DE3414065C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Befestigung nach dem Oberbegriff
des Anspruchs 1 sowie ein Verfahren zur Herstellung einer der
artigen Befestigung.
Aus der DE-OS 32 27 815 ist eine Anordnung der eingangs genann
ten Art bekannt, bei welcher die Verbindungsschicht zwischen
der Kontaktierungsschicht des Bauelements und der Kontaktober
fläche des Substrats aus einer bei Spitzentemperaturen im
Bereich von 425 bis 525°C gebrannten, Silberpulver
enthaltenden Glaspaste gebildet wird. Das Glas, welches einen
Erweichungspunkt im Bereich von 325 bis 425°C hat und bei Tem
peraturen im Bereich von 420 bis 450 schmilzt, übernimmt da
bei im wesentlichen die Aufgabe eines Bindemittels, d. h. die
Befestigung der Bauelemente kann als eine Art Glasverklebung
angesehen werden. Die elektrische Leitfähigkeit von derart aus
Glas und Silber gebildeten Verbindungsschichten steigt erwar
tungsgemäß mit dem Silbergehalt an. Bei einem als Obergrenze
angegebenen Silbergehalt von 95 Gew.-% sollte der Silbergehalt
im allgemeinen nicht über 90 Gew.-% liegen, da sonst die Haft
festigkeit abfällt. Durch den als Binde- oder Klebemittel er
forderlichen Glasanteil wird dann aber andererseits die
elektrische und thermische Leitfähigkeit der
Verbindungsschichten vermindert.
Auch gemäß dem Artikel aus Solid State Technology, Jan. 1984,
Heft 1, S. 149 bis 157, kommt es bei der Befestigung von Si
liziumchips mittels Silber-Glaspasten auf eine Reaktion
zwischen Glas und Silizium an, wobei die Befestigung nach der
dortigen Tabelle III noch verbessert wird, wenn sich auf der
Siliziumoberfläche eine glasbildende Oxidschicht, sei es aus
SiO2 oder Al2O3, befindet.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für die Befestigung
von elektronischen Bauelementen auf Substraten und insbe
sondere für die Befestigung von Halbleiterchips auf System
trägern Verbindungsschichten anzugeben, die bei einer guten
Haftfestigkeit einen geringen elektrischen Übergangswider
stand sowie einen kleinen Wärmewiderstand besitzen und er
höhten Zuverlässigkeitsanforderungen genügen.
Diese Aufgabe wird bei einer gattungsgemäßen Anordnung da
durch gelöst, daß die Verbindungsschicht ausschließlich aus
durch Trockensintern verfestigtem Metallpulver besteht und
sowohl an die Kontaktierungsschicht des Bauelements als
auch an die Kontaktoberfläche des Substrats angesintert
ist. Unter Trockensintern wird hierbei ein Sintervorgang
verstanden, bei dem keine flüssige Phase auftritt. Beim
Trockensintern liegen also die Herstellungstemperaturen so
niedrig, daß kein Bestandteil schmelzflüssig wird und die
Verfestigung des Metallpulvers durch eine reine Festkör
perreaktion erfolgt. Dabei wird ausgehend von den Berührungs
stellen der Metallpulverkörner untereinander bzw. der
Metallpulverkörner mit der Kontaktierungsschicht des Bau
elements und der Kontaktoberfläche des Substrats durch
Halsbildung die Oberfläche und damit die Oberflächenenergie
verringert. Durch Platzwechselvorgänge an der Oberfläche
werden dann die Lücken aufgefüllt und das Porenvolumen ver
ringert, wobei die Verbindungsschicht schrumpft. Das Ener
gieminimum wird schließlich dadurch angestrebt, daß gleich
zeitig von den Berührungsstellen aus eine Rekristallisation
einsetzt. Das resultierende Gefüge einer derart trockenge
sinterten und an die Kontaktierungsschicht und die Kontakt
oberfläche angesinterten Verbindungsschicht kann durch
Schliffbilder leicht sichtbar gemacht werden.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß das für
die elektrische und thermische Leitfähigkeit einer Ver
bindungsschicht erforderliche Metallpulver zur Verfestigung und
