DE2606963C3 - Verfahren zur Herstellung einer hartlötbaren Dickschichtschaltung auf ein vorzugsweise aus einer Oxidkeramik bestehendes Trägerplättchen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer hartlötbaren Dickschichtschaltung auf ein vorzugsweise aus einer Oxidkeramik bestehendes TrägerplättchenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer hartlötbaren Dickschichtschaltung auf
ein vorzugsweise aus einer Oxidkeramik bestehendes Trägerplättchen. indem man unter Verwendung einer
pastenartigen Suspension, bestehend aus einer Silber und Kupferoxid enthaltenden Pulvermischupg und
einem organischen Bindemittel, diese im Siebdruckverfahren auf das Trägerplättchen aufbringt, und die so
aufgebrachte Schaltung in eine weiteren Verfahrensschritt durch Sintern bzw. Einb ^ nnen mit dem Material
des Trägerplättchens verfestigt.
In der US-PS 34 50 545 ist eine Metallisierungsmasse
aus Edelmetall für Keramiksubstrate beschrieben, welche aus 60 bis 95% aus einem Edelmetallpulver, nämlich
Silber, Palladium, Platin oder Goldpulver, 4 bis 35% eines anorganischen Binders, nämlich Glasfritte und
0,1 bis 7% eines Oxidpulvers aus der Gruppe Rodium, Iridium, Rutherium, Kupfer, Silizium, Siliziumkarbide
und Bornitride besteht. Zum Ansetzen der Masse verwendet man noch eine flüssige Komponente, wobei
unter anderem vorgeschlagen wird, hierzu Äthylzellulose und T erpineol zu verwenden. Die Verwendung einer
Glasfritte in der Metallisierungsmasse dient als Binder zwischen der Metallkomponente und dem KeramiksubstratGlasfritte
enthaltende Metallisierungsmassen sind jedoch schlecht hartlötfähig.
Gemäß der DE-PS 19 63 286 ist weiterhin bekannt, auf Keramiksubstraien durch Siebdrucken leitende
Strukturen zu erzeugen. Diese Strukturen sollen
ίο einerseits hinsichtlich der vorgegebenen geometrischen
Struktur genau aber auch nach erfolgtem Sintern hartlötbar sein. Hierzu verwendet man eine siebdruckfähige
Metallpulvermasse mit thixotroper Eigenschaft. Zur Herstellung der Siebdruckpaste dienen Schwermetalle
wie z.B. Molybdän- und Mangansilikatpulver mit einer Korngröße kleiner als 5 μίτι. Derartig erzeugte
Strukturen besitzen indessen eine vergleichsweise hohe Sintertemperatur, wobei der Sinterprozeß in einer
gesteuerten Atmosphäre erfolgt Um das Fließverhalten des Hartlotes zu verbessern, müssen außerdem die
Leiterbahnen vor dem Hartlöten galvanisch, z. B. mit einer Nickel-Auflage versehen werden. Darüberhinaus
ist es erforderlich, die aufgebrachte Nickelschicht einer Diffusionsglühung zu unterziehen, um die Haftung der
Nickelschicht zu verbessern.
Gemäß der DE-OS 20 21 362 sind auch Metallisierungsmassen bekannt, welche neben Alkalisalzen bis zu
95 Gew.% Silber enthalten; sie dienen z. B. zum Erzeugen von auf Glasscheiben aufzubringenden
Leiterbahnen. Diese Massen werden ebenfalls durch Siebdrucken auf Glasunterlagen aufgebracht und
sodann in einem nachfolgenden Arbeitsgang gebrannt. Eine solche Masse besitzt jedoch eine vergleichsweise
geringe Bindungsfähigkeit; sie ist auch zum Hartlöten nicht geeignet.
Ferner sind sogenannte aktive Silberlote bekannt, z. B. bestehend aus 96 Gew.% Ag und 4 Gew.% CuO.
Diese Lote haben die Eigenschaft, an der Berührungsstelle mit der Oxidkeramik Sub-Oxide zu bilden. Die
Haftfestigkeit des Lotes auf dem Trägermaterial ist bedingt durch die Bildung dieser Sub-Oxide sehr hoch.
