DE102005051346B4 - Träger für einen Wafer, Kombination aus einem Träger und einem Wafer sowie Verfahren zur Handhabung des Trägers - Google Patents

Träger für einen Wafer, Kombination aus einem Träger und einem Wafer sowie Verfahren zur Handhabung des Trägers Download PDF

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Abstract

Träger (2) mit einem Trägerkörper (1) zur Stützung eines Wafers (3) mit von der Waferoberfläche hervorstehenden Kontaktierungsanschlüssen (10) beim Rückdünnen, wobei auf den Trägerkörper (1) eine die Kontaktierungsanschlüsse (10) beim Rückdünnen des Wafers (3) einbettende und von diesen durch Temperaturänderung wieder lösbare Formschicht (9) aus einem Material mit einem Schmelzpunkt kleiner als der Schmelzpunkt der Kontaktierungsanschlüsse (10) derart aufgebracht ist, dass auch der Bereich zwischen benachbarten Kontaktierungsanschlüssen (10) durch den Träger (2) mechanisch unterstützt wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Träger für einem Wafer mit einem Trägerkörper, eine Kombination aus einem Träger und einem Wafer sowie ein Verfahren zur Handhabung eines solchen Trägers.
  • In der Halbleiterindustrie ist es notwendig, nach der Strukturierung eines Wafers, diesen anschließend einem Rückdünnprozess zu unterwerfen. Dabei wird durch mechanische Schleifmethoden die nicht strukturierte Seite des Wafers abgeschliffen. Die elektrisch aktive Schicht und vorhandene Kontaktierungsanschlüsse auf der Waferoberfläche, in der Regel in der Form von kleinen Lötkugeln (bumps), bleiben unberührt.
  • Da der Rückdünnprozess meistens durch mechanisches Abschleifen des Wafers erfolgt, ist es notwendig, den Wafer auf einen stabilen Träger zu montieren, um den Wafer beim Schleifvorgang zu stabilisieren. Insbesondere ist eine derartige Stabilisierung bei einem bereits rückgedünnten Wafer sinnvoll, da die bereits rückgedünnten Wafer lediglich eine sehr geringe mechanische Festigkeit aufweisen.
  • Der Träger zur Erhöhung der mechanischen Stabilität des Wafers muss zunächst auf dem Wafer montiert werden. Nach Abschluss des Rückdünnprozesses muss der Träger jedoch wieder entfernt werden, ohne dabei den empfindlichen, rückgedünnten Wafer zu beschädigen.
  • Träger für Wafer sind auch in der US 5 873 512 A , EP 0 949 668 A1 , DE 101 40 826 A1 , GB 1 231 019 A und EP 0 061 863 A1 gezeigt.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Träger für einen Wafer vorzuschlagen, der einerseits eine ausreichende mechanische Festigkeit der Kombination aus Träger und Wafer gewährleistet und andererseits mit einfachen Mitteln schonend von dem Wafer getrennt werden kann, ohne dabei den Wafer oder die Kontaktierungsanschlüsse des Wafers zu beschädigen. Ferner besteht die Aufgabe darin, eine Kombination aus einem solchen Träger und einem Wafer sowie ein Verfahren zur Handhabung des Trägers vorzuschlagen.
  • Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird mit einem Träger gemäß dem Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen des Trägers sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Der Erfindung liegt der Gedanke zugrunde, dass der Träger auf einem Trägerkörper eine Formschicht aus einem Material mit einem Schmelzpunkt aufweist, der kleiner ist als der Schmelzpunkt der Kontaktierungsanschlüsse ist, wobei die Formschicht derart aufgebracht ist, dass auch der Bereich zwischen benachbarten Kontaktierungsanschlüssen durch den Träger mechanisch unterstützt wird. Bevorzugt liegt der Schmelzpunkt der Formschicht unterhalb von 200°C, insbesondere unterhalb von 100°C. Wird der Träger mit der Formschicht, bzw. die Formschicht bis zu einem Temperaturbereich im Bereich ihres Schmelzpunkt erwärmt, so verflüssigt sich die Formschicht zumindest teilweise. Auf die zumindest teilweise, bevorzugt vollständig, verflüssigte Formschicht kann nun ein Wafer mit seiner strukturierten Oberfläche aufgebracht, vorzugsweise aufgelegt, werden. Die auf der strukturierten Waferoberfläche vorgesehenen Kontaktierungsanschlüsse, insbesondere Lötkugeln (pumps), tauchen in die Formschicht ein bzw. werden von der zumindest teilweise verflüssigten Formschicht umschlossen. Der Schmelzpunkt der Lötkugeln liegt je nach Material bei einer Temperatur zwischen etwa 200°C und etwa 350°C. Entscheidend ist, dass der Schmelzpunkt der Formschicht darunter liegt, um ein Schmelzen oder Anschmelzen der Kontaktierungsanschlüsse zu vermeiden. Die Kontaktierungsanschlüsse behalten während des gesamten Prozesses ihren festen Aggregatzustand bei. Nach dem Aufbringen des Wafers auf die zumindest teilweise verflüssigte Formschicht wird der Träger bzw. die Formschicht soweit abgekühlt, dass sie wieder erstarrt. Die Kontaktierungsanschlüsse, insbesondere Lötkugeln (pumps) mit einem Durchmesser zwischen etwa 20 bis etwa 100 μm sind nun mechanisch fest in die feste Formschicht eingebettet. Hierdurch wird erstmals gewährleistet, dass auch der Bereich zwischen benachbarten Kontaktierungsanschlüssen durch den Träger mechanisch unterstützt wird. Hierdurch wird eine gleichmäßige Druckverteilung auf der Waferoberfläche und der Formschichtoberfläche gewährleistet, wodurch Beschädigungen der Waferoberfläche und/oder der Kontaktierungsanschlüsse vermieden werden. Ebenso wird ein Durchbiegen des Wafers verhindert, was positive Auswirkungen auf das Schleifergebnis hat. Nach Beendigung des Rückdünnprozesses kann der Träger, bzw. die Formschicht wieder bis zu einer Temperatur, vorzugsweise kurz oberhalb des Schmelzpunktes, erwärmt werden, wodurch sich die Formschicht wieder zumindest teilweise verflüssigt. Nun ist ein Ablösen des Wafers von dem Träger ohne die Gefahr einer Beschädigung der Waferoberfläche und/oder der auf der Waferoberfläche angeordneten Kontaktierungsanschlüsse möglich.
  • In Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Formschicht metallisches Material enthält, bzw. vollständig aus Metall bebildet ist. Die Verwendung von metallischem Material hat den Vorteil, dass bei dem Rückdünnschleifprozess entstehende Wärme sehr gut über die Formschicht abgeleitet werden kann. Eine Überhitzung der strukturierten Wafer kann somit auf einfache Weise vermieden werden.
  • Von besonderem Vorteil ist es, wenn das Formschichtmaterial eine eutektische Legierung umfasst, oder vollständig aus einer eutektischen Legierung gebildet ist. Eine Legierung ist eutektisch, wenn ihre Bestandteile in einem solchen Verhältnis zueinander stehen, dass sie als ganzes bei einer bestimmten Temperatur (Schmelzpunkt) flüssig bzw. fest wird.
  • Als eine besonders geeignete eutektische Legierung hat sich Wood'sches Metall erwiesen. Wood'sches Metall besteht zu 50% aus Wismut, 25% Blei, 12,5% Cadmium und 12,5% Zinn. Der Schmelzpunkt des Wood'schen Metalls liegt mit 70°C weit unterhalb der üblichen Schmelzpunkte von Lötkugeln.
  • Es ist auch denkbar, beispielsweise eine Legierung mit einer Zusammensetzung von 50% Wismut, 25% Blei und 25% Zinn zu verwenden. Eine derartige Legierung schmilzt, bzw. verflüssigt sich bei 98°C.
  • Bei sehr kleinen Kontaktierungsanschlüssen, insbesondere Lötkugeln mit einem Durchmessern von etwa 20 μm bis etwa 40 μm reicht es aus, die Formschicht unmittelbar auf einen ebenen Trägerkörper aufzubringen. Bei größeren Kontaktierungsanschlüssen ist es von Vorteil, das Formschichtmaterial in mindestens eine wannenartige Vertiefung, insbesondere innerhalb des Trägerkörpers, zu integrieren. Die Umfangswand der Vertiefung verhindert ein Davonfließen des Formschichtmaterials bei einer Temperatur im Bereich ihres Schmelzpunktes.
  • Es hat sich als besonders vorteilhaft herausgestellt, wenn als Trägerkörper ein Wafer verwendet wird. In einen solchen, so genannten Trägerwafer, kann die wannenartige Vertiefung eingeätzt werden. Dieser Ätzvorgang kann beispielsweise durch einen nasschemischen Prozess oder durch Trockenätzung erfolgen. Es bleibt jedenfalls eine erhöhte Umfangswand bestehen, die ein Davonfließen des Formschichtmaterials verhindert.
