DE19707253C2 - Keramische Mehrlagenleiterplatte in LTCC-Technik mit verbesserter Beständigkeit der Ag-Au-Verbindung - Google Patents
Keramische Mehrlagenleiterplatte in LTCC-Technik mit verbesserter Beständigkeit der Ag-Au-VerbindungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine keramische Mehrlagenleiterplatte in
LTCC (Low Temperature Cofired Ceramic)-Technik der im Ober
begriff des Anspruchs 1 festgelegten und aus der GB 22 22 911 A
bekannten Art.
Leiterstrukturen aus gebrannten Silber-Leitpasten haben gute
elektrische Eigenschaften, wie etwa einen niedrigen Leitungs
widerstand. Da die Leiterstrukturen jedoch einen niedrigeren
Schmelzpunkt als die Brenntemperatur (etwa 1.600°C) üblicher
Keramiksubstrate, wie etwa Aluminiumoxidsubstrate, aufweisen,
können sie nicht für das Aluminiumoxidsubstrat verwendet wer
den. Wolfram (W) oder Molybdän (Mo), die jeweils einen höheren
Schmelzpunkt haben, sind als Leiterstrukturen für das Alumi
niumoxidsubstrat verwendet worden. Diese Metalle mit hohen
Schmelzpunkten haben jedoch hohe Leitungswiderstände und müssen
bei hohen Temperaturen in reduzierender Atmosphäre gebrannt
werden, um eine Oxidation zu verhindern.
Um die vorstehend erläuterten Nachteile zu überwinden, offen
bart die US-A-4 621 066 eine keramische Mehrlagenleiterplatte,
die in oxidierender Atmosphäre bei einer Temperatur zwischen
800 und 1.000°C gebrannt werden kann, d. h. am Schmelzpunkt der
Leiterstrukturen oder darunter. Die Ag-Leiterstrukturen werden
zusammen mit den keramischen Substratplatten gebrannt.
Die Ag-Leiterstrukturen verursachen unter speziellen Bedingun
gen eine Migration bzw. Wanderung, während Elektrodenabschnitte
und dergleichen auf der Oberfläche des Substrats eine
Migrationsfestigkeit erfordern. Deshalb muß eine Dünnschicht
aus einem Au-Leiter, der bezüglich der Migrationsfestigkeit
überlegen ist, auf den Ag-Leiterstrukturen der
Elektrodenabschnitte gebildet werden. Beim Brennen der Ag-Innenleiter
strukturen werden die Au-Außenleiterstruktu
ren direkt mit diesen verbunden, wobei durch den Kirkendall-
Effekt, Ag-Atome in die Au-Leiterstrukturen diffundieren,
wodurch eine Anzahl von Hohlräumen in den Grenzflächen gebildet
wird, welche die Beständigkeit bzw. Betriebssicherheit der
Verbindung zwischen den Ag- und Au-Leiterstrukturen verringert.
Um das vorstehend erläuterte Problem zu überwinden, offenbart
die europäische Patentschrift 0 247 617 eine Zwischenschicht
aus Metall, wie beispielsweise Ni, Cr oder Ti. Diese Zwischen
schicht wird zwischen den Ag- und Au-Leiterstrukturen durch
autokatalytisches Plattieren gebildet, um eine Diffusion der
Ag-Atome in die Au-Leiterstrukturen zu verhindern, so daß die
Beständigkeit der Verbindung zwischen den Ag- und Au-Leiter
strukturen erhöht ist.
Nachdem der Au-Leiter, der auf die Metall-Zwischenschicht
aufgebracht ist, gebrannt wurde, werden an der Oberflächenschicht
des Substrats Widerstände vom RuO2-Typ, ein Glasüberzug,
Oberflächenschichtleiterstrukturen vom Ag-Typ usw. angebracht.
Zu diesem Zweck werden das Drucken und Brennen miteinander
abwechselnd wiederholt. Das wiederholte Brennen expandiert
jedoch mitunter die Metall-Zwischenschicht des herkömmlichen
Substrats, was zu einem Zerbrechen oder einem Unterbrechen der
Verbindung zwischen den Ag- und Au-Leiterstrukturen führt,
welche Verbindung vorliegend als "Ag-Au-Verbindung" bezeichnet
wird. Das herkömmliche, bei niedriger Temperatur gebrannte
Keramiksubstrat hat damit eine mangelhafte
Migrationsbeständigkeit bezüglich der Ag-Au-Verbindung in Bezug
auf ein wiederholtes Brennen.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht deshalb darin,
eine keramische Mehrlagenleiterplatte der eingangs genannten
Art zu schaffen, welche eine verbesserte
Migrationsbeständigkeit der Ag-Au-Verbindung gegenüber
wiederholtem Brennen aufweist.