zur Verbindung mit der Kontaktierungsschicht des Bauelements
und der Kontaktoberfläche des Substrats unter vollständigem
Verzicht auf Bindemittel, wie Glas oder Klebstoff, trockenge
sintert werden kann. Die Verbindungsschicht ist also als eine
an die Kontaktierungsschicht und die Kontaktoberfläche ange
sinterte Sintermetallschicht ausgebildet, welche eine hohe me
chanische Stabilität gewährleistet. Beim Sintern der Verbin
dungsschicht kommt es dabei zu kettenartigen Strukturen der
zusammengefritteten Metallpulverkörner, wobei jeweils zwei be
nachbarte Metallpulverkörner einen elementaren elektrischen und
thermischen Kontakt bilden. Die gesinterte Verbindungsschicht
kann man sich dann als Parallelserienschaltung dieser elemen
taren Kontakte vorstellen. Da die Ketten dieser Parallelserien
schaltung nicht durch elektrisch nicht leitende bzw. thermisch
schlecht leitende Bindemittel, wie Glas oder Klebstoff, unter
brochen werden, zeichnen sich die gesinterten Verbindungs
schichten durch einen äußerst geringen elektrischen Übergangs
widerstand und einen sehr kleinen Wärmewiderstand aus. Weitere
Vorteile der Sinterverbindungen bestehen darin, daß sie auch
erhöhten Zuverlässigkeitsanforderungen genügen und bei nie
driger Wärmebeanspruchung der elektronischen Bauelemente herge
stellt werden können.
Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist die
Verbindungsschicht aus dem Pulver eines Edelmetalles oder einer
Edelmetall-Legierung gebildet. Derart hergestellte Verbindungs
schichten weisen dann besonders niedrige elektrische Übergangs
widerstände auf. Dabei hat es sich als besonders günstig
herausgestellt, wenn die Verbindungsschicht aus Silberpulver
gebildet ist, welches gemäß Ullmanns Enzyklopädie der techni
schen Chemie, 4. Aufl., Bd. 21, S. 343, nahezu ausschließlich zu
sintertechnischen Zwecken verwendet wird, jedoch ohne daß auf
die Herstellung von Verbindungsschichten für elektronische Bau
elementen hingewiesen wird. Außerdem kann die elektrische und
thermische Leitfähigkeit noch dadurch weiter gesteigert werden,
daß die Verbindungsschicht aus einem
Metallpulver mit plättchenförmigen Pulverpartikeln gebildet
ist.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung weist die
Verbindungsschicht eine Schichtdicke zwischen 10 und 100 µm
auf. Die relativ große Dicke der gesinterten Verbindungs
schicht ist dabei für eine Optimierung der Temperaturwechsel
festigkeit und der Lastwechselfestigkeit von Bedeutung.
Die Kontaktierungsschicht des Bauelements besteht vorzugs
weise aus Silber, welches für das Ansintern der Verbindungs
schicht besonders gut geeignet ist. Dabei ist es insbeson
dere bei der Befestigung von Halbleiterchips zweckmäßig,
wenn die Kontaktierungsschicht auf eine Diffusionssperr
schicht aus Nickel aufgebracht ist und wenn die Diffusions
sperrschicht auf eine Haftschicht aus Titan aufgebracht
ist.
Für das Ansintern der Verbindungsschicht an die Kontakt
oberfläche des Substrats hat es sich als besonders günstig
herausgestellt, wenn die Kontaktoberfläche des Substrats
durch eine Silberschicht oder durch eine Palladium/Nickel-
Schicht gebildet ist.
Ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung einer erfindungs
gemäßen Anordnung ist durch folgende Merkmale gekennzeich
net:
- a) eine aus Metallpulver und einem Lösungsmittel bestehende Paste wird schichtförmig auf die Kontaktierungsschicht des Bauelements und/oder die Kontaktoberfläche des Substrats aufgetragen,
- b) das Bauelement wird auf das Substrat aufgesetzt,
- c) das Lösungsmittel wird vollständig ausgetrieben,
- d) die gesamte Anordnung wird zur Bildung der Verbindungs schicht auf Sintertemperatur erwärmt.