Anwendung finden derartige Lote zum Verbinden von Metallteilen mit aus kermaischem Material gebildeten
Bauteilen. Ein derartiges Lot würde sich grundsätzlich auch zum Befestigen von Anschlußelementen auf dem
aus einem kermischen Material gebildeten Trägerplättchen eigenen. Es ist jedoch nicht möglich, die
gedruckten, aus Edelmetall wie Ag, Pd, Au/Pd, Au gebildeten Dickschicht-Leiterbahnen mittels des genannten
Lotes mit Anschlußelementen zu versehen. Lot- und Leiterbahnmaterial sind nicht kompatibel.
Beim Hartlöten legiert das Leiterbahnmaterial sofort mit dem Lot; die Haftung wird aufgehoben. Umgekehrt
ist es aber auch nicht möglich, mit dem genannten Lot auf der Keramik befestigte Anschlußelemente nachträglich
mit Dickschicht-Leiterbahnen zu kontaktieren, denn die Anschlußelemente und das Lot würden den
Sintervorgang der Leiterbahnen nicht überstehen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die vorstehenden Nachteile zu vermeiden und eine Dickschichtschaltung der eingangs genannten Art zu schaffen, bei welcher einerseits die Leiterbahnen eine hohe Haftfestigkeit mit dem aus einem hoch isolierten Material gebildeten Trägerplättchen aufweisen und
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die vorstehenden Nachteile zu vermeiden und eine Dickschichtschaltung der eingangs genannten Art zu schaffen, bei welcher einerseits die Leiterbahnen eine hohe Haftfestigkeit mit dem aus einem hoch isolierten Material gebildeten Trägerplättchen aufweisen und
6S andererseits die Verbindungsstellen der Leiterbahnen
mit den Anschlußelementen nach erfolgtem Hartlöten eine entsprechend hohe Festigkeit besitzen. Diese
Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß
man zum Siebdrucken eine in bezug auf das Material des
Trägerplänchens reaktive Pulvermischung verwendet, die ausschließlich aus mindestens 92 Gew.% Ag und
höchstens 8 Gew.%, jedoch aus nicht weniger als 4 Gew.% CuO, insbesondere jedoch aus 94 Gew.% Ag
und 6 Gew.% CuO besteht und diese mit dem organischen Binder angesetzte Suspension bei einer
Temperatur von 930 bis 935° C sintert.
Durch diese erfinderische Verfahrensweise erhält man eine Dickschichtschaltung, deren Leiterbahnen
sowohl eine hohe Haftfestigkeit mit dem Material des Trägerplättchens, als auch mit den Anschlußelementen
aufweisen. Die elektrische Leitfähigkeit der so erzeugten Leiterbahnen ist überraschend gut; der quadratische
Flächenwiderstand Äfbeträgt höchstens 10~3 Ohm. Die
Leiterbahnen werden in bekannter Weise durch Siebdrucken auf das Trägerplättchen aufgebracht. Nach
dem Trocknen der Schicht, z. B. an Luft oder in einem
Trockenofen bei ca. 60° C erfolgt das Sintern in Luft bei ca. 930 bis 935°C. Das Hartlöten geschieht z. B. in einer
Stickstoff- oder Argonatmosphäre. Zwischen die zu verbindenden Teile werden vorgestanzte dünne Lotbleche,
z. B. bestehend aus einem Cu und Ag gebildeten Eutektikum gelegt, deren Lage zueinander mittels einer
Vorrichtung gesichert wird. Die Teile werden dann mit einem Temperaturanstieg von 164° C pro Minute auf die
Löttemperatur von 820° C aufgeheizt. Um Spannungen zu vermeiden, wird abschließend das Substrat langsam,
z.B. mit 14°C, jedoch nicht schneller als 40°C pro Minute abgekühlt.