Gelöst wird diese Aufgabe durch die kennzeichnenden Merkmale
des Anspruchs 1. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung
sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Zwischenschicht verhindert ein Eindringen von
Plattierungsflüssigkeit in die Innenleiterstrukturen aus
gebranntem Silber-Leitpasten. Das Eindringen der Plattierflüssigkeit eine der
Ursachen für die Expansion bzw. Ausdehnung der Zwischenschicht.
Ein wiederholtes Brennen führt deshalb nicht zu
einem Zerbrechen oder Unterbrechen der Ag-Au-Verbindung. Da
infolge davon eine Aufhebung oder Zerstörung der Ag-Au-
Verbindung bei wiederholtem Brennen zumindest weitgehend - im
Vergleich zum Stand der Technik - verringert wird, kann die
Migrationsbeständigkeit der Ag-Au-Verbindung gegenüber
wiederholtem Brennen verbessert werden.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung beispiel
haft näher erläutert; es zeigen:
Fig. 1 einen vergrößerten Längsschnitt der keramischen Mehr
lagenleiterplatte in LTCC-Technik gemäß einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, und
Fig. 2 ein Flußdiagramm eines Vorgangs zur Herstellung der
Mehrlagenleiterplatte von Fig. 1.
Aus Fig. 1 geht der Aufbau einer Ausführungsform der erfin
dungsgemäßen keramischen Mehrlagenleiterplatte in LTCC (Low
Temperature Cofired Ceramic)-Technik hervor. Die Mehrlagenlei
terplatte 11 wird als mehrschichtiges Substrat durch Laminieren
mehrerer bei niedriger Temperatur brennbarer Rohschichten (green sheets) 12
(Isolierschichten) laminiert, die jeweils, wie nachfolgend
ausgeführt, aufgebaut sind, und das Laminat
gebrannt wird. Jede Isolierschicht
12 weist Durchgangslöcher (Vias) 13 auf, die an vorbestimmten
Stellen der Schicht durch Stanzen gebildet sind. Die Durch
gangslöcher 13 werden mit Silber-Leitpaste zur
Durchkontaktierung so gefüllt, daß sich Durchgänge 14 ergeben,
die die Schichten 12 elektrisch miteinander verbinden.
Innenleiterstrukturen 15 aus einem aus derselben Silber-
Leitpaste gebildet wie die Durchgänge 14, werden durch
Siebdrucken auf der Oberflächenschicht von jeder Isolierschicht
12 mit Ausnahme der Oberflächenschicht vorgesehen. Die Ag-
Leiterdurchgänge 14 und die Innenleiterstrukturen 15 werden mit
dem Laminat aus den Rohschichten 12 gemeinsam gebrannt. Die Ag-
Leiterstruktur weist Leiter auf, die hauptsächlich aus Ag
bestehen, wie beispielsweise Ag/Pd, Ag/Pt und Ag/Pd/Pt ebenso
wie aus Ag.
Metall-Zwischenschichten 16 vom Au/Ag-Typ, welche, wie nach
folgend erläutert, aufgebaut sind, werden auf die Durchgänge 14
gedruckt, die auf der Oberfläche der Mehrlagenleiterplatte 11
freiliegen, und daraufhin werden die Zwischenschichten 16
gebrannt. Außenleiterstrukturen 17 aus Gold-Leitpaste werden
auf die Zwischenschichten 16 gedruckt und daraufhin gebrannt.
Die Au-Außenleiterstrukturen bestehen aus Leitpaste, wie etwa
Au/Pt und Au/Pd und auch aus Au. Ein Halbleiterchip 18 wird auf
eine der Au-Außenleiterstrukturen 17 gebondet. Elektroden
auf der Oberseite des Halbleiterchips 18 werden durch
Verbindungsdrähte 19, wie etwa Au-Drähte, mit den anderen Au-
Außenleiterstrukturen 17 verbunden.