  • Es ist von Vorteil, auf dem Trägerkörper, insbesondere innerhalb einer wannenförmigen Vertiefung, zumindest in Teilflächenbereichen, eine Metallisierungsschicht, insbesondere aus einem lötbaren Metall, vorzusehen. Als Material für eine solche Metallisierungsschicht eignet sich insbesondere Gold oder Kupfer. Wird keine wannenartige Vertiefung verwendet, weil die Größe der Kontaktierungsanschlüsse gering ist, wird die Metallisierungsschicht auf den ebenen Trägerkörper, insbesondere Trägerwafer, aufgebracht.
  • Um die bei dem Rückdünnprozess, insbesondere mechanischen Schleifprozess, auftretenden Temperaturschwankungen sowie die unterschiedlichen Dehnungskoeffizienten des Formschichtmaterials und des Trägerkörpers kompensieren zu können, ist es von Vorteil, wenn die Metallisierungsschicht unterbrochen oder in gewissen Mustern aufgebracht ist. Dabei sollten die Unterbrechungen bzw. die daraus resultierenden Muster unter Berücksichtigung der auf dem Wafer befindlichen Kontaktierungspunkte gewählt werden. Unterhalb der Kontaktierungspunkte sollte eine Metallisierungsschicht vorgesehen werden.
  • Bei Trägerkörpern mit eingebrachten wannenförmigen Vertiefungen kann die Dehnungskompensation durch das Stehenlassen von Stegen erfolgen. Dabei ist es denkbar, mehrere beabstandete Vertiefungen mit dazwischen liegenden Stegen vorzusehen. Zusätzlich oder Alternativ ist es denkbar, in einzelnen oder in einer einzigen wannenförmigen Vertiefung solche Stege anzuordnen. Um ein planes Aufliegen des Wafers auf dem Träger zu gewährleisten, sollten die Stege sowie die äußere Umfangswand der wannenförmigen Vertiefung(en) gleich hoch sein.
  • Gegenstand der Erfindung ist auch eine Kombination aus einem zuvor beschriebenen Träger und einem Wafer. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass der Wafer mit seiner strukturierten Oberfläche auf der Formschicht aufliegt und dass zwischen dem Wafer und der Formschicht eine Trennschicht vorgesehen ist. Diese Trenn- oder Schutzschicht wird vor dem Zusammenfügen mit Vorteil auf den Wafer, insbesondere im Sprühverfahren, aufgebracht. Die Trennschicht kann beispielsweise aus Silikonen oder Fotolacken oder anderen geeigneten Chemikalien bestehen. Die Trenn- bzw. Schutzschicht muss geeignet sein, beim Eintauchen des beschichteten Wafers bzw. der Kontaktierungsanschlüsse in die erhitzte Formschicht eine ausreichende Schutzwirkung gegen das Anlöten der Kontaktierungsanschlüsse, insbesondere Lötkugeln (pumps), an das Formschichtmaterial zu bieten.
  • Ferner ist Gegenstand der Erfindung ein Verfahren zur Handhabung eines Trägers. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass zum Aufbringen eines Wafers auf den Träger die Formschicht durch Erwärmen, beispielsweise mit einer Heizplatte, zumindest teilweise verflüssigt wird, und dass der Wafer auf den Träger aufgebracht, insbesondere aufgelegt wird. Dabei weist der Wafer bevorzugt Kontaktierungsanschlüsse, insbesondere Lötkontakte (bumps) auf.
  • Es ist denkbar, den Wafer bereits vor oder während dem Verflüssigen der Formschicht auf den Träger aufzulegen. Bevorzugt wird jedoch die Formschicht zunächst soweit erhitzt, dass sie zumindest teilweise verflüssigt ist, bevor der Wafer auf den Träger aufgebracht, insbesondere mittels eines Greifarms aufgelegt wird. Nach dem Aufbringen des Wafers auf die Formschicht wird der Träger bzw. die Formschicht bis zum Erstarren abgekühlt. Üblicherweise erfolgt das Abkühlen bis auf Raumtemperatur von etwa 20°C. Die Kontaktierungsanschlüsse, in der Regel aus konventionellem Lötmaterial mit einem Schmelzpunkt von etwa 200°C bis etwa 350°C sind somit von dem Formschichtmaterial mit einem niedrigeren Schmelzpunkt, bei Wood'schem Material etwa 70°C, umschlossen und nach dem Abkühlen mechanisch fest fixiert. Im nachfolgenden Rückdünnschleifprozess besteht somit eine feste mechanische Verbindung zwischen dem Träger und dem Wafer. Bei der Verwendung von metallischem Material zur Ausbildung der Formschicht wird beim Rückdünnprozess eine gute Wärmeableitung der beim Schleifen entstehenden Wärme ermöglicht. Nach dem Rückdünnen kann der Wafer bei Bedarf einem an sich bekannten Stress-Release-Prozess unterworfen werden oder ohne einen solchen Prozess mit der rückgedünnten Seite auf einer Trägerfolie fixiert werden.
