Metallisierung und Passivierung (strukturiert) auf
der Vorderseite versehen werden. Meist erhalten diese Endprodukte
noch eine Metallisierung auf der Rückseite, eine Diffusionsbehandlung
im Diffusionsofen, eine beidseitige Kontaktierung für elektrische
Tests usw..
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Um
den Ausschuss durch Bruch des Waferprodukts zumindest einigermaßen in Grenzen
zu halten, sind bisher komplexe und aufwendige Maßnahmen
bei der Handhabung und Behandlung bzw. bei den oben genannten Produktionsschritten
erforderlich. Hierzu gehören
z.B. ein Folienbond auf dem Trägerwafer
zum Dünnen
selbst, der Einsatz einer speziellen Reinigungsanlage für dünne Wafer,
die Konstruktion geeigneter Transporthorden und Transportvorrichtungen,
speziell ausgebildete Ionenimplanter, Klemm- und Torsionsringe für die Rückseiten-Metallisierung
und Tests, Spezialanfertigung von Greifern und Umhordeautomaten,
Beschaffung von Probern, die von beiden Seiten mit Nadeln hantieren
können, usw..
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Aus
der Druckschrift WO 94/17550 A1 ist ein Herstellungsverfahren für dünne, bruchgefährdete Wafer
bekannt, wobei ein auf weniger als 50μm gedünnter Wafer auf ein Trägersubstrat
transferiert wird, um eine Rückseitenprozessierung
zu ermöglichen.
Darauf wird ein permanentes Substrat mittels Epoxyd geklebt.
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In ähnlicher
Weise wird gemäß der Druckschrift
US 58 51 845 ein gedünnter Wafer
mittels verschiedener Kunsstoffe, wie z.B. Polyimid, Epoxy, Silikon-Elastomer
usw., auf einem Substratwafer befestigt.
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Schließlich offenbart
auch die Druckschrift
DE
44 20 024 A1 eine Verbindung zwischen einem noch nicht
gedünnten
Wafer und einem Träger,
wobei hinsichtlich eines Gehalts von Alkali-Elementen im Träger eine Konzentration kleiner
1 ppm gefordert ist.
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Trotz
solcher Massnahmen ist der Ausschuss durch Bruch des Waferprodukts
bereits bei über
100 Mikrometern dünnen
Wafern sehr hoch. Bisherige Anstrengungen erfordern, um die Ausschussrate
in einigermaßen
akzeptablen Grenzen zu halten, ein äußerst unbefriedigendes, häufiges Montieren
und Demontieren eines Trägersubstrates wechselweise
sowohl auf die Vorderseite als auch auf die Rückseite, welches mit extrem
hohem Aufwand und einer dadurch bedingten zusätzlichen Erhöhung der
Ausschussrate verbunden ist.
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Der
Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, bei verringertem Arbeits-
und apparativem Aufwand und vereinfachter Handhabung des Waferprodukts
den Ausschuss bei der Produktion der eingangs genannten Produkte
zu verringern bis gänzlich zu
vermeiden.
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Diese
Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmale
gelöst.
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Erfindungsgemäß wird somit
die Rückseite des
Waferprodukts einer Hochtemperaturbehandlung unterworfen, während an
dessen aktiver Vorderseite ein Vorderseiten-Substrat montiert ist.
Daraufhin wird auf die Rückseite
und/oder ein Rückseiten- Substrat aus leitfähigem Material
eine Metallbasis-Bondingdeckschicht aufgetragen. Das Rückseiten-Substrat
wird anschließend
durch Ausbildung des dazwischenliegenden Metallbasis-Bondingmaterials
durch Wärmebehandlung
mit der Rückseite
des Waferprodukts verbunden. Dabei entsteht eine leitfähige Metallbasis-Bondingschicht.
Dann ist das Waferprodukt durch das fest montierte Rückseiten-Substrat
handhabbar, ohne dass die Gefahr eines Bruchs besteht. Daher kann
das Vorderseiten-Substrat
von der Vorderseite entfernt und die Vorderseite (strukturiert)
metallisiert/passiviert werden.
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Dabei
wird das Metallbasis-Bondingmaterial hinsichtlich seiner physikalisch-chemischen
Eigenschaften unter Berücksichtigung
des Materials des Waferprodukts und der bei der Metallisierung/Passivierung
und insbesondere auch bei zusätzlichen,
darauffolgenden Bearbeitungsschritten herrschenden Temperaturen
und verwendeten Materialien derart ausgewählt, dass die in benachbarten
Schichten angeordneten Materialien des Waferprodukts und der Metallbasis-Bondingschicht
unmischbar sind. Dies bedeutet, dass sich unter den genannten Bearbeitungsschritten,
insbesondere der Metallisierung/Passivierung, keine oder lediglich
eine unwesentliche chemisch-physikalische Verbindung zwischen den Materialien
ausbildet.