Oberflächenleiterstrukturen 20 aus Gold-Leitpaste werden auf
die Rückseite des Keramiksubstrats 11 gedruckt und daraufhin
gebrannt. Paste vom RuO2-Typ wird außerdem auf die Ag-Oberflä
chenleiterstrukturen 20 gedruckt und daraufhin gebrannt, um
Oberflächenschichtwiderstände 21 zu bilden. Glasüberzugs
schichten 22 werden daraufhin auf die Oberflächenschichtwider
stände 21 gedruckt und daraufhin gebrannt.
In Fig. 2 wird eine Brennabfolge erläutert.
Zunächst werden die Ag-Innenleiterstrukturen 15 und die Durch
gänge 14 sowie die Zwischenschichten 16 gleichzeitig mit dem
Laminat aus Isolierschichten 12 zusammen gebrannt. Daraufhin
werden die Au-Außenleiterstrukturen 17 gedruckt und gebrannt
(erstes wiederholtes Brennen). Daraufhin werden die Ag-Ober
flächenleiterstrukturen 20 gedruckt und gebrannt (zweites wie
derholtes Brennen). Daraufhin werden die Oberflächenschicht
widerstände 21 gedruckt und gebrannt (drittes wiederholtes
Brennen). Schließlich werden die Glasüberzugsschichten 22
gedruckt und gebrannt (viertes wiederholtes Brennen). Das
Brennen kann fünfmal oder häufiger wiederholt werden, wenn ein
Substrat eine komplizierte Oberflächenverdrahtungsstruktur
aufweist.
Die Herstellung der keramischen Mehrlagenleiterplatte wird
nunmehr erläutert. Beim Herstellen eines Materials für diese
Platte wird ein Gemisch, das 10 bis 55 Gew.-% CaO, 45 bis 70
Gew.-% SiO2, 0 bis 30 Gew.-% Al2O3 und 5 bis 20 Gew.-% B2O3 ent
hält, bei 1.450°C geschmolzen, um verglast zu werden. Daraufhin
wird das verglaste Gemisch in Wasser schnell abgeschreckt und
in CaO-Al2O3-SiO2-B2O3-Glaspulver mit einem mittleren Korn
durchmesser von 3 bis 3,5 µm pulverisiert. Keramikisolator
gemischpulver wird durch Mischen von 50 bis 65 Gew.-% Glaspul
ver und 50 bis 35 Gew.-% Aluminiumoxidpulver mit einem mittle
ren Korndurchmesser von 1,0 bis 2,0 µm hergestellt. Lösungs
mittel, wie beispielsweise Toluol oder Xylol, ein Bindemittel,
wie beispielsweise Acrylharz, und ein Plastifizierer, wie bei
spielsweise Dioctylphosphat (DOP), werden dem gemischten Pulver
zugesetzt. Das Gemisch wird ausreichend vermischt, um eine
Aufschlämmung mit einer Viskosität von 2.000 bis 40.000 Centi
poise zu erhalten. Die Aufschlämmung wird durch einen
Abstreifklingenprozeß in eine Rohlagenschicht 12 überführt, die
eine Dicke im Bereich von 0,1 bis 0,4 mm hat. Daraufhin wird
die Rohschicht 12 durch eine Stanzmatritze oder eine
Stanzmaschine in eine vorbestimmte Konfiguration geschnitten.
Die Durchgangslöcher 13 mit jeweils einem Durchmesser von 0,3
mm werden durch vorbestimmte Stellen der Schicht 12 mittels
Stanzen gebildet. Jedes Durchgangsloch 13 wird mit einer Ag-
Leitpaste gefüllt, die als Innenleiterstrukturen 14 dient, die
aus derselben Ag-Leitpaste auf der Oberfläche der Rohschicht 12
mittels Siebdruck gebildet werden. In derselben Weise wie
vorstehend erläutert, werden die Innenleiterstrukturen 15 und
die Durchgänge 14 nacheinander auf mehrere Isolier- bzw. Roh
schichten 12 gedruckt.