  • Mit Vorteil kann das Zusammenfügen des Wafers mit dem Träger unter Vakuum oder inerter Atmosphäre in einer Kammer erfolgen.
  • Nach Abschluss des Rückdünnprozesses wird der Wafer in einer Trennstation, bevorzugt bis auf mindestens den Schmelzpunkt, erwärmt wodurch sich die Formschicht zumindest teilweise verflüssigt. Der rückgedünnte Wafer, insbesondere mit fixierter Trägerfolie, kann zur weiteren Verarbeitung von der Formschicht abgehoben werden.
  • Der Träger kann nach einer Abkühlphase und einem anschließenden Reinigungsschritt weiter als Träger für andere Wafer verwendet werden.
  • Weitere Vorteile und zweckmäßige Ausführungen sind den weiteren Ansprüchen, der Figurenbeschreibung und den Zeichnungen zu entnehmen. Es zeigen:
  • 1 einen Trägerkörper mit einer einzigen wannenartigen Vertiefung mit aufgebrachter Metallisierungsschicht,
  • 2 einen Trägerkörper mit mehreren benachbarten wannenartigen Vertiefungen mit dazwischen liegenden Stegen,
  • 3 einen Träger mit einem Trägerkörper gemäß 1 sowie einer in der wannenartigen Vertiefung eingebrachten Formschicht,
  • 4 einen strukturierten Wafer mit auf der Waferoberfläche angeordneten Kontaktierungsanschlüssen während des Beschichtungsprozesses mit einer Trennschicht und
  • 5 den auf den Träger gemäß 3 aufgebrachten Wafer gemäß 4, wobei der Träger auf einer Heizplatte aufliegt.
  • In den Figuren sind gleiche Bauteile und Bauteile mit gleicher Funktion mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet.
  • In 1 ist ein Trägerkörper 1 eines in 3 dargestellten Trägers 2 für einen in 4 gezeigten Wafer 3 dargestellt. Als Trägerkörper 1 dient ein nicht strukturierter Wafer, insbesondere aus Silizium. In den Trägerkörper 1 ist eine wannenförmige Vertiefung 4 mit einer umlaufenden Umfangswand 5 eingebracht. Die wannenförmige Vertiefung 4 bzw. der Boden 6 der wannenförmigen Vertiefung 4 ist eben ausgebildet. Die wannenförmige Vertiefung 4 ist mittels eines nasschemischen Prozesses oder durch Trockenätzung in den Trägerkörper 1 eingebracht worden. Auf dem ebenen Boden 6 der wannenförmigen Vertiefung 4 ist eine Metallisierungsschicht 7 aus Gold aufgebracht. Anstelle von Gold können auch andere lötbare Metalle verwendet werden.
  • In 2 ist eine alternative Ausführungsform eines Trägerkörpers 1 dargestellt. Der Trägerkörper 1 weist eine Vielzahl beabstandeter wannenförmiger Vertiefungen 4 mit dazwischen liegenden Stegen 8 auf. Die Stege 8 schließen mit der äußeren Umfangswand 5 plan eben ab, sodass auf der Oberseite des Trägerkörpers 1 eine ebene Fläche gebildet wird. Innerhalb der einzelnen wannenförmigen Vertiefungen bzw. auf den Böden 6 der wannenförmigen Vertiefungen 4 ist eine Metallisierungsschicht aus Kupfer aufgebracht.
  • Die Stege 8 dienen zur Kompensation der unterschiedlichen Dehnungskoeffizienten der in die wannenförmigen Vertiefungen 4 einzubringenden Formschicht, bzw. Formschichten und des Trägerkörpers 1.