Ein derartiges Verfahren ist bei der Massenproduktion von
Bauteilen besonders günstig, da die aus dem Metallpulver
und einem Lösungsmittel bestehende Paste durch in der Klebe
technik bereits bewährte Methoden wie Aufstempeln oder
Siebdrucken aufgetragen werden kann. Besonders niedrige
elektrische Übergangswiderstände werden dabei erzielt, wenn
die Paste aus dem Pulver eines Edelmetalls oder einer Edel
metall-Legierung und einem Lösungsmittel gebildet wird.
Optimale Ergebnisse werden dabei dann erzielt, wenn die
Paste aus Silberpulver und einem Lösungsmittel gebildet
wird, wobei die Verwendung eines Silberpulvers mit plätt
chenförmigen Pulverpartikeln mit einer Korngröße ≦15 µm
bevorzugt wird.
Für die Herstellung und Verarbeitung der Paste hat sich die
Verwendung von Cyclohexanol als Lösungsmittel besonders gut
bewährt. Außerdem kann die Paste im Vakuum entgast werden,
wodurch beim Vortrocknen bzw. Sintern eine Lunkerbildung
sicher verhindert wird.
Insbesondere für die Massenproduktion von Bauteilen ist es
günstig, wenn die Anordnung in einem Durchlaufofen unter
Formiergas auf Sintertemperatur erwärmt wird. Das Tempera
turprofil des Durchlaufofens wird dann zweckmäßigerweise
derart eingestellt, daß zunächst das Lösungsmittel voll
ständig ausgetrieben wird und dann erst die Anordnung auf
Sintertemperatur erwärmt wird.
Die Anordnung kann auch unter gleichzeitiger Anwendung von
Druck auf das Bauelement und das Substrat auf Sintertempera
tur erwärmt werden. Besonders günstige Drucksinterverbindun
gen können dabei dadurch erzielt werden, daß der Druck auf 80
bis 90 N/cm2 eingestellt wird. Dieses Durcksintern kann auch in
einem Durchlaufofen vorgenommen werden. Steht kein
Durchlaufofen zur Verfügung, so wird die Anordnung unter
Schutz- oder Formiergas auf Sintertemperatur erwärmt. In diesem
Fall ist es zweckmäßig, wenn das Lösungsmittel zuvor durch
langsames Erwärmen über den Siedepunkt in einem Trockenschrank
ausgetrieben wird.
Bei der Verwendung einer aus Silberpulver und einem Lösungs
mittel gebildeten Paste beginnt der Sintervorgang bereits bei
Temperaturen zwischen etwa 180 und 200°C. Im Hinblick auf
kurze Herstellungszeiten und eine besonders gute Qualität der
Sinterverbindung hat es sich jedoch als optimal herausgestellt,
wenn die Anordnung auf Sintertemperaturen zwischen 380 und
420°C erwärmt wird.
Ein Ausführunsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dar
gestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Die
Fig. 1 bis 4 zeigen dabei in vereinfachter schematischer Darstellung
verschiedene Verfahrensstadien bei der Befestigung und
Kontaktierung eines elektronischen Bauelements auf eine
Substrat.
Zur Verdeutlichung des Schichtaufbau der Anordnung
wurden dabei die Schichtstärken der einzelnen Zwischenschichten
abweichend vom übrigen Maßstab stark übertrieben dargestellt.