Daraufhin wird eine Au/Ag-Dickfilm-Leitpaste auf den freilie
genden Abschnitt von jedem Durchgang 14 auf die Oberfläche der
Rohschicht 12 siebgedruckt, die die Oberflächenschicht des
Keramiksubstrats 11 bildet, wodurch die Metall-Zwischenschich
ten 16 gebildet werden. Die Au/Ag-Leitpaste wird durch Mischen
von Au/Ag-Pulver, das aus 10 bis 80 Gew.-% Au und 90 bis 20
Gew.-% Ag besteht, mit einem Bindemittel, wie etwa Ethylcellu
lose, und einem Lösungsmittel, wie beispielsweise Terpiniol,
hergestellt. Das Au/Ag-Pulver kann ein Legierungspulver aus Au
und Ag oder ein gemischtes Pulver aus Au-Pulver und Ag-Pulver
sein.
Die mehreren Rohschichten 12, welche die siebgedruckten Ag-
Innenleiterstrukturen 15 und die Durchgänge 14 aufweisen, wer
den übereinander laminiert und daraufhin mittels Thermodruck
bondieren bei einer Temperatur von 80 bis 150°C unter einem
Druck von 50 bis 250 kg/cm2 integriert bzw. vereinigt. Draufhin
wird das Laminat bzw. wird der Schichtstoff in oxidierender
Atmosphäre (oder Luft) bei einer Temperatur von 800 bis 1.000°C
(bevorzugt 900°C) für 20 Minuten mit einem üblichen
kontinuierlichen riemenangetriebenen Elektroofen gebrannt.
Daraufhin wird Au-Leitpaste, bestehend aus 100 Gew.-% Au, auf
die Oberflächenschicht des gebrannten Substrats siebgedruckt,
um in Au-Außenleiterstrukturen 17 gebildet zu werden. Das Sub
strat wird daraufhin in Luft bei 850°C für 10 Minuten mit dem
üblichen kontinuierlich riemenangetriebenen Elektroofen
gebrannt (erstes wiederholtes Brennen). Daraufhin wird eine Ag-
Leitpaste, wie etwa eine Ag/Pd-Leitpaste, auf die Rücksei
tenschicht siebgedruckt, um in Oberflächenleiterstrukturen 20
gebildet zu werden. Das Substrat wird daraufhin in derselben
Weise wie vorstehend erläutert gebrannt (zweites wiederholtes
Brennen). Eine RuO2-Paste wird auf die Oberflächenleiterstruk
turen 20 siebgedruckt, um in die Oberflächenwiderstände 21
gebildet zu werden. Das Substrat wird daraufhin in derselben
Weise wie vorstehend erläutert gebrannt (drittes wiederholtes
Brennen). Schließlich werden die Glasüberzugschichten 22 auf
den Oberflächenwiderständen 21 durch Siebdrucken gebildet. Das
Substrat wird daraufhin in derselben Weise wie vorstehend
erläutert gebrannt (viertes wiederholtes Brennen).
Um die Beständigkeit der Verbindungen zwischen den Ag-Innen
leiterstrukturen 15 oder den Durchlässen 14 und den Au-Außen
leiterstrukturen 17 der Mehrlagenleiterplatte zu ermitteln, die
wie vorstehend hergestellt wurde, wurde ein Experiment
ausgeführt. Auf jede Verbindung wird vorliegend als "Ag-Au-
Verbindung" bezug genommen. Tabelle 1A zeigt die Zusammenset
zung der Probensubstrate, die jeweils mit den Ag-Au-Verbindun
gen gebildet sind. Die Probensubstrate wurden in oxidierender
Atmosphäre bei 850°C für 10 Minuten mit dem üblichen kontinu
ierlich riemenangetriebenen Elektroofen zur Ermittlung der
Anzahl von während des wiederholten Brennens zerbrochenen
Durchgangslöchern wiederholt gebrannt. Tabelle 1B zeigt die
Versuchsergebnisse.
Die Probensubstrate wurden in drei Typen unterteilt, d. h. in
die Typen A, B und C, abhängig von der Keramikzusammensetzung.
Jeder Typ der Probensubstrate ist eine bei niedriger Tempera
tur gebrannte Keramik, die bei 1.000°C oder darunter brennbar
ist. Die Keramik vom Typ A ist ein Gemisch aus 60 Gew.-% CaO-
Al2O3-SiO2-B2O3-Glas mit 40 Gew.-% Aluminiumoxid. Die Keramik
vom Typ B ist ein Gemisch aus 50 Gew.-% kommerziell erhält
lichem Aluminiumoxid-Blei-Borsilikatglas (PbO-Al2O3-SiO2-B2O3)
mit 50 Gew.-% Aluminiumoxid. Die Keramik vom Typ C ist ein
Gemisch aus 60 Gew.-% CaO-Al2O3-SiO2-B2O3-MGO-Glas mit 40 Gew.-%
Aluminiumoxid.