  • In 3 ist in den Trägerkörper 1 gemäß 1, bzw. in die wannenförmige Vertiefung 4 des Trägerkörpers 1 oberhalb der Metallisierungsschicht 7 eine Formschicht 9 aus Wood'schem Metall eingebracht. Das Einbringen der Formschicht 9 erfolgt bei flüssigem Aggregatzustand. Wood'sches Metall verflüssigt bei einem Schmelzpunkt von etwa 70°C. Nach der Abkühlung ist die wannenförmige Vertiefung 4 plan eben mit der Formschicht 9 aufgefüllt. Das wichtigste Kriterium bei der Auswahl eines geeigneten Materials für die Formschicht ist, dass der Schmelzpunkt des Formschichtmaterials geringer ist als der Schmelzpunkt von auf der Oberfläche des Wafers 3 aufgebrachten Kontaktierungsanschlüssen 10, wie diese in 4 dargestellt sind. Als Kontaktierungsanschlüsse dienen Lötkugeln mit einem Durchmesser von etwa 20 μm bis etwa 100 μm. Diese Lötkugeln haben üblicherweise einen Schmelzpunkt von etwa 200°C bis etwa 350°C. Der Schmelzpunkt der Formschicht 9 muss darunter liegen. Wie aus 4 ersichtlich ist, ist oberhalb der Kontaktierungsanschlüsse 10 bzw. auf der Oberfläche des Wafers 3 eine Trennschicht 11 aufgebracht. Das Aufbringen der Trennschicht 11 geschieht in diesem Ausführungsbeispiel im Sprühverfahren mittels einer Sprühdüse 12. Diese Verhindern ein Anlöten von Formschichtmaterial an den Kontaktierungsanschlüssen 10.
  • In 5 ist der Träger 1 auf eine Heizplatte 13 aufgelegt. Die nach oben offene, wannenförmige Vertiefung 4 mit der Formschicht 9 befindet sich auf der Oberseite des Trägerkörpers 1. Mittels der Heizplatte 13 wurde der Träger 2, insbesondere die Formschicht 9, erwärmt. In diesem Fall erfolgt die Erwärmung bis auf über 70°C. Es muss darauf geachtet werden, dass die Temperatur unterhalb des Schmelzpunktes der Kontaktierungsanschlüsse 10 liegt. Der Wafer 3 ist mit der strukturierten Oberseite mit den Kontaktierungsanschlüssen 10 auf dem Träger 2 abgelegt. Die Kontaktierungsanschlüsse 10 ragen in die noch zumindest teilweise flüssige Formschicht 9 hinein, sodass die Kontaktierungsanschlüsse 10 vollständig von dem Formschichtmaterial umgeben sind. Die zwischen der Formschicht 9 und der strukturierten Oberfläche des Wafers 3 befindliche Trenn- bzw. Schutzschicht 11, die in 5 nicht eingezeichnet ist, verhindert ein Anlöten der Kontaktierungsanschlüsse 10 an das Formschichtmaterial. Nach der Ablage des Wafers 3 auf dem Träger 2 bzw. auf der Oberseite der Umfangswand 5 und der Formschicht 9 wird die Kombination aus Wafer 3 und Träger 2 abgekühlt, insbesondere bis auf Raumtemperatur, sodass die Formschicht erstarrt. Die Kontaktierungsanschlüsse 10 sind nun mechanisch fest mit der Formschicht 9 umgeben. Daraufhin kann der Rückdünnprozess auf der dem Träger 2 abgewandten Seite des Wafers 3 durchgeführt werden. Die dabei entstehende Wärme wird über die aus Wood'schem Metall bestehende Formschicht 9 abgeführt.
  • Zum Lösen des Wafers 3 von dem Träger 2 wird der Träger 2, bzw. die Formschicht 9, insbesondere mittels der Heizplatte 13 wieder auf etwa 70°C erhitzt, sodass sich die Formschicht 9 verflüssigt und der Wafer 3, beispielsweise eines Greifers, abgenommen werden kann. Bevorzugt wird vor dem Abnehmen des Wafers 3 auf deren Oberseite eine Transportfolie aufgebracht, um den sehr empfindlichen, rückgedünnten Wafer 3 besser handhaben und transportieren zu können.