Fig. 1 zeigt einen Schnitt durch ein Substrat S, das auf
seiner Oberseite eine Kontaktoberfläche KO trägt. Bei dem
Substrat S handelt es sich um einen Systemträger für
Halbleiterchips, welcher aus einer Kupfer/Silber-Legierung mit
einem geringen Silberanteil von 0,1% besteht. Die Kontaktober
fläche KO besteht aus einer 1 bis 2 µm dicken
Palladium/Nickel-Schicht mit einem Nickelanteil von
25%. Anstelle der durch selektive galvanische Metallab
scheidung aufgebrachten Palladium/Nickel-Schicht wurde bei
einer Variante eine 1 bis 2 µm dicke Silberschicht als
Kontaktoberfläche KO ebenfalls durch selektive galvanische
Metallabscheidung aufgebracht.
Auf die Kontaktoberfläche KO des in Fig. 1 dargestellten
Substrats S wird gemäß Fig. 2 eine Paste P schichtförmig
aufgebracht. Das Aufbringen der Paste P erfolgt dabei durch
Aufstempeln oder Siebdrucken. Als Ausgangsstoff für die
Herstellung der Paste P wird Silberpulver mit plättchen
förmigen Pulverpartikeln, einer Korngröße ≦15 µm und einer
Schüttdichte von ca. 1,9 g/ml verwendet. Dieses Silberpul
ver wird dann in Cyclohexanol als Lösungsmittel im Ge
wichtsverhältnis 4 : 1 mit einer Viskosität von ca. 2400
mPas suspendiert. Anschließend wird die derart hergestellte
Paste P imVakuum entgast, um später beim Vortrocknen bzw.
Sintern eine Lunkerbildung zu verhindern.
Nach dem Auftragen der Paste P wird gemäß Fig. 3 ein elek
tronisches Bauelement B auf das Substrat S derart aufge
setzt, daß die rückseitige Kontaktierungsschicht KS des
Bauelements B unmittelbar auf der durch die Paste P gebil
deten Schicht liegt. Bei dem elektronischen Bauelement B
handelt es sich in dem dargestellten Fall um einen Halb
leiterchip, welcher im wesentlichen als eine Siliziumschei
be ausgebildet ist. Auf die Rückseite dieser Siliziumschei
be sind nacheinander eine 0,1 µm dicke Haftschicht HS aus
Titan, eine 0,5 µm dicke Diffusionssperrschicht DS aus
Nickel und die bereits erwähnte Kontaktierungsschicht KS
aufgebracht, wobei die Kontaktierungsschicht KS 0,1 µm dick
ist und aus Silber besteht.
Die gemäß Fig. 3 vorbereitete Anordnung wird dann in einen
Durchlaufofen eingebracht, dessen Temperaturprofil so ein
gestellt ist, daß zunächst das in der Paste P enthaltene
Lösungsmittel vollständig ausgetrieben wird. Bei dem als
Lösungsmittel verwendeten Cyclohexanol wird die gesamte An
ordnung hierzu über den bei ca. 160°C liegenden Siedepunkt
erwärmt. Nach dem Austreiben des Lösungsmittels besteht die
durch die Paste P gebildete Schicht nur noch aus Silber
pulver, welches in dem Durchlaufofen durch Trockensintern
zu der in Fig. 4 dargestellten Verbindungsschicht VS ver
festigt wird. Das Temperaturprofil des Durchlaufofens ist
dabei so eingestellt, daß die gesamte Anordnung auf Sinter
temperaturen zwischen 380 und 420°C erwärmt wird, wobei
der Sintervorgang zur Verhinderung von Oxydationen unter
Formiergas vorgenommen wird. Die Verweilzeit der Anordnung
in dem Durchlaufofen beträgt dabei etwa 45 Minuten, wobei
etwa 10 Minuten auf das Austreiben des Lösungsmittels, etwa
10 bis 15 Minuten auf den Sintervorgang und etwa 20 bis 25
Minuten auf den Abkühlvorgang entfallen. Bei einer Variante
des geschilderten Verfahrens wird bei der gemäß Fig. 3 vor
bereiteten Anordnung auf das Substrat S und das Bauelement
B ein mechanischer Druck von etwa 80 bis 90 N/cm2 ausgeübt
und die gesamte Anordnung gleichzeitig unter Schutz- oder
Formiergas etwa 1 Minute lang auf Sintertemperaturen zwi
schen 380 und 420°C erwärmt. Bei dieser Verfahrensvariante
wird das Lösungsmittel zuvor an Luft in einem Trocken
schrank durch langsames Erwärmen über den Siedepunkt
ausgetrieben. Durch die gleichzeitige Anwendung von Druck
und Wärme beim Sintervorgang - die im übrigen auch in einem
Durchlaufofen vorgenommen werden kann - werden die mechani
schen Eigenschaften der Verbindung von Bauelement B und
Substrat S weiter verbessert.