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Durch
die vorgenannte Temperaturbeständigkeit
der beteiligten Schichten ist die Verbindung mittels des Metallbasis-Bondingmaterials
praktisch endgültig,
so dass sämtliche
folgende Bearbeitungsschritte unter Beibehaltung des montierten
Rückseiten-Substrats
ausgeführt
werden können.
Dabei wurde in Verbindung mit der Erfindung erkannt, dass hierzu
einerseits die chemische Inkompatibilität der genannten Schichten bei
den genannten Bearbeitungsschritten und andererseits die Leitfä higkeit
der Rückseite
erforderlich sind. Zu den genannten Bearbeitungsschritten gehört nämlich stets
auch zumindest ein elektrischer Test, bei dem die Rückseite
kontaktiert sein muss. Dieses Problem wird durch die Erfindung gelöst, wobei
die Handhabbarkeit des Waferprodukts samt aller vorhandenen Schichten
stets erhalten bleibt.
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Die
Unmischbarkeit kann schon dadurch gewährleistet sein, dass die ausgebildete
Metallbasis-Bondingschicht unter den Bearbeitungsschritten von allen
Eutektika der benachbarten Schichten im Phasendiagramm weit genug
entfernt bleibt, d.h. dass die Temperaturen insbesondere deutlich
unterhalb allen eutektischen Temperaturen liegen. Hierauf wird später noch
näher eingegangen.
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Somit
wird die Verbindungsbildung der Schichten dadurch verhindert, dass
eine gegenseitige Migration verringert bzw. unterdrückt wird.
Die wesentlichen elektrischen Eigenschaften des Waferprodukts bleiben
dabei aber, insbesondere in den Grenzschichten, unbeeinflusst. Das
Rückseiten-Substrat kann
auch problemlos wieder von dem Waferprodukt abgelöst werden.
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Bevorzugte
Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
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Die
Forderung nach Unmischbarkeit wird unter gleichzeitiger Verwendung
eines chemisch relativ inerten Materials dadurch erfüllt, dass
als Metallbasis-Bondingmaterial Silberpaste, insbesondere Dickschicht-Silberpaste
oder eine Leitpaste aus Silberlegierungen, anderen Edelmetallen
oder Edelmetalllegierungen verwendet wird. Dies hat auch den Vorteil, dass
bei den nachfolgenden Bearbeitungsschritten das Metallbasis-Bon dingmaterial – insbesondere
bei Verwendung von Flußsäurelösungen – möglichst
wenig chemisch angegriffen wird.
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Eine
vorteilhafte Ausbildungstemperatur, die einerseits eine vollständige Ausbildung
gewährleistet und
andererseits den jeweiligen eutektischen Temperaturen fernbleibt,
liegt zwischen 500 und 700 °C.
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Wenn
eine Al-Metallisierung vorgesehen ist, die vor der Ausbildung bzw.
Formierung aufgebracht wird, wird vorgeschlagen, dass die Formierungstemperatur
der Metallbasis-Bondingschicht kleiner oder gleich 500 °C ist. Bei
dieser Temperatur ist eine gute Formierung noch immer gewährleistet,
wobei aber zusätzlich
die Vorteile der Al-Schicht genutzt werden können, ohne dass diese zerstört wird.
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Als
Metallbasis-Bondingmaterial kann auch Gold verwendet werden. Hierbei
sind zwischen dem Goldmaterial und dem Material des Waferprodukts Barriereschichten
vorgesehen, um eine gegenseitige Migration zu verhindern.
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Dabei
kann die Verbindung mittels Gold-Druck-Bonding realisiert werden.
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Das
Waferprodukt kann beispielsweise monokristallines Silizium mit einer
Schichtdicke von weniger als 100 Mikrometern sein. Auch bei einer
solchen, relativ geringen Schichtdicke gewährleistet die Erfindung eine
sichere Handhabbarkeit. Dadurch können erstmals solche dünnen Waferprodukte
zuverlässig
und bei geringer Ausschussrate weiterbearbeitet werden.
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Um
Spannungen durch unterschiedliche Wärmeausdehnung der beteiligten
Materialien vorzubeugen, weist bevorzugt das Material des Rückseiten-Substrats
einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf, der dem des Materials
des Waferprodukts entspricht. Dadurch werden die erfindungsgemäßen Maßnahmen
ideal ergänzt,
da erstmalig eine gemeinsame Bearbeitung des Waferprodukts zusammen
mit dem Rückseiten-Substrat
bei höheren Temperaturen
möglich
ist und dadurch die vorgenannte Materialauswahl wirksam zum Tragen kommt.