Die Außenleiterstrukturen jedes Probensubstrats bestehen aus
100 Gew.-% Au mit Ausnahme der Probennummern 3 und 12. Die
Außenleiterstrukturen der Proben Nr. 3 und 12 bestehen jeweils
aus 95 Gew.-% Au und 5 Gew.-% Pt.
Die Ag-Innenleiterstrukturen von jedem Probensubstrat Nr. 1,
2,4 bis 6,8 bis 10 und 13 bestehen aus 100 Gew.-% Ag. Die
Ag-Innenleiterstrukturen von jedem Probensubstrat Nr. 3, 7 und
11 bestehen aus 99 Gew.-% Ag und 1 Gew.-% Pt. Die Ag-Innenlei
terstrukturen des Probensubstrats Nr. 12 bestehen aus 90 Gew.-%
Ag und 10 Gew.-% Pd.
Die Metall-Zwischenschicht von jedem Probensubstrat Nr. 1 bis
10 besteht aus Au/Ag. Die Zwischenschichten des Probensub
strats Nr. 11 und 12 bestehen aus Ag/Pd bzw. Ag/Pt. Das Pro
bensubstrat Nr. 13 enthält eine Zwischenschicht, die aus einer
Nickel(Ni)-Platierung besteht und den Stand der Technik dar
stellt, wie er in der japanischen Patentschrift Nr. 5 (1993)-
69319 offenbart ist.
Die vorstehend erläuterten Probensubstrate wurden wiederholt
gebrannt. Im Hinblick auf die Proben Nr. 1 bis 8 wurde keine
Erweiterung bzw. Aufweitung bzw. Expansion festgestellt und
keines der 10.000 Durchgangslöcher war selbst nach einem sie
benmal wiederholten Brennen zerbrochen. Dies bestätigt, daß
die Metall-Zwischenschicht (Au/Ag-Schicht) die Beständigkeit
der Ag-Au-Verbindung gegenüber einem wiederholten Brennen
stark verbessert. Ein Gemisch aus 10 bis 80 Gew.-% Au und 90
bis 20 Gew.-% Ag war erforderlich, um die vorstehend erläu
terte hohe Beständigkeit der Ag-Au-Verbindung zu erhalten.
Im Hinblick auf das Probensubstrat Nr. 9 enthielt die Metall-
Zwischenschicht 5 Gew.-% Au, obwohl sie aus Au/Ag bestand.
Demnach war der Effekt der Probe Nr. 9 hinsichtlich der Ver
bindung durch die Zwischenschicht geringer als bei den Proben
Nr. 1 bis 8. Selbst in der Probe Nr. 9 wurde jedoch keine
Erweiterung bzw. Expansion gefunden und keines der Durchgangs
löcher war zerbrochen, wenn das Brennen dreimal wiederholt
wurde. Das Probensubstrat Nr. 9 zeigt deshalb eine verbesserte
Beständigkeit der Ag-Au-Verbindung gegenüber wiederholtem
Brennen im Vergleich zum Stand der Technik (Probe Nr. 13).
Die Metall-Zwischenschicht des Probensubstrats Nr. 10 enthielt
90 Gew.-% Au, obwohl sie aus Au/Ag besteht. Da die Probe 10
einen übermäßigen Anteil Au enthält, war der Verbindungseffekt
durch die Metall-Zwischenschicht gelockert. Selbst das erste
wiederholte Brennen führte zu einem Zerbrechen von fünf Durch
gangslöchern mit dem Ergebnis einer geringfügigen Störung der
Verbindung. Selbst in Beispiel Nr. 10 war jedoch die Anzahl an
zerbrochenen Löchern kleiner als beim Stand der Technik (Probe
Nr. 13), wenn das Brennen dreimal oder häufiger wiederholt
wurde. Der Verbindungseffekt durch die Metall-Zwischenschicht
aus Au/Ag wurde selbst in der Probe Nr. 10 bestätigt.
Die Metall-Zwischenschichten der Probensubstrate Nr. 11 und 12
enthielten Ag/Pd bzw. Ag/Pt. Der Verbindungseffekt durch die
Metall-Zwischenschicht war in jeder dieser Proben gering. Das
erste wiederholte Brennen führte demnach dazu, daß in der
Probe 11 neun und in der Probe 12 zehn Durchgangslöcher zer
brachen, was zu einer Störung der Verbindung führt.