Bei der in Fig. 4 dargestellten fertigen Anordnung ist die
Verbindungsschicht VS als ca. 30 µm dicke Sinterschicht
ausgebildet, deren zusammengefrittete Silberkörner im Be
reich der Schichtgrenzen auch an die Kontaktierungsschicht
KS des Bauelements B bzw. die Kontaktoberfläche KO des
Substrats S angesintert sind. Durch diese innige Sinterver
bindung ergibt sich eine hohe Haftfestigkeit. Messungen an
4 × 4 mm2 Halbleiterchips ergaben einen Wärmewiderstand
<1,5 Kelvin pro Watt. Geklebte Halbleiterchips ergaben
demgegenüber einen bis zu 30% höheren Wert und größere
Streubreiten. Die bei den Sinterverbindungen ermittelten
elektrischen Übergangswiderstände zwischen der Rückseite
des Halbleiterchips und dem Gehäuse bzw. dem Substrat
liegen bei ca. 10 µΩ. Zur Qualitätsprüfung durchgeführte
Versuche wie Lastwechselversuche, Tieftemperaturzyklen und
dergleichen ergaben keine nennenswerte Verschlechterung der
mechanischen, elektrischen und thermischen Eigenschaften,
wobei in keinem Falle die zulässigen Grenzwerte über
schritten wurden.
Bei der anhand der Fig. 1 bis 4 beschriebenen Anordnung
handelt es sich um die Befestigung eines Halbleiterchips
auf einem Systemträger bzw. Gehäuse. Andere elektronische
Bauelemente wie Chipwiderstände, Chipkondensatoren und dgl.
können auf die gleiche Weise auf der Kontaktoberfläche
eines Substrats befestigt werden. Hierbei kann die Kontakt
oberfläche auch unmittelbar durch die Oberfläche eines
homogenen metallischen Substrats gebildet werden. Außerdem
kann es sich bei der Kontaktoberfläche auch um die Metalli
sierung eines Keramiksubstrats handeln. Hinsichtlich der
verwendeten Materialien ist in erster Linie die Auswahl des
Metallpulvers zur Bildung der Verbindungsschicht, das
Material der Kontaktierungsschicht eines Bauelements und
das Material der Kontaktoberfläche eines Substrats für die
Qualität der Sinterverbindung von Bedeutung. Grundsätzlich
muß dabei das für die Verbindungsschicht verwendete Metall
pulver mit den für die Kontaktierungsschicht bzw. die Kon
taktoberfläche verwendeten Materialien versinterbar sein,
wobei der Sintervorgang als Festkörperreaktion ohne das
Auftreten flüssiger Phasen vor sich gehen soll.
Claims (24)
1. Befestigung eines elektronischen Bauelementes auf einem
Substrat, bei welcher eine metallische Kontaktierungsschicht
des Bauelements durch eine Metallpulver enthaltende und unter
Temperatureinwirkung gebildete Verbindungsschicht mit einer me
tallischen Kontaktoberfläche des Substrats elektrisch und ther
misch leitend verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindungsschicht (VS) ausschließlich aus durch
Trockensintern verfestigtem Metallpulver besteht und sowohl an
die Kontaktierungsschicht (KS) des Bauelements (B) als auch an
die Kontaktoberfläche (KO) des Substrats (S) angesintert ist.
2. Befestigung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindungsschicht (VS) aus dem Pulver eines Edelme
talles oder einer Edelmetall-Legierung gebildet ist.