Beispielsweise kann das Rückseiten-Substrat
aus höchstdotiertem,
monokristallinem Silizium bestehen. Dadurch wird einerseits der
schädliche Serienwiderstand
minimiert und andererseits, insbesondere bei Verwendung eines Silizium-Waferprodukts,
die Kompatibilität
der Wärmeausdehnungen gewährleistet.
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Vorzugsweise
besteht das Rückseiten-Substrat
aus nicht monokristallinem Halbleitermaterial, wodurch sich die
Herstellungskosten wesentlich verringern lassen. Insbesondere bei
Verwendung eines multikristallinen Trägerwafers als Rückseiten-Substrat
können
im Gegensatz zu einem monokristallinen Trägerwafer ca. 9/10 der Materialkosten
eingespart werden.
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Zusätzlich können auf
der Rückseite
des Waferprodukts vor dessen leitfähiger Verbindung mit dem Rückseiten-Substrat
Hochtemperatur-Diffusionen durchgeführt oder metallische Verdrahtungsstrukturen
ausgebildet werden.
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Die
Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme
auf die Zeichnung näher
beschrieben. Es zeigen:
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1a bis 1c eine
Bearbeitungssequenz eines Waferprodukts mit einem Rückseiten-Substrat,
welches am Produkt verbleibt;
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2a bis 2c eine
Bearbeitungssequenz mit einer Metallfolie, wobei das Rückseiten-Substrat
wiederverwendbar ist;
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3 einen
vergrößerten Ausschnitt
der Silberpaste; und
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4 einen
Ausschnitt einer mechanischen Pufferzone einer Metallfolie,
jeweils
anhand eines Querschnitts durch das betreffende Schichtpaket.
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Die 1a bis 1c zeigen
eine erfindungsgemäße Bearbeitungssequenz
eines Waferprodukts 1. Auf die Vorderseite des Waferprodukts 1 sind
Höhenstrukturen
aufgebracht, und die Vorderseite des Waferprodukts 1 ist
mit einer flußsäurebeständigen Schutzschicht 2 versehen.
Daran schließt sich
eine Flüssigglas-Bondingschicht 4 an,
mittels der ein Vorderseiten-Substrat 3 an dem Waferprodukt 1 angebracht
ist. Die bei höheren
Temperaturen durchgeführten
Diffusionen zur Dotierung sind bereits abgeschlossen. Dies ist durch
eine mittels durchbrochener Linie angedeutete Diffusions-Grenzzone 5 dargestellt.
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Hiervon
ausgehend wird zunächst
eine Rückseiten-Metallisierung 6 auf
die Rückseite
des Waferprodukts 1 aufgebracht. Diese Schicht besteht beispielsweise
aus metallischem Silber. Die Rückseiten-Metallisierung 6 wird
bereits vor der Metallisierung/Passivierung der Vorderseite aufgebracht.
Daraufhin wird, beispielsweise mittels eines Siebdruckverfahrens,
eine planarisierte Schicht 7 von Silberpartikeln 29 (vgl. 3)
aufgebracht. Eine korrespondierende Metallbasis-Bondingdeckschicht 8 wird
daraufhin auf das Rückseiten-Substrat 10 aufgebracht; vorher
kann auf das Rückseiten-Substrat 10 eine
Metallisierung 9 als Barriere aufgebracht werden.
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Wesentlich
ist, dass die Rückseiten-Metallisierung 6 kein
Eutektikum mit dem Material des Waferprodukts hat, dessen eutektische
Temperatur unterhalb oder nahe bei der Formierungstemperatur des
Materials der Metallbasis-Bondingdeckschicht 7 (beispielsweise
Silberpaste) liegt. Falls eine Rückseitenmetallisierung 6 aus
Aluminium erforderlich ist, kann vorgesehen sein, dass zunächst eine
Titan-Barriere aufgebracht wird, um eine Trennung von der Rückseitenmetallisierung 6 zu
gewährleisten.