Die den stand der Technik darstellende Probe Nr. 13 enthielt
die Metall-Zwischenschicht, bestehend aus der Nickelplatie
rung. Beim ersten wiederholten Brennen zerbrach keines der
10.000 Durchgangslöcher. Sobald die Anzahl an wiederholtem
Brennen erhöht wurde, stieg jedoch die Anzahl an zerbrochenen
Durchgangslöchern zunehmend, und die Beständigkeit der Ag-Au-
Verbindung gegenüber wiederholtem Brennen war verringert.
Fig. 1 zeigt die keramische Mehrlagenleiterplatte, deren Au-
Außenleiterstrukturen 17 lediglich auf der Oberfläche der
Platte gebildet waren, wobei die Au/Ag-Metall-Zwischenschich
ten 16 dazwischen angeordnet sind. Derartige Au-Außenleiter
strukturen können sowohl auf der Vorderseite wie auf der Rück
seite der Platte mit dazwischen angeordneten Metall-Zwischen
schichten gebildet sein.
Die Metall-Zwischenschichten 16 werden zusammen mit dem Lami
nat aus den Ag-Innenleiterstrukturen 15 und den Rohschichten
12 gemäß der vorstehend angeführten Ausführungsform gebrannt.
Die Metall-Zwischenschichten 16 können aufgedruckt und
gebrannt werden, nachdem das Laminat aus den Ag-Innenleiter
strukturen 15 und den Rohschichten 12 zusammen gebrannt worden
sind.
Der Au/Ag-Leiter, der jede Metall-Zwischenschicht 16 bildet,
kann eine kleine Menge an Leitern enthalten, die sich von Au
und Ag unterscheiden. Außerdem kann die Anzahl an Rohschichten
(Isolierschichten) 12, aus denen das Laminat besteht, geändert
sein.
Claims (6)
1. Keramische Mehrlagenleiterplatte in LTCC (Low Temperature Cofired Ceramic)-
Technik bestehend aus
- 1. mehreren keramischen Isolierschichten (12) (Sintertemperaturen bei 800- 1.000°C)
- 2. Innenleiterstrukturen (15) aus gebrannten Silber-Leitpasten, wobei die Innenleiterstrukturen über Durchgangslöcher (Vias), die mit gebrannten Silber-Leitpasten gefüllt sind, entsprechend miteinander elektrisch verbunden sind, sowie Verbindungen zu den Außenlagen hergestellt sind, und
- 3. die Außenleiterstrukturen (17) aus gebrannten Gold-Leitpasten über eine Zwischenschicht (16) (Barriereschicht) in Form einer gebrannten Legierungs- Leitpaste mit entsprechenden gefüllten Durchgangslöchern verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierungs-Leitpaste der Zwischenschicht (16) als leitende Komponenten 10 bis 80 Gew.-% Gold (Au) und 90 bis 20 Gew.-% Silber (Ag) enthält.
2. Keramische Mehrlagenleiterplatte nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Silber-Komponente aus Ag, Ag/Pd, Ag/Pt oder
AG/Pd/Pt besteht mit Silber als Hauptbestandteil.
3. Keramische Mehrlagenleiterplatte nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Gold-Komponente aus Au, Au/Pt oder Au/Pd besteht
mit Gold als Hauptbestandteil.
4. Keramische Mehrlagenleiterplatte nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die keramischen Isolierschichten (12) im wesentlichen
aus einem bei niedriger Temperatur gebrannten Gemisch aus Glaspulver von CaO-
Al2O3-SiO2-B2O3-Typ mit Aluminiumoxidpulver besteht.
5. Verfahren zur Herstellung einer keramischen Mehrlagenleiterplatte nach einem der
Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die keramischen Isolierschichten (12), die
Innenleiterstrukturen (15) und die Zwischenschicht (16) gleichzeitig gebrannt werden,
woraufhin die Außenleiterstrukturen (17) auf die Zwischenschicht (16) gedruckt
werden.
6. Verfahren zur Herstellung einer keramischen Mehrlagenleiterplatte nach einem der
Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die keramischen Isolierschichten (12)
und die Innenleiterstrukturen (15) gleichzeitig gebrannt werden, woraufhin die
Zwischenschicht (16) auf den Innenleiterstrukturen (15) gedruckt wird.