  • Die in 5 dargestellte Kombination aus Träger 2 und Wafer 3 ist bei ausgehärteter Formschicht 9 äußerst mechanisch stabil. Dadurch, dass die Kontaktierungsanschlüsse 10 von der Formschicht umschlossen sind, bzw. fest in der Formschicht 9 eingebettet sind, werden auch die Bereiche zwischen den Kontaktierungsanschlüssen 10 beim Rückdünnvorgang mechanisch unterstützt. Eine Durchbiegung wird in den Bereichen der Kontaktierungsanschlüsse vermieden, was zu gleichmäßigen Rückdünnergebissen führt. Mittels der Erfindung ist es möglich, eine optimale mechanische Stützung, insbesondere auch zwischen den Kontaktierungsanschlüssen des Wafers 3 zu gewährleisten und zugleich ein schonendes Ablösen nach dem Rückdünnschritt zu ermöglichen.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Trägerkörper
    2
    Träger
    3
    Wafer
    4
    wannenförmige Vertiefung
    5
    Umfangswand
    6
    Boden
    7
    Metallisierungsschicht
    8
    Stege
    9
    Formschicht
    10
    Anschlusskontakte
    11
    Trennschicht
    12
    Sprühdüse
    13
    Heizplatte

Claims (19)

  1. Träger (2) mit einem Trägerkörper (1) zur Stützung eines Wafers (3) mit von der Waferoberfläche hervorstehenden Kontaktierungsanschlüssen (10) beim Rückdünnen, wobei auf den Trägerkörper (1) eine die Kontaktierungsanschlüsse (10) beim Rückdünnen des Wafers (3) einbettende und von diesen durch Temperaturänderung wieder lösbare Formschicht (9) aus einem Material mit einem Schmelzpunkt kleiner als der Schmelzpunkt der Kontaktierungsanschlüsse (10) derart aufgebracht ist, dass auch der Bereich zwischen benachbarten Kontaktierungsanschlüssen (10) durch den Träger (2) mechanisch unterstützt wird.
  2. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Formschichtmaterial metallisches Material enthält.
  3. Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Formschichtmaterial vollständig aus Metall besteht.
  4. Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Formschichtmaterial eine eutektische Legierung umfasst, oder vollständig aus einer eutektischen Legierung besteht.
  5. Träger nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Formschichtmaterial Wood'sches Metall umfasst, oder vollständig aus Wood'schem Metall besteht.
  6. Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Formschichtmaterial in mindestens einer wannenartigen Vertiefung (4), insbesondere im Trägerkörper (1), aufgenommen ist.
  7. Träger nach Anspruch einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Trägerkörper (1) ein Wafer ist.
  8. Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass, zumindest in Teilflächenbereichen, zwischen Trägerkörper (1) und Formschichtmaterial eine Metallisierungsschicht (7), insbesondere aus einem lötbaren Metall, vorgesehen ist.
  9. Träger nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallisierungsschicht (7) Unterbrechungen aufweist.
  10. Träger nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere wannenartige Vertiefungen (4) benachbart zueinander, mit dazwischen liegenden Stegen (8), vorgesehen sind.
  11. Träger nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass innerhalb einer wannenartigen Vertiefung (4) mindestens ein Steg (8) vorgesehen ist.
  12. Kombination aus einem Träger (2) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche und einem Wafer (3) mit von der Waferoberfläche hervorstehenden Kontaktierungsanschlüssen (10), dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer (3) auf der Formschicht (9) des Trägers (2) aufliegt und dass zwischen dem Wafer (3) und der Formschicht (9) eine Trennschicht (11) vorgesehen ist.
  13. Kombination gemäß Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Trennschicht (11) Silikon umfasst oder aus Silikon besteht.
  14. Kombination gemäß Anspruch 12. dadurch gekennzeichnet, dass die Trennschicht (11) Photolack umfasst oder aus Photolack besteht.
  15. Verfahren zur Handhabung eines Trägers nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass zum Aufbringen eines Wafers (3) auf den Träger (1) die Formschicht (9) durch Erwärmen zumindest teilweise verflüssigt wird, und dass der Wafer (3) mit den Kontaktierungsanschlüssen (10) auf den Träger (2) aufgebracht wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen des Wafers (3) nach erfolgter, zumindest teilweiser, Verflüssigung der Formschicht (9) erfolgt.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Formschicht (9) nach dem Aufbringen des Wafers (3), insbesondere bei Raumtemperatur, bis zum Erstarren abgekühlt wird.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass zum Trennen des Wafers (3) von dem Träger (2) die Formschicht (9) durch Erwärmen zumindest teilweise verflüssigt wird.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer (3) vor dem Aufbringen auf den Träger (2) mit einer Trennschicht (11) beschichtet, insbesondere besprüht, wird.
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