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Die
beiden korrespondierenden Metallbasis-Bondingdeckschichten 7, 8 werden
daraufhin in mechanischen Kontakt gebracht und die dann zwischen
dem Waferprodukt 1 und dem Rückseiten- Substrat 10 liegende Metallbasis-Bondingschicht 11 bei
höheren
Temperaturen formiert. Die Formierungstemperatur liegt dabei beispielsweise
im System Silber-Silizium deutlich oberhalb aller nachfolgenden
Bearbeitungstemperaturen. Diese liegen in dem genannten System bei
höchstens
450 °C,
in der Regel aber lediglich bei 380 °C, während die eutektische Temperatur
im System Silber-Silizium bei 830 °C liegt. Da in dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel kein
direkter Kontakt zwischen den Oberflächen des Waferprodukts 1 und
des Rückseiten-Substrats 10 vorgesehen
ist, braucht die Oberfläche
des Rückseiten-Substrats 10 auch
nicht poliert zu werden. Dadurch ist diese wesentlich einfacher
und kostengünstiger
herzustellen bzw. zu beschaffen.
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Da
das Rückseiten-Substrat
bzw. ein sogenannter Leitfähigkeitsträger 10 keine
pn-Übergänge enthalten
muss, sondern elektrisch nur einen möglichst geringen Widerstand
aufweisen sollte, kann grundsätzlich
auch nicht monokristallines Halbleitermaterial verwendet werden.
Jedoch darf keine Metallschicht bzw. ein metallisches Blech verwendet werden,
da bei einer nachfolgenden Metallisierung und Passivierung der Vorderseite
des Produktwafers 1 Temperaturen von zumindest 250°C und manchmal bis
zu 450°C
auftreten. Das Rückseiten-Substrat
besteht daher vorzugsweise aus einem gleichen Halbleitermaterial
wie der Produktwafer 1 und/oder das Vorderseiten-Substrat 3,
wodurch sich gleiche Ausdehnungskoeffizienten ergeben.
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Vorzugsweise
wird als Rückseiten-Substrat 10 ein
Trägerwafer
verwendet, der aus multikristallinem Halbleitermaterial (z.B. Si)
besteht. Zur Herstellung eines derartigen multikristallinem Trägerwafers wird
beispielsweise eine sehr stark (z.B. Arsen) dotierte Halbleiterschmelze
in zylindrische Behälter
gegossen und anschließend
ein hinreichend langsamer Abkühlungsprozess
durchgeführt.
Die Schmelze erstarrt hierbei in sehr grobkörniges d.h. multikristallines
Halbleitermaterial wie z.B. Polysilizium, wobei die Korngröße ca. 1mm
betragen kann. Abschließend
werden die zylindrisch ausgeformten Halbleiterstäbe, die vorzugsweise den gleichen
Durchmesser wie die Produktwafer aufweisen, in Scheiben gesägt und beispielsweise überätzt. Ein
weitergehendes Polieren ihrer Oberflächen ist hierbei nicht erforderlich.
Da die Herstellungskosten für
einen derartigen multikristallinen Trägerwafer lediglich ca. 1/10 der
Kosten für
einen monokristallinen Trägerwafer betragen,
können
dadurch auch die Herstellungskosten bei der Bearbeitung von ultradünnen bruchgefährdeten
Produktwafern wesentlich verringert werden.
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Nach
dem Entfernen der Schutzschicht 2 werden Metallisierungs-Strukturen 12 und
Passivierungs-Strukturen 13 des Waferprodukts 1 aufgebracht.
Daraufhin wird eine Rückseiten-Metallisierung 14 hergestellt,
mittels der das Schichtpaket aus Rückseiten-Substrat 10 und
Produktwafer 1 auf eine Sägefolie 15 montiert
und durch Sägen
in einzelne Einheiten verarbeitet wird. Die vorgenannten Schritte können unter
Beibehaltung des Rückseiten-Substrats 10 durchgeführt werden.
Hierzu gehören
auch nicht näher
beschriebene elektrische Tests, wozu eine leitfähige Verbindung zwischen der
Unterseite des Schichtpakets und der Rückseite des Waferprodukts 1 erforderlich
ist.
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Das
Verfahren gemäß 2 geht von der gleichen Ausgangskonfiguration
wie 1 aus. Daraufhin wird auf die
Rückseite
des noch am Vorderseiten-Substrat 3 (Hochtemperaturträger) montierten Waferprodukts 1 mittels
der Silberpaste 16 eine dünne Kupferfolie 17 bei
der Formierungstemperatur der Silberpaste 16 montiert.
Daraufhin wird das Schichtpaket säuredicht mit einem Nassätzchuck,
der aus einem Fluorelastomer 18 besteht, in das an eine
Vakuumpumpe angeschlossene Bohrungen 19 und ein Kanalsystem 20 eingebracht
sind, angesaugt. Daraufhin wird das Vorderseiten-Substrat 3 entfernt.
Sodann kann die Flüssigglas-Bondingschicht 4 (oder ein
entsprechender Faserbond) mittels Flußsäure abgelöst werden, wobei das (ultradünne) Waferprodukt
in seiner Form gehalten wird.