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19707253A1 DE19707253A1 (de) | 1997-09-18 |
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---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005037950B3 (de) * | 2005-08-11 | 2007-04-19 | Imst Gmbh | Ein Verfahren zum vereinfachten Aufbau von Mikrowellenschaltungen in LTCC-Technik mit reduzierter Anzahl von Durchgangslöchern |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000232269A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Nec Toyama Ltd | プリント配線板およびプリント配線板の製造方法 |
US6150041A (en) * | 1999-06-25 | 2000-11-21 | Delphi Technologies, Inc. | Thick-film circuits and metallization process |
JP2001244376A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US6800815B1 (en) * | 2001-01-16 | 2004-10-05 | National Semiconductor Corporation | Materials and structure for a high reliability bga connection between LTCC and PB boards |
JP3840921B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2006-11-01 | 株式会社デンソー | プリント基板のおよびその製造方法 |
JP2003017851A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Murata Mfg Co Ltd | 多層セラミック基板の製造方法 |
JP4310086B2 (ja) | 2002-08-01 | 2009-08-05 | 株式会社日立製作所 | エンジン用電子機器 |
JP2004079288A (ja) * | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Agilent Technol Inc | 液体金属を用いた電気接点開閉装置 |
US7127809B2 (en) * | 2004-03-18 | 2006-10-31 | Northrop Grumman Corporation | Method of forming one or more base structures on an LTCC cofired module |
TW200920215A (en) * | 2007-10-17 | 2009-05-01 | Murata Manufacturing Co | Multilayer ceramic substrate and process for producing the multilayer ceramic |
KR100896610B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2009-05-08 | 삼성전기주식회사 | 다층 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
KR101046134B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2011-07-01 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 기판 및 그 제조방법과 이를 이용한 전기장치 |
JP5391981B2 (ja) * | 2009-02-02 | 2014-01-15 | 富士通株式会社 | 回路基板とその製造方法、及び抵抗素子 |
WO2011082213A1 (en) * | 2009-12-31 | 2011-07-07 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Mixed-metal system conductors for use in low-temperature co-fired ceramic circuits and devices |
CN104952839B (zh) * | 2014-03-28 | 2018-05-04 | 恒劲科技股份有限公司 | 封装装置及其制作方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4621066A (en) * | 1984-06-01 | 1986-11-04 | Narumi China Corporation | Low temperature fired ceramics |
EP0247617A2 (de) * | 1986-05-29 | 1987-12-02 | Narumi China Corporation | Keramisches Mehrschichtsubstrat mit Schaltungsmustern |
GB2222911A (en) * | 1988-09-16 | 1990-03-21 | Stc Plc | Hybrid circuits |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4081901A (en) * | 1974-12-23 | 1978-04-04 | International Business Machines Corporation | Method of making a ternary barrier structure for conductive electrodes |
US5084323A (en) * | 1989-04-07 | 1992-01-28 | Nippondenso Co., Ltd. | Ceramic multi-layer wiring substrate and process for preparation thereof |
JP3331083B2 (ja) * | 1995-03-06 | 2002-10-07 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | 低温焼成セラミック回路基板 |
-
1996
- 1996-03-11 JP JP8052759A patent/JPH09246723A/ja active Pending
-
1997
- 1997-02-24 DE DE19707253A patent/DE19707253C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-03 US US08/808,019 patent/US5847326A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4621066A (en) * | 1984-06-01 | 1986-11-04 | Narumi China Corporation | Low temperature fired ceramics |
EP0247617A2 (de) * | 1986-05-29 | 1987-12-02 | Narumi China Corporation | Keramisches Mehrschichtsubstrat mit Schaltungsmustern |
GB2222911A (en) * | 1988-09-16 | 1990-03-21 | Stc Plc | Hybrid circuits |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005037950B3 (de) * | 2005-08-11 | 2007-04-19 | Imst Gmbh | Ein Verfahren zum vereinfachten Aufbau von Mikrowellenschaltungen in LTCC-Technik mit reduzierter Anzahl von Durchgangslöchern |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19707253A1 (de) | 1997-09-18 |
JPH09246723A (ja) | 1997-09-19 |
US5847326A (en) | 1998-12-08 |
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