Für einen Ansatz der nach der Erfindung gebildeten Suspension wird zunächst das Silberpulver mit einer
Korngröße zwischen 1 μΐη bis 10 μίτι mit dem
Kupferoxidpulver — mit einer Korngröße von höchstens 2 μπι — trocken gemischt Den Silber- und
Kupferoxid-Anteil hält man in den oberen Grenzen. Zu diesem Ansatz werden 35% eines zähflüssigen organischen
Binders gemischt Diese Suspension wird sodann mittels eines Walzenstuhles homogenisiert. Als organische
Binder eignen sich bekannte Lösungen, wie z. B. 10% Äthylcellulose in 90% Terpineol-Isomerengemisch
oder Nitrozellulose in Butylcarbitolacetat Die auf diese Weise hergestellte Suspension bzw. Paste ist in ihrer
Viskosität bereits so eingestellt, daß sie zum Siebdrukken auf Keramikkörper eignet
Vorteilhaft ist es, die Leiterbahnen mit einer Mindestdicke von 35 μπι auszubilden. Dadurch wird
eine gute Durchmischung und somit eine innige Verbindung des Hartlotes an der Kontaktierungsstelle
mit den Anschlußelementen einerseits und den Leiterbahnen andererseits bewerkstelligt Zum Erzeugen
derartig dicker Leiterbahn-Struktur verwendet man ein Sieb von 110 mesh. An sich ist es auch möglich, die aus
den vorgenannten Stoffen gebildeten Leiterbahnen mit aus einem anderen Material — z. B. mit aus Kupfer
.gebildeten Anschlußelementen — durch Hartlöten zu kontaktieren, ggf. ohne Einfügung einer Lotfolie; das
Kupfer-Silber Eutektikum bildet sich dann von selbst aus.
Vorzugsweise findet das erfinderische Verfahren Anwendung zum Erzeugen von Dickschichtschaltungen
auf ein aus einer Oxidkeramik, z. B. Aluminiumoxid, Berylliumoxid, gebildetes Trägerplättchen. Das Verfahren
ist aber auch mit den beschriebenen Vorteilen anwendbar, wenn das Trägerplättchen aus einem
Kristall, nämlich aus Quarz oder Saphir, aber auch aus einem bei vergleichsweise hoher Temperatur schmelzenden
Glas, z. B. Quarzglas, gebildet ist.
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung einer hartlötbaren Dickschichtschaltung auf ein vorzugsweise aus einer
Oxidkeramik gebildetes Trägerplättchen, indem man unter Verwendung einer pastenartigen Suspension,
bestehend aus einer Silber und Kupferoxid enthaltenden Pulvermischung und einem organischen
Bindemittel, diese im Siebdruckverfahren auf das Trägerplättchen aufbringt, und die so aufgebrachte
Schaltung in einem weiteren Verfahrensschritt durch Sintern bzw. Einbrennen mit dem
Material des Trägerplättchens verfestigt, d a durch gekennzeichnet, daß man zum
Siebdrucken eine in Bezug auf das Material des Trägerplättchens reaktive Pulvermischung verwendet,
die ausschließlich aus mindestens 92 Gew.% Ag und höchstens 8 Gew.%, jedoch aus nicht weniger
als 4 Gew.% CuO, insbesondere jedoch aus 94 Gew.% Ag und 6 Gew.% CuO besteht und diese
mit dem organischen Binder angesetzte Suspension bei einer Temperatur von 930 bis 935° C sintert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man zur Herstellung von 35 μπι dicken
Leiterbahnen durch Siebdrucken ein Sieb von 110 mesh verwendet.
3. Verfahren nach Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man zum Hartlöten von
Anschlußelementen mit den Leiterbahnen ein eutektisches Kupfer-Silberlot verwendet, dessen
Schmelztemperatur unter der Sintertemperatur der Suspension gelegen ist.
4. Verfahren nach Ansprüchen 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß man zum Hartlöten der
Anschlußelemente mit den ausschließlich aus Silber und Kupferoxid bestehenden Leiterbahnen ein
dünnes aus Silber und Kupfer bestehendes Lotblech verwendet, wobei man zum Löten das aus Silber und
Kupfer gebildete Blech zwischen Leiterbahn und Anschlußelement legt, diese Teile gegen eine
Verlagerung sichert, und sodann auf die Löttemperatur von 820° aufheizt sowie nach erfolgtem Löten
langsam, und zwar nicht schneller als 400C pro Minute abkühlt.
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