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Da
die Metalle der vorgesehenen Verbindung (z.B. Silber und Gold) Edelmetalle
sind, ist der Angriff der Flußsäure beziehungsweise
einer Lösung gepufferter
Flußsäure auf
das jeweilige Metal relativ gering.
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Daraufhin
wird das Waferprodukt 1 an einen Hot-Chuck 21 mit
Bohrungen 22 und Kanalsystemen 23 übergeben.
Der Hot-Chuck 21, der an der Schutzschicht 24 direkt
angreift, verbindet das gesamte Schichtpaket mittels eines Flüssigglas-Faserbondes 25 mit
einem leitfähigen
Trägerwafer 26 (dieser
bildet in dem gezeigten Ausführungsbeispiel
das Rückseiten-Substrat).
Hierbei ist der leitfähige
Trägerwafer 26 mit
einer metallischen Kontaktschicht 25 ausgestattet. Um die
elektrische Leitfähigkeit
des Schichtpaketes zu gewährleisten,
können
als Fasern beispielsweise Kohlefasern verwendet werden.
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Nach
der Formierung der Metallisierungsstrukturen 12 und der
Passivierungsstrukturen 13 wird der Trägerwafer 26 wieder
mittels eines Nassätzchucks
getrennt. Daraufhin wird das verbleibende, ultradünne Waferprodukt
mitsamt der Kupferfolie 17 als unterste Lage auf die Sägefolie 15 montiert und
wie oben beschriebenen vereinzelt.
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Für den Fall,
dass die Kupferfolie 17 hinreichend dick ist, kann die
Verbindung mit dem Trägerwafer 26 auch
durch ein niedrigschmelzendes, wieder lösbares Lötzinn hergestellt werden. Beispielsweise
liegt das Eutektikum eines Gemisches von 68% Blei, 20 Prozent Zinn
und zwei Prozent Silber bei 179 Grad Celsius. Da die niedrigste
eutektische Temperatur mit Kupfer bei 232 Grad Celsius liegt, kann
man das Lötzinn
wieder von der Kupferfolie 17 lösen, ohne diese aufzuschmelzen.
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In 3 ist
gezeigt, wie die Silberpartikel 29 der Silberpaste, dargestellt
durch die gestrichelten Kreise, durch Oberflächenmigration zu einem zusammenhängenden
Bereich verwachsen. Dadurch wird die mechanische Stabilität sowie
die elektrische Leitfähigkeit
erzielt. Da die Silberpaste mittels eines Siebdruckverfahrens aufgebracht
wird, stellen großräumige Oberflächenwelligkeiten 28 der
gedünnten Rückseite
des Waferprodukts 1 keinen Hinderungsgrund für die Anwendung
des vorstehend beschriebenen Verfahrens dar.
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Schließlich zeigt 4 eine
strukturierte Aufbringung der Silberpaste 30, wobei Unterbrechungszonen
vorgesehen sind, in denen keine Silberpaste 30 aufgebracht
ist. Dadurch kann die Kupferfolie 31 der Differenzverschiebung
der thermischen Wärmeausdehnungen
durch lokale Verformung ausweichen. Somit werden unzulässig hohe,
thermische Spannungen im Silizium 1 des Produktwafers vermieden.
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- 1
- Waferprodukt
- 2
- Schutzschicht
- 3
- Vorderseiten-Substrat/Trägerwafer
- 4
- Flüssigglas-Bondingschicht
- 5
- Diffusions-Grenzzone
- 6
- Rückseitenmetallisierung
- 7
- Metallbasis-Bondingdeckschicht
- 8
- Metallbasis-Bondingdeckschicht
- 9
- Metallisierung
- 10
- Rückseiten-Substrat/Trägerwafer
- 11
- Metallbasis-Bondingschicht
- 12
- Metallisierungs-Struktur
- 13
- Passivierungs-Struktur
- 14
- Rückseiten-Metallisierung
- 15
- Sägefolie
- 16
- Silberpaste
- 17
- Kupferfolie
- 18
- Fluorelastomer
- 19
- Bohrung
- 20
- Kanal
- 21
- Hot-Chuck
- 22
- Bohrungen
des Hot-Chucks
- 23
- Kanal
des Hot-Chucks
- 24
- Schutzschicht
- 25
- metallische
Kontaktschicht
- 26
- leitfähiger Trägerwafer
- 27
- Metallisierung
- 28
- Oberflächenwelligkeiten
- 29
- Silberpartikel
- 30
- Silberpaste
- 31
- Kupferfolie