3. Befestigung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindungsschicht (VS) aus Silberpulver gebildet ist.
4. Befestigung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindungsschicht (VS) aus einem Metallpulver mit
plättchenförmigen Pulverpartikeln gebildet ist.
5. Befestigung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindungsschicht (VS) eine Schichtdicke zwischen 10
und 100 µm aufweist.
6. Befestigung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktierungsschicht (KS) des Bauelements (B) aus
Silber besteht.
7. Befestigung nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktierungsschicht (KS) auf eine Diffusionssperr
schicht (DS) aus Nickel aufgebracht ist.
8. Befestigung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Diffusionsschicht (DS) auf eine Haftschicht (HS)
aus Titan aufgebracht ist.
9. Befestigung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktoberfläche (KO) des Substrats (S) durch eine
Silberschicht gebildet ist.
10. Befestigung nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktoberfläche (KO) des Substrats (S) durch eine
Palladium/Nickel-Schicht gebildet ist.
11. Verfahren zum Befestigen eines elektronischen Bauelements
auf einem Substrat nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch
folgende Merkmale:
- a) eine aus Metallpulver und einem Lösungsmittel bestehende Paste (P) wird schichtförmig auf die Kontaktierungsschicht (KS) des Bauelements (B) und/oder die Kontaktoberfläche (KO) des Substrats (S) aufgetragen,
- b) das Bauelement (B) wird auf das Substrat (S) aufgesetzt,
- c) das Lösungsmittel wird vollständig ausgetrieben,
- d) die gesamte Anordnung wird zur Bildung der Verbindungs schicht (VS) auf Sintertemperatur erwärmt.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Paste (P) aus dem Pulver
eines Edelmetalles oder einer Edelmetall-Legierung und
einem Lösungsmittel gebildet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Paste (P) aus Silberpulver
und einem Lösungsmittel gebildet wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein Silberpulver mit plättchen
förmigen Pulverpartikeln verwendet wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekenn
zeichnet, daß plättchenförmige Pulverpartikel
mit einer Korngröße ≦15 µm verwendet werden.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch
gekennzeichnet, daß als Lösungsmittel
Cyclohexanol verwendet wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 16, dadurch
gekennzeichnet, daß die Paste (P) im
Vakuum entgast wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch
gekennzeichnet, daß die Anordnung in
einem Durchlaufofen unter Formiergas auf Sintertemperatur
erwärmt wird.
19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Temperaturprofil des Durchlauf
ofens derart eingestellt wird, daß zunächst das Lösungsmittel
vollständig ausgetrieben wird und dann erst die Anordnung
auf Sintertemperatur erwärmt wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 19, dadurch
gekennzeichnet, daß die Anordnung unter
gleichzeitiger Anwendung von mechanischem Druck auf das
Bauelement (B) und das Substrat (S) auf Sintertemperatur
erwärmt wird.
21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekenn
zeichnet, daß der mechanische Druck auf 80 bis
90 N/cm2 eingestellt wird.
22. Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Anordnung unter Schutz-
oder Formiergas auf Sintertemperatur erwärmt wird.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 22, dadurch
gekennzeichnet, daß das Lösungsmittel
durch langsames Erwärmen über den Siedepunkt in einem
Trockenschrank ausgetrieben wird.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch
gekennzeichnet, daß die Anordnung auf
Sintertemperatur zwischen 380 und 420°C erwärmt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843414065 DE3414065A1 (de) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | Anordnung bestehend aus mindestens einem auf einem substrat befestigten elektronischen bauelement und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843414065 DE3414065A1 (de) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | Anordnung bestehend aus mindestens einem auf einem substrat befestigten elektronischen bauelement und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3414065A1 DE3414065A1 (de) | 1985-12-12 |
DE3414065C2 true DE3414065C2 (de) | 1989-07-27 |
Family
ID=6233542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19843414065 Granted DE3414065A1 (de) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | Anordnung bestehend aus mindestens einem auf einem substrat befestigten elektronischen bauelement und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3414065A1 (de) |
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